BJT的開關(guān)應(yīng)用性能_第1頁(yè)
BJT的開關(guān)應(yīng)用性能_第2頁(yè)
BJT的開關(guān)應(yīng)用性能_第3頁(yè)
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1、bjt的開關(guān)應(yīng)用性能xie meng-xian.(電子科大,成都市)我們知道,bjt作放大應(yīng)用時(shí),基木耍求是工作點(diǎn)必須處在放大狀態(tài)范圍內(nèi),并且工作點(diǎn)要具有足夠的穩(wěn)定性, 以保證bjt能夠放大信號(hào),而且不會(huì)產(chǎn)生信號(hào)失真。bjt在作開關(guān)應(yīng)用時(shí),其棊木耍求有哪些?如何滿足這些耍求呢?這些問題是在設(shè)計(jì)、制造和使用bjt及其邏輯 電路時(shí)必須理解的。(1)對(duì)開關(guān)bjt的要求:對(duì)開關(guān)bjt的基本要求應(yīng)該冇四個(gè)方而: bjt在關(guān)斷狀態(tài)時(shí)截止電流很小、電阻很人。理想情況應(yīng)該是截止電流=0,電阻=8。 bjt在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)電流很大、電阻很小。理想情況應(yīng)該是導(dǎo)通電阻=0,導(dǎo)通壓降=0。 bjt能開、能關(guān)。作為三端器件

2、的bjt,應(yīng)該能夠使用輸入電壓或電流來(lái)控制輸出的導(dǎo)通與截止,否則bjt就 不能用于邏輯電路。 bjt的開關(guān)速度高。bjt開關(guān)速度的髙低雖然不是開關(guān)工作的必要條件,但是開關(guān)速度越髙,開關(guān)電路的動(dòng)態(tài) 功耗將越小(因?yàn)殛P(guān)斷狀態(tài)和導(dǎo)通狀態(tài)的電流電壓z積都很小,則開關(guān)晶體管的靜態(tài)功耗往往可以忽略,所以晶體管開 關(guān)工作的功耗主要是動(dòng)態(tài)功耗),因此,bjt作為-個(gè)好的開關(guān)應(yīng)用時(shí),應(yīng)該是開關(guān)速度很高的。(2)bjt實(shí)現(xiàn)開關(guān)工作的必要條件:對(duì)于bjt飽和邏輯電路而言,關(guān)斷狀態(tài)就是bjt的截止?fàn)顟B(tài)(電流很小、電阻很大),導(dǎo)通狀態(tài)就是bjt的(過) 飽和狀態(tài)(電流很大、電阻很?。jt的某本開關(guān)電路是發(fā)射極接地的

3、組態(tài),如圖1所示(注意:集電結(jié)反偏,發(fā)射 結(jié)正偏)。 當(dāng)bjt的兩個(gè)p-n結(jié)都反偏時(shí),晶體管就進(jìn)入到截止?fàn)顟B(tài)關(guān)斷狀態(tài)。 當(dāng)bjt的兩個(gè)p-n結(jié)都正偏時(shí),晶體管就進(jìn)入到飽和狀態(tài)導(dǎo)通狀態(tài)。 如何使得bjt能開和能關(guān)呢?因?yàn)閎jt是電流控制的器件,所以問題也就是:如何才能利用輸入基極電流來(lái) 控制晶體管的開與關(guān)?圖2是共發(fā)射極bjt的輸出伏安特性曲線。可見,為了使bjt能夠開和關(guān),也就是要求通過基極電流能夠驅(qū)動(dòng) 晶體管在截止?fàn)顟B(tài)與飽和狀態(tài)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)變。由于這種轉(zhuǎn)變都需耍經(jīng)過放大區(qū),所以作為開關(guān)應(yīng)用的晶體管也需耍偏置 在放大狀態(tài):集電結(jié)反偏(在發(fā)射結(jié)正偏時(shí),集電結(jié)也可以0偏),發(fā)射結(jié)正偏(在集電結(jié)反偏時(shí)

4、,發(fā)射結(jié)也可以0偏); 這樣就可以借助改變基極電流來(lái)移動(dòng)工作點(diǎn),使得品體管在截止?fàn)顟B(tài)與飽和狀態(tài)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換開關(guān)工作。因?yàn)槠敷w背的集電結(jié)本來(lái)就是反偏的,則只要發(fā)射結(jié)反偏,即可去掉基極電流,就可以實(shí)現(xiàn)截止?fàn)顟B(tài)(雖然可能 存在著一定的關(guān)斷時(shí)間)。而晶體管要進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)一開啟,單只使得發(fā)射結(jié)正偏,還不一定充分,因?yàn)槿糨斎氲幕?極電流尚不足以在基區(qū)(和集迫區(qū))中產(chǎn)生一定的超量存儲(chǔ)電荷、而驅(qū)使晶體管進(jìn)入飽和狀態(tài)(集電極也正偏)的話, 那么就不能實(shí)現(xiàn)飽和導(dǎo)通狀態(tài)一一開啟。因此,相對(duì)來(lái)說,控制晶體管的開啟要難于關(guān)斷。換句話說,控制晶體管的開 關(guān)工作,難點(diǎn)主要是耍能夠把器件從截止?fàn)顟B(tài)驅(qū)動(dòng)到飽和狀態(tài)開啟。那么,開

5、啟bjt所需要的基極驅(qū)動(dòng)電流究競(jìng)要 多大呢?由于bjt在飽和狀態(tài)時(shí)的輸出電流恒定(基本上決立于偏壓vcc和負(fù)載電阻rl),叩為(見圖1):ic飽和q vcc/rl=常數(shù)如果冇基極電流ib驅(qū)動(dòng)晶體管由放大狀態(tài)(電流放犬系數(shù)為0)進(jìn)入到飽和狀態(tài),則在臨界飽和時(shí),輸出電流可 表示為:ic 飽和 p vqq/'rl = p ibs于是,品體管的臨界飽和驅(qū)動(dòng)電流ibs為:1岀=ic 飽和''' b = c d (b rl)從而,bjt開啟的必要條件是:基極電流ib必須大于臨界飽和驅(qū)動(dòng)電流,即:ib : ' ibs = ic 飽和' b 'cc &#

6、39;' ( b rl)或者b ibic 飽和=°cc/rl這后一個(gè)關(guān)系即表明:只要基極電流的b倍大于輸出飽和電流時(shí),bjt就進(jìn)入到了飽和狀態(tài)。這也是bjt是否處 于飽和狀態(tài)的一個(gè)判據(jù)。【說明1】bjt的飽和深度(飽和程度)與基極驅(qū)動(dòng)電流大小有關(guān):基極電流比臨界飽和驅(qū)動(dòng)電流大得越多,品 體管基區(qū)屮的超雖存儲(chǔ)電荷就越多,則晶體管的飽和程度就越深稱為深飽和;反之,基極電流比臨界飽和驅(qū)動(dòng)屯流 大得不命時(shí),晶體管基區(qū)中的超曲存儲(chǔ)電荷較少,則稱為淺飽和。bjt的飽和程度往往用所謂“飽和度"s來(lái)表征,立義:s = ib ibs = b ib ic 飽和顯然,飽和度s越大,集電結(jié)

7、的正向電壓降就越大,于是bjt的飽和壓降也就越低(對(duì)于si-bjt. 一般飽和壓 降約為0.3v,深飽和時(shí)約為0.1v) o但是,在s很大時(shí),基區(qū)和集電區(qū)中的超量存儲(chǔ)電荷就會(huì)很多,則bjt的關(guān)斷時(shí) 間(主婆是存儲(chǔ)時(shí)間)也就會(huì)較長(zhǎng)。因此,在bjt的開關(guān)應(yīng)用中,婆適當(dāng)選取s值;通常,在飽和(深飽和)邏輯工作 中選取s=4【說明2】雖然bjt的飽和導(dǎo)通狀態(tài)是導(dǎo)通壓降很小、導(dǎo)通電流較大的一種狀態(tài),但繪由于飽和電流的人小與負(fù) 載電阻冇反比關(guān)系,所以在負(fù)戟電阻較大時(shí),bjt的飽和電流將較小。這就是說,飽和電流可以很大,但不一定在任何 時(shí)候都很大。因此,對(duì)于很大負(fù)載的bjt,即使基極電流較小,也有可能驅(qū)使它

8、進(jìn)入飽和狀態(tài)。【注總】bjt的開關(guān)速度主要決定于關(guān)斷過程的時(shí)間(特別是存儲(chǔ)時(shí)間一超雖存儲(chǔ)電荷消失的時(shí)間),開啟時(shí)間的影響往往較小;但是bjt能否開關(guān)工作,則主要決定于開啟過程可否進(jìn)行,而關(guān)斷過程往往比較容易實(shí)現(xiàn)。乜和區(qū)放大區(qū)裁止區(qū)ipi ill a3ma2ma1maib=oce圖1基本幵關(guān)電路圖2 bjt的輸出特性曲線(3)對(duì)bjt開關(guān)工作的討論:由上述基極驅(qū)動(dòng)電流的條件和飽和狀態(tài)的判據(jù),可以見到: bjt的b不同,在飽和邏輯電路中所需要的驅(qū)動(dòng)電流也不同:b大者,需要的基極驅(qū)動(dòng)電流較小,則容易進(jìn) 行飽和開關(guān)工作;相反,0小者,需要的驅(qū)動(dòng)電流較大,則較難以進(jìn)行飽和開關(guān)工作。因此,對(duì)于開關(guān)晶體管,雖然不 像放大工作那樣對(duì)放大性能的耍求很嚴(yán)格,但是仍然需要具冇一定的放大性能(在一定范鬧內(nèi),電流放大系數(shù)越大越好)。 若增大慕極驅(qū)動(dòng)電流,則可減小負(fù)載電阻,即能夠加大負(fù)載(即增多井聯(lián)的負(fù)載);反之,為了使開關(guān)電路 能夠帶動(dòng)較犬的負(fù)載,就應(yīng)該捉供較大的基極驅(qū)動(dòng)電流。這就表明,為了捉高邏輯電路的負(fù)載能力,就要求:a)增人 基極驅(qū)動(dòng)電流;b)增大bjt的b; c)降低vcc。 在基極驅(qū)動(dòng)電流ib-定吋,若加通負(fù)載(即減小rl),則就有可能使得bjt不再滿足基極驅(qū)動(dòng)電流條件,于 是bjt就將退出飽和工作狀態(tài)。這就是說,當(dāng)負(fù)

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