現(xiàn)代應(yīng)用物理論文寫作參考

1、現(xiàn)代應(yīng)用物理論文寫作參考1. 使用本模板撰寫文章時(shí)請(qǐng)按照藍(lán)色提示,定稿后請(qǐng)刪掉藍(lán)色提示.2. 物理量單位用正體，物理量符號(hào)用斜體，矢量矩陣符號(hào)用黑斜體.3. 使用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的縮略詞、符號(hào)和法定計(jì)量單位.符號(hào)及計(jì)量單位使用時(shí)應(yīng)全文一致，正文中的縮略詞在首次出現(xiàn)時(shí)應(yīng)給出中英文全稱, 后附縮略詞, 并用括號(hào)括起，之后直接用縮略詞，不再寫全稱. 4. 公式、圖表和參考文獻(xiàn)不采用文件鏈接.5 正文用5號(hào)宋體，一級(jí)標(biāo)題用小4號(hào)黑體，二級(jí)標(biāo)題用5號(hào)黑體，三級(jí)標(biāo)題用5號(hào)宋體，圖題表題用小5號(hào)宋體.中文標(biāo)題收稿日期：20XXXXXX； 修回日期：20XX-XX-XX基金項(xiàng)目：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目（106750

2、74）基金項(xiàng)目要給出批準(zhǔn)號(hào)，涉及保密項(xiàng)目的不宜給出作者簡(jiǎn)介：雷嵐（1984-），女，山西平窯人，研究實(shí)習(xí)員，碩士，從事脈沖輻射探測(cè)技術(shù)研究。通信作者：（通信作者簡(jiǎn)介格式同作者簡(jiǎn)介）E-mail: leilan1029（簡(jiǎn)短明確, 題名一般不超過20 個(gè)漢字，必要時(shí)可加副題名。應(yīng)避免使用非公知公用的縮略語、字符、代號(hào)以及結(jié)構(gòu)式和公式。中文題名用字使用小二號(hào)黑體，居中）雷 嵐1，歐陽曉平1,2,3，夏良斌1，譚新建1，張小東1（通信作者有上標(biāo)）(1. 西北核技術(shù)研究所，西安 710024； 2. 清華大學(xué) 工程物理系，北京 100084；3. 西安交通大學(xué) 核科學(xué)與技術(shù)學(xué)院，西安 710049)

3、（單位名稱用規(guī)范正式的全稱，全稱到院或系，一級(jí)單位和二級(jí)單位之間用空格分開，非省會(huì)城市要列出所在?。┱?要：提出并建立了在薄型半導(dǎo)體探測(cè)器前添加電子平衡片來準(zhǔn)確測(cè)定其對(duì)g射線誘發(fā)電子電荷收集效率的實(shí)驗(yàn)方法。以電荷收集效率為100%的Si-PIN探測(cè)器作為該測(cè)量方法理論模擬和實(shí)驗(yàn)校驗(yàn)的基準(zhǔn)，建立了化學(xué)氣相沉積（CVD）金剛石薄膜探測(cè)器對(duì)g射線響應(yīng)時(shí)電荷收集效率的測(cè)量方法和系統(tǒng)。研究結(jié)果表明：所研制的CVD金剛石薄膜探測(cè)器，在600 V飽和偏壓下，常態(tài)時(shí)電荷收集效率為55%，在pump狀態(tài)時(shí)可達(dá)69%。（摘要以提供論文的內(nèi)容梗概為目的，300400字，句式力求簡(jiǎn)明扼要、慎用長(zhǎng)句。應(yīng)排除本學(xué)科領(lǐng)域常

4、識(shí)性內(nèi)容、背景內(nèi)容盡量少說，也不對(duì)論文水平作自我評(píng)價(jià)。摘要結(jié)構(gòu)建議包括：研究目的、研究方法、主要結(jié)果和結(jié)論等（內(nèi)容要具體明確，勿使用空洞的語句）。摘要不能是結(jié)論的簡(jiǎn)單重復(fù)，盡量不要使用變量符號(hào)、公式、參考文獻(xiàn)，不宜用縮略詞。不用第一人稱，也不要出現(xiàn)“本文”。）關(guān)鍵詞：金剛石薄膜；半導(dǎo)體探測(cè)器；電荷收集效率；輻射測(cè)量；化學(xué)氣相沉積（58個(gè)，與英文Keywords一一對(duì)應(yīng)）中圖分類號(hào)：(作者自行給出與本文所研究的專業(yè)領(lǐng)域一致) 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A Charge Collection Efficiency Measurement of CVD Diamond Detector to g-Rays（與中文

5、題目對(duì)應(yīng)，僅首字母大寫）LEI Lan1, OUYANG Xiao-ping1,2,3，XIA Liang-bin1，TAN Xin-jian1，ZHANG Xiao-dong1(1. Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi，an 710024, China; 2. Department of Engineering Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China; 3. Science and technology school, Xi，an Jiaotong University,

6、Xi，an 710049, China)Abstract: A novel method is proposed for measurement of the charge collection efficiency of a chemical vapor deposition (CVD) diamond detector in ray detection. A slab is laid before the detector to absorb the scattering electrons in the detector so that the interference of those

7、 scattering electrons can be effectively removed. The method is validated by the experiment with a Si-PIN detector, which has a charge collection efficiency of about 100%. The results of both experiments are compared with those of the theoretical calculation by MCNP, indicating that the charge colle

8、ction efficiency of the detector for rays at 600 V biased voltage is 55% at normal state, and 69% at priming state.（英文摘要相當(dāng)于文章的簡(jiǎn)寫，可以不與中文摘要完全對(duì)應(yīng)，字?jǐn)?shù)一般為300-500，要注意時(shí)態(tài)、語態(tài)的和諧一致，英文縮寫要給出全稱）Keywords: diamond film；semiconductor detector；charge collection efficiency；radiation measurement；chemical vapor depositio

9、n5 / 5文檔可自由編輯打印基于金剛石材料禁帶寬度大、載流子漂移速度快等優(yōu)點(diǎn)，化學(xué)氣相沉積（CVD）金剛石薄膜探測(cè)器具有優(yōu)異的物理性能，如其耐輻照能力比Si-PIN半導(dǎo)體探測(cè)器高出3個(gè)量級(jí)，工作溫度可達(dá)500°C，且時(shí)間性能優(yōu)于Si-PIN等，已成為托卡馬克聚變反應(yīng)裝置中子輻射場(chǎng)參數(shù)測(cè)量的主流探測(cè)器，同時(shí)也是當(dāng)前輻射探測(cè)領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)和較理想的探測(cè)器之一 1-5。對(duì)于多晶CVD金剛石薄膜探測(cè)器，由于金剛石內(nèi)部存在缺陷和晶界，輻射在金剛石材料中產(chǎn)生的電子空穴對(duì)不能被完全收集，因而，電荷收集效率是表征探測(cè)器性能最為重要的參數(shù)之一，它直接決定探測(cè)器的靈敏度，而能否準(zhǔn)確刻度探測(cè)器的輻射靈敏

10、度又直接決定其強(qiáng)度的絕對(duì)測(cè)量精度5。（引言的寫作直接影響到讀者對(duì)文章進(jìn)一步了解的興趣，建議包括以下內(nèi)容：（1）本研究領(lǐng)域背景的綜述；（2）其他學(xué)者（國(guó)內(nèi)外）已有主要（或典型的）研究成果的概述；（3）陳述作者本項(xiàng)研究的目的；（4）簡(jiǎn)述本文開展的研究工作（勿與摘要和結(jié)論簡(jiǎn)單重復(fù)，用更加精練的語言引出本文所做工作）；（5）本項(xiàng)研究結(jié)果的意義（可選項(xiàng)）。特別指出的是，在引言部分要給出對(duì)應(yīng)相關(guān)文獻(xiàn)，便于讀者清楚了解該領(lǐng)域的最新研究成果（進(jìn)展）及本文的創(chuàng)新點(diǎn)。引言中一般不使用公式和圖表）1 探測(cè)器的電荷收集效率電荷收集效率和電荷收集距離是描述傳輸過程的主要參數(shù)。Hecht的理論給出了均勻電離且缺陷分布均勻

11、條件下時(shí)與的關(guān)系20： （1）（請(qǐng)用Mathtype公式編輯器編輯，公式要給出序號(hào)，避免以圖片的形式插入）式中：L為探測(cè)器兩電極距離；G為輻射粒子在半導(dǎo)體材料中的射程，與薄膜質(zhì)量有關(guān)。與探測(cè)器所在的電場(chǎng)強(qiáng)度有關(guān)21，故探測(cè)器的電荷收集效率與其所加偏壓有關(guān)。（公式中，物理量符號(hào)用斜體，矢量、矩陣符號(hào)用黑斜體，物理變量單位用正體，數(shù)值與單位之間要空1個(gè)字符。公式不要采用文件鏈接，也避免用圖片插入。公式中出現(xiàn)的所有變量均要在其第一次出現(xiàn)時(shí)說明其指代含義及單位。）2 研究方法XXX如圖1所示。圖1（a）為XXX，圖1（b）為XXX（圖要精選，應(yīng)具有自明性即獨(dú)立看圖就能大致明確所表達(dá)的意思，切忌與表及文

12、字表述重復(fù)。圖題要求中英文對(duì)照。圖中文字一律用英文標(biāo)注，西文、數(shù)字均用8 磅Eudid 體，中文為8 磅宋體。首字母均大寫。曲線圖要求曲線光滑、清晰，多條曲線應(yīng)在圖里指明各條線的區(qū)別，單幅圖尺寸以5 cm（高）×7 cm（寬）為宜；照片圖的圖片分辨率不低于600 dpi；坐標(biāo)圖須給出所有坐標(biāo)的物理量及其單位。量符號(hào)為斜體，單位為正體，二者之間用“/”隔離。圖中的量及符號(hào)都應(yīng)在正文中有定義。 圖、表格隨文排，先文后圖、表，即圖表放在文中出現(xiàn)圖表的說明之后）圖1脈沖寬度、峰值功率隨注入的泵浦光能量變化曲線(重復(fù)頻率為10 kHz)Fig.1 Measured pulse width an

13、d calculated peak power vs. launched pump energyat the repetiton rate of 10 kHz (a) Full field out of plane displacement of the film (b) Full field in plane displacement of the film圖2壓力p為0.6 MPa時(shí)，錫膜鼓包變形圖Fig.2 Deformation of tin film at p =0.6 MPa3 實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)與測(cè)量記錄模擬待測(cè)波形的ch1通道輸出波形特征參數(shù)，如表1所列。（表格要使用所示的三線表，注意單

14、位的寫法。表題先中文后英文，表內(nèi)文字均用英文表達(dá)）（第一行為項(xiàng)目欄，采用“物理量/單位”形式）。表1 波形特征參數(shù)比較Tab.1 Comparison of signal characteristics tr / nstf / nstFWHM / nsVF / VNo Connection685.9685.9921.62.06Connection698.9705.59092.09Relative deviation/% 1.9 2.9 1.4 1.5表2隨機(jī)參數(shù)的分布規(guī)律Tab.2 The distribution of random parametersParametersMeanVaria

15、nceDistribution/(J/m2)50.5Weibull(10-6/°C)60.23NormalT/°C100012NormalE/GPa37513.8Weibullh/µm60.6NormalA/µm151.5NormalL/µm605Normalc/µm30.3Normal4 結(jié) 論本文建立了CVD金剛石薄膜探測(cè)器對(duì)g射線響應(yīng)時(shí)電荷收集效率的測(cè)量方法和系統(tǒng)。通過在薄型半導(dǎo)體探測(cè)器前加一定厚度的散射電子吸收片，排除了系統(tǒng)中散射電子對(duì)信號(hào)的干擾，獲得了真實(shí)的實(shí)測(cè)信號(hào)；通過與MCNP模擬計(jì)算的輻射粒子在探測(cè)器內(nèi)產(chǎn)生的總信號(hào)比較

16、，準(zhǔn)確獲得了電荷收集效率。（結(jié)論不應(yīng)是正文中各段小結(jié)的簡(jiǎn)單重復(fù)，在研究結(jié)果與討論的基礎(chǔ)上總結(jié)出本研究得到的重要論點(diǎn)，建議可包括以下內(nèi)容：（1）由對(duì)研究對(duì)象進(jìn)行考察或?qū)嶒?yàn)得到的結(jié)果所揭示的原理及其普遍性；（2）與先前已發(fā)表過的（包括他人或作者自己）研究工作的異同。（3）研究中有無發(fā)現(xiàn)例外或本論文尚難以解釋或解決的問題；（4）盡可能得出一個(gè)很清晰的結(jié)論，對(duì)每一個(gè)結(jié)論需要總結(jié)證據(jù)。同時(shí)也可以指出本工作在理論上或?qū)嵱蒙系囊饬x、價(jià)值和將要開展工作的展望。請(qǐng)注意不能簡(jiǎn)單重復(fù)摘要和引言。）致謝 感謝xx研究所xx給予的指導(dǎo)和幫助。（致謝并不是論文的必要組成部分，它是對(duì)曾經(jīng)給予本研究的選題、構(gòu)思或論文撰寫以指

17、導(dǎo)或建議，對(duì)考察或?qū)嶒?yàn)作出某種貢獻(xiàn)的人員致以謝意。）參考文獻(xiàn)1 KAGAN H. Recent advances in diamond detector developmentJ. Nucl Instrum Methods A, 2005, 541(1/2): 221-227.（外文期刊論文）2 歐陽曉平, 王蘭, 范如玉, 等. 金剛石膜探測(cè)器研制J. 物理學(xué)報(bào), 2006, 55(5): 2 170-2 174. (OUYANG Xiao-ping，WANG Lan, FAN Ru-yu, et al. Preparation of diamond-film based radiation

18、 detector J. Acta Physica Sinica, 2006, 55(5): 2 170-2 174.)（中文期刊論文）3 王蘭. 電流型CVD金剛石探測(cè)器研制D. 北京: 清華大學(xué), 2008. (WANG Lan. Studies on CVD diamond detectors for pulsed radiation detectionD. Beijing：Tsinghua University, 2008. )（學(xué)位論文）4 劉恩科, 朱秉生, 羅晉升. 半導(dǎo)體物理學(xué)M. 7版. 北京: 電子工業(yè)出版社, 2011: 98. (LIU En-ke, ZHU Bing-sheng, LUO Jin-sheng. The Physics of SemiconductorsM. 7th ed. Beijing: Publishing House of Electronics Industry, 20