第四講-內(nèi)存推薦課件

1、2021/8/221 計(jì)算機(jī)具有信息處理和信息存儲(chǔ)兩大基本功能，信息處理主要由處理器執(zhí)行，信息存儲(chǔ)則由存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)。 存儲(chǔ)器分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器，分別簡(jiǎn)稱(chēng)為內(nèi)存和外存。內(nèi)內(nèi) 存存 2021/8/222一、 內(nèi)存簡(jiǎn)介 從狹義來(lái)講，內(nèi)存是指中央處理器（CPU）能夠直接訪(fǎng)問(wèn)的存儲(chǔ)器，又稱(chēng)主存儲(chǔ)器、主存。 它存放當(dāng)前CPU正在使用或?qū)⒁褂玫某绦蚝蛿?shù)據(jù)，以及處理的中間結(jié)果。它和CPU通過(guò)系統(tǒng)總線(xiàn)直接溝通。 從廣義來(lái)講， 內(nèi)存由主板上和內(nèi)存條上安裝的多種存儲(chǔ)器集成電路組成，如只讀存儲(chǔ)器（ROM）和隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）。 2021/8/223二、內(nèi)存分類(lèi)與技術(shù)指標(biāo)1. 內(nèi)存分類(lèi)內(nèi)存分類(lèi)2. 內(nèi)存的技

2、術(shù)指標(biāo)內(nèi)存的技術(shù)指標(biāo)2021/8/224SRAMCMOS RAMDRAMRAMROMMEMORY1. 1. 內(nèi)存分類(lèi)內(nèi)存分類(lèi)2021/8/2251.1 只讀存儲(chǔ)器(ROM) ROM是“Read Only Memory”的縮寫(xiě)，即只讀存儲(chǔ)器。 特點(diǎn)：所存儲(chǔ)的程序和數(shù)據(jù)一旦寫(xiě)入，一般不容易被更改，而且可以永久保存，不會(huì)因?yàn)閿嚯姸А?021/8/226 在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，主板的BIOS、顯卡的BIOS、網(wǎng)卡的硬件資源信息等都可以保存在ROM芯片中，以防止這些重要的數(shù)據(jù)被有意或無(wú)意地被更改或刪除。2021/8/227主板上的ROM芯片DIP封裝2021/8/228PLCC封裝2021/8/229RO

3、M芯片主要有以下五種類(lèi)型ROM：標(biāo)準(zhǔn)ROM，信息被永久固化在存儲(chǔ)單元中，不可改變。PROM（Programmable ROM）：可編程的ROM，即通過(guò)程序一次性寫(xiě)入，以后不能再更改。EPROM（Erasable PROM） ：可擦寫(xiě)式ROM，即對(duì)已經(jīng)寫(xiě)入的內(nèi)容，通過(guò)紫外線(xiàn)擦除后，可以重新寫(xiě)入。EEPROM（Electric Erasable PROM）：電可擦寫(xiě)式ROM，即在一定的電壓條件下可以改寫(xiě)ROM芯片中的程序或數(shù)據(jù)，但通常是一位一位地寫(xiě)入數(shù)據(jù)，速度較慢。Flash ROM：即通常所說(shuō)的“閃存”，對(duì)于這種ROM，可以通過(guò)程序或命令快速改寫(xiě)其中的數(shù)據(jù)。2021/8/22101.2 隨機(jī)存取

4、存儲(chǔ)器(RAM) RAM是“Random Access Memory”的縮寫(xiě)，即隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。 特點(diǎn)：隨機(jī)讀出或?qū)懭霐?shù)據(jù)，斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失。2021/8/2211RAM又分為以下三類(lèi)：1. DRAM（Dynamic RAM）動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器2. SRAM（Static RAM）靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器3. CMOS RAM （Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor RAM ）互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體隨機(jī)存取存儲(chǔ)器2021/8/22121. DRAM（Dynamic RAM） DRAM（Dynamic RAM）動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 特點(diǎn)：價(jià)

5、格便宜，可讀可寫(xiě)，集成度高，但存取速度慢，因此適合做容量需求較大的主內(nèi)存。2021/8/2213主板上的內(nèi)存芯片2021/8/2214主要內(nèi)存類(lèi)型2021/8/2215FPM（Fast Page Mode）DRAM：快速頁(yè)方式，存取速度約為70ns， 30線(xiàn)8bit，用于286 386 486EDO（Extended Data Output）：可擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出方式，存取速度約為60ns， 72線(xiàn)32bit ， 用于486 586SDRAM（Synchronous DRAM）：同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。168線(xiàn)64bit，工作電壓為3.3v2021/8/2216RDRAM（Rambus DRAM）：總線(xiàn)

6、式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，是由RAMBUS公司制造DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM，簡(jiǎn)稱(chēng)為DDR）雙倍數(shù)據(jù)率， 184線(xiàn)64bit，工作電壓2.5v 主要規(guī)格有DDR200 266 333 400DDR2 SDRAM ：DDR2構(gòu)建在DDR的基礎(chǔ)上， 240線(xiàn)64bit，工作電壓1.8v。主要規(guī)格為DDR2-400 533 667 800DDR3 SDRAM ：DDR2 SDRAM的后繼者， 240線(xiàn)64bit，工作電壓1.5v。主要規(guī)格為DDR3-800 1066 1333 1600 1866 2000 2021/8/2217內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)SDRAM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn) PC100 P

7、C1332021/8/2218DDR SDRAM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)2021/8/2219DDR2 SDRAM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)2021/8/2220DDR3 SDRAM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)2021/8/2221內(nèi)存條的結(jié)構(gòu)2021/8/22221、PCB板板內(nèi)存條的內(nèi)存條的PCB板多數(shù)都是綠色的，采用了多層設(shè)計(jì)，例如板多數(shù)都是綠色的，采用了多層設(shè)計(jì)，例如4層或?qū)踊?層層等。等。 2、金手指、金手指這一根根黃色的接觸點(diǎn)是內(nèi)存與主板內(nèi)存槽接觸的部分，數(shù)據(jù)就是這一根根黃色的接觸點(diǎn)是內(nèi)存與主板內(nèi)存槽接觸的部分，數(shù)據(jù)就是靠它們來(lái)傳輸?shù)模ǔ７Q(chēng)為金手指?？克鼈儊?lái)傳輸?shù)模ǔ７Q(chēng)為金手指。 3、內(nèi)存芯片、內(nèi)存芯片內(nèi)存的芯片就是內(nèi)存的靈魂所在

8、，內(nèi)存的性能、速度、容量都是由內(nèi)存的芯片就是內(nèi)存的靈魂所在，內(nèi)存的性能、速度、容量都是由內(nèi)存芯片組成的。不同廠(chǎng)商的內(nèi)存顆粒在速度、性能上也有很多不同。內(nèi)存芯片組成的。不同廠(chǎng)商的內(nèi)存顆粒在速度、性能上也有很多不同。 4、內(nèi)存顆?？瘴弧?nèi)存顆?？瘴皇窃O(shè)計(jì)時(shí)預(yù)留內(nèi)存芯片焊接位。這塊內(nèi)存條就是使用是設(shè)計(jì)時(shí)預(yù)留內(nèi)存芯片焊接位。這塊內(nèi)存條就是使用9片裝片裝PCB，預(yù)，預(yù)留留ECC校驗(yàn)?zāi)K位置。校驗(yàn)?zāi)K位置。 5、電容、電容PCB板上必不可少的電子元件，為提高內(nèi)存條的穩(wěn)定性起了很大作板上必不可少的電子元件，為提高內(nèi)存條的穩(wěn)定性起了很大作用。用。 2021/8/22236、電阻、電阻7、內(nèi)存固定卡缺口、內(nèi)存固

9、定卡缺口 用于固定安裝的內(nèi)存條。用于固定安裝的內(nèi)存條。8、內(nèi)存腳缺口、內(nèi)存腳缺口內(nèi)存的腳上的缺口一是用來(lái)防止內(nèi)存插反的（只有一內(nèi)存的腳上的缺口一是用來(lái)防止內(nèi)存插反的（只有一側(cè)有），二是用來(lái)區(qū)分不同的內(nèi)存。側(cè)有），二是用來(lái)區(qū)分不同的內(nèi)存。9、SPDSPD是一個(gè)八腳的小芯片，它實(shí)際上是一個(gè)是一個(gè)八腳的小芯片，它實(shí)際上是一個(gè)EEPROM可擦寫(xiě)存貯器，這的容量有可擦寫(xiě)存貯器，這的容量有256字節(jié)，可以寫(xiě)入字節(jié)，可以寫(xiě)入信息，這信息中就可以包括內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作狀態(tài)、速度、信息，這信息中就可以包括內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作狀態(tài)、速度、響應(yīng)時(shí)間等，以協(xié)調(diào)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)更好的工作。響應(yīng)時(shí)間等，以協(xié)調(diào)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)更好的工作。202

10、1/8/22242.SRAM（Static RAM）靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 SRAM由靜態(tài)MOS管組成 特點(diǎn)：集成度低，容量小，價(jià)格高，工作速度快，只有幾ns。2021/8/2225圖 主板上的Cache芯片2021/8/2226 Cache工作流程 當(dāng)CPU要讀取一個(gè)數(shù)據(jù)時(shí)，它首先在Cache中找，如果找到了，就把這個(gè)數(shù)據(jù)讀入CPU中；如果沒(méi)有，則從主存中讀出該數(shù)據(jù)送到CPU，并且把包含數(shù)據(jù)的整個(gè)數(shù)據(jù)塊都從主存調(diào)入Cache中。這樣，以后的若干次訪(fǎng)問(wèn)都可以通過(guò)Cache來(lái)完成。2021/8/2227Cache分類(lèi)一級(jí)Cache（Level1 Cache、L1 Cache、Internal Cac

11、he） L1 Cache位于CPU的核心芯片上，速度與CPU相當(dāng)，容量相對(duì)較小，一般為864KB。二級(jí)Cache（Level2 Cache、L2 Cache、External Cache） 早期的L2 Cache位于主板上，速度比L1 Cache稍慢一些，后期集成到CPU內(nèi)部，工作速度快。容量一般較大，為512KB4MB。2021/8/22283. CMOS RAM（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor）互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體。 特點(diǎn)：耗電量非常小，一塊普通的電池就可以為其供電二、三年。 作用：保存計(jì)算機(jī)系統(tǒng)不斷更新的日期及時(shí)鐘、

12、硬件配置信息和用戶(hù)設(shè)定的參數(shù)。2021/8/2229CMOS RAM的電池2021/8/22302. 內(nèi)存的技術(shù)指標(biāo)及相關(guān)概念1. 存儲(chǔ)容量存儲(chǔ)容量 指內(nèi)存存儲(chǔ)單元的數(shù)量，單位是字節(jié)。內(nèi)存容量直接關(guān)系到微機(jī)整指內(nèi)存存儲(chǔ)單元的數(shù)量，單位是字節(jié)。內(nèi)存容量直接關(guān)系到微機(jī)整體性能。目前，單條內(nèi)存條容量一般為體性能。目前，單條內(nèi)存條容量一般為128、256、512MB、1GB、2GB。2. 存取時(shí)間（存取時(shí)間（tAC） 是是Access Time from CLK的縮寫(xiě)表示讀寫(xiě)數(shù)據(jù)所延遲的時(shí)間，如的縮寫(xiě)表示讀寫(xiě)數(shù)據(jù)所延遲的時(shí)間，如存取時(shí)間為存取時(shí)間為58或或10ns。3. 時(shí)鐘周期（時(shí)鐘周期（tCK）

13、它代表內(nèi)存所能運(yùn)行的最大頻率。數(shù)字越小說(shuō)明它代表內(nèi)存所能運(yùn)行的最大頻率。數(shù)字越小說(shuō)明SDRAM芯片所能芯片所能運(yùn)行的頻率就越高，運(yùn)行的頻率就越高， 單位為納秒（單位為納秒（ns）。）。2021/8/22314.奇偶校驗(yàn)（奇偶校驗(yàn)（ Parity ） 系統(tǒng)檢查數(shù)據(jù)的存取錯(cuò)誤的一項(xiàng)技術(shù)，這種內(nèi)存是通過(guò)在系統(tǒng)檢查數(shù)據(jù)的存取錯(cuò)誤的一項(xiàng)技術(shù)，這種內(nèi)存是通過(guò)在原來(lái)數(shù)據(jù)位的基礎(chǔ)上增加一個(gè)數(shù)據(jù)位來(lái)檢查當(dāng)前原來(lái)數(shù)據(jù)位的基礎(chǔ)上增加一個(gè)數(shù)據(jù)位來(lái)檢查當(dāng)前8位數(shù)據(jù)的正確位數(shù)據(jù)的正確性性 ，只能糾正一些簡(jiǎn)單錯(cuò)誤。有奇偶校驗(yàn)功能的內(nèi)存條的芯片數(shù)，只能糾正一些簡(jiǎn)單錯(cuò)誤。有奇偶校驗(yàn)功能的內(nèi)存條的芯片數(shù)量為奇數(shù)。量為奇數(shù)。 3.

14、 CAS延遲時(shí)間延遲時(shí)間 （CL） 縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間，指的是縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間，指的是CPU在接到讀取某列內(nèi)存地址在接到讀取某列內(nèi)存地址上數(shù)據(jù)的指令后，到實(shí)際開(kāi)始讀出數(shù)據(jù)所需的等待時(shí)間。用上數(shù)據(jù)的指令后，到實(shí)際開(kāi)始讀出數(shù)據(jù)所需的等待時(shí)間。用CL指標(biāo)表示，指標(biāo)表示，如如234。2021/8/22325. ECC（Error Check and Correct）校驗(yàn)）校驗(yàn) 對(duì)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)進(jìn)行檢驗(yàn)和糾錯(cuò)的技術(shù)，通過(guò)在原來(lái)的數(shù)據(jù)對(duì)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)進(jìn)行檢驗(yàn)和糾錯(cuò)的技術(shù)，通過(guò)在原來(lái)的數(shù)據(jù)位上外加校驗(yàn)位來(lái)實(shí)現(xiàn)的。它與位上外加校驗(yàn)位來(lái)實(shí)現(xiàn)的。它與Parity不同的是如果數(shù)據(jù)位是不同的是如果數(shù)據(jù)位是8位，

15、位，則需要增加則需要增加5位來(lái)進(jìn)行位來(lái)進(jìn)行ECC錯(cuò)誤檢查和糾正，數(shù)據(jù)位每增加一倍，錯(cuò)誤檢查和糾正，數(shù)據(jù)位每增加一倍，ECC只增加一位檢驗(yàn)位，只增加一位檢驗(yàn)位，ECC具有自動(dòng)更正的能力，可以將具有自動(dòng)更正的能力，可以將Parity無(wú)法檢查出來(lái)的錯(cuò)誤位查出無(wú)法檢查出來(lái)的錯(cuò)誤位查出并將錯(cuò)誤修正。并將錯(cuò)誤修正。 有有ECC功能的內(nèi)存，芯片數(shù)一般能被三整除。功能的內(nèi)存，芯片數(shù)一般能被三整除。6.工作電壓工作電壓7.工作頻率工作頻率8.內(nèi)存帶寬內(nèi)存帶寬 內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度，是衡量?jī)?nèi)存性能的重要標(biāo)準(zhǔn)，內(nèi)存帶內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度，是衡量?jī)?nèi)存性能的重要標(biāo)準(zhǔn)，內(nèi)存帶寬內(nèi)存工作頻率寬內(nèi)存工作頻率X內(nèi)存總線(xiàn)寬度內(nèi)存總線(xiàn)

16、寬度/8。 PC133的內(nèi)存工作在的內(nèi)存工作在133MH/z時(shí)，其峰值傳輸帶寬時(shí)，其峰值傳輸帶寬1.06GB/s. DDR266的內(nèi)存工作在的內(nèi)存工作在133MH/z時(shí)，其峰值傳輸帶寬時(shí)，其峰值傳輸帶寬2.1GB/s。2021/8/22339.Bank 物理Bank 邏輯Bank 2021/8/2234三、 內(nèi)存的品牌及編號(hào)內(nèi)存芯片的品牌及編號(hào)識(shí)別內(nèi)存芯片的品牌及編號(hào)識(shí)別 三星（SAMSUNG，韓國(guó)） 美光（Micron，美國(guó)） 英飛凌（Infineon，德國(guó)） 海力士（Hynix韓國(guó)） 南亞（Nanya，臺(tái)灣） 爾必達(dá)（ELPIDA，日本） 茂矽（Mosel Vitelic，臺(tái)灣） 力晶（P

17、owerchip，臺(tái)灣） 華邦（Winbond，中國(guó)臺(tái)灣） 沖電氣（Oki，日本）2. 內(nèi)存條的品牌內(nèi)存條的品牌2021/8/22352021/8/22362021/8/2237四、 內(nèi)存條選購(gòu)1.按需購(gòu)買(mǎi)用途： 辦公 家庭 專(zhuān)業(yè)匹配指標(biāo)：頻率 容量2.認(rèn)準(zhǔn)內(nèi)存類(lèi)型規(guī)格3.注意Remark4.關(guān)注內(nèi)存條的做工質(zhì)量 1）金手指 制作方法 外觀顏色2021/8/2238電鍍和化鍍2021/8/22392）選材用料 電路板層數(shù) 元器件數(shù)量 3）制作工藝 電路板質(zhì)量 焊接質(zhì)量5. 測(cè)試 運(yùn)行較大的程序 內(nèi)存測(cè)試軟件6.質(zhì)保2021/8/2240內(nèi)存配置注意事項(xiàng)內(nèi)存配置注意事項(xiàng)兼容性兼容性 購(gòu)買(mǎi)通過(guò)CP

18、U廠(chǎng)商、主板廠(chǎng)商認(rèn)證的內(nèi)存型號(hào)，比如：金士頓、金邦、勝創(chuàng)、英飛凌、南亞等大廠(chǎng)的產(chǎn)品。參數(shù)配置參數(shù)配置 滿(mǎn)足前端總線(xiàn)和內(nèi)存規(guī)格之間匹配要求構(gòu)建雙通道系統(tǒng)構(gòu)建雙通道系統(tǒng) 1）對(duì)條 2）同一品牌、同一規(guī)格、同一容量、同一批次的內(nèi)存 3）購(gòu)買(mǎi)同一品牌、同一規(guī)格的內(nèi)存2021/8/2241補(bǔ)充內(nèi)容 CPU和內(nèi)存硬超頻2021/8/2242習(xí) 題RAM存儲(chǔ)器分哪幾類(lèi)？各有什么特點(diǎn)？?jī)?nèi)存的主要技術(shù)指標(biāo)有哪些？選購(gòu)內(nèi)存條時(shí)應(yīng)注意哪些要點(diǎn)？2021/8/2243SPD中內(nèi)存參數(shù)的標(biāo)注PC1600/2100 DDR SDRAM（版本為1.0）內(nèi)存標(biāo)注格式其格式為：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示內(nèi)存帶寬，單