拉晶工藝流程

1、直拉單晶操作規(guī)程拉晶工藝流程包括拆爐清爐-清理石墨件裝 爐抽空沖氬氣熔硅料引晶放肩 轉(zhuǎn)肩投自動(dòng)等徑收尾停爐1. 拆爐：準(zhǔn)備好不銹鋼推車，（車面保持干凈）專用擦試布，無水乙醇及相應(yīng)的工具。先擰開副室門螺絲，打開副室氬氣閥門充氣，待真 空表壓力到零位置時(shí)，爐內(nèi)外氣壓平衡，開啟副室門，把晶棒升至副室 內(nèi)，升起副室爐筒，轉(zhuǎn)副室爐筒時(shí)必須把托盤移至副室以下，防止晶 棒脫落.然后旋轉(zhuǎn)副室移至取晶框上，穩(wěn)定晶棒后，快降晶體至取晶框 內(nèi).待晶棒與接晶框落穩(wěn)后，然后帶手套抓住細(xì)頸稍帶點(diǎn)力向下攥，用鉗子把細(xì)頸剪斷，再慢慢松細(xì)頸，直至鋼絲繩搞正完全消失（防止鋼絲繩轉(zhuǎn)圈導(dǎo)致鋼絲繩開叉），查看一下鋼絲繩是否完好，如開叉

2、或 斷股要剪掉一段，必要時(shí)需更換新鋼絲繩。檢查重錘表面是否有氧化 層，如有，必須用細(xì)砂紙打磨干凈，然后帶好專用手套取出導(dǎo)流筒，保溫蓋,三瓣堝,石墨托盤，托桿,送至清石墨件房，待自然冷卻后進(jìn)行 清理,特別注意托桿上有無硅點(diǎn)情況,（防止沒有清理干凈，與托桿護(hù) 套摩擦在拉晶過程中液面抖動(dòng).）2. 清爐與清石墨件：清理爐子的副室爐筒，小副室，爐蓋，爐筒，用 長(zhǎng)纖維紙，酒精把以上部位全部擦拭干凈，做到長(zhǎng)纖維紙擦拭過后無 污跡。每爐必清排氣口，以免造成排氣口堵塞，揮發(fā)物過多；用吸塵器 吸干凈保溫罩與加熱器上下的揮發(fā)物，吸凈碳?xì)稚系臍置?。需保證在 晶體的生長(zhǎng)過程中盡量避免不起毛， 無揮發(fā)物等雜質(zhì)進(jìn)入料中。清

3、理 石墨件的時(shí)候必須注意觀察石墨堝的厚度， 能不能達(dá)到要求，是否有 裂紋等。把石墨件上的揮發(fā)物與一些雜質(zhì)清理干凈。 若石墨件上濺有 硅料，應(yīng)用什錦挫或細(xì)沙布打磨除去，必要時(shí)用砂輪機(jī)打磨。注意： 清理石墨件的時(shí)候必須注意輕拿輕放，防止造成內(nèi)裂！3. 裝爐：安裝石墨件時(shí)各部位應(yīng)相互吻合牢固， 發(fā)現(xiàn)異常及時(shí)進(jìn) 行修正，打開堝轉(zhuǎn)，觀察石墨堝轉(zhuǎn)動(dòng)是否平穩(wěn)，四周與加熱器的間距 是否勻稱，檢查取光孔是否對(duì)準(zhǔn)，檢查與鋼絲繩軟軸是否有異常。裝 爐應(yīng)按其程序規(guī)范操作：原料準(zhǔn)備檢查石英坩堝打開原料袋去掉外層塑料袋，然后準(zhǔn)備裝爐。爐前人員必須檢查核對(duì)所裝 爐的原料與母合金，是否準(zhǔn)確無誤。檢查石英堝，保證無大量氣泡群，

4、 無損傷，內(nèi)表面無黑點(diǎn)，如有異常，標(biāo)識(shí)清楚，由大班長(zhǎng)確認(rèn)后方可 更換。把石墨件按次序裝入爐內(nèi)，穿好防塵服，戴好防塵帽，戴上棉 手套與兩層一次性手套，用氬氣吹一下石英坩堝內(nèi)壁后裝入石墨堝 內(nèi)，再用蘸有少量酒精的纖維紙擦拭干凈，給上堝轉(zhuǎn)，觀察坩堝是否 水平，保證水平的情況下才能裝爐。裝料時(shí)必須輕拿輕放，先在底部 平鋪一些小硅料，然后把一些大塊的料輕放在中間， 再把一些小料放 在大塊料的中間，填大料縫隙。避免小料與坩堝接觸面積過大，這樣 容易造成料粘堝邊上導(dǎo)致石英堝變形。 把硅料裝好后，再把導(dǎo)流筒用 蘸有酒精的纖維紙擦拭一遍。給上堝轉(zhuǎn)后把堝降至化料堝位。然后裝 入導(dǎo)流筒，避免與硅料直接接觸。檢查無誤

5、后安裝籽晶，將位置擺正， 插好銷子，稍用力往下拽，以免籽晶與鉬銷因未接觸而懸空，同時(shí)每 爐檢查鋼絲繩是否老化。擦凈主爐室，副爐室，小副室的密封圈面， 然后合上爐蓋與副室，穩(wěn)定籽晶后關(guān)上副室門。4. 抽空：打開真空泵，緩慢的打開球閥，聽抽氣時(shí)的聲音，等爐 內(nèi)壓力下降到 0.05Pa 時(shí)再完全打開球閥。5. 沖氬氣： 在抽空過程中須導(dǎo)入幾次氬氣， 這樣使抽空的時(shí)間減 短?？梢詭ё郀t內(nèi)的濕度。6. 熔硅料：在加熱之前必須先充氬氣，然后再加熱，一檔功率為25KW左右，待過半個(gè)小時(shí)后把功率升至二檔 50KW左右，再過半個(gè) 小時(shí)后把功率升至三檔化硅功率 80KW進(jìn)行化硅（京儀的為85KV） 總共分三次加上

6、。適當(dāng)?shù)臅r(shí)候給點(diǎn)堝轉(zhuǎn)，讓其均勻受熱?；系倪^程 中要注意掛邊現(xiàn)象 , 同時(shí)注意塌料時(shí)不要撞歪導(dǎo)流筒?；蠒r(shí)，如有 雜質(zhì)漂浮或近期原料不好時(shí)， 必須將最后一塊料提出， 然后揮發(fā)半小 時(shí)。整個(gè)化料過程中必須注意功率的變化與電流的變化。7. 引晶：在引晶前必須將籽晶在脖口處和導(dǎo)流筒下口處分別預(yù)熱5-10 分鐘。然后接觸。除新籽晶外，已用過籽晶用細(xì)徑試溫，熔接 （對(duì)每臺(tái)爐的功率變化，歐陸變化，操作工心里要有底）細(xì)徑籽晶的直徑在5mm以上,引的細(xì)頸直徑控制 在3-5mm長(zhǎng)度原理上是細(xì)徑的7-8倍，但太陽(yáng)能行業(yè)中普遍細(xì)頸需達(dá) 到130mn以上。引晶時(shí)的拉速達(dá)到3-6mm/mir。這樣才能更好的排除 位錯(cuò)。

7、8. 放肩：引晶完成后拉速降至 0.4 左右,放肩開始要慢 , 根據(jù)放肩情況進(jìn)行降溫 ,放肩時(shí)盡量放平肩 ,時(shí)間控制在 1-2 小時(shí)。放至 149mm左右時(shí)開始轉(zhuǎn)肩。9. 轉(zhuǎn)肩投自動(dòng)：先觀察依爾根能否正常壓到光圈。確定轉(zhuǎn)肩后， 降溫100-200uv,轉(zhuǎn)肩速度2-4mm/min （根據(jù)實(shí)際操作情況），轉(zhuǎn)肩中 適當(dāng)?shù)慕o點(diǎn)堝升，投入自動(dòng)，拉速根據(jù)情況而投。壓好光圈，計(jì)長(zhǎng)清 零，打開堝升堝跟比，先投溫校，穩(wěn)定些時(shí)間后，再投直徑控制器。 轉(zhuǎn)肩完成后，需注意觀察十幾分鐘，讓其穩(wěn)定。10 等徑：每半個(gè)小時(shí)做一次記錄，經(jīng)常觀察爐內(nèi)的狀態(tài)，不能 使直徑偏差過大。應(yīng)及時(shí)給予調(diào)整溫校。掉苞時(shí)根據(jù)實(shí)際操作情況， 該

8、回熔的把堝位降至引晶堝位下 20mm處進(jìn)行回熔操作，如果晶棒長(zhǎng) 度達(dá)到400mn以上或因提肩較多或拉制時(shí)間過長(zhǎng)的單晶長(zhǎng)度在 300mm 左右應(yīng)提A段，以2mm/min左右的拉速提A段，整個(gè)行程為3-3.5 小時(shí)。然后蓋上翻板閥，在內(nèi)冷卻半小時(shí)。然后取出A段棒重新拉制。 如果在范圍以內(nèi)， 回熔時(shí)必須操作工盯在爐上， 回熔時(shí)需注意防止晶 體回熔過快戳在石英坩堝底部避免產(chǎn)生滲硅事故； 或者溫度過高在回 完的時(shí)候引起硅跳， 把料濺到導(dǎo)流筒， 保溫罩，加熱器上的事故發(fā)生。 回熔完后重新找溫度與堝位重新引晶。11. 收尾：在等徑達(dá)到投料所需的長(zhǎng)度時(shí)，須要收尾，將直徑與 溫?？刂破魍顺鲎钥?， 切入自動(dòng)收尾。

9、 但操作工必須在剛開始收尾時(shí) 盯住，根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)情況給溫校速率，給定拉速。在收尾過程中是看著光 圈收尾。當(dāng)光圈收進(jìn)時(shí)應(yīng)降底拉速，當(dāng)光圈長(zhǎng)大時(shí)應(yīng)提高拉速。同時(shí) 也觀察是否有結(jié)晶與料少的情況。 （堝跟比分兩種方式降： 1，直接將 堝跟比降到零；2,分兩次降到零，第一次降50%收到50mm以后再降到零。）12. 停爐：收尾完成后，降堝位，使晶體脫離液面 20mn左右，關(guān) 加熱電源，停堝轉(zhuǎn)，把控制器上的參數(shù)返回到引晶前的參數(shù)。然后以 2.5-3mm/min 拉速提升晶體 , 慢慢脫離高溫區(qū) .4 個(gè)小時(shí)后進(jìn)行熱檢 , 抽空到極限,關(guān)球閥檢漏.泄漏率小于 3分鐘1帕。13. 下次開爐準(zhǔn)備：觀察記錄表，對(duì)每個(gè)部件的使用爐數(shù)做到心 里有數(shù)，拆爐后須認(rèn)真檢查； 對(duì)過濾罐與換油的記錄做到此次拆爐是 否需要過濾罐與換油，保證做到過濾罐每爐清，換油 6 爐換一次。14. 大清：在拉晶過程中會(huì)產(chǎn)生揮發(fā)物過多，經(jīng)過一段時(shí)間過后 就必須要對(duì)設(shè)備進(jìn)行大清一次， 在清理的過程中必須要清理夾頭， 重 錘，與爐子內(nèi)部