硅片電池片檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)PPT精選文檔

1、Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司硅片檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)1Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司2單晶檢驗(yàn)項(xiàng)目A.邊長125/156B.對(duì)角線C.厚度(180/200)A.少子壽命(1.5)B.導(dǎo)電類型(P型）C.電阻率(1-3)A.四角同心度 梯形片 菱形片B.彎曲片 翹曲片C.臺(tái)階片 線痕片D.崩邊E.碎片

2、缺口 裂紋/裂痕 針孔 劃痕 孿晶 亮線色差 沾污 硅晶脫落 邊緣毛糙 密集線痕硅晶脫落一、尺寸類二、性能類三、外觀類Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司3多晶檢驗(yàn)項(xiàng)目多晶檢驗(yàn)項(xiàng)目A.邊長B.對(duì)角線C.厚度A.少子壽命B.導(dǎo)電類型C.電阻率A.梯形片 菱形片B.彎曲片 翹曲片C.臺(tái)階片 線痕片D.崩邊E.微晶 分布晶 大晶粒 F.碎片 缺口 亮邊 裂紋/裂痕 劃痕 亮線 沾污 色差 針孔 密集線痕 硅晶脫落 邊緣毛糙 一、尺寸類二、性能類三、外觀類

3、Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司42、外觀要求 Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司53-1四角同心度以相鄰兩邊和夾以相鄰兩邊和夾角為基準(zhǔn)測(cè)量角為基準(zhǔn)測(cè)量其他三個(gè)倒角其他三個(gè)倒角偏離值偏離值四角同心度四角同心度單晶硅片單晶硅片四個(gè)角與四個(gè)角與標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格相比較的差值規(guī)格相比較的差值度度模板模板Hun

4、an Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司63-2梯形片 梯形片梯形片一面尺寸滿足要一面尺寸滿足要求，求，另一面尺寸偏大另一面尺寸偏大或偏或偏小。小。內(nèi)縮Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司73-3菱形片外突外突內(nèi)縮內(nèi)縮 菱形片菱形片四條邊長度相等，但四條邊長度相等，但是是對(duì)角線長度不等（任對(duì)角線長度不等（任意意一

5、條邊以測(cè)量一條邊以測(cè)量最大值計(jì)算）最大值計(jì)算）度度模板模板Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司83-4彎曲片 彎彎 曲曲 片片定義：晶片中心面凹定義：晶片中心面凹凸形變的一種變量，凸形變的一種變量，它與晶片可能存在的它與晶片可能存在的任何厚度變化無關(guān)。任何厚度變化無關(guān)。彎曲度是晶片的一種彎曲度是晶片的一種體性質(zhì)而不是表面性體性質(zhì)而不是表面性質(zhì)。質(zhì)。水平水平測(cè)試臺(tái)測(cè)試臺(tái)Hunan Red Sun Photoelectricity Science &a

6、mp; Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司9 3-5翹曲片翹翹 曲曲 片片定義：晶片中心面與基定義：晶片中心面與基 準(zhǔn)面之間的最大和最準(zhǔn)面之間的最大和最小距離的差距的差值。小距離的差距的差值。翹曲度是晶片的體性質(zhì)翹曲度是晶片的體性質(zhì)而不是表面性質(zhì)而不是表面性質(zhì)使用使用工具：工具： 塞尺塞尺 水平測(cè)試臺(tái)水平測(cè)試臺(tái)Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司10-6臺(tái)階片 臺(tái)臺(tái) 階階 片片硅片局部區(qū)域

7、整體性的高硅片局部區(qū)域整體性的高低起伏，其尺寸由雙面同低起伏，其尺寸由雙面同一位置疊加或不同位置最一位置疊加或不同位置最高的臺(tái)階高度給高的臺(tái)階高度給出出便攜便攜式式面粗度計(jì)面粗度計(jì)Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司11線痕圖例密集線痕線痕線痕由線切割造成的硅片表由線切割造成的硅片表面的局部區(qū)域的高低起面的局部區(qū)域的高低起伏，其尺寸由雙面同一伏，其尺寸由雙面同一位置疊加或不同位置最位置疊加或不同位置最深的線痕深度給出深的線痕深度給出Hunan Re

8、d Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司12崩邊圖片示例Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司13崩邊圖片示例合格合格不合格不合格Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司143-8其

9、它不良碎片碎片缺口缺口Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司153-8其它不良孿晶孿晶：孿晶：單晶硅片上呈現(xiàn)出金屬光澤單晶硅片上呈現(xiàn)出金屬光澤不同的兩部分，其分界線不同的兩部分，其分界線通常為直線。因晶體生長通常為直線。因晶體生長過程中，固過程中，固-液界面處存液界面處存在固體小顆粒、機(jī)械振動(dòng)、在固體小顆粒、機(jī)械振動(dòng)、拉晶速度過快，溫度突變拉晶速度過快，溫度突變以及熔體中局部過冷產(chǎn)生。以及熔體中局部過冷產(chǎn)生。Hunan Red Sun Photoel

10、ectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司163-8其它不良裂紋裂紋/裂痕裂痕劃痕劃痕 硅片邊緣硅片邊緣因硬因硬物劃傷等物劃傷等原因出現(xiàn)原因出現(xiàn)的微的微小小崩邊崩邊，多片硅片，多片硅片放在放在一起會(huì)發(fā)現(xiàn)一起會(huì)發(fā)現(xiàn)，單片單片難以發(fā)現(xiàn)。難以發(fā)現(xiàn)。Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司173-8其它不良沾污 硅片表面肉眼可見的某種顏硅片表面肉眼可見的某種顏色

11、的花樣。如：指紋、水漬、有機(jī)色的花樣。如：指紋、水漬、有機(jī)物、灰塵以及腐蝕氧化。物、灰塵以及腐蝕氧化。Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司183-8其它不良針孔由于由于單晶拉晶過程中的氣泡或回熔等單晶拉晶過程中的氣泡或回熔等原因，形成的貫穿硅片表面的孔洞。原因，形成的貫穿硅片表面的孔洞。Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅

12、太陽光電科技有限公司193-8其它不良色差由于由于硅片線切割過程中的停機(jī)硅片線切割過程中的停機(jī)等異等異常常情況，導(dǎo)致硅片表面出現(xiàn)不同情況，導(dǎo)致硅片表面出現(xiàn)不同的顏色的顏色。Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司20多晶-彎曲片 彎彎 曲曲 片片定義：晶片中心面凹定義：晶片中心面凹凸形變的一種變量，凸形變的一種變量，它與晶片可能存在的它與晶片可能存在的任何厚度變化無關(guān)。任何厚度變化無關(guān)。彎曲度是晶片的一種彎曲度是晶片的一種體性質(zhì)而不是表面性體性質(zhì)而不是

13、表面性質(zhì)。質(zhì)。水平水平測(cè)試臺(tái)測(cè)試臺(tái)Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司21多晶-翹曲片 翹翹 曲曲 片片定義：晶片中心面與基定義：晶片中心面與基準(zhǔn)面之間的最大和最小準(zhǔn)面之間的最大和最小距離的差距的差值。翹距離的差距的差值。翹曲度是晶片的體性質(zhì)曲度是晶片的體性質(zhì)而不是表面性質(zhì)。而不是表面性質(zhì)。使用使用工具：工具： 塞尺塞尺 水平測(cè)試臺(tái)水平測(cè)試臺(tái)Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technolog

14、y Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司22多晶-線痕片凸痕凸痕凹痕凹痕密集線痕密集線痕Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司23多晶- 崩邊Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司24多晶多晶- -微晶微晶 分布晶分布晶 分布晶分布晶定義：在大的晶粒間存在小的晶粒，對(duì)于大

15、的晶粒無尺寸限定義：在大的晶粒間存在小的晶粒，對(duì)于大的晶粒無尺寸限制，小的晶粒一般在制，小的晶粒一般在1mm2mm1mm2mm。 分布晶-不合格Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司25多晶-其他不良碎片碎片缺口缺口Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司26多晶-其他不良裂紋裂紋/裂痕裂痕劃痕劃痕 硅片邊緣

16、硅片邊緣因硬因硬物劃傷等物劃傷等原因出原因出現(xiàn)現(xiàn)的微小的微小崩邊崩邊，多片硅片，多片硅片放在放在一一起會(huì)發(fā)現(xiàn)起會(huì)發(fā)現(xiàn)，單，單片難以發(fā)現(xiàn)。片難以發(fā)現(xiàn)。Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司27多晶-其他不良針孔針孔針孔針孔硅晶脫落硅晶脫落 硅片表面未貫穿硅片表面未貫穿硅片的局部區(qū)域缺硅片的局部區(qū)域缺損，成凹坑狀。損，成凹坑狀。Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd

17、. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司28其他不良沾污 硅片表面肉眼可見的某種硅片表面肉眼可見的某種顏色顏色的花樣。如：指紋、水的花樣。如：指紋、水漬、漬、有機(jī)物有機(jī)物、灰塵以及腐蝕、灰塵以及腐蝕氧化。氧化。Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司29其他不良邊緣毛糙 硅片邊緣或側(cè)面由于未拋光、拋硅片邊緣或側(cè)面由于未拋光、拋光不充分或線切割等原因?qū)е碌墓杵獠怀浞只蚓€切割等原因?qū)е碌墓杵吘夁B續(xù)鋸齒狀缺陷。邊緣連續(xù)鋸齒狀缺陷。判定標(biāo)準(zhǔn)

18、判定標(biāo)準(zhǔn)：合格范圍：無邊緣毛糙，硅片邊沿合格范圍：無邊緣毛糙，硅片邊沿是是光光亮的。亮的。不合格范圍：硅片邊沿不光亮，有毛刺。不合格范圍：硅片邊沿不光亮，有毛刺。Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司30其他不良亮邊 硅片側(cè)面或邊緣未貫穿硅片，硅片側(cè)面或邊緣未貫穿硅片，呈連續(xù)分布的小崩邊，其尺寸呈連續(xù)分布的小崩邊，其尺寸由缺損區(qū)域的長和深給出。由缺損區(qū)域的長和深給出。Hunan Red Sun Photoelectricity Science &am

19、p; Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司31其他不良亮線亮線亮線由線切割造成的硅片表面發(fā)亮的由線切割造成的硅片表面發(fā)亮的細(xì)線，其尺寸由細(xì)線深度給出。細(xì)線，其尺寸由細(xì)線深度給出。 測(cè)量儀器：目測(cè)、便攜式面測(cè)量儀器：目測(cè)、便攜式面粗度計(jì)、顯微鏡粗度計(jì)、顯微鏡 測(cè)試方法：強(qiáng)光下目測(cè)硅片測(cè)試方法：強(qiáng)光下目測(cè)硅片表面質(zhì)量表面質(zhì)量Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅太陽光電科技有限公司湖南紅太陽光電科技有限公司3-10其他不良大晶粒大晶粒 多晶硅片上某個(gè)連續(xù)分布的晶粒面積占總面積的1/4以上。 合格：無大晶粒32Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南紅