工程電磁場基本知識(shí)點(diǎn)

1、第一章矢量分析與場論1 源點(diǎn)是指。2 場點(diǎn)是指。3 距離矢量是，表示其方向的單位矢量用表示。4 標(biāo)量場的等值面方程表示為，矢量線方程可表示成坐標(biāo)形式，也可表示成矢量形式。5 梯度是研究標(biāo)量場的工具， 梯度的模表示， 梯度的方向表示。6 方向?qū)?shù)與梯度的關(guān)系為。7 梯度在直角坐標(biāo)系中的表示為u 。8 矢量 A 在曲面 S 上的通量表示為。9 散度的物理含義是。10 散度在直角坐標(biāo)系中的表示為A 。11 高斯散度定理。12 矢量 A 沿一閉合路徑 l 的環(huán)量表示為。13 旋度的物理含義是。14 旋度在直角坐標(biāo)系中的表示為A。15 矢量場A 在一點(diǎn)沿 el 方向的環(huán)量面密度與該點(diǎn)處的旋度之間的關(guān)系為

2、。16 斯托克斯定理。17 柱坐標(biāo)系中沿三坐標(biāo)方向 er , e , ez 的線元分別為，。18 柱坐標(biāo)系中沿三坐標(biāo)方向er , e , e 的線元分別為，。19 1' 112 eR12 e 'RRRRR201' ' 10( R0)4 (R)( R0)RR第二章 靜電場1 點(diǎn)電荷 q 在空間產(chǎn)生的電場強(qiáng)度計(jì)算公式為。2 點(diǎn)電荷 q 在空間產(chǎn)生的電位計(jì)算公式為。3 已知空間電位分布 ，則空間電場強(qiáng)度 E=。4 已知空間電場強(qiáng)度分布 E，電位參考點(diǎn)取在無窮遠(yuǎn)處，則空間一點(diǎn) P 處的電位 P =。5 一球面半徑為 R，球心在坐標(biāo)原點(diǎn)處，電量Q 均勻分布在球面上，則點(diǎn)R

3、 , R , R處的電位等于。2226 處于靜電平衡狀態(tài)的導(dǎo)體，導(dǎo)體表面電場強(qiáng)度的方向沿。7 處于靜電平衡狀態(tài)的導(dǎo)體，導(dǎo)體內(nèi)部電場強(qiáng)度等于。8 處于靜電平衡狀態(tài)的導(dǎo)體，其內(nèi)部電位和外部電位關(guān)系為。9 處于靜電平衡狀態(tài)的導(dǎo)體，其內(nèi)部電荷體密度為。10 處于靜電平衡狀態(tài)的導(dǎo)體，電荷分布在導(dǎo)體的。11 無限長直導(dǎo)線，電荷線密度為 ，則空間電場 E=。12 無限大導(dǎo)電平面，電荷面密度為，則空間電場 E=。13 靜電場中電場強(qiáng)度線與等位面。14 兩等量異號(hào)電荷 q，相距一小距離 d，形成一電偶極子，電偶極子的電偶極矩 p=。15 極化強(qiáng)度矢量 P 的物理含義是。16 電位移矢量 D，電場強(qiáng)度矢量 E，極

4、化強(qiáng)度矢量 P 三者之間的關(guān)系為。17 介質(zhì)中極化電荷的體密度P。18 介質(zhì)表面極化電荷的面密度P。19 各向同性線性介質(zhì)，電場強(qiáng)度矢量為E，介電常數(shù)，則極化強(qiáng)度矢量 P=。20 電位移矢量 D，電場強(qiáng)度矢量E 之間的關(guān)系為。21 電介質(zhì)強(qiáng)度指的是。22 靜電場中，電場強(qiáng)度的旋度等于。23 靜電場中，電位移矢量的散度等于。24 靜電場中，電場強(qiáng)度沿任意閉合路徑的線積分等于。25 靜電場中，電位移矢量在任意閉合曲面上的通量等于。26 靜電場中，電場強(qiáng)度的分界面條件是。27 靜電場中，電位移矢量的分界面條件是。28 靜電場中，電位滿足的泊松方程是。29 靜電場中，電位滿足的分界面條件是。30 靜電

5、場中，電位在兩種介質(zhì)分界面上的法向?qū)?shù)滿足。31 靜電場中，電位在兩種介質(zhì)分界面上的切向?qū)?shù)滿足。32 靜電場中，電位在導(dǎo)體介質(zhì)分界面上的法向?qū)?shù)滿足。33 靜電場中，電位在導(dǎo)體介質(zhì)分界面上的切向?qū)?shù)滿足。34 靜電場邊值問題中第一類邊界條件是。35 靜電場邊值問題中第二類邊界條件是。36 靜電場邊值問題中第三類邊界條件是。37 元電荷 dq 在空間產(chǎn)生的電場強(qiáng)度計(jì)算公式為。38 元電荷 dq 在空間產(chǎn)生的電位計(jì)算公式為。39 靜電場基本方程的微分形式為。40 靜電場邊值問題是指。第三章恒定電場1 體電流密度的單位是。2 面電流密度的單位是。3 體電流密度與電荷速度間的關(guān)系為。4 面電流密度與

6、電荷速度間的關(guān)系為。5 電流密度與電場強(qiáng)度間的關(guān)系為。6 局外電場定義是。7 電源電動(dòng)勢的定義為。8 電流連續(xù)性方程積分形式的數(shù)學(xué)表達(dá)式為。9 電流連續(xù)性方程微分形式的數(shù)學(xué)表達(dá)式為。10 恒定電場中電流連續(xù)性方程積分形式的數(shù)學(xué)表達(dá)式為。11 恒定電場中電流連續(xù)性方程微分形式的數(shù)學(xué)表達(dá)式為。12 恒定電場基本方程是。13 恒定電場輔助方程是。14 歐姆定律的微分形式為。15 恒定電場電場強(qiáng)度與電位關(guān)系為。16 電源外恒定電場電位滿足的方程為。17 恒定電場中兩導(dǎo)電媒質(zhì)分界面上， 電流密度的分界面條件是。18 恒定電場中在已知導(dǎo)電媒質(zhì)電導(dǎo)率的情況下，在分界面上，電位的法向?qū)?shù)滿足的分界面條件是。第

7、四章恒定磁場1 體電流元、面電流元和線電流元分別表示為、。2 線電流元 Idl 在空間產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度dB。3 線電流元 Idl 在外磁場 B 中受力 dF=。4 線電流元 I 2 dl 2 受到線電流元 I1dl1 產(chǎn)生磁場的作用力為 dF21=。5 電荷 q 在空間運(yùn)動(dòng)速度為 v，電荷在空間產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度為 B=。6 電荷 q 在磁場為 B 的空間運(yùn)動(dòng)，速度為 v，電荷受洛倫茲力作用，該力表示為 F=。7 無限長直導(dǎo)線中電流為 I ，導(dǎo)線周圍磁感應(yīng)強(qiáng)度 B=。8 矢量磁位與磁感應(yīng)強(qiáng)度的關(guān)系為。9 選無限遠(yuǎn)處為參考點(diǎn)，線電流元Idl 在空間產(chǎn)生的矢量磁dA=。10 庫倫規(guī)范表示為。11 曲

8、面 S 上的磁通為曲面上的通量，表示為。12 用矢量磁位計(jì)算磁通的公式為。13 磁通連續(xù)的微分表示為。14 磁感線方程表示為坐標(biāo)形式為，表示為矢量形式為。15 在平行平面場中，磁感線就是。16 磁感應(yīng)強(qiáng)度的旋度等于。17 半徑為 R 的直導(dǎo)線通有電流 I ，電流均勻分布，導(dǎo)線內(nèi)部的磁感應(yīng)強(qiáng)度為，外部的磁感應(yīng)強(qiáng)度為。18 無限大平面上有電流分布， 電流面密度 K 為常矢量，平面兩側(cè)磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為。19 磁偶極子是圍成的面積很小的載流回路，設(shè)回路面積為 S，回路電流為 I ，則磁偶極子的磁偶極矩 m=。20 磁化強(qiáng)度 M 的物理含義是。21 磁化電流的體密度 JM =。22 磁化電流的面密度

9、KM =。23 磁場強(qiáng)度 H，磁感應(yīng)強(qiáng)度 B，磁化強(qiáng)度 M 間的關(guān)系為。24 對于線性、各向同性介質(zhì)，磁場強(qiáng)度H 和磁感應(yīng)強(qiáng)度B 間的關(guān)系為。25 恒定磁場基本方程的微分形式為。26 恒定磁場的輔助方程為。27 磁感應(yīng)強(qiáng)度的分界面條件是。28 磁場強(qiáng)度的分界面條件是。29 當(dāng)分界面上無自由電流時(shí)，磁場強(qiáng)度的分界面條件是。30 磁場強(qiáng)度的旋度等于。31 磁場強(qiáng)度沿任意閉合環(huán)路的線積分等于環(huán)路環(huán)繞的。32 矢量磁位的泊松方程為。第五章時(shí)變電磁場電場1 法拉第電磁感應(yīng)定律的實(shí)質(zhì)是變化的磁場產(chǎn)生。2 變壓器電動(dòng)勢是指。3 發(fā)電機(jī)電動(dòng)勢是指。4 由變化磁場產(chǎn)生的電場稱為感應(yīng)電場， 感應(yīng)電場的旋度等于。5

10、 位移電流密度定義為 JD =。6 有三種形式的電流，分別為，相應(yīng)的電流密度形式分別為， ，。7 位移電流假設(shè)的實(shí)質(zhì)是變化的電場產(chǎn)生。8 全電流定律的微分形式為。9 寫出麥克斯韋方程組的積分形式及其輔助方程。10 寫出麥克斯韋方程組的微分形式及其輔助方程。11 兩介質(zhì)分界面上電場強(qiáng)度的折射定律為。12 兩介質(zhì)分界面上磁場強(qiáng)度的折射定律為。13 寫出向量形式的麥克斯韋方程組的微分形式及其輔助方程。第六章鏡像法1 實(shí)施鏡像法的理論基礎(chǔ)是。2 在實(shí)施鏡像法的過程中，不可以變的是 ，可以變的是，。3 寫出實(shí)施鏡像法的步驟。4 無限大導(dǎo)體上方 h 處有一點(diǎn)電荷 q，則上半空間任意一點(diǎn)處的電場強(qiáng)度為。5

11、無限大導(dǎo)體上方 h 處有一點(diǎn)電荷 q，導(dǎo)體表面電場強(qiáng)度分布規(guī)律為。6 無限大導(dǎo)體上方h 處有一點(diǎn)電荷q，導(dǎo)體表面感應(yīng)電荷的面密度分布規(guī)律為。7 直角區(qū)域的邊界電位為0，一點(diǎn)電荷到兩邊界的距離分別為a，b，以直角區(qū)域?yàn)榍蠼怆妶龅膮^(qū)域，寫出鏡像電荷。8 接地導(dǎo)體球半徑為R，球外距球心 d 處有一點(diǎn)電荷 q，以導(dǎo)體球外為求解空間，則鏡像電荷q=，距球心距離。9 接地導(dǎo)體球半徑為R，球外距球心d 處有一點(diǎn)電荷q，則導(dǎo)體外空間電場強(qiáng)度為。10 接地導(dǎo)體球半徑為 R，球外距球心 d 處有一點(diǎn)電荷 q，則導(dǎo)體球面上距 q 最近點(diǎn)的電場強(qiáng)度為，距 q 最遠(yuǎn)點(diǎn)的電場強(qiáng)度為。11 接地導(dǎo)體球半徑為R，球外距球心

12、d 處有一點(diǎn)電荷 q，則導(dǎo)體球面上的感應(yīng)電荷面密度為。12 不接地導(dǎo)體球半徑為R，球外距球心 d 處有一點(diǎn)電荷 q，則導(dǎo)體球電位為。13 距無限大電介質(zhì)分界面h 處放置一點(diǎn)電荷q，點(diǎn)電荷在第一種介質(zhì)中，兩種介質(zhì)的介電常數(shù)分別為1,2 ，以第一種介質(zhì)為求解區(qū)域，則鏡像電荷為，位置在，上半空間任意一點(diǎn)處的電場強(qiáng)度為。14 距無限大電介質(zhì)分界面h 處放置一點(diǎn)電荷q，點(diǎn)電荷在第一種介質(zhì)中，兩種介質(zhì)的介電常數(shù)分別為1,2 ，以第二種介質(zhì)為求解區(qū)域，則鏡像電荷為，位置在，下半空間任意一點(diǎn)處的電場強(qiáng)度為。第八章電磁場的能量和力1 已知 n 個(gè)導(dǎo)體的電量為 q1, q2qn ，電位1, 2n ，該靜電系統(tǒng)的電

13、場能量為。2 已知電場的電位移矢量D 和電場強(qiáng)度 E，則電場能量分布的體密度為。3 已知 n 個(gè)點(diǎn)電荷的電量為 q1, q2qn ，電位1 , 2n ，其中i 為除去 qi ，其它電荷在qi 處產(chǎn)生的電位，該點(diǎn)電荷靜電系統(tǒng)的電場能量為。4 焦耳定律的微分形式為，積分形式為。5 已知 n 個(gè)載流回路的電流為I1, I 2I n ，磁鏈為1,2n ，該系統(tǒng)的磁場能量為。6 已知磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B 和磁場強(qiáng)度 H，則磁場能量分布的體密度為。7 頗印亭矢量 Sp=，物理含義。8 電位不變時(shí)，關(guān)于廣義坐標(biāo) g 的廣義電場力 fg=，電量不變時(shí)，關(guān)于廣義坐標(biāo) g 的廣義電場力 fg=。9 電流不變時(shí)，關(guān)于

14、廣義坐標(biāo) g 的廣義磁場力 fg=，磁鏈不變時(shí)，關(guān)于廣義坐標(biāo) g 的廣義磁場力 fg=。10 當(dāng)廣義坐標(biāo)為角度時(shí)，利用虛位移法計(jì)算的廣義力為。第九章平面電磁波1 無限大理想介質(zhì)中的均勻平面電磁波為TEM 波，電場方向、磁場方向和波的傳播方向之間的關(guān)系為。2 理想介質(zhì)中的均勻平面電磁波電場強(qiáng)度與磁場強(qiáng)度比值為。3 理想介質(zhì)的介電常數(shù)為 ，磁導(dǎo)率為 ，在其中傳播的均勻平面電磁波的波阻抗為。4 理想介質(zhì)的介電常數(shù)為 ，磁導(dǎo)率為 ，在其中傳播的均勻平面電磁波的波速為。5 真空介質(zhì)的波阻抗為。6 證明理想介質(zhì)中的平面電磁波電場能量密度與磁場能量密度相等。7 理想介質(zhì)中的平面電磁波電場強(qiáng)度與磁場強(qiáng)度相位關(guān)

15、系為。8 頻率為 f，傳播速度為 v 的平面電磁波在理想介質(zhì)中傳播，相位常數(shù)為，其物理意義為。9 頻率為 f 的平面電磁波在介電常數(shù)為，磁導(dǎo)率為的理想介質(zhì)中傳播，其相位常數(shù)為。10 頻率為 f 的平面電磁波在介電常數(shù)為，磁導(dǎo)率為的理想介質(zhì)中傳播，其傳播常數(shù)為。11 理想介質(zhì)中的平面電磁波能量傳播方向?yàn)?，傳播速度為?2 理想介質(zhì)中的平面電磁波，坡印亭矢量的方向與波的傳播方向之間的關(guān)系為，大小可表示為和波速的乘積。13 由于導(dǎo)體中的自由電荷衰減很快， 研究電磁波的傳播時(shí)， 可以認(rèn)為導(dǎo)電媒質(zhì)中的自由電荷密度為。14 導(dǎo)電媒質(zhì)中傳導(dǎo)電流的存在使得等效介電常數(shù)' 為一復(fù)數(shù)，傳播常數(shù)'j

16、'j也為一復(fù)數(shù)，其中稱為，物理意義為，稱為，物理意義為。15 1 為良導(dǎo)體的條件，在良導(dǎo)體中電磁波的波阻抗為jZc，則良導(dǎo)體中電場強(qiáng)度與磁場強(qiáng)度的相位差為，電磁場能量主要以電場能量還是磁場能量存在？并證明你的結(jié)論。16 透入深度定義為，與衰減常數(shù)的關(guān)系為。17 良導(dǎo)體中衰減常數(shù)與相位常數(shù)的關(guān)系為。18 良導(dǎo)體中電磁波的透入深度為 d 1 ，因此，對于高頻電磁波，電磁場只能存在于導(dǎo)體的，這一現(xiàn)象叫。第十章電路參數(shù)的計(jì)算原理1 電位系數(shù)矩陣將導(dǎo)體的電位和電量聯(lián)系起來，電位系數(shù)物理意義是。2 感應(yīng)系數(shù)矩陣將導(dǎo)體的電量和電位聯(lián)系起來，感應(yīng)系數(shù)物理意義是。3 電位系數(shù)矩陣和感應(yīng)系數(shù)矩陣的關(guān)系為。

17、4 部分電容矩陣將導(dǎo)體電量與各導(dǎo)體間的電壓聯(lián)系起來，其中ijij的的自有部分電容與感應(yīng)系數(shù)的關(guān)系為 Ci 0 ，互有部分電容與感應(yīng)系數(shù)的關(guān)系為 Cij 。5 兩導(dǎo)體系統(tǒng)的電容可通過電場能量計(jì)算，公式為C。6 寫出平板電容器的計(jì)算公式，并證明之。7 二線傳輸線與大地組成一系統(tǒng)，兩導(dǎo)體間的部分電容為 C12 ，兩導(dǎo)體與大地間的自有部分電容分別為 C10 , C20 ，兩導(dǎo)體間的工作電容為C。8 寫出已知電壓求電導(dǎo)的步驟和計(jì)算公式。9 寫出已知電流求電阻的步驟和計(jì)算公式。10 同軸電纜長度為 l , 內(nèi)外導(dǎo)體半徑為 R1 , R2 ，中間絕緣材料的電導(dǎo)率為 ，絕緣電阻為 R 。11 接地電阻包括接地線的電阻， 接地體的電阻， 接地體與土壤的接觸電阻和土壤的電阻，是接地電阻的主要部分，其它部分可以忽略不計(jì)。12 接地電阻定義為。13地電阻半徑為R。a 的導(dǎo)體球通過導(dǎo)線深埋在電導(dǎo)率為的土壤中，接14 半徑為 a 的導(dǎo)體半球埋在電導(dǎo)率為的土壤表面，接地電阻R 。15 半徑為 a 的導(dǎo)體球通過導(dǎo)線淺埋在電導(dǎo)率為的土壤中，導(dǎo)體球距地面深度為h，接地電阻 R。16 跨步電壓指，其意義。17 計(jì)算導(dǎo)體內(nèi)部的磁鏈時(shí)需要用到分?jǐn)?shù)匝數(shù)的概念，出現(xiàn)分?jǐn)?shù)匝數(shù)的原因是，分?jǐn)?shù)匝數(shù)可表