電工學(xué)課件：第14章 半導(dǎo)體器件

1、下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄1下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄2下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄3下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄414.1 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄5共價(jià)健共價(jià)健 Si Si Si Si價(jià)電子價(jià)電子下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄6 Si Si Si Si價(jià)電子價(jià)電子這一現(xiàn)象稱(chēng)為本征激發(fā)。這一現(xiàn)象稱(chēng)為本征激發(fā)。空穴空穴自由電子自由電子下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄7下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上

2、一頁(yè)退出退出章目錄章目錄8本征半導(dǎo)體中，自由電子和空穴數(shù)量相本征半導(dǎo)體中，自由電子和空穴數(shù)量相同，且數(shù)量很少。溫度越高，載流子的濃度同，且數(shù)量很少。溫度越高，載流子的濃度越高，導(dǎo)電能力越強(qiáng)，故溫度是影響半導(dǎo)體越高，導(dǎo)電能力越強(qiáng)，故溫度是影響半導(dǎo)體性能的一個(gè)重要的外部因素，這是半導(dǎo)體的性能的一個(gè)重要的外部因素，這是半導(dǎo)體的一大特點(diǎn)。一大特點(diǎn)。半導(dǎo)體的導(dǎo)電方式半導(dǎo)體的導(dǎo)電方式自由電子的移動(dòng)自由電子的移動(dòng)空穴的移動(dòng)空穴的移動(dòng)半導(dǎo)體有兩種載流子半導(dǎo)體有兩種載流子自由電子自由電子空穴空穴下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄9 Si Si Si Sip+多多余余電電子子磷原子磷原子在常溫下

3、即可在常溫下即可變?yōu)樽杂呻娮幼優(yōu)樽杂呻娮邮ヒ粋€(gè)失去一個(gè)電子變?yōu)殡娮幼優(yōu)檎x子正離子下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄10 Si Si Si SiB硼原子硼原子空穴空穴下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄11下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄12多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)少子的漂移運(yùn)動(dòng)少子的漂移運(yùn)動(dòng)濃度差濃度差擴(kuò)散的結(jié)果使空擴(kuò)散的結(jié)果使空間電荷區(qū)變寬。間電荷區(qū)變寬?？臻g電荷區(qū)也稱(chēng)空間電荷區(qū)也稱(chēng) PN 結(jié)結(jié) +形成空間電荷區(qū)形成空間電荷區(qū)下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄13PN 結(jié)變窄結(jié)變窄 P接正、接正、N接

4、負(fù)接負(fù) 外電場(chǎng)外電場(chǎng)IF內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)PN+RU下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄14+U下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄15 內(nèi)電場(chǎng)被加內(nèi)電場(chǎng)被加強(qiáng)，少子的漂強(qiáng)，少子的漂移加強(qiáng)，由于移加強(qiáng)，由于少子數(shù)量很少，少子數(shù)量很少，形成很小的反形成很小的反向電流。向電流。IR+U下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄16結(jié)結(jié) 論論P(yáng)N結(jié)具有單向?qū)щ娦裕航Y(jié)具有單向?qū)щ娦裕?. PN結(jié)結(jié)加正向電壓加正向電壓，有較大的正向，有較大的正向電流流過(guò)，稱(chēng)電流流過(guò)，稱(chēng)PN結(jié)結(jié)導(dǎo)通導(dǎo)通。2. PN結(jié)結(jié)加反向電壓加反向電壓，僅有很小的，僅有很小的反向電流，稱(chēng)反向電流，稱(chēng)

5、PN結(jié)結(jié)截止截止。下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄17PN結(jié)的反向擊穿現(xiàn)象結(jié)的反向擊穿現(xiàn)象反向電壓太高時(shí)，內(nèi)電場(chǎng)很強(qiáng)，少數(shù)載流子反向電壓太高時(shí)，內(nèi)電場(chǎng)很強(qiáng)，少數(shù)載流子穿過(guò)內(nèi)電場(chǎng)時(shí)獲得很大能量，它會(huì)把價(jià)電子穿過(guò)內(nèi)電場(chǎng)時(shí)獲得很大能量，它會(huì)把價(jià)電子碰撞出來(lái)，碰撞出來(lái)，使載流子猛增，反向電流，使載流子猛增，反向電流急劇增大，使發(fā)生急劇增大，使發(fā)生雪崩擊穿雪崩擊穿。若若PN結(jié)上的電場(chǎng)增加到某一數(shù)值時(shí)，強(qiáng)電場(chǎng)結(jié)上的電場(chǎng)增加到某一數(shù)值時(shí)，強(qiáng)電場(chǎng)可以直接把共價(jià)鍵中的價(jià)電子拉出來(lái)，發(fā)生可以直接把共價(jià)鍵中的價(jià)電子拉出來(lái)，發(fā)生齊納擊穿齊納擊穿。雪崩擊穿雪崩擊穿齊納擊穿齊納擊穿電擊穿電擊穿若若PN

6、結(jié)散熱好，是可逆擊穿結(jié)散熱好，是可逆擊穿溫度升高，溫度升高，PN結(jié)燒毀結(jié)燒毀熱熱擊穿，是不可逆的。擊穿，是不可逆的。PN結(jié)不能加上任意高的反向電壓結(jié)不能加上任意高的反向電壓下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄18下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄19陰極引線(xiàn)陰極引線(xiàn)陽(yáng)極引線(xiàn)陽(yáng)極引線(xiàn)二氧化硅保護(hù)層二氧化硅保護(hù)層P型硅型硅N型硅型硅( c ) 平面型平面型金屬觸絲金屬觸絲陽(yáng)極引線(xiàn)陽(yáng)極引線(xiàn)N型鍺片型鍺片陰極引線(xiàn)陰極引線(xiàn)外殼外殼( a ) 點(diǎn)接觸型點(diǎn)接觸型鋁合金小球鋁合金小球N型硅型硅陽(yáng)極引線(xiàn)陽(yáng)極引線(xiàn)PN結(jié)結(jié)金銻合金金銻合金底座底座陰極引線(xiàn)陰極引線(xiàn)( b ) 面接觸型

7、面接觸型半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和符號(hào)半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和符號(hào) 陰極陰極陽(yáng)極陽(yáng)極( d ) 符號(hào)符號(hào)D下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄20下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄21反向擊穿反向擊穿電壓電壓U(BR)反向特性反向特性UIPN+PN+下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄22二極管的等效電路二極管的等效電路1. 理想二極管的等效電路理想二極管的等效電路: 正向壓降為正向壓降為0，反向電流為，反向電流為0uDiDababuD 0 時(shí)時(shí)uDiD伏安特性伏安特性下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄232. 考慮正向壓降考慮正向壓降

8、UD時(shí)二極管的等效電路時(shí)二極管的等效電路: 正向壓降正向壓降UD：硅管取：硅管取0.7V，鍺管取，鍺管取0.3VuDiDababuD UD 時(shí)時(shí)UDuDiD伏安特性伏安特性UD下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄243. 考慮正向特性曲線(xiàn)的斜率時(shí)的等效電路考慮正向特性曲線(xiàn)的斜率時(shí)的等效電路:uDiDababuD UT 時(shí)時(shí)UTrddddIUr動(dòng)態(tài)電阻：動(dòng)態(tài)電阻：uDiD伏安特性伏安特性UTD下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄25*二極管的型號(hào)二極管的型號(hào)2AP1電極數(shù)電極數(shù)2：二極管：二極管3：三極管：三極管基片材料基片材料A：N型鍺，型鍺，B：P型鍺型鍺C：

9、N型硅，型硅，D：P型硅型硅表示用途表示用途P：普通管，：普通管，Z：整流管：整流管W：穩(wěn)壓管，：穩(wěn)壓管，K：開(kāi)關(guān)管：開(kāi)關(guān)管序號(hào)：序號(hào)不序號(hào)：序號(hào)不同，參數(shù)有差別同，參數(shù)有差別下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄26下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄27下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄28定性分析：定性分析：判斷二極管的工作狀態(tài)判斷二極管的工作狀態(tài)導(dǎo)通導(dǎo)通截止截止 若二極管是理想的，若二極管是理想的，下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄29例例1：D6V12V3k BAUAB+下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章

10、目錄30例例2:mA43122D IBD16V12V3k AD2UAB+下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄31V sin18itu t 下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄32例例4：二極管的應(yīng)用：二極管的應(yīng)用：RRLuiuRuotttuiuRuoR和和C構(gòu)成一個(gè)微分電路，構(gòu)成一個(gè)微分電路，二極管起檢波作用，去二極管起檢波作用，去除正脈沖。除正脈沖。下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄33例例5：如圖，二極管是理想的，已知：如圖，二極管是理想的，已知：K10V,sin10RtesEseRDiDu12求下列情況下的求下列情況下的iD波形：波形：a

11、. E=10V; b. E=20V;c. E=5V; d. E=0V解：解：tEusin101212a. E=10V時(shí)時(shí)b. E=20V時(shí)時(shí)t10Vu12tiD1mAu12t20V10Vt2mAiD1mA下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄34tEusin1012EseRDiDu1212c. E=5V時(shí)時(shí)d. E=0V時(shí)時(shí)t 5Vu12 15VtiD0.5mA1.5mAt10Vu12tiD1mA下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄35二極管在其他方面的應(yīng)用二極管在其他方面的應(yīng)用1。二極管限幅電路：。二極管限幅電路：MF30型袖珍萬(wàn)用表表頭電路型袖珍萬(wàn)用表表頭電路

12、MFU1K D1D237.5 A2750 2CP11X2原理：正常工作時(shí)，表頭原理：正常工作時(shí)，表頭M僅需僅需0.103V電壓，即可滿(mǎn)電壓，即可滿(mǎn)刻度偏轉(zhuǎn)。而刻度偏轉(zhuǎn)。而2CP11在在0150mV內(nèi)，正、反向電流幾內(nèi)，正、反向電流幾乎為乎為0，相當(dāng)于斷開(kāi)，不影響表頭正常工作。，相當(dāng)于斷開(kāi)，不影響表頭正常工作。當(dāng)使用不當(dāng)時(shí)，如用電流擋或電阻擋去測(cè)電壓，表頭當(dāng)使用不當(dāng)時(shí)，如用電流擋或電阻擋去測(cè)電壓，表頭會(huì)因過(guò)流而燒毀，有二極管后，表頭上的電壓被限制會(huì)因過(guò)流而燒毀，有二極管后，表頭上的電壓被限制在在0.7V，有一定的保護(hù)作用。，有一定的保護(hù)作用。下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄3

13、62。續(xù)流二極管：。續(xù)流二極管：eLERLiLS開(kāi)關(guān)開(kāi)關(guān)S斷開(kāi)時(shí)，由于電流斷開(kāi)時(shí)，由于電流突變，突變，L兩端產(chǎn)生很高的兩端產(chǎn)生很高的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，危害極大。感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，危害極大。為此，在線(xiàn)圈兩端并聯(lián)一為此，在線(xiàn)圈兩端并聯(lián)一個(gè)二極管個(gè)二極管D。正常工作時(shí)，正常工作時(shí)，D截止，對(duì)電路沒(méi)有影響。截止，對(duì)電路沒(méi)有影響。S斷開(kāi)斷開(kāi)時(shí)，時(shí)，D導(dǎo)通，線(xiàn)圈電流通過(guò)導(dǎo)通，線(xiàn)圈電流通過(guò)D續(xù)流而不致突變?yōu)槔m(xù)流而不致突變?yōu)?，從而使感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)不會(huì)太大。，從而使感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)不會(huì)太大。DdtdiLeL下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄37UZIZIZM UZ IZ_+UIO穩(wěn)定電壓穩(wěn)定電壓工作電流工作電流最

14、大電流最大電流下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄38下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄39ZZ ZIUr下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄40晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管的結(jié)構(gòu)(a)平面型；平面型； (b)合金型合金型BEP型硅型硅N型硅型硅二氧化碳保護(hù)膜二氧化碳保護(hù)膜銦球銦球N型鍺型鍺N型硅型硅CBECPP銦球銦球(a)(b)下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄41下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄42(a)NNCEBPCETBIBIEIC(b)BECPPNETCBIBIEICCENNPBCEPPNB下一頁(yè)下一頁(yè)返

15、回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄43下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄44晶體管的命名方法：晶體管的命名方法：3DG6表示電極數(shù)表示電極數(shù)2：二極管：二極管3：三極管：三極管表示材料表示材料A：PNP鍺鍺B：NPN鍺鍺C：PNP硅硅D：NPN硅硅表示管子類(lèi)型表示管子類(lèi)型X：低頻小功率管：低頻小功率管D：低頻大功率管：低頻大功率管G：高頻小功率管：高頻小功率管A：高頻大功率管：高頻大功率管序號(hào)：序號(hào)不同序號(hào)：序號(hào)不同參數(shù)有所不同參數(shù)有所不同下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄45EEBRBRC下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄46晶體管電

16、流放大的實(shí)驗(yàn)電路晶體管電流放大的實(shí)驗(yàn)電路 mA AVVmAICECIBIERB+UBE +UCE EBCEB3DG100下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄47符合基爾霍夫定律符合基爾霍夫定律下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄48+ UBE ICIEIB CT E B +UCE (a) NPN 型晶體管；型晶體管；+ UBE IBIEIC CT EB +UCE 電流方向和發(fā)射結(jié)與集電結(jié)的極性電流方向和發(fā)射結(jié)與集電結(jié)的極性(b) PNP 型晶體管型晶體管下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄49BECNNPEBRBECIEIBEICEICBO下一頁(yè)

17、下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄50ICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOBCCBOBCBOCBECEIIIIIIII CEOBCBOBC)(1 IIIII BC CEO III ，有有忽忽略略下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄51 即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線(xiàn)，是管子即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線(xiàn)，是管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的外部表現(xiàn)，反映了晶體管的性能，內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的外部表現(xiàn)，反映了晶體管的性能，是分析放大電路的依據(jù)。是分析放大電路的依據(jù)。 重點(diǎn)討論應(yīng)用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線(xiàn)重點(diǎn)討論應(yīng)用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線(xiàn)下一頁(yè)下一頁(yè)返

18、回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄52共發(fā)射極電路共發(fā)射極電路輸入回路輸入回路輸出回路輸出回路mA AVVICECIBRB+UBE +UCE EBCEB3DG100下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄53常常數(shù)數(shù) CE)(BEBUUfI3DG100晶體管的晶體管的輸入特性曲線(xiàn)輸入特性曲線(xiàn)O0.40.8IB/ AUBE/VUCE1V60402080下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄54UCE對(duì)輸入特性的影響：對(duì)輸入特性的影響：(1) UCE=0時(shí)，集電結(jié)和發(fā)射結(jié)正時(shí)，集電結(jié)和發(fā)射結(jié)正向并聯(lián)于向并聯(lián)于B、E之間，曲線(xiàn)和之間，曲線(xiàn)和二極管正向伏安特性相似。二極管

19、正向伏安特性相似。BECIBIEICUBEUCE(2) UCE1V時(shí)，集電結(jié)加反向電壓時(shí)，集電結(jié)加反向電壓，此時(shí)注入基區(qū)的大部分電子，此時(shí)注入基區(qū)的大部分電子被吸收到集電極，形成被吸收到集電極，形成IC。故。故在相同的在相同的UBE下，下，IB要比要比UCE=0時(shí)小一些。所以曲線(xiàn)右移。時(shí)小一些。所以曲線(xiàn)右移。(3) UCE1V以后，以后，UCE的增加對(duì)曲線(xiàn)沒(méi)有明顯影響，的增加對(duì)曲線(xiàn)沒(méi)有明顯影響，因?yàn)樗臃聪螂妷阂涯馨殉c空穴復(fù)合以外的電因?yàn)樗臃聪螂妷阂涯馨殉c空穴復(fù)合以外的電子都吸收到集電極，故一般用這條曲線(xiàn)。子都吸收到集電極，故一般用這條曲線(xiàn)。如果在如果在B、E間直接加上過(guò)高的正向間直接加

20、上過(guò)高的正向電壓，將使電壓，將使IB過(guò)大而損壞晶體管。過(guò)大而損壞晶體管。注意注意下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄55常常數(shù)數(shù) B)(CECIUfI 共發(fā)射極電路共發(fā)射極電路IC/mAUCE/V100 A80A 60 A 40 A 20 A O 3 6 9 1242.31.5321IB =03DG100晶體管的輸出特性曲線(xiàn)晶體管的輸出特性曲線(xiàn) 在不同的在不同的 IB下，可得出不同的曲線(xiàn)，所以晶體管下，可得出不同的曲線(xiàn)，所以晶體管的的輸出特性曲線(xiàn)輸出特性曲線(xiàn)是一組曲線(xiàn)。是一組曲線(xiàn)。+ICUCCIBRB+ UBE +UCE UBBCEB+_下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出

21、章目錄章目錄56常常數(shù)數(shù) B)(CECIUfI 晶體管有三種工作狀態(tài)，因而晶體管有三種工作狀態(tài)，因而輸出特性曲線(xiàn)輸出特性曲線(xiàn)分為分為三個(gè)工作區(qū)三個(gè)工作區(qū)3DG100晶體管的輸出特性曲線(xiàn)晶體管的輸出特性曲線(xiàn)IC/mAUCE/V100 A80A 60 A 40 A 20 A O 3 6 9 1242.31.5321IB =0對(duì)對(duì) NPN 型管型管而言而言, 應(yīng)使應(yīng)使 UBE 0, UBC UBE。下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄57IC/mAUCE/V100 A 80A 60 A 40 A 20 A O 3 6 9 1242.31.5321IB =0對(duì)對(duì)NPN型硅管，當(dāng)型硅管，

22、當(dāng)UBE0.5V時(shí)時(shí), 即已即已開(kāi)始截止開(kāi)始截止, 為使晶體為使晶體管可靠截止管可靠截止 , 常使常使 UBE 0。截止時(shí)截止時(shí), 集集電結(jié)也處于反向偏電結(jié)也處于反向偏置置( (UBC 0),),此時(shí)此時(shí), IC 0, UCE UCC 。IB = 0 的曲線(xiàn)以下的區(qū)域稱(chēng)為截止區(qū)。的曲線(xiàn)以下的區(qū)域稱(chēng)為截止區(qū)。IB = 0 時(shí)時(shí), IC = ICEO( (很小很小) )。(硅管硅管ICEO下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄58IC/mAUCE/V100 A 80A 60 A 40 A 20 A O 3 6 9 1242.31.5321IB =0 IC UCC/RC 。 當(dāng)當(dāng) UCE 0) )，晶