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1、會計學1PECVD減反膜技術減反膜技術第一頁，共31頁。2第1頁/共30頁第二頁，共31頁。3第2頁/共30頁第三頁，共31頁。4第3頁/共30頁第四頁，共31頁。5第4頁/共30頁第五頁，共31頁。6第5頁/共30頁第六頁，共31頁。7第6頁/共30頁第七頁，共31頁。8第7頁/共30頁第八頁，共31頁。9第8頁/共30頁第九頁，共31頁。10PECVD第9頁/共30頁第十頁，共31頁。11第10頁/共30頁第十一頁，共31頁。12第11頁/共30頁第十二頁，共31頁。13第12頁/共30頁第十三頁，共31頁。14第13頁/共30頁第十四頁，共31頁。15第14頁/共30頁第十五頁，共31頁

2、。16第15頁/共30頁第十六頁，共31頁。17第16頁/共30頁第十七頁，共31頁。18第17頁/共30頁第十八頁，共31頁。19第18頁/共30頁第十九頁，共31頁。20第19頁/共30頁第二十頁，共31頁。21第20頁/共30頁第二十一頁，共31頁。22第21頁/共30頁第二十二頁，共31頁。23第22頁/共30頁第二十三頁，共31頁。24第23頁/共30頁第二十四頁，共31頁。25第24頁/共30頁第二十五頁，共31頁。26第25頁/共30頁第二十六頁，共31頁。27第26頁/共30頁第二十七頁，共31頁。28第27頁/共30頁第二十八頁，共31頁。29第28頁/共30頁第二十九頁，共31頁。30第29頁/共30頁第三十頁，共31頁。NoImage內容(nirng)總結會計學。折射率n隨x增加而增加。等離子體從宏觀來說也是電中性，但是在局部可以為非電中性。直接式基片位于一個電極上，直接接觸(jich)等離子體（低頻放電10-500kHz或高頻）。間接式基片不接觸(jich)激發(fā)電極（如微波激發(fā)等離子）。厚度的均勻性(nominal 約70 nm)。二氧化硅膜和氮化硅膜的比較。若表面氧鈍化采用在氫氣氛圍中退火，鈍化效果會有所改善。安

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