譯文 QP 455 TAOX-和伽馬射線檢測膠片技術(shù) EN ISO 17636-1 R1

1、采用膠片的射線照相檢測（X-射線法和伽馬射線法） （DS/EN ISO 17636-1：2013）目錄1.引言和范圍22.規(guī)范性引用文件23.術(shù)語和定義34.符號與縮略語35.射線照相技術(shù)分類46.一般準備和通用要求56.1.防電離輻射保護56.2.表面制備和制造階段56.3.射線底片中焊縫的位置56.4.射線底片的識別56.5.標記56.6.膠片搭接部分56.7.像質(zhì)計的類型和位置56.8.圖像質(zhì)量的評價66.9.最小像質(zhì)指數(shù)76.10.人員資格77.制作射線底片推薦的技術(shù)77.1.試驗布置77.1.1.總則77.1.2.位于工件前方且對面有膠片的輻射源87.1.3.位于工件外部、膠片內(nèi)部的

2、輻射源87.1.4.居中位于工件內(nèi)部、膠片外部的輻射源97.1.5.不居中位于工件內(nèi)部、膠片外部的輻射源107.1.6.橢圓投影技術(shù)117.1.7.垂直投影技術(shù)117.1.8.不同材料厚度的技術(shù)137.2.射線管電壓和輻射源的選擇137.2.1.1，000 kV以下的X射線裝置137.2.2.其它輻射源147.3.膠片系統(tǒng)和金屬屏157.4.射線束的對齊177.5.減小散射輻射177.5.1.金屬濾波器和準直器177.5.2.后散射輻射的攔截177.6.射線源至工件距離187.7.單次曝光的最大面積207.8.射線底片的密度207.9.膠片沖洗加工217.10.膠片觀察條件218.試驗報告21

3、附錄A（標準的附錄） 給出周向?qū)雍缚p合格檢測標準的推薦曝光次數(shù)23附錄B（標準的附錄）最小像質(zhì)指數(shù)28參考文獻321. 引言和范圍本說明是阿法拉伐公司（Alfa Laval）對DS/EN ISO 17636-1標準的正式解釋。沒有提到的標準部分視為一般常識。ISO 17636標準的本部分規(guī)定了使用工業(yè)射線照相膠片技術(shù)進行金屬材料熔焊接頭射線照相檢測的方法。ISO 17363標準的本部分適用于板材和管材的接縫。除了常見含義外，本國際標準中使用的“管材”包括圓柱體，例如：非標管、電廠壓力水管、鍋爐汽包和壓力容器。注：ISO 17636標準的本部分符合ISO 5579 （1）的要求。ISO 176

4、36標準的本部分沒有規(guī)定射線照片上發(fā)現(xiàn)的任何顯示的驗收水平。如果合同各方采用較低的驗收評判準則，則達到的質(zhì)量有可能明顯低于嚴格適用ISO 17636標準的本部分時達到的質(zhì)量。2. 規(guī)范性引用文件下列參考文件對于本文件的應用是必不可少的。凡是注明日期的引用文件，僅注明日期的版本適用于本文；凡是不注明日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。ISO 5576， 無損檢測 - 工業(yè)X-射線和伽馬射線射線學- 詞匯ISO 5580， 無損檢測 - 工業(yè)射線照相光源 - 最低要求ISO 9712，無損檢測 -無損檢測（NDT）人員資格鑒定與認證ISO 11699-1，無損檢測 - 工業(yè)

5、射線照相膠片 - 第1部分：工業(yè)射線照相術(shù)膠片系統(tǒng)的分類ISO 11699-2，無損檢測 - 工業(yè)射線照相膠片 - 第2部分：利用基準值的膠片沖洗加工的控制ISO 19232-1，無損檢測 - 射線底片的圖像質(zhì)量 - 第1部分：像質(zhì)計（線型） - 像質(zhì)指數(shù)的測定ISO 19232-2，無損檢測 - 射線底片的圖像質(zhì)量 - 第2部分：像質(zhì)計（階梯孔型） - 像質(zhì)指數(shù)的測定ISO 19232-4，無損檢測 - 射線底片的圖像質(zhì)量 - 第4部分：像質(zhì)指數(shù)和圖像質(zhì)量表的實驗評價EN 12543 （所有部分）， 無損檢測 - 無損檢測用工業(yè)X射線的焦點特性EN 12679， 無損檢測 - 工業(yè)射線照相員

6、的尺寸測定 - 射線照相方法3. 術(shù)語和定義ISO 5576標準界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。公稱厚度， t不考慮制造誤差的母材公稱厚度透照厚度變化， t由于束張角的原因，透照厚度相對于公稱厚度的變化透照厚度， w在輻射光束方向根據(jù)所有透照壁的公稱厚度計算而得出的材料厚度工件至膠片距離， b試件照相部分輻射側(cè)與實測膠片表面之間沿輻射束中心軸的距離射線源尺寸， d輻射源尺寸或焦點尺寸注 見 EN 12679或EN 12543。射線源至膠片距離， SFD， SDD輻射射線與實測膠片之間沿輻射束方向的距離注 SFD f b式中 f射線源至膠片距離b 工件至膠片距離射線源至工件距離， f輻射源

7、與實測試件射線源側(cè)之間沿輻射束中心軸的距離外徑， De管子的公稱外徑4. 符號與縮略語表1給出的符號適用于本標準。符號術(shù)語b工件至膠片距離b1工件至膠片距離垂直于試件De外徑d射線源尺寸f工件至工件距離f1射線源至工件距離垂直于試件fmin最小射線源至工件距離t公稱厚度t透照厚度變化w透照厚度F膠片IQI像質(zhì)計S輻射源SFDSDD射線源至膠片距離5. 射線照相技術(shù)分類射線照相技術(shù)分成兩類：§ A級：基本技術(shù)；§ B級：改進技術(shù)。如果A級技術(shù)不夠靈敏時，使用B級技術(shù)。也可能有比B級技術(shù)更好的技術(shù)，合同各方可通過制定所有相關(guān)試驗參數(shù)的規(guī)范達成一致意見。射線照相技術(shù)的選擇應由合同

8、各方商定。如果由于技術(shù)原因或行業(yè)原因而不能滿足B級技術(shù)的任何一個條件，例如輻射源類型或射線源至工件距離（f），合同各方可商定所選條件滿足A級技術(shù)要求。靈敏度的損失應通過將最小密度增加至3.0或通過選擇更好的膠片系統(tǒng)（最小密度為2.6）來進行補償。B級技術(shù)的其它條件保持不變，特別是達到的圖像質(zhì)量（見表B.1B.12）。因為靈敏度比A級技術(shù)更好，試樣可視為按B級技術(shù)檢測；如果使用第7.6條所述的專用SFD折算進行第7.1.4條和第7.1.5條的試驗布置，則此條不適用。6. 一般準備和通用要求6.1. 防電離輻射保護警告 - 人體任何部分接觸X射線或伽馬射線可嚴重損害身體健康。在使用X射線設備或放射

9、性源的地方，應遵守相關(guān)的法律規(guī)定。當使用電離輻射時，應嚴格遵守地方、國家或國際規(guī)定的安全注意事項。6.2. 表面制備和制造階段一般來說，無需表面制備，但是如果表面缺欠或涂層導致缺陷檢測困難，則表面應磨平或清除涂層。除非另有規(guī)定，在每一制造階段（例如打磨或熱處理）后都應進行射線照相。6.3. 射線底片中焊縫的位置在射線照相不能顯示焊縫的地方，則應將高密度標記置于焊縫的任意一側(cè)。6.4. 射線底片的識別正在進行射線照相的物體的每一個區(qū)域應標上符號?？赡艿那闆r下，這些符號圖像應顯示在有效評定區(qū)域以外，還應保證有效區(qū)域的識別無任何模糊。6.5. 標記需要檢測的物體應做好永久性標記，以便準確地確定每張射

10、線底片的位置（例如零點、方向、識別和尺寸）。如果材料性質(zhì)和/或其使用狀況不允許做永久性標記，則可采用準確示意圖或照片記錄位置。6.6. 膠片搭接部分在對有兩張或兩張以上的單獨膠片進行射線照相時，膠片應搭接足夠，以保證整個評定部位能全部在照相范圍以內(nèi)。這應在每張膠片上需要透照的工件表面用高密度標記加以驗證。6.7. 像質(zhì)計的類型和位置應使用像質(zhì)計 （IQI）按ISO 19232-1或ISO 19232-2標準的要求，對圖像質(zhì)量加以驗證。所使用的像質(zhì)計應優(yōu)先放在試件射線源側(cè)，位于焊縫旁邊母材上有效評定部位中間。鉛字母（如果有）和識別編號不得在評定部位以內(nèi)，但因幾何形狀確實不可行的除外。像質(zhì)計應靠近

11、工件表面。其位置應在均勻厚度的一個區(qū)域內(nèi)，該均勻厚度用膠片均勻光學密度來表示。根據(jù)所使用的像質(zhì)計類型，應考慮a）和b）的情況。a) 在使用線型像質(zhì)計時，線應垂直于焊縫，且其位置應保證至少有10 mm線長顯示在一個均勻光學密度的區(qū)域內(nèi)，該區(qū)域通常在焊縫附近的母材上。對于第7.1.6條和第7.1.7條規(guī)定的曝光，放置像質(zhì)計時，應使線垂直橫跨管子軸線，線的投影不能進入焊縫圖像內(nèi)。b) 在使用階梯孔像質(zhì)計時，像質(zhì)計的放置位置應保證要求的孔號靠近焊縫。對于第7.1.6條和第7.1.7條規(guī)定的曝光，所使用的像質(zhì)計應放在射線源側(cè)或膠片側(cè)。如果像質(zhì)計的放置位置不能滿足上述要求，則像質(zhì)計應放在膠片側(cè)，而且根據(jù)放

12、在射線源側(cè)的一只像質(zhì)計與在同樣條件下放在膠片側(cè)的一只像質(zhì)計進行曝光比較后，至少確定圖像質(zhì)量一次。對于雙壁曝光，如果像質(zhì)計放在膠片側(cè)，則無需進行上述試驗。在這種情況下，參見對照表（表B.3B.12）。如果像質(zhì)計放在膠片側(cè)，字母“F”應放在像質(zhì)計附近，并在試驗報告中注明。如果采取措施能保證相類似的試件和部位的射線底片得之于相同的曝光和處理技術(shù)，而且像質(zhì)指數(shù)沒有差別，則每張射線底片無需驗證圖像質(zhì)量。圖像質(zhì)量驗證范圍應當由合同各方商定。對于直徑為200 mm及以上的管子曝光且射線源位于中間位置時，圓周方向至少放置三只像質(zhì)計。然后，顯示有像質(zhì)計圖像的膠片視為代表了整個圓周方向的圖像。6.8. 圖像質(zhì)量的

13、評價應按ISO 5580標準的要求評價膠片。在審查射線底片上像質(zhì)計的圖像時，確定能看到的最細線或最小孔。如果在均勻光學密度的區(qū)域內(nèi)能連續(xù)可見至少10 mm的長度，則線的圖像合格。如果采用的是階梯孔型像質(zhì)計，且有兩個相同直徑的孔，則兩個孔均應能看得清楚，以使階梯清晰可見。讀出的像質(zhì)指數(shù)應記入射線照相檢測的試驗報告中。對于每一種情況，應如實清晰顯示所使用的像質(zhì)計類型。6.9. 最小像質(zhì)指數(shù)金屬材料的最小像質(zhì)指數(shù)如表B.1B.12所示。對于其它材料，這些要求或其它相關(guān)要求可通過合同各方的商定。應按ISO 19232-4標準確定這些要求。如果采用Ir 192或Se 75射線源，在合同各方商定后，可接受

14、比表B.1B.12所列的像質(zhì)指數(shù)更差的像質(zhì)指數(shù)，具體如下：雙壁雙圖像技術(shù)，A級技術(shù)和B級技術(shù)（w 2t）：§ 10 mm w 25 mm：低于Ir 192的1個線或階梯孔指數(shù)；§ 5 mm w 12 mm：低于Se 75的1個線或階梯孔指數(shù)；單壁圖像和雙壁單圖像技術(shù)，A級技術(shù)：§ 10 mm w 24 mm：低于Ir 192的2個線或階梯孔指數(shù)；§ 24 mm w 30 mm：低于Ir 192的1個線或階梯孔指數(shù)； § 5 mm w 24 mm：低于Se 75的1個線或階梯孔指數(shù)；單壁單圖像和雙壁單圖像技術(shù)，B級技術(shù)：§ 10 mm

15、w 40 mm：低于Ir 192的1個線或階梯孔指數(shù)；§ 5 mm w 20 mm：低于Se 75的1個線或階梯孔指數(shù)；6.10. 人員資格按ISO 17636標準本部分進行無損檢測的人員應達到ISO 9712或相當標準規(guī)定的相關(guān)行業(yè)的資格水平。7. 制作射線底片推薦的技術(shù)注 除非另有說明，圖121所使用的符號定義詳見“術(shù)語和定義”章節(jié)。7.1. 試驗布置7.1.1. 總則正常情況下，應使用第7.1.2條和第7.1.9條規(guī)定的射線照相技術(shù)。射線膠片應盡可能靠近工件放置。圖11所示的橢圓投影技術(shù)（雙壁雙圖像）不宜用于外徑 De 100 mm，壁厚t 8 mm或焊縫寬度 De/4的檢測。

16、如果 t/De 0.12，兩張成90º放置的圖像即可，否則需要三張圖像。兩張投影焊縫圖像之間的距離應約為一道焊縫的寬度。如果在De 100 mm時難以進行橢圓投影檢測， 可使用第7.1.7條規(guī)定的垂直投影技術(shù)（見圖12）。在這種情況下，需要進行相距120º或60º的三次曝光。對于圖11、圖13和圖14所示的試驗布置，射線束的夾角應盡可能小，并防止兩張圖像重疊。對于圖13所示的技術(shù)，射線源至工件距離（f）應盡可能小，并滿足第7.6條要求。像質(zhì)計應靠近標有鉛字母F的膠片。如果確實適用，例如由于試件幾何形狀不同或材料厚度差別，合同各方可商定采用其它射線照相技術(shù)。這種情況

17、下的舉例見第7.1.9條。多膠片技術(shù)不得用于在厚度均勻區(qū)域減少曝光時間。此外，可用相同材料進行厚度補償。注：附錄A給出了射線照相需要的最少次數(shù)，以便獲取管子對接焊縫整個周長方向上可接受的射線照相覆蓋面積。7.1.2. 輻射源位于工件前方且膠片位于工件背面（見圖1）圖1 - 平面焊縫和單壁透照深度的試驗布置7.1.3. 輻射源位于工件外部、膠片位于工件內(nèi)部（見圖2-圖4）圖2 - 曲線工件單壁透照的試驗布置圖3 - 曲線工件（插入式焊縫）單壁透照的試驗布置圖4 - 曲線工件（安放式焊縫）單壁透照的試驗布置7.1.4. 輻射源位于工件內(nèi)部中心、膠片位于外部（見圖5-圖7）圖5 - 曲線工件單壁透照

18、的試驗布置圖6 - 曲線工件（插入式焊縫）單壁透照的試驗布置圖7 - 曲線工件（安放式焊縫）單壁透照的試驗布置7.1.5. 輻射源偏心位于工件內(nèi)部、膠片位于外部（見圖8-圖10）圖8 - 曲線工件單壁透照的試驗布置圖9 - 曲線工件（插入式焊縫）單壁透照的試驗布置圖10 - 曲線工件（安放式焊縫）單壁透照的試驗布置7.1.6. 橢圓投影技術(shù)（見圖11）注 射線源至工件距離可通過b1計算得出的垂直距離（f）進行計算。圖11 - 曲線工件雙壁透照雙圖像評價雙壁的試驗布置（射線源和膠片位于試件外部）7.1.7. 垂直投影技術(shù)（見圖12）圖13 - 曲線工件雙壁透照的試驗布置（評價緊靠像質(zhì)計的膠片旁邊

19、的壁）圖14 - 曲線工件雙壁透照單圖像的試驗布置圖15 - 縱焊縫雙壁透照單圖像的試驗布置圖16 - 曲線工件雙壁透照單圖像的試驗布置（評價膠片旁邊的壁）說明1補償邊緣a) 無補償邊緣的試驗布置b） 有補償邊緣的試驗布置圖17 - 角焊縫的透照試驗布置圖18 - 角焊縫的透照試驗布置7.1.8. 不同材料厚度的技術(shù) （見圖19）圖19 - 多膠片技術(shù)7.2. 射線管電壓和輻射源的選擇7.2.1. 1,000 kV以下的X射線裝置為了保持良好的探傷靈敏度，X射線管電壓應當盡可能低。X射線管電壓對于厚度的最大值詳見圖20。說明U X射線電壓1 銅鎳合金W 透照厚度2 鋼材3 鈦及合金4 鋁及合金

20、圖20 1,000 kV以下X射線裝置的最大X射線電壓（作為透照厚度和材料的函數(shù)）對于某些應用，如果正在射線照相的工件整個部位出現(xiàn)厚度變化，則可使用電壓略高的技術(shù)，但值得注意的是，射線管電壓過高會喪失缺陷檢出靈敏度。對于鋼材，增量不得超過50 kV；對于鈦，增量不得超過40 kV；對于鋁，增量不超過30 kV。7.2.2. 其它輻射源1 MeV以上的伽馬射線和X射線設備允許的透照厚度范圍詳見表2。通過合同各方之間的商定，Ir 192的像質(zhì)指數(shù)還可降至10 mm；Se 75的像質(zhì)指數(shù)可降至5 mm。對于薄鋼試樣，Se 75、Ir 192和Co 60射線源發(fā)出的伽馬射線制成的射線底片的缺陷檢出效果

21、沒有使用相關(guān)技術(shù)參數(shù)的X射線的缺陷檢出效果好。但是，因為伽馬射線在操作處置和使用方便性方面的優(yōu)勢，表2給出了在使用X射線有困難時可使用的伽馬射線允許的多種厚度。對于某些應用，如果能達到足夠的圖像質(zhì)量，允許更寬的壁厚范圍。如果射線底片用伽馬射線制成，則定位伽馬源的行程時間不得超過總曝光時間的10。表2 鋼合金、銅合金、鎳合金能量在1 MeV以上的伽馬射線源和X射線設備的透照厚度范圍輻射源透照厚度wmmA級B級Tm 170W 5W 5Yb 169°1W 152W 12Se 75b10 w 4014 w 40Ir 19220w10020 w 90Co 6040 w 20060 w 150能

22、量范圍為1 MeV4 MeV的X射線設備30 w 20050 w 180能量范圍為4 MeV12 MeV的X射線設備w 50w 80能量在12 MeV以上的X射線設備w 80w 100a 對于鋁和鈦，材料透照厚度為10mm w 70 mm （A級技術(shù)）和25 mm w 55mm（B級技術(shù)）。b 對于鋁和鈦，材料透照厚度為35 mm w 120 mm（A級技術(shù)）。7.3. 膠片系統(tǒng)和金屬屏對于射線檢測，使用的膠片系統(tǒng)等級應符合ISO 11699-1標準的要求。對于不同的輻射源，膠片系統(tǒng)最低等級詳見表3和表4。在使用金屬屏時，需要膠片與金屬屏之間保持良好接觸?？赏ㄟ^真空包裝的膠片或施加壓力來達到良

23、好接觸。對于不同的輻射源，推薦的金屬屏材料和厚度詳見表3和表4。如果能夠到達要求的圖像質(zhì)量，合同各方之間也可商定其他金屬屏厚度。表3 - 射線照相的膠片系統(tǒng)等級和金屬屏（鋼合金、銅合金和鎳合金）輻射源透照厚度 w膠片系統(tǒng)等級 a金屬材料的類型和厚度 A級B級A級B級X射線管電壓10kVC 5C3無或0.03mm前后鉛屏X射線管電壓 100kV150kV0.15mm前后鉛屏X射線管電壓 150kV250kVC40.02mm0.15mm前后鉛屏Yb169 Tm170W5mmC 5C3無或0.03mm前后鉛屏W5mmC 40.02 mm0.15mm前后鉛屏X射線管電壓 250kV500kVw50mm

24、C 5C 40.02 mm0.2mm前后鉛屏W50mmC 50.1mm0.2mm前鉛屏b，0.02mm0.2mm后鉛屏X射線管電壓500kV1000kVw75mmC5C40.25mm0.7mm前后鋼屏或銅屏cw75mmC5C5Se75C5C 40.02mm0.2mm前后鉛屏lr192C 5C 40.02mm0.2mm前鉛屏0.1mm0.2mm前鉛屏b0.02mm0.2mm后鉛屏CO60w100mmC 5C 40.25mm0.7mm前后鋼屏或銅屏cw100mmC5能量范圍為1 MeV4 MeV的X射線設備w100mmC5C30.25mm0.7mm前后鋼屏或銅屏cw100mmC 5能量范圍為4 M

25、eV12 MeV的X射線設備w100mmC4C 41mm以下的前銅屏、鋼屏或鈦屏d銅或鋼后屏1mm，鈦后屏0.5mmd100mmw300mmC 5C 4w300mmC5能量在12 MeV以上的X射線設備w100mmC 4不適用1mm以下的前鈦屏e，無后屏100mmw300mmC5C 4w300mmC 51 mm以下的前鈦屏e0.5mm以下的后鈦屏 a 還可使用更好的膠片系統(tǒng)等級，見ISO11699-1標準。b 如果在工件與膠片之間放有0.1mm的附加鉛屏，可使用前屏可達0.03mm的商用膠片。c 對于A級，也可使用 0.5 mm2.0 mm的鉛屏。d 對于A級， 在合同各方達成一致意見后，可使

26、用0.5mm1 mm的鉛屏。e 通過協(xié)商后，可使用鎢屏。表4 - 鋁鈦的膠片系統(tǒng)等級和金屬屏輻射源膠片系統(tǒng)等級 aClass.A B級增感屏的類型和厚度X射線管電壓 150kVC 5C 3無或可達 0.03 mm前鉛屏和0.15mm的后鉛屏X射線管電壓100kV150 kV0.02 mm0.15mm 前后鉛屏X射線管電壓250 kV 500 kV0.1 mm0.2 mm 前后鉛屏Yb 1690.02 mm0.15 mm 前后鉛屏Se 750.2 mm前鉛屏 b 和0.1 mm0.2 mm 的后鉛屏a 還可使用更好的膠片系統(tǒng)等級，見ISO 11699-1標準。b 如果不使用0.2 mm的鉛屏，可

27、使兩張0.1mm的鉛屏。7.4. 射線束的對齊輻射束應對準正在檢測的部位中心，而且應當垂直于工件表面，但能證明某些缺欠可用不同輻射束更好地揭露的點除外。在這種情況下，允許適當對齊輻射束。其它射線照相方式可由合同各方商定。舉例：為了更好地檢出坡口未熔合，輻射束的方向應當與焊縫坡口角對齊。7.5. 減小散射輻射7.5.1. 金屬濾波器和準直器為了減少散射線的效應，直射束應盡可能地準直到受檢區(qū)域。采用Se 75、Ir 192和Co 60輻射源或有邊緣散射時，可使用一張鉛板作為工件與暗盒之間低能量散射輻射的濾波器。根據(jù)透照厚度，這種鉛片的厚度為0.5 mm2 mm。7.5.2. 后散射輻射的防護應采用

28、一個鉛字母B（最小高度10 mm、最小厚度1.5 mm），放在每個暗盒的后方，檢查各新試驗布置是否存在后散射輻射。如果此符號的圖像在射線底片上的圖像較淡，則圖像不合格。如果符號較黑或不可見，射線底片合格，并證明有良好的防后散射輻射保護。必要時，應采用一張厚度至少為1 mm的鉛片或厚度至少為1.5 mm的錫片，放在膠片-金屬屏組合件背后，屏蔽后散射輻射。7.6. 射線源至工件距離射線源至工件的最小距離（fmin）取決于射線源尺寸或焦點尺寸（d）以及工件至膠片距離（b）。射線源尺寸或焦點尺寸（d）應符合EN 12543或EN 12679標準要求。如果射線源尺寸或焦點尺寸由兩個尺寸定義，應以較大的為

29、準。適用時，距離（f）的選擇應保證此距離與射線源尺寸或焦點尺寸（d）的比值（即f/d）不得小于公式（1）和（2）給出的值：（1）（A級）（2）（B級）式中b的單位為毫米（mm）。如果b小于1.2 t，則公式（1）和（2）的尺寸b應換成公稱厚度t。在測定射線源至工件距離（fmin）時，可使用圖21的諾模圖。此諾模圖基于公式（1）和（2）。對于A級，如果要求檢出平面缺欠，則最小距離（fmin）應與B級的相同，以便減小幾何不清晰度，系數(shù)為2。對于對裂紋敏感的材料的關(guān)鍵技術(shù)應用，應使用比B級更敏感的射線照相技術(shù)。B級 A級圖21 - 測定最小射線源至工件距離（ fmin）與工件至膠片距離b和射線源尺寸

30、d的關(guān)系所用的諾模圖在使用第7.1.6條規(guī)定的橢圓投影技術(shù)或第7.1.7條規(guī)定的垂直投影技術(shù)時，b 應換成公式（1）和（2）以及圖21中管子的外徑De。當射線源位于工件外側(cè)且膠片位于另一側(cè)（第7.1.8條規(guī)定技術(shù)作為雙壁透照和單圖像）時，射線源至工件距離只能用壁厚測定（不能用管徑）。如有可能，最好避免使用雙壁技術(shù)（見第7.1.67.1.8條）將輻射源放入需要進行射線照相的工件內(nèi)，以便達到更適合的檢測方向（見第7.1.4條和第7.1.5條）。射線源至工件的最小距離減小量不得大于20。當射線源居中位于工件內(nèi)、膠片外（第7.1.4條所示的技術(shù)）時，而且能滿足像質(zhì)計要求，此百分比可增加。但是，射線源至

31、工件的最小距離減小量不得大于50。如果能滿足像質(zhì)計要求，合同各方可商定進一步減小。7.7. 單次曝光的最大區(qū)域平焊縫的完整檢測的射線底片數(shù)量（見圖1、圖15、圖17和圖18）和偏心布置的帶有輻射源的曲線焊縫的完整檢測的射線底片數(shù)量（見圖24和圖816）應按技術(shù)要求規(guī)定。已評價的均勻厚度部位的外邊緣處的透照厚度與中心束的比值不得大于1.1（B級）和1.2（A級）。由透照厚度變化引起的黑度不宜低于第7.8條所示的黑度，也不宜高于可用光源允許的黑度，可提供適當?shù)难诒?。需要檢測的部位尺寸包括焊縫和熱影響區(qū)。一般來說，焊縫每側(cè)應檢測約10 mm的母材金屬。推薦的射線底片數(shù)量詳見附錄A，其中給出了周向?qū)?/p>

32、焊縫可接受的檢測結(jié)果。7.8. 射線底片的黑度曝光條件應保證檢測部位射線底片的最小光學黑度大于或等于表5所示的值。表5 - 射線底片的光學密度級別光學黑度 aA2.0bB2.3ca允許±0.1的測量誤差。b在合同各方達成專用協(xié)議后，此值可降低到1.5。 c在合同各方達成專用協(xié)議后，此值可降低到2.0。如果觀察光線亮度足夠，滿足第7.10條的要求，可使用有利的大光學黑度。膠片最大可讀黑度取決于所使用的膠片觀察設備及其最大亮度（見ISO 5580標準）。最大可讀黑度值應貼在觀察設備上。為了避免因膠片老化、顯像或溫度而引起的過高灰霧度，應定期用從正在使用的膠片中取出一張非曝光樣品檢查灰霧度

33、，并在與實際射線底片相同的條件下進行處理?；异F度不得超過0.3。本文所稱的灰霧度系指已處理的未曝光照片的總黑度（乳劑層和片基）。在使用多膠片技術(shù)進行單膠片解釋時，各膠片的光學黑度應滿足表5的要求。如果要求雙膠片觀察，單張膠片的光學黑度不小于1.3。7.9. 膠片沖洗加工膠片按膠片和化學品制造廠推薦的條件處理，以便達到選定的膠片系統(tǒng)等級。應特別注意溫度、顯影時間和沖洗時間。應按 ISO 11699-2標準定期控制膠片沖洗加工。射線底片不得有因膠片沖洗加工或其它影響解釋的原因?qū)е碌娜毕荨?.10. 膠片觀察條件射線底片應在暗室內(nèi)檢測，檢測是放在亮度可調(diào)的觀察屏上，符合ISO 5580標準的要求。觀

34、察屏應覆蓋到整個評定區(qū)域。8. 試驗報告每次或每組曝光時，應準備試驗報告，填寫所使用的射線照相技術(shù)信息以及其它可更能理解試驗結(jié)果的特殊環(huán)境。試驗報告應至少包括以下信息：a) 檢測機構(gòu)名稱；b) 工件；c) 材料；d) 熱處理；e) 焊縫幾何形狀；f) 材料厚度；g) 焊接工藝；h) 檢測規(guī)范（包括驗收要求）；i) ISO 17636 （ISO 17636-1：2012）本部分規(guī)定的射線照相技術(shù)及等級、要求的像質(zhì)計靈敏度；j) 第7.1條規(guī)定的試驗布置；k) 所使用的標志系統(tǒng)；l) 膠片位置部署圖；m) 所使用的輻射源、焦點類型和尺寸以及設備識別資料；n) 膠片類型和系統(tǒng)、金屬屏和濾波器；o)

35、所使用的射線管電壓以及電流或射線源類型和活動；p) 曝光時間和射線源至膠片距離；q) 沖洗加工技術(shù)：手動/自動以及顯像條件；r) 像質(zhì)計的類型和位置；s) 檢測結(jié)果，包括膠片密度數(shù)據(jù)、像質(zhì)計讀數(shù)；t) 已經(jīng)達成專用協(xié)議后，與ISO 17636標準本部分的偏差；u) 負責人姓名、證書和簽字；v) 曝光日期和試驗日期附錄A （標準的附錄） 給出周向?qū)雍缚p合格檢測標準的推薦曝光次數(shù)要求的最小曝光次數(shù)詳見圖A.1A.4，適用于外徑在100 mm以上的管子。當需要檢測接縫壁厚的偏差時，如果使用單次曝光t/t不超過20， 使用圖A.3和圖A.4。只有在橫向裂紋的可能性很小或采用其他無損檢測方法檢測焊縫缺

36、欠時，才推薦使用這種技術(shù)。當t/t小于或等于10，使用圖A.1和圖A.2。在這種情況下，還可檢測橫向裂紋。如果需要檢測工件是否有單個橫向裂紋，則與圖A.1A.4的值相比，增加要求的最小射線底片數(shù)量。圖A.1 - 射線源位于外部的單壁透照的最小曝光次數(shù)N是比值t/De 和De/f的函數(shù)，由于需要評價的部位透照傾斜10（B級）引起的透照厚度允許的最大增量t/t圖A.2 - 射線源位于內(nèi)部的偏心透照和雙壁透照的最小曝光次數(shù)N是比值t/De和De/SDF的函數(shù)，由于需要評價的部位透照傾斜10（B級）引起的透照厚度允許的最大增量t/t圖A.3 - 射線源位于外部的單壁透照的最小曝光次數(shù)N是比值t/De

37、和De/f的函數(shù)，由于需要評價的部位透照傾斜20（A級）引起的透照厚度允許的最大增量t/t說明1 內(nèi)管壁（不可接近）圖A.4 - 射線源位于內(nèi)部的偏心透照和雙壁透照的最小曝光次數(shù)N是比值t/De和De/SDF的函數(shù)，由于需要評價的部位透照傾斜20（A級）引起的透照厚度允許的最大增量t/t附錄B（標準的附錄）最小像質(zhì)指數(shù)B.1 單壁技術(shù)；像質(zhì)計位于射線源側(cè)表B1線式像質(zhì)計表B2階梯孔式像質(zhì)計圖像質(zhì)量（A級）像質(zhì)計指數(shù)公稱厚度tmm1.2W 181.2<t2.0W 1720<t3.5W 163.5<t5.0W155.0<t7W147<t10W1310<t15W1

38、215<t25W1125<t32W1032<t40w 940<t55W 855<t85W 785<t150w 6150<t250W 5>250W 4圖像質(zhì)量（A級）像質(zhì)計指數(shù)公稱厚度tmm 到2.0H 3從2.0到3.5H 4從3.5到6H 5從6到10H 6從10到15H 7從15到24H 8從24到30H 9從30到40H 10從40到60H 11從60到100H 12從100到160H 13從150到200H 14從200到250H 15從250到320H 16從320到400H 17從400 H 18表B3線式像質(zhì)計表B4階梯孔式像質(zhì)計圖

39、像質(zhì)量（B級）像質(zhì)計指數(shù)公稱厚度t mm1.5W191.5<t2.5W182.5<t4W174<t6W166<t8W158<t12W1412<t20W1320<t30W1230<t35W1135<t45W1045<t65W965<t120W8120<t200W7200<t350W6>350W5圖像質(zhì)量（B級）像質(zhì)計指數(shù)公稱厚度t mm 到2.5H 2從2.5到4H 3從4到8H 4從8到12H 5從12到20H 6從20到30H 7從30到40H 3從40到60H 9從60到80H 10從80到100H 11從100到150H 12從150到200H 13從200到250H 14B.2 雙壁技術(shù)；雙圖像；像質(zhì)計位于射線源側(cè) 表B.5線式像質(zhì)計表B.6階梯孔式像質(zhì)計圖像質(zhì)量（A級）像質(zhì)計指數(shù)透照厚度，wmm1.2W18