天線工程手冊(cè)目錄

1、天線工程手冊(cè) 作品目錄：第一篇 天線基礎(chǔ) 第1章 引言 1. 1 天線功能 1. 2 天線類(lèi)型 1. 3 場(chǎng)區(qū)劃分 1. 4 功率傳輸 第2章 天線的基本參數(shù) 2. 1 天線方向圖 2. 2 方向性系數(shù) 2. 3 天線增益 2. 4 天線阻抗 2. 5 天線有效長(zhǎng)度和有效面積 2. 6 天線效率 2. 7 天線極化 2. 8 天線帶寬 2. 9 天線噪聲溫度 第3章 電磁場(chǎng)的基本原理 3. 1 麥克斯韋方程和電磁場(chǎng)邊界條件 3. 2 格林函數(shù)與疊加原理 3. 3 場(chǎng)的互易原理 3. 4 惠更斯原理和克希荷夫近似 3. 5 二重性原理 3. 6 巴俾涅原理 3. 7 鏡像原理 3. 8 場(chǎng)的相似

2、變換原理 3. 9 場(chǎng)的惟一性定理 第4章 電磁輻射的基本理論和基本公式 4. 1 電流元的輻射 4. 2 磁流元的輻射 4. 3 離散陣列輻射 4. 4 線源輻射 4. 5 孔徑輻射 4. 6 孔徑增益及其限制 第5章 接收天線 5. 1 接收天線等效電路. 匹配以及天線有效面積 5. 2 天線的矢量有效高度 5. 3 阻抗失配與極化失配 5. 4 接收天線的噪聲溫度 5. 5 收. 發(fā)路徑損失 第6章 低頻輻射分析方法 6. 1 線輻射體場(chǎng)的積分表達(dá)式 6. 2 典型天線的數(shù)值特征 6. 3 頻域分析方法 6. 4 時(shí)域分析方法 6. 5 數(shù)值解的正確性檢查 參考文獻(xiàn) 第7章 高頻輻射分析

3、方法 7. 1 引言 7. 2 波前. 射線和幾何光學(xué) 7. 3 物理光學(xué)場(chǎng) 7. 4 幾何繞射理論和一致性幾何繞射理論 7. 5 等效電磁流法(ECM) 7. 6 物理繞射理論(PTD)及其修正 參考文獻(xiàn) 第二篇 天線設(shè)計(jì) 第8章 偶極與單極天線 8. 1 引言 8. 2 直線形偶極天線 8. 3 V形偶極天線 8. 4 折線與曲線偶極天線 8. 5 其他形式的偶極天線 8. 6 單極天線 8. 7 偶極子加載 8. 8 電小天線 8. 9 匹配與平衡 8. 10 小結(jié) 參考文獻(xiàn) 第9章 環(huán)天線 9. 1 引言 9. 2 電小環(huán)天線 9. 3 電大圓環(huán)天線 9. 4 屏蔽式圓環(huán)天線 9. 5

4、 多角形環(huán)天線 9. 6 雙三角形環(huán)天線 9. 7 加載環(huán)天線 參考文獻(xiàn) 第10章 隙縫天線 10. 1 前言 10. 2 波導(dǎo)隙縫的形式 10. 3 隙縫的歸一化等效阻抗(導(dǎo)納)解析式 10. 4 隙縫的電參數(shù) 10. 5 隙縫陣列天線 10. 6 匹配隙縫陣列天線 10. 7 窄邊隙縫的交叉極化輻射和抑制方法 10. 8 加工誤差對(duì)隙縫陣列天線的影響 10. 9 功率容量 參考文獻(xiàn) 第11章 行波天線 11. 1 行波天線的基本原理 11. 2 長(zhǎng)線天線與V形天線 11. 3 菱形天線 11. 4 螺旋天線 11. 5 八木天線 11. 6 表面波天線 11. 7 漏波天線 參考文獻(xiàn) 第1

5、2章 寬頻帶天線 12. 1 寬頻帶天線的基本概念 12. 2 寬帶振子天線 12. 3 加載天線 12. 4 非頻變天線 12. 5 寬頻帶喇叭天線 12. 6 超寬頻帶接收天線 12. 7 寬頻帶匹配技術(shù) 參考文獻(xiàn) 第13章 線陣和平面陣 13. 1 陣列天線基礎(chǔ) 13. 2 線陣 13. 3 平面陣 13. 4 方向性和信噪比的最佳化 13. 5 方向圖綜合 參考文獻(xiàn) 第14章 微帶天線 14. 1 概述 14. 2 微帶貼片天線 14. 3 微帶振子天線和微帶隙縫天線 14. 4 寬頻帶. 多頻段和頻率捷變技術(shù) 14. 5 微帶線形天線與微帶線陣 14. 6微帶面陣天線 參考文獻(xiàn) 第1

6、5章 喇叭天線 15. 1 通論 15. 2 主模喇叭天線 15. 3 雙模喇叭天線 15. 4 多模喇叭天線 15. 5 波紋喇叭天線 15. 6組合喇叭天線 15. 7 其他形式的喇叭 15. 8 校正喇叭口面場(chǎng)的相位分布與透鏡天線 參考文獻(xiàn) 第16章 反射面天線 16. 1 基本方法和基本公式 16. 2 單反射面天線-拋物面天線 16. 3 雙反射面天線 16. 4 賦形雙反射面天線 16. 5 對(duì)稱雙鏡天線的效率分析 16. 6 單偏置拋物面天線 16. 7 雙偏置拋物面天線 16. 8 波束掃描反射面天線 16. 9 濺散板饋源天線 16. 10 喇叭拋物面天線 16. 11 拋物

7、柱面天線 16. 12 等強(qiáng)度線波束天線 參考文獻(xiàn) 第17章 相控陣天線 17. 1 相控陣天線參數(shù)計(jì)算公式 17. 2 相控陣天線輻射方向性和旁瓣的控制 17. 3 陣元輻射器的選擇 17. 4 移相器的選擇 17. 5 相控陣饋電網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì) 17. 6 相控陣天線的帶寬 17. 7 相控陣天線寬帶和寬角匹配方法 17. 8 相控陣的量化誤差 17. 9 頻率掃描天線陣 參考文獻(xiàn) 第18章 信號(hào)處理天線與陣列信號(hào)處理技術(shù) 18. 1 引論 18. 2 信號(hào)處理天線 18. 3 自適應(yīng)空域?yàn)V波天線 18. 4 自適應(yīng)抗干擾天線系統(tǒng) 18. 5 空間譜估計(jì)技術(shù) 參考文獻(xiàn) 第19章 時(shí)域天線 19

8、. 1 時(shí)域天線的研究對(duì)象及指標(biāo) 19. 2 偶極天線 19. 3 隙縫輻射器 19. 4 偶極子用作接收天線 19. 5 加載天線 19. 6 漸近線喇叭天線 19. 7 頻率無(wú)關(guān)天線用作時(shí)域天線 19. 8 脈沖陣列天線 19. 9 時(shí)域口徑輻射及時(shí)域面天線 19. 10 時(shí)域接收天線與發(fā)射天線的關(guān)系 19. 11 饋電問(wèn)題 參考文獻(xiàn) 第三篇 天線應(yīng)月 第20章 圓極化天線 20. 1 引言 20. 2 圓極化波的特性與參數(shù) 20. 3 圓極化器 20. 4 電磁振子圓極化天線 20. 5 螺旋天線 20. 6 隙縫圓極化天線 20. 7 微帶圓極化天線 20. 8 反射器圓極化天線 20

9、. 9 變極化天線 20. 10 其他圓極化天線 參考文獻(xiàn) 第21章 長(zhǎng). 中. 短波和超短波通信天線 21. 1 長(zhǎng). 中波通信天線設(shè)計(jì)考慮 21. 2 長(zhǎng). 中波通信天線的基本形式及方向性 21. 3 T型與T型天線 21. 4 籠T型天線 21. 5 高Q鐵氧體加感天線 21. 6 短波通信天線設(shè)計(jì) 21. 7 水平極化與垂直極化短波通信天線 21. 8 寬帶短波通信天線 21. 9 超短波通信天線設(shè)計(jì) 21. 10 超短波接力通信天線 21. 11 移動(dòng)通信天線 參考文獻(xiàn) 第22章 衛(wèi)星通信天線 22. 1 衛(wèi)星通信天線發(fā)展?fàn)顩r 22. 2 對(duì)稱型雙反射鏡衛(wèi)星通信地球站天線的設(shè)計(jì) 22

10、. 3 對(duì)稱雙鏡天線的賦形技術(shù) 22. 4 衛(wèi)星通信天線獲得低旁瓣的辦法 22. 5 對(duì)稱型雙鏡衛(wèi)星通信天線旁瓣源的分析與計(jì)算 22. 6 饋源的設(shè)計(jì)與選擇 22. 7 多波束衛(wèi)星通信地球站天線 22. 8 跟蹤體制及選擇 參考文獻(xiàn) 第23章 雷達(dá)天線 23. 1 雷達(dá)天線的一般設(shè)計(jì)要求 23. 2 筆形波束天線 23. 3 扇形波束天線 23. 4 賦形波束天線-余割平方天線 23. 5 精密跟蹤雷達(dá)天線-單脈沖天線及饋源設(shè)計(jì) 23. 6 雷達(dá)天線的電掃描精度及波束控制 23. 7 超視距雷達(dá)天線 23. 8 合成口徑天線 參考文獻(xiàn) 第24章 測(cè)向天線 24. 1 測(cè)向系統(tǒng)天線設(shè)計(jì)原則 24

11、. 2 測(cè)向系統(tǒng)單元天線 24. 3 測(cè)向系統(tǒng)的寬孔徑天線 24. 4 多波束測(cè)向 24. 5 伏爾與多普勒伏爾地面天線 24. 6 塔康天線 24. 7 儀表著陸系統(tǒng)和微波著陸系統(tǒng)天線 24. 8 環(huán)境對(duì)測(cè)向天線場(chǎng)性能的影響 24. 9 測(cè)向天線系統(tǒng)的誤差分析與性能評(píng)估 參考文獻(xiàn) 第25章 飛行體上的天線 25. 1 飛行體上的天線 25. 2 橢圓柱面和雙曲柱面上的天線 25. 3 橢圓柱體上的天線 25. 4 圓錐體上的天線 25. 5 橢球體上的天線 25. 6 飛行體天線的電磁兼容 參考文獻(xiàn) 第26章 毫米波天線 26. 1 概述 26. 2 反射面天線與毫米波饋源 26. 3 表面

12、波與漏波天線 26. 4 微帶天線與其他的印制天線 26. 5 集成天線 參考文獻(xiàn) 第四篇 相關(guān)論題 第27章 天線罩 27. 1 一般設(shè)計(jì)考慮 27. 2 外形與結(jié)構(gòu) 27. 3 材料選擇 27. 4 電磁性能設(shè)計(jì) 參考文獻(xiàn) 第28章 天線的雷達(dá)散射截面 28. 1 一般概念 28. 2 反射面天線的RCS 28. 3 陣列天線的RCS 28. 4 天線RCS的減縮 28. 5 天線RCS的測(cè)量 參考文獻(xiàn) 第29章 天線測(cè)量 29. 1 天線測(cè)試場(chǎng)的設(shè)計(jì)與鑒定 29. 2 振幅方向圖測(cè)量 29. 3 增益測(cè)量 29. 4 極化測(cè)量 29. 5 相位測(cè)量 29. 6 近場(chǎng)測(cè)量 29. 7 阻抗

13、測(cè)量 29. 8 模型天線法 29. 9 射電源法 29. 10 天線的時(shí)域測(cè)量 參考文獻(xiàn) 接口相關(guān)電路及概念1. 集電極開(kāi)路輸出在電路中常會(huì)遇到漏極開(kāi)路（Open Drain）和集電極開(kāi)路（Open Collector）兩種情形。漏極開(kāi)路電路概念中提到的“漏”是指 MOSFET的漏極。同理，集電極開(kāi)路電路中的“集”就是指三極管的集電極。在數(shù)字電路中，分別簡(jiǎn)稱OD門(mén)和OC門(mén)。典型的集電極開(kāi)路電路如圖所示。電路中右側(cè)的三極管集電極什么都不接，所以叫做集電極開(kāi)路，左側(cè)的三極管用于反相作用，即左側(cè)輸入“0”時(shí)左側(cè)三極管截止，VCC通過(guò)電阻加到右側(cè)三極管基極，右側(cè)三極管導(dǎo)通，右側(cè)輸出端連接到地，輸出“

14、0”。從圖中電路可以看出集電極開(kāi)路是無(wú)法輸出高電平的，如果要想輸出高電平可以在輸出端加上上拉電阻。因此集電極開(kāi)路輸出可以用做電平轉(zhuǎn)換，通過(guò)上拉電阻上拉至不同的電壓，來(lái)實(shí)現(xiàn)不同的電平轉(zhuǎn)換。用做驅(qū)動(dòng)器。由于OC門(mén)電路的輸出管的集電極懸空，使用時(shí)需外接一個(gè)上拉電阻Rp到電源VCC。OC門(mén)使用上拉電阻以輸出高電平，此外為了加大輸出引腳的驅(qū)動(dòng)能力，上拉電阻阻值的選擇原則，從降低功耗及芯片的灌電流能力考慮應(yīng)當(dāng)足夠大；從確保足夠的驅(qū)動(dòng)電流考慮應(yīng)當(dāng)足夠小。將OC門(mén)輸出連在一起時(shí)，再通過(guò)一個(gè)電阻接外電源，可以實(shí)現(xiàn)“線與”邏輯關(guān)系。只要電阻的阻值和外電源電壓的數(shù)值選擇得當(dāng)，就能做到既保證輸出的高、低電平符合要求，

15、而且輸出三極管的負(fù)載電流又不至于過(guò)大。集電極開(kāi)路輸出除了可以實(shí)現(xiàn)多門(mén)的線與邏輯關(guān)系外，通過(guò)使用大功率的三極管還可用于直接驅(qū)動(dòng)較大電流的負(fù)載，如繼電器、脈沖變壓器、指示燈等。2. 漏極開(kāi)路輸出和集電極開(kāi)路一樣，顧名思義，開(kāi)漏電路就是指從MOSFET的漏極輸出的電路。典型的用法是在漏極外部的電路添加上拉電阻到電源如圖所示。完整的開(kāi)漏電路應(yīng)由開(kāi)漏器件和開(kāi)漏上拉電阻組成。這里的上拉電阻R的阻值決定了邏輯電平轉(zhuǎn)換的上升/下降沿的速度。阻值越大，速度越低，功耗越小。因此在選擇上拉電阻時(shí)要兼顧功耗和速度。標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)漏腳一般只有輸出的能力。添加其它的判斷電路，才能具備雙向輸入、輸出的能力。很多單片機(jī)等器件的I/

16、O就是漏極開(kāi)路形式，或者可以配置成漏極開(kāi)路輸出形式，如51單片機(jī)的P0口就為漏極開(kāi)路輸出。在實(shí)際應(yīng)用中可以將多個(gè)開(kāi)漏輸出的引腳連接到一條線上，這樣就形成“線與邏輯”關(guān)系。注意這個(gè)公共點(diǎn)必須接一個(gè)上拉電阻。當(dāng)這些引腳的任一路變?yōu)檫壿?后，開(kāi)漏線上的邏輯就為0了。在I2C等接口總線中就用此法判斷總線占用狀態(tài)。同集電極開(kāi)路一樣，利用外部電路的驅(qū)動(dòng)能力，減少I(mǎi)C內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)。當(dāng)IC內(nèi)部MOSFET導(dǎo)通時(shí)，驅(qū)動(dòng)電流是從外部的VCC流經(jīng)上拉電阻，再經(jīng)MOSFET到GND。IC內(nèi)部?jī)H需很下的柵極驅(qū)動(dòng)電流，因此漏極開(kāi)路也常用于驅(qū)動(dòng)電路中。3. 推挽輸出在功率放大器電路中經(jīng)常采用推挽放大器電路，這種電路中用兩只三

17、極管構(gòu)成一級(jí)放大器電路，如圖所示。兩只三極管分別放大輸入信號(hào)的正半周和負(fù)半周，即用一只三極管放大信號(hào)的正半周，用另一只三極管放大信號(hào)的負(fù)半周，兩只三極管輸出的半周信號(hào)在放大器負(fù)載上合并后得到一個(gè)完整周期的輸出信號(hào)。推挽放大器電路中，一只三極管工作在導(dǎo)通、放大狀態(tài)時(shí)，另一只三極管處于截止?fàn)顟B(tài)，當(dāng)輸入信號(hào)變化到另一個(gè)半周后，原先導(dǎo)通、放大的三極管進(jìn)入截止，而原先截止的三極管進(jìn)入導(dǎo)通、放大狀態(tài)，兩只三極管在不斷地交替導(dǎo)通放大和截止變化，所以稱為推挽放大器。輸出既可以向負(fù)載灌電流，也可以從負(fù)載抽取電流4. 上拉電阻與下拉電阻在嵌入式接口的相關(guān)應(yīng)用中經(jīng)常提到上拉電阻與下拉電阻，顧名思義，上拉電阻就是把端

18、口連接到電源的電阻，下拉電阻就是把端口連接到地的電阻。雖然電路形式非常簡(jiǎn)單，然而上拉電阻與下拉電阻在很多場(chǎng)合卻扮演著非常重要的作用。簡(jiǎn)單的說(shuō)，上拉電阻的主要作用在于提高輸出信號(hào)的驅(qū)動(dòng)能力、確定輸入信號(hào)的電平（防止干擾）等，具體的表現(xiàn)為：l 當(dāng)TTL電路驅(qū)動(dòng)COMS電路時(shí)，如果TTL電路輸出的高電平低于COMS電路的最低高電平（一般為3.5V）， 這時(shí)就需要在TTL的輸出端接上拉電阻，以提高輸出高電平的值。l OC門(mén)電路必須加上拉電阻，以提高輸出的高電平值。l 為加大輸出引腳的驅(qū)動(dòng)能力，有的單片機(jī)管腳上也常使用上拉電阻。l 在COMS芯片上，為了防止靜電造成損壞，不用的管腳不能懸空，一般接上拉電

19、阻產(chǎn)生降低輸入阻抗，提供泄荷通路。l 芯片的管腳加上拉電阻來(lái)提高輸出電平，從而提高芯片輸入信號(hào)的噪聲容限增強(qiáng)抗干擾能力。l 提高總線的抗電磁干擾能力。管腳懸空就比較容易接受外界的電磁干擾。l 長(zhǎng)線傳輸中電阻不匹配容易引起反射波干擾，加上下拉電阻是電阻匹配，有效的抑制反射波干擾。上拉電阻阻值的選擇原則包括:l 從節(jié)約功耗及芯片的灌電流能力考慮應(yīng)當(dāng)足夠大；電阻大，電流小。l 從確保足夠的驅(qū)動(dòng)電流考慮應(yīng)當(dāng)足夠??；電阻小，電流大。l 對(duì)于高速電路，過(guò)大的上拉電阻可能邊沿變平緩。綜合考慮以上三點(diǎn)，通常在1K到10K之間選取。對(duì)下拉電阻也有類(lèi)似道理。5. 嵌入式微控制器的I/O配置上面介紹了嵌入式系統(tǒng)接口

20、設(shè)計(jì)中相關(guān)的接口電路和概念，嵌入式微控制器的I/O是在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中最常用到的接口，很多微控制器的I/O口可以進(jìn)行靈活配置，以本書(shū)中介紹的STM32F10X為例，STM32F10X的I/O可以配置成如表中所示的8中模式。因此在I/O的應(yīng)用中更為靈活。GPIO_Mode描述GPIO_Mode_AIN模擬輸入GPIO_Mode_IN_FLOATING浮空輸入GPIO_Mode_IPD下拉輸入GPIO_Mode_IPU上拉輸入GPIO_Mode_Out_OD開(kāi)漏輸出GPIO_Mode_Out_PP推挽輸出GPIO_Mode_AF_OD復(fù)用開(kāi)漏輸出GPIO_Mode_AF_PP復(fù)用推挽輸出STM32

21、F10X端口位的基本結(jié)構(gòu)如圖所示，從圖中可以看到典型的推挽輸出電路與上下拉電阻，當(dāng)N-MOS被激活時(shí)就變成了典型的開(kāi)漏輸出模式，當(dāng)N-MOS和P-MOS同時(shí)被激活時(shí)就變成了典型的推挽輸出模式，通過(guò)上拉電阻和下拉電阻的開(kāi)關(guān)控制可以使端口處于上拉或者下拉輸入模式。根據(jù)開(kāi)漏輸出和推挽輸出的特點(diǎn)，可以很容易判斷在以下應(yīng)用中應(yīng)當(dāng)工作在推挽輸出模式（或者復(fù)用推挽輸出）：l 驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)LED、蜂鳴器等l USART_TX、USART_CK、USART_RTS、MOSI、SPI主模式SCK、CAN_TX等需要較強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力的場(chǎng)合而在I2C等接口總線應(yīng)用中，由于需要“線與”判斷總線占用狀態(tài)，以及需要使用電平

22、轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合需要將I/O配置成開(kāi)漏輸出的模式。問(wèn)題簽名: 問(wèn)題事件名稱:BlueScreen OS 版本:6.1.7600.2.0.0.256.1 區(qū)域設(shè)置 ID:2052有關(guān)該問(wèn)題的其他信息: BCCode:1000008e BCP1:C0000005 BCP2:984413DA BCP3:A0F07AA8 BCP4:00000000 OS Version:6_1_7600 Service Pack:0_0 Product:256_1有助于描述該問(wèn)題的文件: C:WindowsMinidump112410-21652-01.dmp C:UsersIBMAppDataLocalTempWER-59873-0.sysdata.xml88-418-2782-3Girls Gone Wild - Sex Race (Erica Ellyson)Nurses - (Jesse Jane, Jenna Haze, Sasha Grey, Shyla Stylez, Katsumi, Shawna Lenee, Stoya, Riley Steele, Gabriella Fox, Shay Jordan) SKY-182-C.H264 Riko Miyase 女子