三極管的特性_第1頁(yè)
三極管的特性_第2頁(yè)
三極管的特性_第3頁(yè)
三極管的特性_第4頁(yè)
三極管的特性_第5頁(yè)
已閱讀5頁(yè),還剩46頁(yè)未讀 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章模擬電子技術(shù)的實(shí)踐模擬電子技術(shù)的實(shí)踐教學(xué)互動(dòng)平臺(tái)網(wǎng):教學(xué)互動(dòng)平臺(tái)網(wǎng):50:5481/三極管的型號(hào)、結(jié)構(gòu)三極管的型號(hào)、結(jié)構(gòu)三極管的特性三極管的特性信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章六三極管的特性、識(shí)別六三極管的特性、識(shí)別1、三極管的結(jié)構(gòu)與型號(hào)三極管的結(jié)構(gòu)與型號(hào)NNP發(fā)射極發(fā)射極 E基極基極 B集電極集電極 C發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)集電結(jié)集電結(jié) 基區(qū)基區(qū) 發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū) 集電區(qū)集電區(qū)emitterbasecollectorNPN 型型PPNEBCPNP 型型ECBECB第第5課課信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第

2、2章章集成電路中典型集成電路中典型NPNNPN型型BJTBJT的截面圖的截面圖信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章目測(cè)判別三極管極性目測(cè)判別三極管極性EBCE C BEBCBECE B C信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章分類分類:按材料分:按材料分: 硅管、鍺管硅管、鍺管按功率分:按功率分: 小功率管小功率管 1 W中功率管中功率管 0.5 1 W信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章 無論是無論是NPN型或是型或是PNP型的三極管型的三極管,它們均包它們均包含三個(gè)區(qū)含三個(gè)區(qū): 發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū), 并相應(yīng)地引出并相應(yīng)地引出三個(gè)電極:發(fā)射極

3、(三個(gè)電極:發(fā)射極(e)、基極、基極(b)和集電極和集電極(c)。同。同時(shí)時(shí),在三個(gè)區(qū)的兩兩交界處在三個(gè)區(qū)的兩兩交界處, 形成兩個(gè)形成兩個(gè)PN結(jié)結(jié), 分別分別稱為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)。常用的半導(dǎo)體材料有硅和稱為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)。常用的半導(dǎo)體材料有硅和鍺鍺, 因此共有四種三極管類型。它們對(duì)應(yīng)的型號(hào)分因此共有四種三極管類型。它們對(duì)應(yīng)的型號(hào)分別為:別為:3A(鍺鍺PNP)、3B(鍺鍺NPN)、3C(硅硅PNP)、3D(硅硅NPN)四種系列。四種系列。 信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章2、電流放大原理、電流放大原理(1) 三極管放大的條件三極管放大的條件內(nèi)部?jī)?nèi)部條件條件發(fā)射區(qū)摻雜濃度高發(fā)射區(qū)摻雜

4、濃度高基區(qū)薄且摻雜濃度低基區(qū)薄且摻雜濃度低集電結(jié)面積大集電結(jié)面積大外部外部條件條件發(fā)射結(jié)正偏發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏集電結(jié)反偏(2) 滿足放大條件的三種電路滿足放大條件的三種電路uiuoCEBECBuiuoECBuiuo共發(fā)射極共發(fā)射極共集電極共集電極共基極共基極信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章實(shí)現(xiàn)電路實(shí)現(xiàn)電路:信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章(3) 三極管內(nèi)部載流子的傳輸過程三極管內(nèi)部載流子的傳輸過程1) ) 發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入多子發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入多子電電子子,形成發(fā)射極電流形成發(fā)射極電流 IE。I CN多數(shù)向多數(shù)向 BC 結(jié)方向擴(kuò)散形成結(jié)方向擴(kuò)散形成 ICN。IE少數(shù)

5、與空穴復(fù)合,形成少數(shù)與空穴復(fù)合,形成 IBN 。I BN基區(qū)空基區(qū)空穴來源穴來源基極電源提供基極電源提供( (IB) )集電區(qū)少子漂移集電區(qū)少子漂移( (ICBO) )I CBOIBIBN IB + ICBO即:即:IB = IBN ICBO 2) )電子到達(dá)基區(qū)后電子到達(dá)基區(qū)后( (基區(qū)空穴運(yùn)動(dòng)因濃度低而忽略基區(qū)空穴運(yùn)動(dòng)因濃度低而忽略) )信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章 3) ) 集電區(qū)收集擴(kuò)散過集電區(qū)收集擴(kuò)散過 來的載流子形成集來的載流子形成集 電極電流電極電流 ICI C = ICN + ICBO IBICI CBOI CNI BNIE信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)

6、第第2章章(4)三極管的電流分配關(guān)系)三極管的電流分配關(guān)系當(dāng)管子制成后,發(fā)射區(qū)載流子濃度、基區(qū)寬度、集當(dāng)管子制成后,發(fā)射區(qū)載流子濃度、基區(qū)寬度、集電結(jié)面積等確定,故電流的比例關(guān)系確定,即:電結(jié)面積等確定,故電流的比例關(guān)系確定,即:IB = I BN ICBO IC = ICN + ICBOBNCNII CEOBCBOBC)1(IIIII 穿透電流穿透電流CBOBCBOCIIII 信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章IE = IC + IBCEOBCIII BCEIII BC II BE )1(II CEOBE )1(III 信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章3、三極管的識(shí)

7、別和檢測(cè)、三極管的識(shí)別和檢測(cè)(1) 三極管極性的判別三極管極性的判別(2) 三極管性能的檢測(cè)三極管性能的檢測(cè)用指針式萬用表判別極性用指針式萬用表判別極性用萬用表的用萬用表的 h hFEFE擋檢測(cè)擋檢測(cè) 值值用晶體管圖示儀或直流參數(shù)測(cè)試表檢測(cè)用晶體管圖示儀或直流參數(shù)測(cè)試表檢測(cè) ( (略略) )目測(cè)判別極性目測(cè)判別極性用指針式萬用表檢測(cè)用指針式萬用表檢測(cè)穿透電流的檢測(cè)穿透電流的檢測(cè)反向擊穿電壓的檢測(cè)反向擊穿電壓的檢測(cè)放大能力的檢測(cè)放大能力的檢測(cè)信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章 用用指針式指針式萬用表判斷三極管極性萬用表判斷三極管極性紅表筆

8、紅表筆是是( (表內(nèi)電源表內(nèi)電源) )負(fù)負(fù)極極黑表筆黑表筆是是( (表內(nèi)電源表內(nèi)電源) )正正極極基極基極B的判斷:的判斷: 當(dāng)當(dāng)黑黑(紅)(紅)表筆接觸某一極,表筆接觸某一極,紅紅(黑)(黑)表筆分別接觸表筆分別接觸另兩個(gè)極時(shí),萬用表指示為另兩個(gè)極時(shí),萬用表指示為低阻低阻,則該極為基極,該管為,則該極為基極,該管為NPN(PNP)。在在 R 100或或 R 1k 擋測(cè)量擋測(cè)量測(cè)量時(shí)手不要接觸引腳測(cè)量時(shí)手不要接觸引腳C、E極極的判斷:的判斷: 基極確定后,比較基極確定后,比較B與另外兩個(gè)極間的正向電阻,較大與另外兩個(gè)極間的正向電阻,較大者為發(fā)射極者為發(fā)射極E,較小者為集電極,較小者為集電極C。

9、信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章用萬用表的用萬用表的 hFE擋檢測(cè)擋檢測(cè) 值值 若有若有ADJ擋,先置于擋,先置于ADJ 擋進(jìn)行調(diào)零。擋進(jìn)行調(diào)零。 撥到撥到 hFE擋。擋。 將被測(cè)晶體管的將被測(cè)晶體管的C、B、E三個(gè)引腳分別插入相應(yīng)的三個(gè)引腳分別插入相應(yīng)的插孔中(插孔中(TO- -3封裝的大功率管,可將其封裝的大功率管,可將其3個(gè)電極接出個(gè)電極接出3根引線,再插入插孔)。根引線,再插入插孔)。 從表頭或顯示屏讀出該管的電流放大系數(shù)從表頭或顯示屏讀出該管的電流放大系數(shù) 。信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章三極管放大能力的檢測(cè)三極管放大能力的檢測(cè) 1k硅管:硅管:100

10、k 鍺管:鍺管:20 k 0 1k硅管:硅管:100 k 鍺管:鍺管:20 k 0PNPNPN指針偏轉(zhuǎn)角度越大,則放大能力越強(qiáng)指針偏轉(zhuǎn)角度越大,則放大能力越強(qiáng)信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章用萬用表檢測(cè)穿透電流用萬用表檢測(cè)穿透電流 ICEO通過測(cè)量通過測(cè)量C、E間的電阻來估計(jì)間的電阻來估計(jì)穿透電流穿透電流 ICEO的大小。的大小。一般情況下,一般情況下,中、小功率鍺管中、小功率鍺管C、E間的電阻間的電阻 10 k ;大功率鍺管大功率鍺管C、E間的電阻間的電阻 1.5 k ;硅管硅管C、E間的電阻間的電阻 100 k (在(在 R 10 k 擋擋測(cè)量)。測(cè)量)。 1k 0 1k 0

11、信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章檢測(cè)反向擊穿電壓檢測(cè)反向擊穿電壓 U(BR)CEO反向擊穿電壓低于反向擊穿電壓低于50V的晶體管的晶體管,可按圖示電路檢測(cè)??砂磮D示電路檢測(cè)。39 k 5.1 k LED1050 VAB2SA1015 增大電源電壓,當(dāng)發(fā)光二極管增大電源電壓,當(dāng)發(fā)光二極管LED亮?xí)r,亮?xí)r,A、B之間的電壓即為晶體管的反向擊穿電壓。之間的電壓即為晶體管的反向擊穿電壓。39 k 5.1 k LED1050 VAB2SA1015信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章1.4.2晶體三極管的輸入、輸出特性曲線的測(cè)試晶體三極管的輸入、輸出特性曲線的測(cè)試一、任務(wù)的描述一、

12、任務(wù)的描述1、項(xiàng)目任務(wù)編號(hào):1.4.22、項(xiàng)目任務(wù)名稱:晶體三極管的輸入、輸出特性曲線的測(cè)試3、項(xiàng)目任務(wù)的內(nèi)容:按圖1.4.3所示的電路聯(lián)接,通過改變RP1和RP2電位器的阻值,畫出晶體管的特性曲線,從而學(xué)會(huì)研究晶體三極管放大特性的一種方法,為今后分析放大電路打下基礎(chǔ)。4、項(xiàng)目任務(wù)的目的:通過對(duì)晶體管的特性曲線的簡(jiǎn)單測(cè)試,學(xué)會(huì)放大電路的研究方法,深入理解晶體管的電流放大特性。同時(shí)學(xué)會(huì)正確選用合適的電子測(cè)量?jī)x器進(jìn)行參數(shù)測(cè)試。5、需要的相關(guān)知識(shí):晶體三極管的輸入、輸出特性曲線,電路的連接,電子儀器的使用等。1.4 晶體三極管識(shí)別與檢測(cè)方法晶體三極管識(shí)別與檢測(cè)方法介紹介紹介紹介紹信號(hào)放大電路的分析與

13、制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章AmAVVIBICUCCUBBRcRbuBEUCERb100k,Rc3k 圖1.4.3 逐點(diǎn)法測(cè)繪特性曲線的測(cè)量電路信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章二、計(jì)劃準(zhǔn)備二、計(jì)劃準(zhǔn)備雖然萬用表可以粗略地測(cè)出管子的雖然萬用表可以粗略地測(cè)出管子的值的大小,但結(jié)果誤值的大小,但結(jié)果誤差很大,而且管子的其它特性很難確定。為了測(cè)定晶體管的差很大,而且管子的其它特性很難確定。為了測(cè)定晶體管的輸入、輸出特性,一般可以通過兩種方法得出,一是通過晶輸入、輸出特性,一般可以通過兩種方法得出,一是通過晶體管圖示儀,還有一種方法就是設(shè)計(jì)一個(gè)測(cè)量電路,如圖體管圖示儀,還有一種方法就是設(shè)計(jì)一

14、個(gè)測(cè)量電路,如圖2.4.3所示的特性曲線測(cè)試電路,它可以分別測(cè)出共射電路的所示的特性曲線測(cè)試電路,它可以分別測(cè)出共射電路的輸入、輸出特性曲線。輸入、輸出特性曲線。根據(jù)所給定的學(xué)習(xí)任務(wù),閱讀相關(guān)知識(shí)點(diǎn)的內(nèi)容,理解根據(jù)所給定的學(xué)習(xí)任務(wù),閱讀相關(guān)知識(shí)點(diǎn)的內(nèi)容,理解關(guān)于晶體管的特性曲線的基本概念及測(cè)量方法,然后考慮測(cè)關(guān)于晶體管的特性曲線的基本概念及測(cè)量方法,然后考慮測(cè)量電路如何根據(jù)所給的電路原理圖進(jìn)行接線,如何調(diào)節(jié)電源量電路如何根據(jù)所給的電路原理圖進(jìn)行接線,如何調(diào)節(jié)電源電壓值,考慮具體實(shí)施的步驟和方法。電壓值,考慮具體實(shí)施的步驟和方法。信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章三、具體實(shí)施三、具體

15、實(shí)施具體測(cè)試的方法是,取具體測(cè)試的方法是,取NPN型晶體管一個(gè),先通過測(cè)試型晶體管一個(gè),先通過測(cè)試判定各管腳的極性(即確定判定各管腳的極性(即確定b、c、e極)。然后聯(lián)接電路如圖極)。然后聯(lián)接電路如圖1.4.3所示,所示,調(diào)節(jié)調(diào)節(jié)RP1,使,使VCE0V調(diào)節(jié)調(diào)節(jié)RP2,分別使,分別使IB = 0A、5A、10A、20A、測(cè)量對(duì)應(yīng)的測(cè)量對(duì)應(yīng)的VBE值,填入表值,填入表1.4.2輸入輸入特性曲線的測(cè)試。特性曲線的測(cè)試。 調(diào)節(jié)調(diào)節(jié)RP1,使,使VCE5V。重復(fù)上述步驟可得。重復(fù)上述步驟可得輸入特性曲線。輸入特性曲線。條條 件件IB(A)0102030 40 5060VCE0VVBE(V)VCE5VV

16、BE(V)表表1.4.2輸入特性曲線的測(cè)試輸入特性曲線的測(cè)試把表把表1.4.2中測(cè)得數(shù)據(jù),在圖中測(cè)得數(shù)據(jù),在圖1.4.4坐標(biāo)中,畫出相應(yīng)的點(diǎn),坐標(biāo)中,畫出相應(yīng)的點(diǎn),然后把它光滑地連接起來,就得到晶體管的輸入特性曲線。然后把它光滑地連接起來,就得到晶體管的輸入特性曲線。信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章如果要測(cè)試晶體管的輸出特性曲線,可以調(diào)節(jié)如果要測(cè)試晶體管的輸出特性曲線,可以調(diào)節(jié)RP2, 使使IB = 0A。調(diào)節(jié)。調(diào)節(jié)RP1,分別使,分別使VCE0V、0.3V、0.5V、1V、5V、10V、測(cè)量對(duì)應(yīng)的測(cè)量對(duì)應(yīng)的IC數(shù)值數(shù)值, 填入表填入表2.4.3輸出特性曲線的測(cè)輸出特性曲線的測(cè)試

17、。調(diào)節(jié)試。調(diào)節(jié)RP2,使,使IB20A、40A、60A、重復(fù)上述步重復(fù)上述步驟可得輸出特性曲線。驟可得輸出特性曲線。條條 件件VCE(V)00.30.5123IB =0AIC(mA)IB =20AIC(mA)IB =40AIC(mA)IB =60AIC(mA)把表把表1.4.3中測(cè)得數(shù)據(jù),在圖中測(cè)得數(shù)據(jù),在圖1.4.5的坐標(biāo)中,每一行的數(shù)據(jù)的坐標(biāo)中,每一行的數(shù)據(jù)可以畫出一條輸出特性曲線,有幾行數(shù)據(jù)可以畫出幾條輸出特可以畫出一條輸出特性曲線,有幾行數(shù)據(jù)可以畫出幾條輸出特性曲線。這樣就可獲得晶體管的輸出特性曲線族。性曲線。這樣就可獲得晶體管的輸出特性曲線族。表表1.4.3輸出特性曲線的測(cè)試輸出特性

18、曲線的測(cè)試信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章IB/AUBE/VIC/mAUCE/V圖圖1.4.4輸入特性曲線的繪制輸入特性曲線的繪制圖圖1.4.5輸出特性曲線的繪制輸出特性曲線的繪制可以得到如下結(jié)論:可以得到如下結(jié)論:(1)輸入特性曲線與晶體二極管的特性曲線相似,有一個(gè)大約有)輸入特性曲線與晶體二極管的特性曲線相似,有一個(gè)大約有0.5V的的門坎電壓,當(dāng)電流超過一定數(shù)值后,電壓與電流間基本成線性的關(guān)系。門坎電壓,當(dāng)電流超過一定數(shù)值后,電壓與電流間基本成線性的關(guān)系。(2)從輸出特性曲線可以知道,當(dāng)輸入電流)從輸出特性曲線可以知道,當(dāng)輸入電流IB保持不變時(shí),保持不變時(shí),UCE從從0開始開

19、始增大時(shí),集電極電流增大時(shí),集電極電流IC增加很快,但隨后增加很快,但隨后UCE的繼續(xù)增加時(shí),集電極電流的繼續(xù)增加時(shí),集電極電流IC幾幾乎不變。乎不變。(3)在一定的條件下,當(dāng))在一定的條件下,當(dāng)UCE一定時(shí),基極電流一定時(shí),基極電流IB的增大,會(huì)引起集電的增大,會(huì)引起集電極電流極電流IC的成比例增加,其比值的大小即為晶體管的交流電流放大倍數(shù)的成比例增加,其比值的大小即為晶體管的交流電流放大倍數(shù)ICIB(ICIB為直流電流放大倍數(shù),一般不作區(qū)別)??梢娋w管為直流電流放大倍數(shù),一般不作區(qū)別)??梢娋w管具有基極小電流控制集電極較大變化的能力。具有基極小電流控制集電極較大變化的能力。信號(hào)放大電路

20、的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章四、問題研究四、問題研究1、從測(cè)試畫出的晶體管輸出特性曲線中,可以把晶體管、從測(cè)試畫出的晶體管輸出特性曲線中,可以把晶體管的工作狀態(tài)分成怎樣三個(gè)區(qū)?他們有何特點(diǎn)?條件如何?的工作狀態(tài)分成怎樣三個(gè)區(qū)?他們有何特點(diǎn)?條件如何?可以可以得出哪些結(jié)論?得出哪些結(jié)論?2、如果兩個(gè)晶體管的放大倍數(shù)大小不一樣,在輸出特性、如果兩個(gè)晶體管的放大倍數(shù)大小不一樣,在輸出特性曲線中是如何體現(xiàn)?曲線中是如何體現(xiàn)?3、晶體管的特性曲線還可以用什么儀器進(jìn)行測(cè)試?、晶體管的特性曲線還可以用什么儀器進(jìn)行測(cè)試?4、試說明晶體三極管處于放大、飽和和截止工作狀態(tài)的、試說明晶體三極管處于放大、飽和和

21、截止工作狀態(tài)的特點(diǎn)。特點(diǎn)。5、測(cè)得某三極管各極電流如圖、測(cè)得某三極管各極電流如圖P2.3所示,試判斷所示,試判斷、中哪個(gè)是基極、發(fā)射極和集電極,并說明該管是中哪個(gè)是基極、發(fā)射極和集電極,并說明該管是NPN型還型還是是PNP型,它的型,它的?五、研究報(bào)告的撰寫五、研究報(bào)告的撰寫根據(jù)以上的儀器使用、參數(shù)的測(cè)試根據(jù)以上的儀器使用、參數(shù)的測(cè)試及處理、問題的研究,對(duì)實(shí)踐結(jié)果及問及處理、問題的研究,對(duì)實(shí)踐結(jié)果及問題進(jìn)行歸納總結(jié),寫出研究報(bào)告。題進(jìn)行歸納總結(jié),寫出研究報(bào)告。信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章本項(xiàng)目小結(jié)本項(xiàng)目小結(jié)一、三極管的特性參數(shù)的測(cè)試一、三極管的特性參數(shù)的測(cè)試二、三極管的特性參

22、數(shù)的研究二、三極管的特性參數(shù)的研究課外作業(yè):課外作業(yè):寫實(shí)踐報(bào)告寫實(shí)踐報(bào)告三、三極管的等效電路三、三極管的等效電路信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章七、晶體三極管的特性曲線七、晶體三極管的特性曲線1、輸入特性、輸入特性輸入輸入回路回路輸出輸出回路回路常數(shù)常數(shù) CE)(BEBuufi0CE u與二極管特性相似與二極管特性相似第第6課課信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章BEuBiO0CE uV 1CE u0CE uV 1CE u特性基本特性基本重合重合( (電流分配關(guān)系確定電流分配關(guān)系確定) )特性右移特性右移( (因集電結(jié)開始吸引電子因集電結(jié)開始吸引電子) )導(dǎo)通電壓導(dǎo)通

23、電壓 UBE( (on) )硅管:硅管: (0.6 0.8) V鍺管:鍺管: (0.2 0.3) V取取 0.7 V取取 0.2 V信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章2、輸出特性、輸出特性常數(shù)常數(shù) B)(CECiufiiC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 43211. 截止區(qū):截止區(qū): IB 0 IC = ICEO 0條件:條件:兩個(gè)結(jié)反偏兩個(gè)結(jié)反偏截止區(qū)截止區(qū)ICEO信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 43212.

24、 放大區(qū):放大區(qū):CEOBCIII 放大區(qū)放大區(qū)截止區(qū)截止區(qū)條件:條件: 發(fā)射結(jié)正偏發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏集電結(jié)反偏特點(diǎn):特點(diǎn): 水平、等間隔水平、等間隔ICEO信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 43213. 飽和區(qū):飽和區(qū):uCE u BEuCB = uCE u BE 0條件:條件:兩個(gè)結(jié)正偏兩個(gè)結(jié)正偏特點(diǎn):特點(diǎn):IC IB臨界飽和時(shí):臨界飽和時(shí): uCE = uBE深度飽和時(shí):深度飽和時(shí):0.3 V ( (硅管硅管) )UCE( (SAT) )= =0.1 V ( (鍺管鍺管) )

25、放大區(qū)放大區(qū)截止區(qū)截止區(qū)飽飽和和區(qū)區(qū)ICEO信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章飽和區(qū):飽和區(qū):iC明顯受明顯受vCE控制的區(qū)域,控制的區(qū)域,該區(qū)域內(nèi),一般該區(qū)域內(nèi),一般vCE0.7V (硅管硅管), iC不受不受iB控制。此時(shí),控制。此時(shí),發(fā)射結(jié)正偏,發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏或反偏電壓很小集電結(jié)正偏或反偏電壓很小。iC=f(vCE) iB=const輸出特性曲線小結(jié)輸出特性曲線小結(jié)輸出特性曲線的三個(gè)區(qū)域輸出特性曲線的三個(gè)區(qū)域: :截止區(qū):截止區(qū):iC接近零的區(qū)域,相當(dāng)接近零的區(qū)域,相當(dāng)iB=0的曲線的下方。此時(shí),的曲線的下方。此時(shí), vBE小于死區(qū)小于死區(qū)電壓電壓。此時(shí),發(fā)射結(jié)和集電

26、結(jié)均反向。此時(shí),發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均反向偏置偏置放大區(qū):放大區(qū):iC平行于平行于vCE軸的區(qū)域,曲軸的區(qū)域,曲線基本平行等距,說明線基本平行等距,說明iC主要受主要受iB控控制此時(shí),制此時(shí),發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章3、溫度對(duì)特性曲線的影響、溫度對(duì)特性曲線的影響(1) 溫度升高,輸入特性曲線溫度升高,輸入特性曲線向左移。向左移。溫度每升高溫度每升高 1 C,UBE (2 2.5) mV。溫度每升高溫度每升高 10 C,ICBO 約增大約增大 1 倍。倍。BEuBiOT2 T1信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章(2)溫度升

27、高,輸出特性曲線)溫度升高,輸出特性曲線向上移。向上移。iCuCE T1iB = 0T2 iB = 0iB = 0溫度每升高溫度每升高 1 C, (0.5 1)%。輸出特性曲線間距增大。輸出特性曲線間距增大。O信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章八、晶體三極管的主要參數(shù)八、晶體三極管的主要參數(shù)1、電流放大系數(shù)、電流放大系數(shù)1. 共發(fā)射極電流放大系數(shù)共發(fā)射極電流放大系數(shù)iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 4321 直流電流放大系數(shù)直流電流放大系數(shù)BCCBOBCBOCBNCNIIIIIIII 交流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)

28、BiiC一般為幾十一般為幾十 幾百幾百Q(mào)82A1030A1045. 263 80108 . 0A1010A10)65. 145. 2(63 信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 43212. 共基極電流放大系數(shù)共基極電流放大系數(shù) 11BCCECIIIII 1 一般在一般在 0.98 以上。以上。 Q988. 018080 2、極間反向飽和電流、極間反向飽和電流CB 極極間反向飽和電流間反向飽和電流 ICBO,CE 極極間反向飽和電流間反向飽和電流 ICEO。信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)

29、學(xué)時(shí)第第2章章3、極限參數(shù)、極限參數(shù)A. ICM 集電極最大允許電流,超過時(shí)集電極最大允許電流,超過時(shí) 值明顯降低。值明顯降低。B. PCM 集電極最大允許功率損耗集電極最大允許功率損耗PC = iC uCE。iCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安安全全 工工 作作 區(qū)區(qū)信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章C. U( (BR) )CEO 基極開路時(shí)基極開路時(shí) C、E 極極間反向擊穿電壓。間反向擊穿電壓。U( (BR) )EBO 集電極極開路時(shí)集電極極開路時(shí) E、B 極極間反向擊穿電壓。間反向擊穿電壓。U( (BR) )CBO U( (BR) )CEO U( (BR) )E

30、BO已知已知:ICM = 20 mA, PCM = 100 mW,U(BR)CEO = 20 V,當(dāng)當(dāng) UCE = 10 V 時(shí),時(shí),IC mA當(dāng)當(dāng) UCE = 1 V,則,則 IC mA當(dāng)當(dāng) IC = 2 mA,則,則 UCE V 102020信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章 (1) 共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)共發(fā)射極直流電流放大系數(shù) =(ICICEO)/IBIC / IB vCE=const1. 電流放大系數(shù)電流放大系數(shù) 與與iC的關(guān)系曲線的關(guān)系曲線 (2) 共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)共發(fā)射極交流電流放大系數(shù) = IC/ IB vCE=const小結(jié)小結(jié)信號(hào)放大電路的分析與制作3

31、5學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章 (3) 共基極直流電流放大系數(shù)共基極直流電流放大系數(shù) =(ICICBO)/IEIC/IE (4) 共基極交流電流放大系數(shù)共基極交流電流放大系數(shù) = IC/ IE vCB=const 當(dāng)當(dāng)ICBO和和ICEO很小時(shí),很小時(shí), 、 ,可以不,可以不加區(qū)分。加區(qū)分。信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章hreucehfeubehie1/hoe物物理理模模型型: 參參數(shù)數(shù)等等效效模模型型 T 參參數(shù)數(shù)等等效效模模型型 網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)絡(luò)參參數(shù)數(shù)模模型型:H 參參數(shù)數(shù)等等效效模模型型:低低頻頻小小信信號(hào)號(hào) Y 參參數(shù)數(shù)等等效效模模型型:高高頻頻小小信信號(hào)號(hào) S 參參數(shù)數(shù)等等效效模模型

32、型:微微波波電電路路 i bic+ube-+uce-+ube-i bic+uce- 補(bǔ)充:補(bǔ)充:H參數(shù)等效電路參數(shù)等效電路對(duì)于共射電路對(duì)于共射電路 信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章 ube=hieib+hreuce ib=hfeib+hoeVce 共共射射 h h 參參數(shù)數(shù)的的物物理理意意義義:QubeibcbiebcebbeICEBEicebererhivivuuuuhBb常數(shù)0)2(ubeibIBuBEuCE ube=hieib+hreuce ib=hfeib+hoeuce 輸入端交流開路時(shí),輸入電壓輸入端交流開路時(shí),輸入電壓ube隨輸出電壓隨輸出電壓uce的變化之比,的變化

33、之比,反映了輸出回路對(duì)輸入回路影響,稱反映了輸出回路對(duì)輸入回路影響,稱內(nèi)部電壓反饋參數(shù)內(nèi)部電壓反饋參數(shù),由輸,由輸入特性曲線可見,輸出電壓對(duì)輸入特性曲線有調(diào)制作用。入特性曲線可見,輸出電壓對(duì)輸入特性曲線有調(diào)制作用。 信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章(4)常常數(shù)數(shù) BbICEc0icecoeuIuih 輸輸入入端端交交流流開開路路時(shí)時(shí),輸輸出出導(dǎo)導(dǎo)納納 , ,即即 hoe=1/rce 靜靜態(tài)態(tài)工工作作點(diǎn)點(diǎn)上上輸輸出出特特性性曲曲線線切切線線的的斜斜率率 (3)常常數(shù)數(shù) CEceuBC0vbcfeiiiih 輸輸出出端端交交流流短短路路時(shí)時(shí)(uCE=常常數(shù)數(shù))時(shí)時(shí),正正向向 電電流流

34、放放大大倍倍數(shù)數(shù), ,反反映映了了輸輸出出特特性性曲曲線線的的間間距距。 UCEuCEicib1ib2=ib1+iBiCicuCEuCEiCIB信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章hiehiehfeibhfeib1/hoeuceubeubeuceubeucehfeibhie1/hoehreuce ube=hieib+hreuce ib=hfeib+hoeuce 返回返回手工焊接技術(shù)手工焊接技術(shù)信號(hào)放大電路的分析與制作35學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)第第2章章半導(dǎo)體三極管是電子電路的核心元器件,半導(dǎo)體三極管是電子電路的核心元器件, 應(yīng)用應(yīng)用十分廣泛。十分廣泛。 盡管三極管可以組成運(yùn)算放大電路、盡管三極管可以組成運(yùn)算放大電路、 功功率放大電路、率放大電路、 振蕩電路、振蕩電路、 反相器、反相器、 數(shù)字邏輯電路數(shù)字邏輯電路等,等, 但可歸納為放大應(yīng)用和開關(guān)應(yīng)用兩大類。但可歸納為放大應(yīng)用和開關(guān)應(yīng)用兩大類。 1、放大應(yīng)用、放大應(yīng)用在模擬電子電路中,在模擬電子電路中, 三極管主要工作于放大狀三極管主要工作于放大狀態(tài),態(tài), 可以把輸入基極電流可以把輸入基極電流IB 放大放大倍以倍以IC 的形式的形式輸出。輸出。 因此三極管的放大應(yīng)用,因此三極管的放大應(yīng)用, 就是利用三極管的就是利用三極管的電流控制作用把微弱的電信號(hào)增強(qiáng)到所要求的數(shù)值。電流控制作用把微弱的電信

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論