半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識ppt課件

1、華成英 第一章 半導(dǎo)體二極管和三極管1;.華成英 第一章 半導(dǎo)體二極管和三極管1.1 1.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識1.2 1.2 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管1.3 1.3 晶體三極管晶體三極管2;.華成英 31 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識一、本征半導(dǎo)體一、本征半導(dǎo)體二、雜質(zhì)半導(dǎo)體二、雜質(zhì)半導(dǎo)體三、三、PNPN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦越Y(jié)的形成及其單向?qū)щ娦运?、四、PNPN結(jié)的電容效應(yīng)結(jié)的電容效應(yīng)華成英 4一、本征半導(dǎo)體 導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。本征半導(dǎo)體是純凈的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。本征半導(dǎo)體是純凈的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。1 1、什么是半導(dǎo)體？什么

2、是本征半導(dǎo)體？、什么是半導(dǎo)體？什么是本征半導(dǎo)體？ 導(dǎo)體鐵、鋁、銅等金屬元素等低價(jià)元素，其最外層電子在外電場作用下很容易產(chǎn)生定導(dǎo)體鐵、鋁、銅等金屬元素等低價(jià)元素，其最外層電子在外電場作用下很容易產(chǎn)生定向移動，形成電流。向移動，形成電流。 絕緣體惰性氣體、橡膠等，其原子的最外層電子受原子核的束縛力很強(qiáng)，只有在外絕緣體惰性氣體、橡膠等，其原子的最外層電子受原子核的束縛力很強(qiáng)，只有在外電場強(qiáng)到一定程度時(shí)才可能導(dǎo)電。電場強(qiáng)到一定程度時(shí)才可能導(dǎo)電。 半導(dǎo)體硅（半導(dǎo)體硅（Si）、鍺（）、鍺（Ge），均為四價(jià)元素，它們原子的最外層電子受原子核的束），均為四價(jià)元素，它們原子的最外層電子受原子核的束縛力介于導(dǎo)體與

3、絕緣體之間?？`力介于導(dǎo)體與絕緣體之間。無雜質(zhì)無雜質(zhì)穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)華成英 52、本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)由于熱運(yùn)動，具有足夠能量的價(jià)電子掙脫由于熱運(yùn)動，具有足夠能量的價(jià)電子掙脫共價(jià)鍵的束縛而成為自由電子共價(jià)鍵的束縛而成為自由電子自由電子的產(chǎn)生使共價(jià)鍵中留有一個空位自由電子的產(chǎn)生使共價(jià)鍵中留有一個空位置，稱為空穴置，稱為空穴 自由電子與空穴相碰同時(shí)消失，稱為復(fù)合。自由電子與空穴相碰同時(shí)消失，稱為復(fù)合。共價(jià)鍵共價(jià)鍵 一定溫度下，自由電子與空穴對的濃度一定；溫度升高，熱運(yùn)動加劇，掙脫共價(jià)鍵一定溫度下，自由電子與空穴對的濃度一定；溫度升高，熱運(yùn)動加劇，掙脫共價(jià)鍵的電子增多，自由電子與空穴對的濃度加大。的電

4、子增多，自由電子與空穴對的濃度加大。動態(tài)平衡動態(tài)平衡華成英 6兩種載流子兩種載流子 外加電場時(shí)，帶負(fù)電的自由電子和帶正電的空外加電場時(shí)，帶負(fù)電的自由電子和帶正電的空穴均參與導(dǎo)電，且運(yùn)動方向相反。由于載流子數(shù)穴均參與導(dǎo)電，且運(yùn)動方向相反。由于載流子數(shù)目很少，故導(dǎo)電性很差。目很少，故導(dǎo)電性很差。為什么要將半導(dǎo)體變成導(dǎo)電性很差的本征半導(dǎo)體？3、本征半導(dǎo)體中的兩種載流子運(yùn)載電荷的粒子稱為載流子。運(yùn)載電荷的粒子稱為載流子。 溫度升高，熱運(yùn)動加劇，載流子濃度增大，溫度升高，熱運(yùn)動加劇，載流子濃度增大，導(dǎo)電性增強(qiáng)。導(dǎo)電性增強(qiáng)。 熱力學(xué)溫度熱力學(xué)溫度0K時(shí)不導(dǎo)電。時(shí)不導(dǎo)電。華成英 7二、雜質(zhì)半導(dǎo)體 1. N

5、N型半導(dǎo)體5磷（磷（P） 雜質(zhì)半導(dǎo)體主要靠多數(shù)載流子導(dǎo)電。摻入雜質(zhì)半導(dǎo)體主要靠多數(shù)載流子導(dǎo)電。摻入雜質(zhì)越多，多子濃度越高，導(dǎo)電性越強(qiáng)，實(shí)雜質(zhì)越多，多子濃度越高，導(dǎo)電性越強(qiáng)，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電性可控?，F(xiàn)導(dǎo)電性可控。多數(shù)載流子多數(shù)載流子 空穴比未加雜質(zhì)時(shí)的數(shù)目多了？少了？為空穴比未加雜質(zhì)時(shí)的數(shù)目多了？少了？為什么？什么？華成英 82. 2. P型半導(dǎo)體3硼（硼（B）多數(shù)載流子多數(shù)載流子 P型半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電，摻入雜質(zhì)越多，型半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電，摻入雜質(zhì)越多，空穴濃度越高，導(dǎo)電性越強(qiáng)，空穴濃度越高，導(dǎo)電性越強(qiáng)， 在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，溫度變化時(shí)，載流子的數(shù)目在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，溫度變化時(shí)，載流子的數(shù)目變化嗎？少子

6、與多子變化的數(shù)目相同嗎？少子與變化嗎？少子與多子變化的數(shù)目相同嗎？少子與多子濃度的變化相同嗎？多子濃度的變化相同嗎？華成英 9三、PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦?物質(zhì)因濃度差而產(chǎn)生的運(yùn)動稱為擴(kuò)散運(yùn)動。氣體、液體、固體均有之。物質(zhì)因濃度差而產(chǎn)生的運(yùn)動稱為擴(kuò)散運(yùn)動。氣體、液體、固體均有之。擴(kuò)散運(yùn)動擴(kuò)散運(yùn)動P區(qū)空穴濃度區(qū)空穴濃度遠(yuǎn)高于遠(yuǎn)高于N區(qū)。區(qū)。N區(qū)自由電子濃區(qū)自由電子濃度遠(yuǎn)高于度遠(yuǎn)高于P區(qū)。區(qū)。 擴(kuò)散運(yùn)動使靠近接觸面擴(kuò)散運(yùn)動使靠近接觸面P區(qū)的空穴濃度降低、靠近接觸面區(qū)的空穴濃度降低、靠近接觸面N區(qū)的自由電子濃度降低，產(chǎn)生區(qū)的自由電子濃度降低，產(chǎn)生內(nèi)電場。內(nèi)電場。華成英 10PN 結(jié)的形成 因電場作

7、用所產(chǎn)生的運(yùn)動稱因電場作用所產(chǎn)生的運(yùn)動稱為漂移運(yùn)動。為漂移運(yùn)動。 參與擴(kuò)散運(yùn)動和漂移運(yùn)動的載流子數(shù)目相同，達(dá)到動態(tài)平衡，就形成了參與擴(kuò)散運(yùn)動和漂移運(yùn)動的載流子數(shù)目相同，達(dá)到動態(tài)平衡，就形成了PN結(jié)。結(jié)。漂移運(yùn)動漂移運(yùn)動 由于擴(kuò)散運(yùn)動使由于擴(kuò)散運(yùn)動使P區(qū)與區(qū)與N區(qū)的交界面缺少多數(shù)載流子，形成內(nèi)電場，從而阻止擴(kuò)散運(yùn)動的進(jìn)區(qū)的交界面缺少多數(shù)載流子，形成內(nèi)電場，從而阻止擴(kuò)散運(yùn)動的進(jìn)行。內(nèi)電場使空穴從行。內(nèi)電場使空穴從N區(qū)向區(qū)向P區(qū)、自由電子從區(qū)、自由電子從P區(qū)向區(qū)向N 區(qū)運(yùn)動。區(qū)運(yùn)動。華成英 11PN結(jié)加正向電壓導(dǎo)通：結(jié)加正向電壓導(dǎo)通： 耗盡層變窄，擴(kuò)散運(yùn)動加劇，由于外電耗盡層變窄，擴(kuò)散運(yùn)動加劇，由于

8、外電源的作用，形成擴(kuò)散電流，源的作用，形成擴(kuò)散電流，PNPN結(jié)處于導(dǎo)通結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。狀態(tài)。PN結(jié)加反向電壓截止：結(jié)加反向電壓截止： 耗盡層變寬，阻止擴(kuò)散運(yùn)動，有利于漂移耗盡層變寬，阻止擴(kuò)散運(yùn)動，有利于漂移運(yùn)動，形成漂移電流。由于電流很小，故可運(yùn)動，形成漂移電流。由于電流很小，故可近似認(rèn)為其截止。近似認(rèn)為其截止。PN 結(jié)的單向?qū)щ娦员匾獑?？必要嗎？華成英 ;.四、PN 結(jié)的電容效應(yīng)1. 勢壘電容 PN結(jié)外加電壓變化時(shí)，空間電荷區(qū)的寬度將發(fā)生變化，有電荷的積累和釋放的結(jié)外加電壓變化時(shí)，空間電荷區(qū)的寬度將發(fā)生變化，有電荷的積累和釋放的過程，與電容的充放電相同，其等效電容稱為勢壘電容過程，與電容的充

9、放電相同，其等效電容稱為勢壘電容Cb。2. 擴(kuò)散電容 PN結(jié)外加的正向電壓變化時(shí)，在擴(kuò)散路程中載流子的濃度及其梯度均有變化，結(jié)外加的正向電壓變化時(shí)，在擴(kuò)散路程中載流子的濃度及其梯度均有變化，也有電荷的積累和釋放的過程，其等效電容稱為擴(kuò)散電容也有電荷的積累和釋放的過程，其等效電容稱為擴(kuò)散電容Cd。dbjCCC結(jié)電容：結(jié)電容： 結(jié)電容不是常量！若結(jié)電容不是常量！若PN結(jié)外加電壓頻率高到一定程度，則失去單向?qū)щ娦?！結(jié)外加電壓頻率高到一定程度，則失去單向?qū)щ娦裕?2華成英 13問題為什么將自然界導(dǎo)電性能中等的半導(dǎo)體材料制成本征半導(dǎo)體，導(dǎo)電性能極差，又將為什么將自然界導(dǎo)電性能中等的半導(dǎo)體材料制成本征半導(dǎo)

10、體，導(dǎo)電性能極差，又將其摻雜，改善導(dǎo)電性能？其摻雜，改善導(dǎo)電性能？為什么半導(dǎo)體器件的溫度穩(wěn)定性差？是多子還是少子是影響溫度穩(wěn)定性的主要因素？為什么半導(dǎo)體器件的溫度穩(wěn)定性差？是多子還是少子是影響溫度穩(wěn)定性的主要因素？為什么半導(dǎo)體器件有最高工作頻率？為什么半導(dǎo)體器件有最高工作頻率？華成英 2 半導(dǎo)體二極管一、二極管的組成一、二極管的組成二、二極管的伏安特性及電流方程二、二極管的伏安特性及電流方程三、二極管的等效電路三、二極管的等效電路四、二極管的主要參數(shù)四、二極管的主要參數(shù)五、穩(wěn)壓二極管五、穩(wěn)壓二極管14;.華成英 15 一、二極管的組成將將PN結(jié)封裝，引出兩個電極，就構(gòu)成了二極管。結(jié)封裝，引出兩

11、個電極，就構(gòu)成了二極管。小功率二小功率二極管極管大功率二大功率二極管極管穩(wěn)壓穩(wěn)壓二極管二極管發(fā)光發(fā)光二極管二極管華成英 16 一、二極管的組成點(diǎn)接觸型：結(jié)面積小，結(jié)電點(diǎn)接觸型：結(jié)面積小，結(jié)電容小，故結(jié)允許的電流小，容小，故結(jié)允許的電流小，最高工作頻率高。最高工作頻率高。面接觸型：結(jié)面積大，結(jié)面接觸型：結(jié)面積大，結(jié)電容大，故結(jié)允許的電流電容大，故結(jié)允許的電流大，最高工作頻率低。大，最高工作頻率低。平面型：結(jié)面積可小、可大，平面型：結(jié)面積可小、可大，小的工作頻率高，大的結(jié)允小的工作頻率高，大的結(jié)允許的電流大。許的電流大。華成英 17 二、二極管的伏安特性及電流方程材料材料開啟電壓開啟電壓導(dǎo)通電壓導(dǎo)

12、通電壓反向飽和電流反向飽和電流硅硅Si0.5V0.50.8V1A以下鍺鍺Ge0.1V0.10.3V幾十A)(ufi 開啟電開啟電壓壓反向飽和電反向飽和電流流擊穿電擊穿電壓壓mV)26( ) 1e (TSTUIiUu常溫下溫度的溫度的電壓當(dāng)量電壓當(dāng)量二極管的電流與其端電壓的關(guān)系稱為伏安特性。二極管的電流與其端電壓的關(guān)系稱為伏安特性。華成英 18華成英 19利用Multisim測試二極管伏安特性華成英 20從二極管的伏安特性可以反映出：從二極管的伏安特性可以反映出： 1. 單向?qū)щ娦詥蜗驅(qū)щ娦訲eSTUuIiUu，則若正向電壓) 1e (TSUuIi2. 伏安特性受溫度影響伏安特性受溫度影響T（）

13、在電流不變情況下管壓降在電流不變情況下管壓降u 反向飽和電流反向飽和電流IS，U(BR) T（）正向特性左移正向特性左移，反向特性下移，反向特性下移正向特性為指數(shù)曲正向特性為指數(shù)曲線線反向特性為橫軸的平行線反向特性為橫軸的平行線增大增大1倍倍/10STIiUu，則若反向電壓華成英 21三、二極管的等效電路理想理想二極管二極管近似分析中近似分析中最常用最常用理想開關(guān)理想開關(guān)導(dǎo)通時(shí)導(dǎo)通時(shí) UD0截截止時(shí)止時(shí)IS0導(dǎo)通時(shí)導(dǎo)通時(shí)UDUon截止時(shí)截止時(shí)IS0導(dǎo)通時(shí)導(dǎo)通時(shí)i與與u成線成線性關(guān)系性關(guān)系應(yīng)根據(jù)不同情況選擇不同的等效電路！應(yīng)根據(jù)不同情況選擇不同的等效電路！1. 將伏安特性折線化？100V？5V？

14、1V？華成英 222. 微變等效電路DTDDdIUiur根據(jù)電流方程，Q越高，越高，rd越小。越小。 當(dāng)二極管在靜態(tài)基礎(chǔ)上有一動態(tài)信號作用時(shí)，則可將二極管等效為一個電阻，稱為動態(tài)電當(dāng)二極管在靜態(tài)基礎(chǔ)上有一動態(tài)信號作用時(shí)，則可將二極管等效為一個電阻，稱為動態(tài)電阻，也就是微變等效電路。阻，也就是微變等效電路。ui=0時(shí)直流電源作用時(shí)直流電源作用小信號作用小信號作用靜態(tài)電流靜態(tài)電流華成英 23四、二極管的主要參數(shù)最大整流電流最大整流電流IF：最大平均值：最大平均值最大反向工作電壓最大反向工作電壓UR：最大瞬時(shí)值：最大瞬時(shí)值反向電流反向電流 IR：即：即IS最高工作頻率最高工作頻率fM：因：因PN結(jié)有

15、電容效應(yīng)結(jié)有電容效應(yīng)第四版第四版P20華成英 24討論：解決兩個問題解決兩個問題如何判斷二極管的工作狀態(tài)？如何判斷二極管的工作狀態(tài)？什么情況下應(yīng)選用二極管的什么等效電路？什么情況下應(yīng)選用二極管的什么等效電路？uD=ViRQIDUDRuViDDV與與uD可比，則需圖解：可比，則需圖解：實(shí)測特性實(shí)測特性 對對V和和Ui二極管二極管的模型有什么不同？的模型有什么不同？華成英 25五、穩(wěn)壓二極管1. 伏安特性進(jìn)入穩(wěn)壓區(qū)的最小電流進(jìn)入穩(wěn)壓區(qū)的最小電流不至于損壞的最大電流不至于損壞的最大電流 由一個由一個PN結(jié)組成，反結(jié)組成，反向擊穿后在一定的電流范向擊穿后在一定的電流范圍內(nèi)端電壓基本不變，為圍內(nèi)端電壓基

16、本不變，為穩(wěn)定電壓。穩(wěn)定電壓。2. 主要參數(shù)穩(wěn)定電壓穩(wěn)定電壓UZ、穩(wěn)定電流、穩(wěn)定電流IZ最大功耗最大功耗PZM IZM UZ動態(tài)電阻動態(tài)電阻rzUZ /IZ 若穩(wěn)壓管的電流太小則不穩(wěn)壓，若穩(wěn)壓管的電流太大則會因功耗過大而損壞，因而穩(wěn)壓若穩(wěn)壓管的電流太小則不穩(wěn)壓，若穩(wěn)壓管的電流太大則會因功耗過大而損壞，因而穩(wěn)壓管電路中必需有限制穩(wěn)壓管電流的限流電阻！管電路中必需有限制穩(wěn)壓管電流的限流電阻！限流電阻限流電阻斜率？斜率？華成英 1.3 1.3 晶體三極管一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號二、晶體管的放大原理二、晶體管的放大原理三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性三、晶體管的共射輸入特性和輸出

17、特性四、溫度對晶體管特性的影響四、溫度對晶體管特性的影響五、主要參數(shù)五、主要參數(shù)26;.華成英 27一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號多子濃度高多子濃度高多子濃度很低，多子濃度很低，且很薄且很薄面積大面積大晶體管有三個極、三個區(qū)、兩個晶體管有三個極、三個區(qū)、兩個PN結(jié)。結(jié)。小功率管小功率管中功率管中功率管大功率管大功率管為什么有孔？為什么有孔？華成英 28二、晶體管的放大原理（集電結(jié)反偏），即（發(fā)射結(jié)正偏）放大的條件BECECBonBE0uuuUu 擴(kuò)散運(yùn)動形成發(fā)射極電流擴(kuò)散運(yùn)動形成發(fā)射極電流IE，復(fù)合運(yùn)動形成基極電流，復(fù)合運(yùn)動形成基極電流IB，漂移運(yùn)動形成集電極，漂移運(yùn)動形成集電極電流電流IC。少數(shù)載流

18、子少數(shù)載流子的運(yùn)動的運(yùn)動因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量電子從因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量電子從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)因基區(qū)薄且多子濃度低，使極少數(shù)擴(kuò)散到因基區(qū)薄且多子濃度低，使極少數(shù)擴(kuò)散到基區(qū)的電子與空穴復(fù)合基區(qū)的電子與空穴復(fù)合因集電區(qū)面積大，在外電場作用下大部分?jǐn)U散因集電區(qū)面積大，在外電場作用下大部分?jǐn)U散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū)到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū)基區(qū)空穴的基區(qū)空穴的擴(kuò)散擴(kuò)散華成英 29電流分配：電流分配： I IE EI IB BI IC C I IE E擴(kuò)散運(yùn)動形成的電流擴(kuò)散運(yùn)動形成的電流 I IB B復(fù)合運(yùn)動形成的電流復(fù)合運(yùn)動形成的電流 I IC C漂移運(yùn)動形成的電流漂移運(yùn)動形成的

19、電流CBOCEOBCBC)(1 IIiiII穿透電流穿透電流集電結(jié)反向電流集電結(jié)反向電流直流電流放大直流電流放大系數(shù)系數(shù)交流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)為什么基極開路集電極回路會有穿透電為什么基極開路集電極回路會有穿透電流？流？華成英 30三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性CE)(BEBUufi 為什么為什么UCE增大曲線右移？增大曲線右移？ 對于小功率晶體管，對于小功率晶體管，UCE大于大于1V的一條輸入特性曲線可以取代的一條輸入特性曲線可以取代UCE大于大于1V的所有的所有輸入特性曲線。輸入特性曲線。為什么像為什么像PN結(jié)的伏安特性？結(jié)的伏安特性？為什么為什么UCE增大到一定值曲線右移就不

20、明顯了？增大到一定值曲線右移就不明顯了？1. 輸入特性華成英 312. 輸出特性B)(CECIufi 是常數(shù)嗎？什么是理想晶體管？什么情況下是常數(shù)嗎？什么是理想晶體管？什么情況下 ?對應(yīng)于一個對應(yīng)于一個IB就有一條就有一條iC隨隨uCE變化的曲線。變化的曲線。 為什么為什么uCE較小時(shí)較小時(shí)iC隨隨uCE變化很大？變化很大？為什么進(jìn)入放大狀態(tài)曲線幾乎是橫軸為什么進(jìn)入放大狀態(tài)曲線幾乎是橫軸的平行線？的平行線？飽和區(qū)飽和區(qū)放大區(qū)放大區(qū)截止區(qū)截止區(qū)BiCi常量CEBCUii華成英 32晶體管的三個工作區(qū)域 晶體管工作在放大狀態(tài)時(shí)，輸出回路的電流晶體管工作在放大狀態(tài)時(shí)，輸出回路的電流 iC幾乎僅僅決定于輸入回路的電流幾乎僅僅決定于輸入回路的電