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文檔簡介
1、一、VoLTE語音MOS采樣點機制VoLTE語音MOS采樣機制如下:(1)主叫起呼,進行錄音(8s左右);(2)被叫放音,主叫收音,被叫記錄第1個MOS采樣點(8s);(3)主叫放音,被叫收音,主叫記錄第1個MOS采樣點(8s);(4)被叫放音,主叫收音,被叫記錄第2個MOS采樣點(8s,與第1個采樣點間隔16s);(5)主叫放音,被叫收音,主叫記錄第2個MOS采樣點(8s,與第1個采樣點間隔16s);(6)被叫放音,主叫收音,被叫記錄第3個MOS采樣點(8s),如此類推二、VoLTE語音MOS優(yōu)化分析方法1、MOS差的問題點定位測試log單次通話連續(xù)兩個采樣點MOS值小于3的問題點定義為MO
2、S差的問題點。注意事項:需剔除通話結束的最后一個采樣點與下次通話第一個采樣點的MOS值都小于3的問題點。2、MOS優(yōu)化分析方法 由MOS采樣點機制可以看出,MOS采樣點收集的是采樣時間點前8秒的語音質量,所以在分析的時候,需著重分析MOS采樣時間前8秒UE本端的下行(包括:無線環(huán)境、語音編碼、抖動、丟包、頻繁切換、RRC重建、異頻測量頻次等),以及對端的上行(包括:頻繁切換、RRC重建、異頻測量頻次等)。三、VoLTE語音MOS值的影響因素及優(yōu)化思路1、MOS值的影響因素MOS值的直接影響因素為:端到端時延、抖動、丟包;VoLTE端到端時延可以分解為:UE語音編/解碼時延、空口傳輸時延、核心網
3、的處理時延、傳輸網的傳輸時延。丟包和抖動的影響因素包括:空口信號質量、eNB負載、傳輸網的丟包和抖動。故將以上因素分解后,MOS的影響因素包括:語音編碼、覆蓋、干擾、切換、鄰區(qū)、基站負荷、基站故障、傳輸、核心網、測試終端、人為操作失誤等。2、MOS值的優(yōu)化思路結合以上影響因素和前期VoLTE拉網測試時遇到的MOS問題,共總結出四類問題點類型:無線問題、基站異常、測試規(guī)范和設備、核心網/傳輸。在分析MOS問題時,我們首先要考慮基站是否正常工作,其次考慮測試是否規(guī)范、測試設備是否正常,再次判斷是否為無線問題造成的,最后才考慮是否核心網及傳輸網引起的。因此我們在分析MOS問題時,應該按以下步驟進行M
4、OS優(yōu)化:(1)基站問題: 是指問題路段中心經緯度150米以內的基站及主瓣65度范圍的小區(qū),若存在基站負荷過大、影響業(yè)務的告警、斷站等問題,必將影響MOS值。處理方法:在測試前確?;菊9ぷ?。案例1:基站故障導致MOS值低問題描述:車輛由南向北行駛至清風路與兩河大道交叉路口,UE占用金牛清淳一街-SCDHLS3HM3JN-D2的信號,無線環(huán)境RSRP為-116.81dbm,SINR為-2.5,MOS值1.14,經測試數(shù)據分析,發(fā)現(xiàn)UE未能收到距離清風路與兩河大道交叉路口50米的華力汽車公司車隊-SCDHLD3HM2GX站點信號,經查詢告警得知,發(fā)現(xiàn)該站點網元斷鏈,因而導致該路段出現(xiàn)弱覆蓋現(xiàn)象
5、,最終導致MOS值差。處理建議:建議處理華力汽車公司車隊-SCDHLD3HM2GX站點故障。案例2:基站負荷過大,導致MOS值低問題描述:無線環(huán)境較好(RSRP為-95dBm左右,SINR為10左右),無頻繁切換;但MOS打點前8s主被叫占用電子科大-SCDHLS0HM1CH-D5,抖動和丟包均比較異常(RTP Jitter為992ms,RTP Loss Rate為3.99%),后臺查詢電子科大-SCDHLS0HM1CH-D5問題發(fā)生時間點15分鐘粒度的上行PRB峰值利用率為65.145%,上行PRB平均利用率為45.949%,初步判斷為基站負荷過大導致調度不及時,從而影響了MOS值。處理建議
6、:解決電子科大-SCDHLS0HM1CH-D5負荷過大的問題。(2)測試規(guī)范/測試設備:包括MOS設備調試造成的MOS設備性能低、MOS差、音頻線松動、終端異常等。處理方法:在測試前確保MOS設備正常工作、事先調試好MOS值、音頻線插緊、檢查終端等。案例1:調試MOS導致MOS值低問題描述:周圍站點狀態(tài)正常,無線環(huán)境良好;本次問題發(fā)生在1月25日下午第一個正式log的第1次至第3次呼叫,連續(xù)21個MOS值均低于1.5(覆蓋較好,無干擾和故障),車輛一直停留在北京華聯(lián)雙橋店門口,第4次起呼MOS值恢復正常,初步判斷為當天下午剛開始測試時MOS設備有問題導致。處理建議:建議按測試規(guī)范進行測試,測試
7、前確保MOS設備正常工作。案例2: 無線環(huán)境良好,MOS采樣點前8s信令丟失問題描述:周圍站點狀態(tài)正常,無線環(huán)境良好;主叫9:29:35發(fā)起INVITE請求,9:32:28出現(xiàn)低MOS,分析主叫前8s測試數(shù)據,此時占用春良賓館-SCDHLD3HM3JJ-F3,此時RSRP=-87.25dbm,SINR=17,9:32:20至9:32:28主叫無信令交換,查看9:32:20無RTP丟包異常,RTP抖動正常,分析被叫LOG,無信令。初步判斷為終端問題導致MOS差。處理建議:建議按測試規(guī)范進行測試,測試前確保UE終端正常工作。(3)無線問題:主要包括弱覆蓋(RSRP<-100dBm,SINR&
8、lt;0)、質差(RSRP>-100dBm,SINR<0)、頻繁切換等。引起弱覆蓋的原因包括:周邊缺站(需新規(guī)劃)、已規(guī)劃站點但未建設、周邊基站故障、室分泄露、鄰區(qū)漏配、切換參數(shù)不當。質差包括弱覆蓋質差和強覆蓋質差,前者優(yōu)先處理弱覆蓋,后者通常是由MOD3干擾、GPS失步引起的干擾、外部干擾等干擾引起的。頻繁切換通常是由于網絡結構不合理、天饋接反、切換參數(shù)設置不當造成的。案例1:周邊缺站(需新規(guī)劃),弱覆蓋導致MOS值低問題描述:測試車輛在川建路由西向東行駛,主被叫占用靈潤路8號-SCDHLD3HM3JN-F1、鳳凰石油加油站-SCDHLS2HM1JN-D3通話(RSRP-94-1
9、15、SINR-915)鄰區(qū)無更好接續(xù)小區(qū),該路段為弱覆蓋(連續(xù)覆蓋路段約180米RSRP-105),無線環(huán)境差導致低MOS(時間為14:58:30至14:58:41、14:59:11至14:59:45)。該路段鳳凰石油加油站-SCDHLS2HM1JN與匯澤路-SCDHLS3HM3JN站間距為600米左右,站間距過大不能夠保證有效覆蓋;周邊無規(guī)劃站點。處理建議:建議在川建路新建站點(經度104.06242,緯度30.73527)案例2:已規(guī)劃站點未建設,弱覆蓋導致MOS值低問題描述:主叫UE在成雙大道占用桐希亨-SCDHLS1HM1WH-D3時MOS低,在16:09:49的MOS統(tǒng)計為2.07
10、6,16秒后在16:10:04的MOS統(tǒng)計為1.401,UE所在路段周邊小區(qū)的RSRP均在-105dbm左右,屬于覆蓋不足,核實在覆蓋較差路段已有規(guī)劃L3HZ156054簇橋老農管站,但未開通站點。處理建議:建議盡快開通站點L3HZ156054簇橋老農管站。案例3:周邊站點故障,弱覆蓋導致MOS值低問題描述:在一環(huán)路北一段路段被叫占用匯龍灣廣場-SCDHLS3HM3JN-F2小區(qū)(RSRP=-109dBm SINR=-10),通過查詢發(fā)現(xiàn)離問題路段最近的友納克酒店-SCDHLS0HM1JN站點斷站;處理建議:盡快恢復友納克酒店-SCDHLS0HM1JN站點故障。案例4:室分泄露,弱覆蓋導致MO
11、S值低問題描述:問題點前從“香伯倫酒店-SCDHLS0HM1JJ-D1”(RSRP為-101dBm,SINR為9)切換至室分小區(qū)“長城錦苑-SCDHLS4WM3JJ-F1”(RSRP為-90dBm),之后由于無法切換出至室外宏站,弱覆蓋導致MOS值偏低。處理建議:處理室分小區(qū)“長城錦苑-SCDHLS4WM3JJ-F1”的室分外泄問題。案例5:鄰區(qū)漏配,弱覆蓋導致MOS值低問題描述:周圍站點狀態(tài)正常;UE沿八里橋路至南向北后右過程中,由于2016/1/25測試時查看八里橋路燈桿F-SCDHLD4HM3CH-F1到路段覆蓋站點鳳儀東路東端沒有添加鄰區(qū)關系,被叫UE占用八里橋路燈桿F-SCDHLD4
12、HM3CH-F1(RSRP=-103dBm SINR=-10),無法發(fā)生切換到合適的小區(qū),被叫電平質量較差且出現(xiàn)呼叫重建導致MOS質差處理建議:添加八里橋路燈桿F-SCDHLD4HM3CH-F1到鳳儀東路東端站點所有小區(qū)的鄰區(qū)關系。案例6:切換參數(shù)不當,弱覆蓋導致MOS值低問題描述:周圍站點狀態(tài)正常;輛沿新航路從西南向東北行駛,UE占用匯都工業(yè)園F-SCDHLS3HM2GX-F1的信號RSRP為-96dbm左右,SINR10.4左右,MOS值為1.52.隨著車輛繼續(xù)行駛且信號不斷減弱,而順康電子-SCDHLS1HM1GX-F1的電平到達了-83dbm左右都未能與匯都工業(yè)園F-SCDHLS3HM
13、2GX-F1發(fā)生切換,因此因匯都工業(yè)園F-SCDHLS3HM2GX-F1與順康電子-SCDHLS1HM1GX-D切換不及時引起MOS值差;處理建議:建議將匯都工業(yè)園F-SCDHLS3HM2GX-F1到順康電子-SCDHLS1HM1GX-F1的小區(qū)偏移量CIO由0調整到6dB,加快兩者之間的切換。案例7:切換參數(shù)設置不當,頻繁切換導致MOS值低問題描述:周圍站點狀態(tài)正常;測試車輛行駛至靜渝路,由北向南行駛,主叫占用沙河農牧市場-SCDHLD3HM3JJ-F2小區(qū),切換至異頻小區(qū)千禧汽修廠-SCDHLS1HM1JJ-D2小區(qū),測試車輛繼續(xù)向南行駛RSRP電平衰減至-95dBm,回切至異頻沙河農牧市
14、場-SCDHLD3HM3JJ-F2小區(qū),頻繁異頻切換導致低MOS.處理建議:測試時沙河農牧市場-SCDHLD3HM3JJ-F2在RSRP=-88dBm觸發(fā)異頻切換A4事件,建議將基于A4的A2門限調整為-100dBm。案例8:網絡結構不合理,頻繁切換導致MOS值低問題描述:周圍站點狀態(tài)正常;UE在“人和商務樓-SCDHLS1HM1QY-D5”和“煤建公司-VCDHLS1HM1QY-D3”兩個同頻小區(qū)之間頻繁切換,有異常丟包;問題路段為兩個小區(qū)的中間位置。處理建議:對“人和商務樓-SCDHLS1HM1QY-D5”和“煤建公司-VCDHLS1HM1QY-D3”進行RF優(yōu)化,緩解兩者間的頻繁切換。案
15、例9:越區(qū)形成MOD3干擾,SINR差導致MOS值低問題描述:周圍站點狀態(tài)正常;服務小區(qū)為“東郊分局-VCDHLS0HM1JJ-D1”(頻點為37900,PCI=262,RSRP為-76.75dBm),鄰區(qū)存在MOD3干擾小區(qū)“創(chuàng)意倉庫-SCDHLS1HM1JJ-D1”(頻點為37900,PCI=97,RSRP為-83.38dBm),導致MOS值偏低。處理建議: “創(chuàng)意倉庫-SCDHLS1HM1JJ-D1”離問題路段較遠(有越區(qū)的情況),建議下壓問題小區(qū)“創(chuàng)意倉庫-SCDHLS1HM1JJ-D1”的下傾角,控制其在問題路段的覆蓋。案例10:近距離小區(qū)間MOD3干擾,SINR差導致MOS值低問題
16、描述:周圍站點狀態(tài)正常;測試車輛行駛至靜安路,由北向南行駛,主叫占用如家靜安店-SCDHLD3HM3JJ-F2(PCI=106 RSRP=-87dBm SINR=-0.3)小區(qū),與近距離小區(qū) 校園春天-SCDHLD3HM3JJ-F2(PCI=361 RSRP=-86dBm)小區(qū)之間存在模3干擾,SINR為-10dB左右,導致低MOS。處理建議:建議將如家靜安店-SCDHLD3HM3JJ-F2和校園春天-SCDHLD3HM3JJ-F2進行PCI優(yōu)化,解決MOD3問題。案例11:天饋接反形成MOD3干擾,SINR差導致MOS值低問題描述:該處被叫占用高新南凱德世紀名邸-SCDHLS3HM2GX-D
17、1小區(qū)信號,RSRP=-93dBm SINR=-12dB,PCI=270,鄰區(qū)內有天府一街西段-SCDHLS1HM1GX-D2小區(qū)信號,RSRP=-81dBm,PCI=165,沒有切換到該小區(qū),查詢后臺網管發(fā)現(xiàn)高新南凱德世紀名邸-SCDHLS3HM2GX-D1和天府一街西段-SCDHLS1HM1GX-D2小區(qū)的鄰區(qū)關系都正常,事件中一直出現(xiàn)A3事件,且信令中一直上報測量報告,但是存在MOD3干擾嚴重導致SINR很差,導致MOS值差。查看工參信息和覆蓋情況,發(fā)現(xiàn)天府一街西段-SCDHLS1HM1GX-D2小區(qū)覆蓋情況不合理,懷疑是扇區(qū)接反。處理建議:核查天府一街西段-SCDHLS1HM1GX是否
18、存在小區(qū)接反情況;如果沒有接反,就調整高新南凱德世紀名邸-SCDHLS3HM2GX-D1和天府一街西段-SCDHLS1HM1GX-D2的PCI解決MOD3干擾問題。案例12:主叫RRC重建并發(fā)生TAU,導致被叫MOS值低問題描述:被叫MOS較差,但無線環(huán)境良好,無頻繁切換、RRC重建,抖動和丟包正常;但主叫先占用東升賓館-VCDHLS0HM1CH-D2,異常切換至小區(qū)克拉瑪依酒店-SCDHLS2HM3JJ-D1(距離切換點800米,與車輛行駛方向為背向),隨著車輛逐漸遠離,且克拉瑪依酒店-SCDHLS2HM3JJ-D1未添加附近小區(qū):成都集郵公司-SCDHLD3HM3CH-F1為鄰區(qū)關系,導致
19、主叫RSRP、SINR快速惡化(RSRP=-122.88dBm,SINR=-14.5dB),從而發(fā)生RRC重建,并于重建后發(fā)生了TAU,使主被叫間的語音質量變差,嚴重影響了MOS值。處理建議:下壓小區(qū):克拉瑪依酒店-SCDHLS2HM3JJ-D1的下傾角,減弱該小區(qū)在問題路段的覆蓋。(4)核心網/傳輸:主要為核心網、傳輸異常引起MOS值差,此類問題暫時缺少有效手段解決。后期將引進SEQ平臺,屆時可以在核心網上查看網絡側信令,協(xié)助分析。案例1:注冊信令未完成,CSFB至2G導致MOS值低問題描述:周邊基站狀態(tài)正常;該處三分鐘內所有MOS采樣點都在3.0以下,MS1和MS2占用美視國際學校-SCDHLS2HM1GX-D3小區(qū)信號,RSRP=-82dBm SINR=7dB,信號質量良好,不存在頻繁切換的現(xiàn)象,MS2一直沒收到尋呼消息,16s之后MS2發(fā)起重注冊請求,還沒有收到系統(tǒng)對重注冊的請求消息,MS2走CSFB流程,查看MS2通話期間語音編碼方式采用AMR12.2K,終端采用窄帶編碼方式MOS值低,最優(yōu)值基本在3左右,導致MOS值較差。處理建議:需核心網協(xié)助排查。案例2:媒體承載丟失,CSFB至2G導致MOS值低
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