模電第1章-半導(dǎo)體器件練習(xí)(有答案)

1、二極管和三極管練習(xí)題1、 N 型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是(A) ，而 P 型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是 ( B ) 。A. 自由電子B.空穴C.正離子D.負(fù)離子2、要得到 P 型半導(dǎo)體，可在本征半導(dǎo)體硅或鍺中摻入少量的( A )，要得到 N型半導(dǎo)體，則需要摻入少量的 ( C ) 。A. 三價元素B.四價元素C.五價元素D.六價元素3、雜質(zhì)半導(dǎo)體中多數(shù)載流子濃度(B)。A. 只與溫度有關(guān)B. 取決于摻雜濃度，幾乎與溫度無關(guān)C.與溫度無關(guān)D. 與摻雜濃度和溫度都無關(guān)4、 PN結(jié)正偏是指 ( B )。A.N 區(qū)電位高于 P 區(qū)B.P 區(qū)電位高于 N 區(qū)C.與外加電壓無關(guān)D.P 區(qū)和 N 區(qū)電位相等5、在常

2、溫下，硅二極管的開啟電壓約為( C)V。A.0.1B.0.7C.0.5D.0.26、當(dāng)溫度升高時，二極管伏安特性曲線的正向部分(C ) ，反向特性曲線(B ) 。A. 上移B.下移C.左移D.右移7、理想二極管模型相當(dāng)于( A)。A. 一個理想開關(guān)B.一個恒壓源C.一個動態(tài)電阻D.一條斜線8、理想二極管構(gòu)成的電路如圖所示，則（C）。A V 截止 U0 10VB V 截止 U0 3VC V 導(dǎo)通 U0 10VD V 導(dǎo)通 U0 6V9、由理想二極管構(gòu)成的電路如圖所示，電壓 UAB=( B)。A. -3VB. -12VC. 0VD. - 15V10、理想二極管構(gòu)成的電路如圖，則(D)。A.V 截止

3、 U0=-4VB.V 導(dǎo)通 U0=+4VC.V 截止 U0=+8VD.V 導(dǎo)通 U0=+12V11、圖示電路中，D1、 D2 為理想二極管，則 ao 兩端的電壓為（C）。A 3VB 0VC 1VD 4V12、圖示電路，二極管VD1， VD2 為理想元件，則 UAB 為（C）伏。A 12VB 15VC 0VD 3V13、如圖所示電路中的二極管性能均為理想，電路中的電壓UAB=（C）。A.-12VB.-3VC.-15VD.3V14、二極管電路如圖所示。輸入電壓只有0V 或 5V 兩個取值。 利用二極管理想模型分析，在vI1 和 vI2 電壓的不同組合情況下，輸出電壓vO的值是（A）。A.v O的

4、b 列B.vO的 c 列C.v 的 a 列D.vO的 d 列O15、圖示電路中，二極管導(dǎo)通時壓降為0.7V ，若 UA=0V,UB=3V, 則 UO為（ B）。A.5VD.0V16、二極管正偏時應(yīng)重點關(guān)注（A），反偏時應(yīng)重點關(guān)注（A）。A. 導(dǎo)通電流和耗散功率，最大反向電壓B. 結(jié)電容，最高工作頻率C.最高工作頻率，導(dǎo)通電流和耗散功率D.最高工作頻率，最大反向電壓17、對于普通的點接觸二極管，一般具有的特性是( B)。A. 最大整流電流大，最高工作頻率高B. 最大整流電流小，最高工作頻率高C. 最大整流電流大，最高工作頻率低D. 最大整流電流小，最高工作頻率低18、兩只穩(wěn)壓值分別為 A. 6V

5、， 0.7V6V 和 9V 硅穩(wěn)壓管并聯(lián)，可得到的穩(wěn)壓值是B. 0.7V ， 0.7V( A)。C. 9V， 0.7VD. 6V， 9V19、穩(wěn)壓管電路如圖所示。兩穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值均為正向?qū)妷簽?.7V ，其輸出電壓Uo為（ B6.3 V ）。，A. 0.7VB. 7VC. 6.7VD. 1.4V20、電路如圖所示，設(shè)DZ1的穩(wěn)定電壓為5V，DZ2 的穩(wěn)定電壓為 7V，兩管正向壓降均為0V，若輸入Ui 為 8V，則輸出 U0的值為（A）。A. 5VB. 7VC. 12VD. 2V21、圖示電路中，硅穩(wěn)壓管DZ1 的穩(wěn)定電壓為8V， DZ2的穩(wěn)定電壓為 6V，正向壓降均為0.7V ，則輸出電壓

6、UO為 ( A)。A.2VB.14VC.6VD.8V22、下圖中正確使用穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓電路是( B)。23、穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路如圖所示，其中UZ1=6V， UZ2=7V，且具有理想的特性。由此可知輸出電壓Uo 為 ( D)。A.6VB.0C.7VD.1V24、在下圖所示的電路中，已知穩(wěn)壓管出電壓 V0 為（ B）。DZ1的穩(wěn)定電壓VZ1=5V，DZ2 的穩(wěn)定電壓VZ2=12V，則輸A 0.7VB 5VC 12VD 20V2k20VDZ1D Z 2Vo25、發(fā)光二極管正常工作時處于(A ) 狀態(tài)，光電二極管正常工作時應(yīng)處于(B)狀態(tài)。A. 正偏B.反偏C.反向擊穿D.任意26、晶體管是一種 ( C

7、 )的器件。A. 電流控制電壓B.電壓控制電壓C.電流控制電流D.電壓控制電流27、晶體管的 ( C )。A. 發(fā)射區(qū)的摻雜濃度小于集電區(qū)B. 基區(qū)很薄，摻雜濃度較大C. 基區(qū)與集電區(qū)的接觸面積較大D. 發(fā)射極與集電極可以互換28、工作在放大區(qū)的某晶體管，如果測得晶體管I B=30uA 時 I C=2.4mA，而 I B=40uA 時 I C=3mA，則該管的交流電流放大系數(shù)為( B)。A.100B.60C.80D.759、半導(dǎo)體三極管處在放大狀態(tài)時是(D )。A.C 結(jié)正偏 e 結(jié)正偏B.C結(jié)反偏 e 結(jié)反偏C.C 結(jié)正偏 e 結(jié)反偏D.C結(jié)反偏 e 結(jié)正偏30、某放大狀態(tài)的三極管，測得其管

8、腳電位為：腳u1=0V, 腳 u2=-0.7V ，腳 u3=6V，則可判定該管為 ( C )。A.NPN型是 e 極B.NPN型是 e 極C.NPN型是 e 極D.NPN型是 c 極31、測得放大電路中的三極管管腳電位分別為-9V 、 -6V 和-6.2V ，說明該晶體管是 ( B ) 。A.NPN鍺管B.PNP鍺管C.NPN硅管D.PNP 硅管31、用萬用表直流電壓擋測得電路中晶體管各電極對地電位如圖所示，說明該晶體管的工作狀態(tài)是(D)。A. 放大B.損壞C.飽和D.截止32、某電路中晶體三極管的符號如圖，測得各管腳電位標(biāo)在圖上，則該管處在（C）。A放大狀態(tài)B飽和狀態(tài)C截止?fàn)顟B(tài)D狀態(tài)不能確定

9、33、測得放大電路中晶體管各電極電位如圖所示，該管的電極從左到右依次為(A)。A. e 、 b、 cB. b 、 e、 cC. c 、 e、 bD. c 、 b、 e34、晶體管的I CEO大，說明其 (A)。A. 熱穩(wěn)定性差B.工作電流大C.擊穿電壓高D.壽命長35、某三極管的極限參數(shù)PCM=150mW，I CM=100mA，UBR（CEO） =30V，若它的工作電壓UCE=1V，則工作電流 I C不得超過 ( C)mA。A.150B.5C.100D.5036、根據(jù)下圖所示的晶體管電極上所標(biāo)的實測c對地電壓數(shù)據(jù)，則該管是處于（B）。鍺管1.1VA.飽和狀態(tài)bB.截止?fàn)顟B(tài)1VC.放大狀態(tài)e1.

10、3VD. 倒置狀態(tài)37、根據(jù)下圖所示的晶體管電極上所標(biāo)的實測對地電壓數(shù)據(jù)，則該管是處于（A）。A. 放大狀態(tài)B. 截止?fàn)顟B(tài)C. 飽和狀態(tài)D. 倒置狀態(tài)38、三極管的主要參數(shù)CEO)。U其定義是 ( AA.集電極發(fā)射極反向擊穿電壓B.集電極發(fā)射極正向壓降C. 基極發(fā)射極正向壓降D. 集電極發(fā)射極反向飽和電流39、某三極管接在放大電路上，它的三個管腳的電位分別為U1=-12V， U2=-5.2V ， U3=-5V，則對應(yīng)該管的管腳排列依次是( D)。A. E 、B、CB. B 、C、EC. B 、E、CD. C 、B、E40、 NPN型三極管處在放大狀態(tài)時是( C)。A.U <0, U<

11、;0B.U>0, U >0BEBCBEBCC.UBE>0, U BC<0D.UBE<0, U BC>041、工作在放大狀態(tài)的某PNP晶體三極管，各電極電位關(guān)系為(A)。CBEB.VCBEA.V <V <V>V >VC.VC<VE<VBD.VC>VE>VB42、從提高晶體管放大能力出發(fā)，除了將晶體管基區(qū)做得很薄，且摻雜濃度很低之外，工藝上還要采取如下措施：(B)。A.發(fā)射區(qū)摻雜濃度高，集電結(jié)面積小B.發(fā)射區(qū)摻雜濃度高，集電結(jié)面積大C. 發(fā)射區(qū)摻雜濃度低，集電結(jié)面積小D. 發(fā)射區(qū)摻雜濃度低，集電結(jié)面積大43、某一晶

12、體管的極限參數(shù)為作狀況的是（ D ）。A.UCE=8V， I C=18mA C.UCE=20V， I C=10mAPCM=100mW，I CM=20mA，UBR（ CEO） =15V，在下列情況下，為正常工B.UCE=2V， I C=40mAD.UCE=3V， I C=10mA44、三極管工作在開關(guān)狀態(tài)下，其“關(guān)”態(tài)和“開”態(tài)，分別指三極管的 A. 截止?fàn)顟B(tài)和飽和狀態(tài) B. 截止?fàn)顟B(tài)和放大狀態(tài)C.放大狀態(tài)和飽和狀態(tài) D. 飽和狀態(tài)和放大狀態(tài)( A)。45、晶體三極管工作在飽和區(qū)時發(fā)射結(jié)、集電結(jié)的偏置是( B)。A. 發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置B. 發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)正向偏置C.發(fā)射結(jié)反向偏置，集電結(jié)反向偏置D.發(fā)射結(jié)反向偏置，集電結(jié)正向偏置46 用萬用表的R×100 和 R×1k 擋分別測量一個正常二極管的正向電阻，兩次測量結(jié)果是(B)。A. 無法判斷B. R×100 擋測量的比 R×1k 擋測量的阻值小C