MOS制程論壇經(jīng)驗

1、1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如B，摻入Si中需要接受電子 3. ACCESS：一個EDA（Engineering Data Analysis）系統(tǒng) 4. Acid：酸 5. Active device：有源器件，如MOS FET（非線性，可以對信號放大） 6. Align mark(key)：對位標記 7. Alloy：合金 8. Aluminum：鋁 9. Ammonia：氨水 10. Ammonium fluoride：NH4F 11. Ammonium hydroxide：NH

2、4OH 12. Amorphous silicon：-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog：模擬的 14. Angstrom：A（1E-10m）埃 15. Anisotropic：各向異性（如POLY ETCH） 16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受質(zhì)量標準，在一定采樣下，可以95%置信度通過質(zhì)量標準（不同于可靠性，可靠性要求一定時間后的失效率） 17. ARC(Antireflective coating)：抗反射層（用于METAL等層的光刻） 18. Antimony(Sb)銻 19. Argon(Ar)氬 20. Arsenic(As)砷

3、21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher：去膠機 24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、寬度比） 25. Autodoping：自攙雜（外延時SUB的濃度高，導致有雜質(zhì)蒸發(fā)到環(huán)境中后，又回摻到外延層） 26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM測試前） 27. Baseline：標準流程 28. Benchmark：基準 29. Bipolar：雙極 30. Boat：擴散用（石英）舟 31. CD： （Critical Dimension）臨界（關(guān)鍵）尺寸。在工藝上通常指條寬

4、，例如POLY CD 為多晶條寬。 32. Character window：特征窗口。用文字或數(shù)字描述的包含工藝所有特性的一個方形區(qū)域。 33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化學機械拋光法。一種去掉圓片表面某種物質(zhì)的方法。 34. Chemical vapor deposition（CVD）：化學汽相淀積。一種通過化學反應生成一層薄膜的工藝。 35. Chip：碎片或芯片。 36. CIM：computer-integrated manufacturing的縮寫。用計算機控制和監(jiān)控制造工藝的一種綜合方式。 37. Circuit design ：電路設(shè)計。

5、一種將各種元器件連接起來實現(xiàn)一定功能的技術(shù)。 38. Cleanroom：一種在溫度，濕度和潔凈度方面都需要滿足某些特殊要求的特定區(qū)域。 39. Compensation doping：補償摻雜。向P型半導體摻入施主雜質(zhì)或向N型摻入受主雜質(zhì)。 40. CMOS：complementary metal oxide semiconductor的縮寫。一種將PMOS和NMOS在同一個硅襯底上混合制造的工藝。 41. Computer-aided design（CAD）：計算機輔助設(shè)計。 42. Conductivity type：傳導類型，由多數(shù)載流子決定。在N型材料中多數(shù)載流子是電子，在P型材料中

6、多數(shù)載流子是空穴。 43. Contact：孔。在工藝中通常指孔1，即連接鋁和硅的孔。 44. Control chart：控制圖。一種用統(tǒng)計數(shù)據(jù)描述的可以代表工藝某種性質(zhì)的曲線圖表。 45. Correlation：相關(guān)性。 46. Cp：工藝能力，詳見process capability。 47. Cpk：工藝能力指數(shù)，詳見process capability index。 48. Cycle time：圓片做完某段工藝或設(shè)定工藝段所需要的時間。通常用來衡量流通速度的快慢。 49. Damage：損傷。對于單晶體來說，有時晶格缺陷在表面處理后形成無法修復的變形也可以叫做損傷。 50. De

7、fect density：缺陷密度。單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)。 51. Depletion implant：耗盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝。（耗盡晶體管指在柵壓為零的情況下有電流流過的晶體管。） 52. Depletion layer：耗盡層?？蓜虞d流子密度遠低于施主和受主的固定電荷密度的區(qū)域。 53. Depletion width：耗盡寬度。53中提到的耗盡層這個區(qū)域的寬度。 54. Deposition：淀積。一種在圓片上淀積一定厚度的且不和下面層次發(fā)生化學反應的薄膜的一種方法。 55. Depth of focus（DOF）：焦深。 56. design of exp

8、eriments (DOE)：為了達到費用最小化、降低試驗錯誤、以及保證數(shù)據(jù)結(jié)果的統(tǒng)計合理性等目的，所設(shè)計的初始工程批試驗計劃。 57. develop：顯影（通過化學處理除去曝光區(qū)域的光刻膠，形成所需圖形的過程） 58. developer：）顯影設(shè)備； ）顯影液 59. diborane (B2H6)：乙硼烷，一種無色、易揮發(fā)、有毒的可燃氣體，常用來作為半導體生產(chǎn)中的硼源 60. dichloromethane (CH2CL2)：二氯甲，一種無色，不可燃，不可爆的液體。 61. dichlorosilane (DSC)：二氯甲硅烷，一種可燃，有腐蝕性，無色，在潮濕環(huán)境下易水解的物質(zhì)，常用于

9、硅外延或多晶硅的成長，以及用在沉積二氧化硅、氮化硅時的化學氣氛中。 62. die：硅片中一個很小的單位，包括了設(shè)計完整的單個芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區(qū)域。 63. dielectric：）介質(zhì)，一種絕緣材料； ）用于陶瓷或塑料封裝的表面材料，可以提供電絕緣功能。 64. diffused layer：擴散層，即雜質(zhì)離子通過固態(tài)擴散進入單晶硅中，在臨近硅表面的區(qū)域形成與襯底材料反型的雜質(zhì)離子層。 65. disilane (Si2H6)：乙硅烷，一種無色、無腐蝕性、極易燃的氣體，燃燒時能產(chǎn)生高火焰，暴露在空氣中會自燃。在生產(chǎn)光電單元時，乙硅烷常用于沉積多晶硅薄膜。 66.

10、drive-in：推阱，指運用高溫過程使雜質(zhì)在硅片中分布擴散。 67. dry etch：干刻，指采用反應氣體或電離氣體除去硅片某一層次中未受保護區(qū)域的混合了物理腐蝕及化學腐蝕的工藝過程。 68. effective layer thickness：有效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規(guī)定范圍內(nèi)的硅錠前端的深度。 69. EM：electromigration，電子遷移，指由通過鋁條的電流導致電子沿鋁條連線進行的自擴散過程。 70. epitaxial layer：外延層。半導體技術(shù)中，在決定晶向的基質(zhì)襯底上生長一層單晶半導 體材料，這一單晶半導體層即為外延層。 71. equipment

11、 downtime：設(shè)備狀態(tài)異常以及不能完成預定功能的時間。 72. etch：腐蝕，運用物理或化學方法有選擇的去除不需的區(qū)域。 73. exposure：曝光，使感光材料感光或受其他輻射材料照射的過程。 74. fab：常指半導體生產(chǎn)的制造工廠。 75. feature size：特征尺寸，指單個圖形的最小物理尺寸。 76. field-effect transistor（FET）：場效應管。包含源、漏、柵、襯四端，由源經(jīng)柵到漏的多子流驅(qū)動而工作，多子流由柵下的橫向電場控制。 77. film：薄膜，圓片上的一層或多層迭加的物質(zhì)。 78. flat：平邊 79. flatband capac

12、itanse：平帶電容 80. flatband voltage：平帶電壓 81. flow coefficicent：流動系數(shù) 82. flow velocity：流速計 83. flow volume：流量計 84. flux：單位時間內(nèi)流過給定面積的顆粒數(shù) 85. forbidden energy gap：禁帶 86. four-point probe：四點探針臺 87. functional area：功能區(qū) 88. gate oxide：柵氧 89. glass transition temperature：玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度 90. gowning：凈化服 91. gray area：

13、灰區(qū) 92. grazing incidence interferometer：切線入射干涉儀 93. hard bake：后烘 94. heteroepitaxy：單晶長在不同材料的襯底上的外延方法 95. high-current implanter：束電流大于3ma的注入方式，用于批量生產(chǎn) 96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空氣顆粒過濾器，去掉99.97%的大于0.3um的顆粒 97. host：主機 98. hot carriers：熱載流子 99. hydrophilic：親水性 100. hydrophobic：

14、疏水性 101. impurity：雜質(zhì) 102. inductive coupled plasma(ICP)：感應等離子體 103. inert gas：惰性氣體 104. initial oxide：一氧 105. insulator：絕緣 106. isolated line：隔離線 107. implant : 注入 108. impurity n : 摻雜 109. junction : 結(jié) 110. junction spiking n :鋁穿刺 111. kerf :劃片槽 112. landing pad n AD 113. lithography n 制版 114. main

15、tainability, equipment : 設(shè)備產(chǎn)能 115. maintenance n :保養(yǎng) 116. majority carrier n :多數(shù)載流子 117. masks, device series of n : 一成套光刻版 118. material n :原料 119. matrix n 1 :矩陣 120. mean n : 平均值 121. measured leak rate n :測得漏率 122. median n :中間值 123. memory n : 記憶體 124. metal n :金屬 125. nanometer (nm) n ：納米 126.

16、 nanosecond (ns) n ：納秒 127. nitride etch n ：氮化物刻蝕 128. nitrogen (N2 ) n： 氮氣，一種雙原子氣體 129. n-type adj ：n型 130. ohms per square n：歐姆每平方: 方塊電阻 131. orientation n： 晶向，一組晶列所指的方向 132. overlap n ： 交迭區(qū) 133. oxidation n ：氧化，高溫下氧氣或水蒸氣與硅進行的化學反應 134. phosphorus (P) n ：磷 ，一種有毒的非金屬元素 135. photomask n ：光刻版，用于光刻的版 1

17、36. photomask, negative n：反刻 137. images：去掉圖形區(qū)域的版 138. photomask, positive n：正刻 139. pilot n ：先行批，用以驗證該工藝是否符合規(guī)格的片子 140. plasma n ：等離子體，用于去膠、刻蝕或淀積的電離氣體 141. plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n： 等離子體化學氣相淀積，低溫條件下的等離子淀積工藝 142. plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀積，淀積TEOS的一種工藝 14

18、3. pn junction n：pn結(jié) 144. pocked bead n：麻點，在20X下觀察到的吸附在低壓表面的水珠 145. polarization n：偏振，描述電磁波下電場矢量方向的術(shù)語 146. polycide n：多晶硅 /金屬硅化物， 解決高阻的復合柵結(jié)構(gòu) 147. polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高濃度摻雜（>5E19）的硅，能導電。 148. polymorphism n：多態(tài)現(xiàn)象，多晶形成一種化合物以至少兩種不同的形態(tài)結(jié)晶的現(xiàn)象 149. prober n :探針。在集成電路的電流測試中使用的一種設(shè)備，用以連接圓片和

19、檢測設(shè)備。 150. process control n :過程控制。半導體制造過程中，對設(shè)備或產(chǎn)品規(guī)范的控制能力。 151. proximity X-ray n :近X射線：一種光刻技術(shù)，用X射線照射置于光刻膠上方的掩 膜版，從而使對應的光刻膠暴光。 152. pure water n : 純水。半導體生產(chǎn)中所用之水。 153. quantum device n :量子設(shè)備。一種電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，其特性源于電子的波動性。 154. quartz carrier n :石英舟。 155. random access memory (RAM) n :隨機存儲器。 156. random logic

20、device n :隨機邏輯器件。 157. rapid thermal processing (RTP) n :快速熱處理(RTP)。 158. reactive ion etch (RIE) n : 反應離子刻蝕(RIE)。 159. reactor n :反應腔。反應進行的密封隔離腔。 160. recipe n :菜單。生產(chǎn)過程中對圓片所做的每一步處理規(guī)范。 161. resist n :光刻膠。 162. scanning electron microscope (SEM) n :電子顯微鏡(SEM)。 163. scheduled downtime n : (設(shè)備)預定停工時間。

21、164. Schottky barrier diodes n :肖特基二極管。 165. scribe line n :劃片槽。 166. sacrificial etchback n :犧牲腐蝕。 167. semiconductor n :半導體。電導性介于導體和絕緣體之間的元素。 168. sheet resistance (Rs) (or per square) n :薄層電阻。一般用以衡量半導體表面雜質(zhì)摻雜水平。 169. side load: 邊緣載荷，被彎曲后產(chǎn)生的應力。 170. silicon on sapphire(SOS)epitaxial wafer:外延是藍寶石襯底硅

22、的原片 171. small scale integration(SSI):小規(guī)模綜合，在單一模塊上由2到10個圖案的布局。 172. source code:原代碼，機器代碼編譯者使用的，輸入到程序設(shè)計語言里或編碼器的代碼。 173. spectral line: 光譜線，光譜鑷制機或分光計在焦平面上捕捉到的狹長狀的圖形。 174. spin webbing: 旋轉(zhuǎn)帶，在旋轉(zhuǎn)過程中在下表面形成的細絲狀的剩余物。 175. sputter etch: 濺射刻蝕，從離子轟擊產(chǎn)生的表面除去薄膜。 176. stacking fault:堆垛層錯，原子普通堆積規(guī)律的背離產(chǎn)生的2次空間錯誤。 177.

23、 steam bath:蒸汽浴，一個大氣壓下，流動蒸汽或其他溫度熱源的暴光。 178. step response time:瞬態(tài)特性時間，大多數(shù)流量控制器實驗中，普通變化時段到氣流剛 到達特定地帶的那個時刻之間的時間。 179. stepper: 步進光刻機（按BLOCK來曝光） 180. stress test: 應力測試，包括特定的電壓、溫度、濕度條件。 181. surface profile:表面輪廓，指與原片表面垂直的平面的輪廓（沒有特指的情況下）。 182. symptom:征兆，人員感覺到在一定條件下產(chǎn)生變化的弊病的主觀認識。 183. tack weld:間斷焊，通常在角落上

24、尋找預先有的地點進行的點焊（用于連接蓋子）。 184. Taylor tray:泰勒盤，褐拈土組成的高膨脹物質(zhì)。 185. temperature cycling:溫度周期變化，測量出的重復出現(xiàn)相類似的高低溫循環(huán)。 186. testability:易測性，對于一個已給電路來說，哪些測試是適用它的。 187. thermal deposition:熱沉積，在超過950度的高溫下，硅片引入化學摻雜物的過程。 188. thin film:超薄薄膜，堆積在原片表面的用于傳導或絕緣的一層特殊薄膜。 189. titanium(Ti): 鈦。 190. toluene(C6H5CH3): 甲苯。有毒、

25、無色易燃的液體，它不溶于水但溶于酒精和大氣。 191. 1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3): 有毒、不易燃、有刺激性氣味的液態(tài)溶劑。這種混合物不溶于水但溶于酒精和大氣。 192. tungsten(W): 鎢。 193. tungsten hexafluoride(WF6): 氟化鎢。無色無味的氣體或者是淡黃色液體。在CVD中WF6用于淀積硅化物，也可用于鎢傳導的薄膜。 194. tinning: 金屬性表面覆蓋焊點的薄層。 195. total fixed charge density(Nth): 下列是硅表面不可動電荷密度的總和：氧化層固定電荷密度(Nf

26、)、氧化層俘獲的電荷的密度(Not)、界面負獲得電荷密度(Nit)。 196. watt(W): 瓦。能量單位。 197. wafer flat: 從晶片的一面直接切下去，用于表明自由載流子的導電類型和晶體表面的晶向，也可用于在處理和雕合過程中的排列晶片。 198. wafer process chamber(WPC): 對晶片進行工藝的腔體。 199. well: 阱。 200. wet chemical etch: 濕法化學腐蝕。 201. trench: 深腐蝕區(qū)域，用于從另一區(qū)域隔離出一個區(qū)域或者在硅晶片上形成存儲電容器。 202. via: 通孔。使隔著電介質(zhì)的上下兩層金屬實現(xiàn)電連接

27、。 203. window: 在隔離晶片中，允許上下兩層實現(xiàn)電連接的絕緣的通道。 204. torr : 托。壓力的單位。 205. vapor pressure: 當固體或液體處于平衡態(tài)時自己擁有的蒸汽所施加的壓力。蒸汽壓力是與物質(zhì)和溫度有關(guān)的函數(shù)。 206. vacuum: 真空。 207. transition metals: 過渡金屬MASK光罩 MASK之原意為面具，而事實上，光罩在整個IC製作流程上，所扮演之角色，亦有幾分神似。 光罩主要之用途，在於利光阻製程，將我們所需要之圖形一直複印在晶片上，製作很多之IC晶方。 而光罩因所用之對準機臺， 也分為1X, 5X, 10X, MAS

28、K（即1:1, 5:1, 10:1）等，而根據(jù)其製作之材質(zhì)又可分為石英光罩（QUARTY），綠玻璃光罩等。 Micro, Micrometer, Micron微，微米Micro 為10-6, 1 Micro10-61 Micrometer10-6 m1 Micron1m通常我們說1即為10-6 m。又因為1Å10-8 cm10-8 m （原子大?。┕?10,000 Å 約為一萬個原子堆積而成的厚度或長度。Misalign對準不良 定義：這層光阻圖案和上層（即留在晶片上者）圖案疊對不好，超出規(guī)格。；原因：人為，機臺，晶片彎曲，光罩種類：例如:下列對準狀況，可依照不同層次的規(guī)格

29、決定要不要修改。 MOS金屬半導體 構(gòu)成IC的電晶體結(jié)缸可分為兩型一雙載子型(bipolar)和MOS型(Metal-Oxide-Semiconductor)。雙載子型IC的運算速度較快但電力消耗較大，製造工程也複雜，並不是VLSI的主流。 而MOS型是由電場效應電晶體(FET)集積化而成。先在矽上形成絕緣氧化膜之後，再由它上面的外加電極(金屬或複晶矽)加入電場來控制某動作，製程上比較簡單，也較不耗電，最早成為實用化的是P-MOS，但其動作速度較慢，不久，更高速的N-MOS也被採用。一旦進入VLSI的領(lǐng)域之後NMOS的功率消耗還是太大了，於是由P-MOS及N-MOS組合而成速度更高、電力消耗更

30、少的互補式金氧半導體(CMOS，Complementary MOS) 遂成為主流。 MPY Multi Probe Yield多功能針測良率針測出符合電器特性要求的晶片，以便送到封包工廠製成記憶體成品;此測試時得到的良品率稱之。每片晶圓上並不是每一個晶片都能符合電器特性的要求，因此須要多功能針測以找出符合要求的晶片。 MTBF Mean Time Between Failure故障平均時間MTBF為設(shè)備可靠度的評估標準之一，其意指設(shè)備前後發(fā)生故障的平均時間。MTBF時間愈短表示設(shè)備的可靠度愈佳，另外MTTR為Mean Time to Repair為評估設(shè)備修復的能力。 N2, Nitrogen

31、氮氣 空氣中約4/5是氮氣，氮氣是一安定之惰性氣體，由於取得不難且安定，故Fab內(nèi)常用以當作Purge管路，除去髒污、保護氣氛、傳送氣體(Carrier Gas)、及稀釋(Dilute)用途，另外氮氣在零下 196(77°F)以下即以液態(tài)存在，故常被用做真空冷卻源。 N P type SemiconductorN P型半導體 一般金屬由於阻值相當?shù)?10-2-cm以下)，因此稱之為良導體而氧化物等阻值高至105-cm以上稱之非導體或絕緣體。若阻值在10-210-5-cm之間則名為半導體。 IC工業(yè)使用的矽晶片，阻值就是在半導體的範圍，但由於Si(矽)是四價鍵結(jié)(共價鍵)的結(jié)構(gòu)，若摻雜

32、有如砷(As)磷(P)等五價元素，且佔據(jù)矽原子的地位(Substitutional Sites)則多出一個電子，可用來導電使導電性增加，稱之為N型半導體。若摻雜硼(B)等三價元素且仍佔據(jù)矽原子的地位，則鍵結(jié)少了一個電子，因此其它違結(jié)電子在足夠的熱激發(fā)下，可以過來填補，如此連續(xù)的電子填補稱之為定電洞傳導，亦使矽之導電性增加，稱之為P型半導體。 因此N型半導體中，其主要常電粒子為帶負電的電子，而在P型半導體中，則為常正電的電洞。在平衡狀況下(室溫)不管N型或P型半導體，其電子均與電洞濃度的乘積值不變。故一方濃度增加，另一方即相對減少。 NSG Nondoped Silicate Glass無滲入雜

33、質(zhì)矽酸鹽玻璃 NSG為半導體積體電路中之絕緣層材料，通常以化學氣相沉積的方式生成，具有良好的均勻覆蓋特性以及良好的絕緣性質(zhì)。主要應用於閘極與金屬或金屬與金屬間高低不平的表面產(chǎn)生均勻的覆蓋及良好的絕緣，並且有助於後續(xù)平坦化製程薄膜的生成。Numerical Aperture. NA數(shù)值孔徑 N.A NA值是投影式對準機，其光學系統(tǒng)之解析力(Resolution)好壞的一項指標。NA值愈大，則其解析力也愈佳。 亦即，鏡片愈大，焦距愈短者，解析力就愈佳，但鏡片的製作也就愈難，因為易產(chǎn)生色差(Chromatic Aberration)及像畸變(Distorsion)，以CANON Stepper為例，

34、其NA=0.42，換算成照像機光圈值，f/#1/2×0.421.19，如此大的光圈值，Stepper鏡片之昂貴也就不足為奇了。 OEB Oxide Etch Back氧化層平坦化蝕刻將Poly-1上之多餘氧化層(Filling 0X)除去，以達到平坦化之目的。Ohmic Contact歐姆接觸 歐姆接觸是指金屬與半導體之接觸，而其接觸面之電阻值遠小於半導體本身之電阻，使得元件操作時，大部分的電壓降在於活動區(qū)(Active region)而不在接觸面。欲形成好的歐姆接觸，有二個先決條件：（1）金屬與半導體間有低的界面能障(Barrier Height)（2）半導體有高濃度的雜質(zhì)摻入(N

35、 1012 cm-3)前者可使界面電流中熱激發(fā)部分(Thermionic Emission)增加;後者則使界面空乏區(qū)變窄，電子有更多的機會直接穿透(Tunneling)，而同使Rc阻值降低。 若半導體不是矽晶，而是其它能量間隙(Energy Cap)較大的半導體(如GaAs)，則較難形成歐姆接觸 (無適當?shù)慕饘倏捎?，必須於半導體表面摻雜高濃度雜質(zhì)，形成Metal-n-n or Metal-p+-p等結(jié)構(gòu)。 ONO Oxide Nitride Oxide氧化層-氮化層-氧化層半導體元件，常以O(shè)NO三層結(jié)構(gòu)做為介電質(zhì) (類似電容器)，以儲存電荷，使得資料得以在此處存取。在此氧化層-氮化層-氧化層

36、三層結(jié)構(gòu)，其中氧化層與基晶層的接合較氮化層好，而氮化層居中，則可阻擋缺陷 (如pinhole)的延展，故此三層結(jié)構(gòu)可互補所缺。 OPL （Op Life） Operation Life Test使用期限（壽命） 任何物件從開始使用到失效所花時間為失效時間 (Time of Failure: TF)， 對產(chǎn)品而言， 針對其工作使用環(huán)境 (Operation)，所找出的TF， 即為其使用期限(Operation Life Time)。其方法為 :AF = exp (Estress-Eop) * exp Ea/K (l/Top -1/Tstress ) (1) K8.63 * 10-5Failure

37、 Rate （t） no. of Failure * 109/ Total Test Time * AF *Device , Total Test Time * AF Operation HoursOXYGEN氧氣 無色，無氣味，無味道雙原子氣體。在-183液化成淺藍色的液體，在-218固化。在海平面上，空氣中約佔20%體積的氧，溶於水和乙醇，不可燃，可以助燃。 在電漿光阻去除中，O2主要用來去除光阻用。 在電漿乾蝕刻中，O2,混入CF4氣體中，可增加CF4氣體的蝕刻速度。 目前O2氣主要用途在於電漿光阻去除。利用O2在電漿中產(chǎn)生氧的自由基(RADICAL)，與光阻中的有機物反應產(chǎn)生CO2和H

38、2O氣體蒸發(fā)，達到去除光阻的效果。P磷自然界元素之一。由15個質(zhì)子及16個中子所組成。離子植入的磷離子，是由氣體PH3，經(jīng)燈絲加熱分解得到的P+離子，藉著Extraction抽出氣源室經(jīng)加速管加速後佈植在晶片上。是一種N-type離子，用做磷植入，S/D植入等，PARTICLE CONTAMINATION塵粒污染“塵粒污染”：由於晶片製造過程甚為漫長，經(jīng)過的機器、人為操作處理甚為繁雜，但因機器、人為均或多或少會產(chǎn)生一些塵粒PARTICLE，這些塵粒一旦沾附到晶片上，即會造成污染影響，而傷害到產(chǎn)品品質(zhì)與良率，此即“塵粒污染”。我們在操作過程中，應時時防著各項塵粒污染來源。 Particle Co

39、unter塵粒計數(shù)器 潔淨室之等級是以每立方呎內(nèi)之微粒數(shù)為分類標準，而計算微粒數(shù)的儀器即稱塵粒計數(shù)器， Passivation OXIDE P/O護層 為IC最後製程，用以隔絕Device和大氣。可分兩種材料：a大部分產(chǎn)品以PSG當護層(P Content 2-4%)，b.少部分以PECVD沉積之氮化矽為之。 因與大氣接觸，故著重在Corrosion(鋁腐蝕)、Crack（龜裂）、Pin Hole(針孔)之防冶。 除了防止元件為大氣中污染之隔絕之外，護層可當作下層Metal層之保護，避免Metal被刮傷。 P/D Particle Defect塵粒缺陷 Particle Defect塵粒缺陷為

40、當今影響4M DRAW製程良率的最大主因，一般而言，Particle size如大於design rule的二分之一，足以造成元件的損壞。放在 clean room 的潔淨度要求，操作人員的潔淨紀律、設(shè)備本身的結(jié)構(gòu)以及製程的條件和設(shè)備維修的能力，無一不為了降低particle 和提升良率而做最大的努力。 PECVD電漿CVD CVD 化學反應所需之能量可以是熱能、光能或電漿。以電漿催化之CVD稱做PECVD。PECVD的好處是反應速率快、較低的基板溫度及Step Coverage；缺點是產(chǎn)生較大的應力，現(xiàn)Feb內(nèi)僅利用PECVD做氮化矽護層。PECVD英文全名為Plasma Enhanceme

41、nt CVD。Pellicle光罩護膜 一般在光罩曝光過程中，易有微塵掉落光罩上，而使chip有重覆性缺陷，放在光罩上下面包圍一層膜，稱之Pellicle。好處如下： 1微塵僅只掉落在膜上，光繞射結(jié)果對於此微塵影響圖按程度將降至最低。 2無須經(jīng)清洗過程而只須用空氣槍吹去膜上異物即可將異物(微塵)去除。PELLICLE光罩保護膜 顧名思義，光罩保護膜之最大功能，即在保護光罩，使之不受外來髒污物之污染，而保持光罩之潔淨；一般使用之材料為硝化纖微素，而厚度較常用的有2.85U，0.86U兩種。 一般而言，可將PELLICLE分為兩部份I)FRAME:骨架部分，支持其薄膜之支架，其高度稱為STAND-

42、OFF，一般而言，愈高其能忍受PARTICLE之能力愈高，但須配合機臺之設(shè)計使用，(II)FILM：透明之薄膜，其厚度之均勻度，透光率是使用時重要之參數(shù)。PELLICLE之壽命，除了人為損傷外，一般均可曝光數(shù)十萬次，透光率衰減後才停用並更換。光罩PELLICLE膜LENSSYSTEMPARTICLEWAFERPELLICLE面之成像 PH3氫化磷一種半導體工業(yè)用氣體。，經(jīng)燈絲加熱供給能量後，可分解成:P'，PH，PH2。(及 H+)通常 P+最大?？捎少|(zhì)諳諳場分析出來，做N-type之離子 佈植用。PHOTORESIST光阻 "光阻"為有機材料，係利用光線照射，使有

43、機物質(zhì)進行光化學反應而產(chǎn)生分子結(jié)構(gòu)變化，再使用溶劑使之顯像。目前一般商用光阻主要含二部份(1)高分子樹脂(2)光活性物質(zhì)，依工作原理不同可分為正，負型二類:(1)正型:光活性物質(zhì)為DIAZOQUINOUE類，照光前難溶於鹼液中，有抑制溶解樹脂功能，照光後產(chǎn)生酸，反有利於鹼液溶解，因此可區(qū)分曝光區(qū)與非曝光區(qū)。(2)負型:光活性物質(zhì)為DIAZlDE類，照後生成極不安定之雙電子自由基，能與高分子樹脂鍵結(jié)，而增加分子量，選擇適當溶劑便可區(qū)分分子量不同之曝光區(qū)與非曝光區(qū)。 Pilot Wafer試作晶片Pilot Wafer為試作晶片，並非生產(chǎn)晶片 (Prime Wafer)。在操作機器前，為了確定機器

44、是否正常所作的試片，或機器作完維修、保養(yǎng)後所作的測試用晶片均稱為Pilot Wafer, 由於Pilot Wafer 所作出來的結(jié)果將決定該批的製程條件，故處理Pilot Wafer時， 所抱持的態(tài)度必須和處理Prime Wafer一樣慎重。PIN HOLE針孔 在光阻製程所謂的針孔，就是在光阻覆蓋時，光阻薄膜無法完全蓋住晶片表面，而留有細小如針孔般的缺陷，在蝕刻製程時，很可能就被蝕刻穿透，而致晶片的報廢。 在以往使用負光阻製程時，由於負光阻黏稠性較大，覆蓋較薄，因此，容易出現(xiàn)針孔，故有些層次(如 CONTACT)，必須覆蓋兩次，才能避免針孔的發(fā)生。 目前製程大多使用正光阻，覆蓋較原，已無針孔

45、的問題存在，QC亦不做針孔測試。Piranha Clean過氧硫酸清洗過氧硫酸 (Peroxymonosulfuric Acid)又稱為CARO's acid，其主要由硫酸加雙氧水反應生成，反應式如下: H2SO4+H2O2 H2SO5+H2OH2SO5為一強氧化劑，可將有機物氧化分解為CO2+H2O，因此在 IC 製程中常用來去除殘餘之光阻，另外對金屬污染及微塵污染也有相當好的清洗效果。Piranha原意為食人魚，在這裡則是用來形容過氧硫酸與光阻之間的劇烈反應。PIX聚醯胺膜PIX作用為緩衝護層，可保護CELL於封裝時緩衝封裝所造成之應力，且可隔絕-Particle, PIX本身為一

46、負光阻，其製造過程如附圖。Plasma Etching電漿蝕刻 在乾蝕刻(Dry Etch)技術(shù)中 ，一般多採用電漿蝕刻(Plasma Etching)與活性離子蝕刻(Reactive Ion Etching)，通常電漿蝕刻使用較高之壓力(大於200mT)及較小之RF功率，當晶片浸在電漿之中，曝露在電漿之表層原子or分子與電漿中之活性原子接觸並發(fā)生反應而形成氣態(tài)生成物而離開晶面造成蝕刻，此類蝕刻即稱之為電漿蝕刻。所謂電漿(Plasma)即為氣體分子在一電場中被游離成離子(正、負電荷)、電子、及中性基(Radical)等，在純化學反應中，吾人取中性基為蝕刻因子，在R.I.E時，取活性離子作為蝕刻

47、因子。PM Preventive Maintenance定期保養(yǎng)設(shè)備正常運轉(zhuǎn)期間停機，實施定期 (每天、每週、每月或每季等)的設(shè)備保養(yǎng)。例如:檢修，上油，潤滑，更換消耗材等。有良好的PM才能發(fā)揮高的設(shè)備運轉(zhuǎn)效率，發(fā)揮設(shè)備最高的使用率。POCL3三氯氧化磷一種用做N+擴散用之化合物。通常以N2為"載氣"(Carrier Gas)，帶著POCL3和O2 (氧氣)一起進入高溫爐管，然後產(chǎn)主下列反應： 4POCL3 + 3O2 2P2O5 + 6Cl2 5P2O5 + 5Si 4P + 5SiO2在反應過程中，磷沉澱於矽表面，同時矽表面亦形成一氧化層。POLY SILICON複晶矽

48、 SILICON是IC製造的主要原料之一。通常其結(jié)構(gòu)都是單晶(單一方向的晶體)。而本名詞也是SILICON，只是其結(jié)構(gòu)是複晶結(jié)構(gòu)。即其結(jié)晶的結(jié)構(gòu)是多方向的，而非單一方向。 POLY SILICON通常用低壓化學氣相沉積的方法沉積而得。其主要用途在作MOS的閘極及單元的連接。P0X聚醯胺膜含光罩功能 POX為PIX/PO Reticle Combine 之略寫，即PIX除具緩衝 護層之作用，同時可做PO Pattern 用之光阻。PIX, 本身為一負光阻。 其製造過程如附圖。Preheat預熱 做金屬濺鍍時。第一個Station是用來預熱晶片其目的有二:使晶片在大氣中吸附的氣體，藉加熱加速其在真

49、空中之排除(Outgas)，濺鍍時，可以有較乾淨的界面。¬晶片溫度高，濺鍍之金屬原子可以有較高的移動率，而使表面擴散較完全，有較好的表面覆蓋性(Step Coverage)。 但預熱的溫度有其限制，高的濺鍍溫度使得金屬與矽之接觸電阻(Rc)升高，也使得金屬突起(Hillock)變得嚴重，而讓表面反射率變差。在金屬閘(Metal Gate)產(chǎn)品，也發(fā)現(xiàn)溫度不同會造成其臨界電壓(VT)的改變。pressure壓力 氣體分子撞擊反應室之器壁所產(chǎn)生之力量。氣體分子愈少、壓力愈低。反之氣體分子愈多、壓力愈高。如壓力之大氣壓力(1 atm)時，表示真空，其壓 力單位即為真空度。 1大氣壓=lat

50、m=760mmHg水銀柱壓力 1 Torr (托) = 1/760 atm=lnnHg 如壓力大氣壓力時，即用單位面積所受的重 量表示。 如Kg/cm2，或psi(lb（磅）/in2（吋）。 一般電漿蝕刻機之壓力為5Omillitorr 0.5rorr 一般使用之氣瓶之壓力約為5OOpsi 2OO0psi。Reactive Ion Etching R.I.E活性離子蝕刻 在電漿蝕刻時，電漿裡包含了活性原子、活性離子 (正離子)及電子，當壓力較低(小於100mT)且氣體兩端所加之電壓(RF Power)夠高時，活性離子即被迅速加速衝向電極上之晶片，。而撞擊晶面上曝露在電漿中的表層，將表層之原子擊

51、出，再與活性原子反應因而造成蝕刻，此類之蝕刻即稱之為活性離子蝕刻。RECIPE程式 RECIPE在字典的解釋是醫(yī)生的處方，廚師的食譜。在IC製程中，則意指製程的程式。IC製造中各個步驟都有不同的要求:如溫度要多少?某氣體流量多少?反應室的壓力多少?等等甚多的參數(shù)都是RECIPE內(nèi)容的一部份。REFLOW回流 回流是IC製程中一種特殊技術(shù)。作法是將磷或硼或兩者合一，摻入二氧化矽中(常用CVD方式)。之後，將晶片推入高溫爐管一段時間，該二氧化矽層(PSG BPSG或 BSG) 即會"流動"，使晶片表面變得較平坦。此即回流平坦化技術(shù)?；亓魅≡撗趸瘜?quot;重新流動"

52、之意。Registration Error註記差 IC晶片的兩個層次之間，必須要正確地疊在一起，此二層次圖案離完全正確對準之差距，即稱為Registration Error (註記差)；如下圖之游標(Vernier)即為顯示註記差之程度：RELIABILITY可靠性 可靠性實在有很多方法來描述，但我們只針對兩個觀點來討論。一般來說，可靠性就是客戶對我們的產(chǎn)品，在他們使用一段很長的時間之後，仍能符合他們的信賴與期待。更精確的描述就是我們的產(chǎn)品在我們所要求的特殊環(huán)境的測試，經(jīng)過一段很長時間之後，仍能確保IC功能，函數(shù)的正常操作稱之為可靠性合格產(chǎn)品。測試的項目很多，但總離不開，電壓、溫度機械應力，溼

53、度及壓力等。Repeat Defect重複性缺點 重複性缺點 (Repeat Defect)係指同一晶片內(nèi)每一個Field(曝光區(qū))的相同位置均出現(xiàn)相同之缺點。 重複性缺點僅發(fā)生於Stepper曝光之產(chǎn)品。 重複性缺點所產(chǎn)生的現(xiàn)象可分為二種：1. 1.光罩圖案缺失:造成晶片圖案缺失；2. 2.光罩表面或Pellicle表面污染:造成重複性顯影不良。 重複性缺點對產(chǎn)品良率有很大的殺傷力，例如一個Field內(nèi)有8個晶方，若有一個晶方圖案有缺失，就會造成產(chǎn)品良率1/8之損失，因此重覆性缺點是VLSI的頭號殺手。Resistivity阻值物理學上定義阻值(，即歐姆)為 RV/I在物體兩截面上通以定電流

54、V，量得電壓降V，則V /I即為這物體的阻值。但在半導體工業(yè)上，這樣定義阻值並無太大實用價值。我們只關(guān)心晶片表面薄薄一層"動作區(qū)" (Active Area)的阻值。於是另外定義一"薄層阻值" (Sheet Resistance)，以四點針測的方法量取V及I(見四點針測一文)。 Rs = V/I (V /口)定義為晶片的阻值。Resolution解析力 解析力在IC製程的對準及印刷(Align & Print)過程中佔著相當重要的地位，尤其演進到VLSI後，解析力的要求就更高了，它是對光學系統(tǒng)(如對準演、顯微鏡、望遠鏡等)好壞的評估標準之一，現(xiàn)今

55、多以法國人雷萊(Rayleigh)所制定的標準遵循之。 定義-物面上兩光點經(jīng)光學系統(tǒng)投於成像面上不會模糊到只被看成一點時，物面上兩點間之最短距離。若此距離愈小，則解析力愈大(通常鏡面大者，即NA大者，其解析力也愈大) 解析力不佳時，例如對準機對焦不清(Defocus)時，就會造成CD控制不良，Metal橋接，Contact瞎窗或開窗過大等。Reticle光罩 為使 IC 各個線路在晶片上成形(PATTERN)，則必須有規(guī)範露光及遮光區(qū)域 (規(guī)範曝光成形) 的罩子， 此稱為光罩。Rework/Scrap/Waive修改/報廢/簽過 修改: 分ADI修改，AEI修改 ADI修改：將光阻去除，重新上新光阻， 以定義新的或精確的圖形。 AEI修改：將己沉積或氧化的厚厚膜或薄 層去除，重新沉積或氧化。 報廢:晶片受污染或流程不合規(guī)範上之規(guī)定，造 成晶片有無良率之可能，則停止流程不繼 續(xù)生產(chǎn)。謂之。 簽過:當晶片流程至某步驟時，發(fā)現(xiàn)圖形或規(guī)格 不合於規(guī)範內(nèi)之規(guī)定，但其影響不致使晶 片達報廢之程度，可由工程師簽署，繼續(xù) 流程。Run in/out擠進,擠