
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文檔簡介
1、第1頁共 10 頁2022 年大學(xué)生物科學(xué)專業(yè)大學(xué)物理(二)模擬考試試卷 A 卷姓名:_ 班級(jí):_ 學(xué)號(hào):_考試須知:1 考試時(shí)間:120 分鐘,本卷滿分為 100 分。2、請(qǐng)首先按要求在試卷的指定位置填寫您的姓名、班級(jí)、學(xué)號(hào)。1、 一個(gè)繞有 500 匝導(dǎo)線的平均周長 50cm 的細(xì)螺繞環(huán),鐵芯的相對(duì)磁導(dǎo)率為 600,載有 0.3A電流時(shí),鐵芯中的磁感應(yīng)強(qiáng)度B 的大小為 _ ;鐵芯中的磁場強(qiáng)度H 的大小為處處二二4兀燈兀燈 0”Tg A-1。2、 圖示曲線為處于同一溫度T 時(shí)氦(原子量 4)、氖(原子量 20)和氬(原子量 40)三種氣體分子的速率分布曲線。其中曲線(a)是_ 氣分子的速率分布
2、曲線;曲線(c)是_氣分子的速率分布曲線。3、 質(zhì)量為能的物體, 初速極小, 在外力作用下從原點(diǎn)起沿 x 軸正向,大小為F二&。物體從原點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到坐標(biāo)為恥點(diǎn)的過程中所受外力沖量的大小為4、 氣體分子的最可幾速率的物理意義是 _ 。5、 圖示為三種不同的磁介質(zhì)的BH 關(guān)系曲線,其中虛線表示的是芒乂應(yīng)的關(guān)系.說明 a、b、c 各代表哪一類磁介質(zhì)的 BH 關(guān)系曲線:a 代表_的 BH 關(guān)系曲線b 代表_的 BH 關(guān)系曲線軸正向運(yùn)動(dòng),所受外力方向沿第2頁共 10 頁c 代表_的 BH 關(guān)系曲線第3頁共 10 頁6、 兩個(gè)同振動(dòng)方向、同頻率、振幅均為A 的簡諧振動(dòng)合成后振幅仍為A,則兩簡諧振動(dòng)的相
3、位差為_ 。7、 如圖所示,一束自然光入射到折射率分別為n1 和 n2 的兩種介質(zhì)的交界面上,發(fā)生反射和折射已知反射光是完全偏振光,那么折射角r 的值為_。8、如圖,在雙縫干涉實(shí)驗(yàn)中,若把一厚度為e、折射率為 n 的薄云母片覆蓋在縫上,中央明條紋將向 _ 移動(dòng);覆蓋云母片后,兩束相干光至原中央明紋0 處的光程差為止開始沿直線運(yùn)動(dòng),在0 到 2.0 s 的時(shí)間間隔內(nèi),這個(gè)力作用在物體上的沖量大小1=10、一根長為 I,質(zhì)量為 m 的均勻細(xì)棒在地上豎立著。如果讓豎立著的棒以下端與地面接觸處為軸倒下,則上端到達(dá)地面時(shí)細(xì)棒的角加速度應(yīng)為 _ 。得護(hù)隨人二、名詞解釋(共6小題,每題2分,共12分)1、光
4、速不變?cè)恚?、玻爾茲曼分布律:第4頁共 10 頁3、瞬時(shí)加速度:4、熱輻射:5、瞬時(shí)速度:6、靜電屏蔽:得分得分評(píng)卷人評(píng)卷人三、選擇題(共10小題,每題2分,共20分)1 距一根載有電流為3WA 的電線 1m 處的磁感強(qiáng)度的大小為()。A. 3XTB. 6XZJTC. 1.9XK TD. 0.6 T(已知真空的磁導(dǎo)率 U 二丁 皿玉)2、在雙縫干涉實(shí)驗(yàn)中,屏幕E 上的 P 點(diǎn)處是明條紋若將縫蓋住,并在 連線的垂直平分面處放一高折射率介質(zhì)反射面M 如圖所示,則此時(shí)()。A. P 點(diǎn)處仍為明條紋B. P 點(diǎn)處為暗條紋C. 不能確定 P 點(diǎn)處是明條紋還是暗條紋D. 無干涉條紋3、下述說法中,正確的
5、是()。A. 本征半導(dǎo)體是電子與空穴兩種載流子同時(shí)參予導(dǎo)電,而雜質(zhì)半導(dǎo)體(n 型或 p 型)只有一種載流子(電子或空穴)參予導(dǎo)電,所以本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能比雜質(zhì)半導(dǎo)體好B. n 型半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能優(yōu)于p 型半導(dǎo)體,因?yàn)?n 型半導(dǎo)體是負(fù)電子導(dǎo)電,p 型半導(dǎo)體是正離子導(dǎo)電第5頁共 10 頁C. n 型半導(dǎo)體中雜質(zhì)原子所形成的局部能級(jí)靠近空帶(導(dǎo)帶)的底部,使局部能級(jí)中多余的電子容易被激發(fā)躍遷到空帶中去,大大提高了半導(dǎo)體導(dǎo)電性能D.p 型半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)完全決定于滿帶中空穴的運(yùn)動(dòng)4、 一個(gè)通有電流/的導(dǎo)體,厚度為 D ,橫截面積為 E,放置在磁感應(yīng)強(qiáng)度為 丘的勻強(qiáng)磁場 中,磁場方向垂直于導(dǎo)體的側(cè)表面
6、,如圖所示?,F(xiàn)測得導(dǎo)體上下兩面電勢(shì)差為,則此導(dǎo)體的霍爾系數(shù)等于()。1BVA.丁B.丁VD_C. RD.D/!1/!-SV/z rr/r5、 把理想氣體的狀態(tài)方程寫成丁恒量時(shí),下列說法中正確的是()。A.對(duì)一定質(zhì)量的某種氣體,在不同狀態(tài)下,此恒量不等B.對(duì)摩爾數(shù)相同的不同氣體,此恒量相等C.對(duì)不同質(zhì)量的同種氣體,此恒量相等D.以上說法都不對(duì)6、 如圖所示,M N 為水平面內(nèi)兩根平行金屬導(dǎo)軌,ab 與 cd 為垂直于導(dǎo)軌并可在其上自由滑動(dòng)的兩根直裸導(dǎo)線.外磁場垂直水平面向上.當(dāng)外力使ab 向右平移時(shí),cd ()。A. 不動(dòng)B. 轉(zhuǎn)動(dòng)第6頁共 10 頁C. 向左移動(dòng)D.向右移動(dòng)7、在真空中的靜電場中,作一封閉的曲面,則下列結(jié)論中正確的是(A. 通過封閉曲面的電通量僅是面內(nèi)電荷提供的B. 封閉曲面上各點(diǎn)的場強(qiáng)是面內(nèi)電荷激發(fā)的C. 由高斯定理求得的場強(qiáng)僅由面內(nèi)電荷所激發(fā)的D. 由高斯定理求得的場強(qiáng)是空間所有電荷共同激發(fā)的8、有一矩形線圈 AOCD 通以如圖示方向的電流 將它置于均勻磁場 倉中,倉的方向與云 軸正方向一致,線圈平面與|兀軸之間的夾角為aa=-.dt dt= = 也右也右 2衛(wèi)衛(wèi) Qn“ +】X 朝血朝血 tvr-cosr) 2
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