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文檔簡介
1、 葉綠素?zé)晒馊~綠素?zé)晒饫碚撆c應(yīng)用理論與應(yīng)用透射光下透射光下反射光下反射光下 葉綠素?zé)晒猬F(xiàn)象葉綠素?zé)晒猬F(xiàn)象 Kautsky 等(等(1931)發(fā)現(xiàn),將暗適應(yīng)的綠色植物)發(fā)現(xiàn),將暗適應(yīng)的綠色植物突然暴露在可見光下后,植物綠色組織發(fā)出一種暗突然暴露在可見光下后,植物綠色組織發(fā)出一種暗紅色,強度不斷變化的熒光。紅色,強度不斷變化的熒光。 在生理溫度下,葉綠素?zé)晒獾牟ㄩL在生理溫度下,葉綠素?zé)晒獾牟ㄩL峰值大約為峰值大約為685nm的紅光,并且一直延的紅光,并且一直延伸到伸到800nm的遠紅光處的遠紅光處 當(dāng)葉綠素分子吸收光能后,葉綠素分子中的電子被激發(fā),激發(fā)態(tài)當(dāng)葉綠素分子吸收光能后,葉綠素分子中的電子被激
2、發(fā),激發(fā)態(tài)電子的壽命非常短,當(dāng)帶電子從激發(fā)態(tài)回到到基態(tài)的去激過程中,電子的壽命非常短,當(dāng)帶電子從激發(fā)態(tài)回到到基態(tài)的去激過程中,一小部分激發(fā)能(一小部分激發(fā)能(3-9%3-9%)以紅色的熒光形式耗散。)以紅色的熒光形式耗散。葉綠體中激發(fā)能的去向:葉綠體中激發(fā)能的去向:激發(fā)能激發(fā)能光化學(xué)反應(yīng)光化學(xué)反應(yīng)形成同化力形成同化力熱耗散熱耗散熒光熒光COCO2 2固定固定光呼吸光呼吸MehlerMehler 反應(yīng)反應(yīng)N N代謝代謝時間(時間(min)Fluorscence熒光快速上升階段熒光快速上升階段最大熒光最大熒光熒光波動熒光波動熒光穩(wěn)態(tài)熒光穩(wěn)態(tài)Kautsky Effect暗反應(yīng)暗反應(yīng)光活化過程光活化過
3、程 對(對(KautskyKautsky Effect Effect)的解釋)的解釋 :連續(xù)光下熒光產(chǎn)量瞬間上升,:連續(xù)光下熒光產(chǎn)量瞬間上升,這是因為照光后某些碳同化酶需要光活化,因此碳同化途徑產(chǎn)生延這是因為照光后某些碳同化酶需要光活化,因此碳同化途徑產(chǎn)生延遲。遲。這使得照光初期相當(dāng)多的這使得照光初期相當(dāng)多的Q QA A處于還原狀態(tài),從而導(dǎo)致了熒光產(chǎn)處于還原狀態(tài),從而導(dǎo)致了熒光產(chǎn)量的瞬態(tài)上升量的瞬態(tài)上升。這之后,由于光化學(xué)過程和熱耗散過程的發(fā)生,熒。這之后,由于光化學(xué)過程和熱耗散過程的發(fā)生,熒光產(chǎn)量產(chǎn)生淬滅到一個穩(wěn)態(tài)數(shù)值(光產(chǎn)量產(chǎn)生淬滅到一個穩(wěn)態(tài)數(shù)值(F Ft t)。)。 熒光隨時間變化的曲線
4、稱為熒光隨時間變化的曲線稱為 葉綠素?zé)晒庹T導(dǎo)動力學(xué)曲線葉綠素?zé)晒庹T導(dǎo)動力學(xué)曲線Time (s)0100200300Fluorescence intensity010002000300040005000Time (s)10-610-510-410-310-210-1100101102103Fluorescence intensity010002000300040005000ABOOPPTT 從從O O點到點到P P點的熒光上升過程稱為點的熒光上升過程稱為快速葉綠素快速葉綠素?zé)晒庹T導(dǎo)動力學(xué)曲線熒光誘導(dǎo)動力學(xué)曲線,主要反映了,主要反映了PSPS的原初光的原初光化學(xué)反應(yīng)及光合機構(gòu)電子傳遞狀態(tài)等過程的變
5、化。化學(xué)反應(yīng)及光合機構(gòu)電子傳遞狀態(tài)等過程的變化。 從從P P點到點到T T點的下降階段主要反映了光合碳代點的下降階段主要反映了光合碳代謝的變化,隨著光合碳代謝速率的上升,熒光強謝的變化,隨著光合碳代謝速率的上升,熒光強度(度(T T)逐漸下降。)逐漸下降。 葉綠素?zé)晒庹T導(dǎo)動力學(xué)曲線的意義葉綠素?zé)晒庹T導(dǎo)動力學(xué)曲線的意義 葉綠素?zé)晒鈩恿W(xué)曲線包含著葉綠素?zé)晒鈩恿W(xué)曲線包含著 光合作用過程豐富的信息光合作用過程豐富的信息 光能的吸收與轉(zhuǎn)換光能的吸收與轉(zhuǎn)換 能量的傳遞與分配能量的傳遞與分配 反應(yīng)中心的狀態(tài)反應(yīng)中心的狀態(tài) 過剩光能及其耗散過剩光能及其耗散 PSIIPSII供體側(cè)和受體的活性供體側(cè)和受體的
6、活性 電子傳遞體電子傳遞體PQPQ庫的大小以及活性庫的大小以及活性 光合作用光抑制與光破壞光合作用光抑制與光破壞等等等等1 1. .脈沖調(diào)制式熒光儀:脈沖調(diào)制式熒光儀: 測定時儀器提供一種脈沖調(diào)制光,能誘導(dǎo)出測定時儀器提供一種脈沖調(diào)制光,能誘導(dǎo)出脈沖式熒光。當(dāng)有其它光線同時存在時,會產(chǎn)脈沖式熒光。當(dāng)有其它光線同時存在時,會產(chǎn)生以下三種光信號:生以下三種光信號:1.1.自然光中具有的熒光波長的紅光信號自然光中具有的熒光波長的紅光信號2.2.自然光誘導(dǎo)的非脈沖熒光信號自然光誘導(dǎo)的非脈沖熒光信號3.3.脈沖調(diào)制光誘導(dǎo)的脈沖熒光信號脈沖調(diào)制光誘導(dǎo)的脈沖熒光信號 如何測定葉綠素?zé)晒??如何測定葉綠素?zé)晒猓?/p>
7、 脈沖調(diào)制式熒光儀能脈沖調(diào)制式熒光儀能排除自然光中的紅光信號排除自然光中的紅光信號和自然光誘導(dǎo)的熒光信號,只監(jiān)測脈沖光調(diào)制光和自然光誘導(dǎo)的熒光信號,只監(jiān)測脈沖光調(diào)制光誘導(dǎo)的熒光信號的變化。這樣便可以直接在光照誘導(dǎo)的熒光信號的變化。這樣便可以直接在光照條件下測定葉綠素?zé)晒?。條件下測定葉綠素?zé)晒狻_@類熒光儀有:這類熒光儀有:FMS-1FMS-1、FMS-2FMS-2等等 脈沖調(diào)制式熒光儀為了避免脈沖調(diào)制脈沖調(diào)制式熒光儀為了避免脈沖調(diào)制光對光合機構(gòu)造成影響,光對光合機構(gòu)造成影響,必須在兩次閃光必須在兩次閃光之間有足夠長的間歇時間之間有足夠長的間歇時間,因此脈沖調(diào)制,因此脈沖調(diào)制光的頻率不可能很高,這
8、就限制了它無法光的頻率不可能很高,這就限制了它無法快速地記錄葉綠素?zé)晒獾淖兓?。因此就無快速地記錄葉綠素?zé)晒獾淖兓R虼司蜔o法反映光能被葉綠素吸收后,由法反映光能被葉綠素吸收后,由PSIIPSII供體供體側(cè)和受體側(cè)側(cè)和受體側(cè)瞬間變化瞬間變化所引起的葉綠素?zé)晒馑鸬娜~綠素?zé)晒獾淖兓?。的變化?調(diào)制式熒光儀測定的參數(shù)中,除了調(diào)制式熒光儀測定的參數(shù)中,除了FV/FMFV/FM反映反映了熒光誘導(dǎo)動力學(xué)曲線上升過程中了熒光誘導(dǎo)動力學(xué)曲線上升過程中O-PO-P階段的變化階段的變化外,其它所有參數(shù)都是反映外,其它所有參數(shù)都是反映P P點之后的下降過程。點之后的下降過程。 調(diào)制式熒光儀主要通過測量光化學(xué)反應(yīng)的
9、情況調(diào)制式熒光儀主要通過測量光化學(xué)反應(yīng)的情況來反映光合作用的碳同化反應(yīng)啟動后的光能捕獲、來反映光合作用的碳同化反應(yīng)啟動后的光能捕獲、轉(zhuǎn)化及利用效率。而對于碳同化活化之前轉(zhuǎn)化及利用效率。而對于碳同化活化之前PSPS的光的光化學(xué)變化,所獲得的信息就很少了。化學(xué)變化,所獲得的信息就很少了。 脈沖調(diào)制熒光儀測定原理圖脈沖調(diào)制熒光儀測定原理圖主要熒光參數(shù)及其意義主要熒光參數(shù)及其意義Fo:初始熒光產(chǎn)量,也稱基礎(chǔ)熒光,是初始熒光產(chǎn)量,也稱基礎(chǔ)熒光,是PS反應(yīng)反應(yīng) 中心(經(jīng)過充分暗適應(yīng)以后)處于完全開放狀中心(經(jīng)過充分暗適應(yīng)以后)處于完全開放狀 態(tài)時的初始熒態(tài)時的初始熒 光產(chǎn)量。光產(chǎn)量。 一般認為,這部分熒光
10、是天線中的激發(fā)能尚未被反應(yīng)中心捕獲之前,一般認為,這部分熒光是天線中的激發(fā)能尚未被反應(yīng)中心捕獲之前,由天線葉綠素發(fā)出的。當(dāng)反應(yīng)中心失活或者遭到破壞時,由天線葉綠素發(fā)出的。當(dāng)反應(yīng)中心失活或者遭到破壞時,F(xiàn)o上升。上升。 已知過高的溫度往往使已知過高的溫度往往使PSII放氧復(fù)合體脫離,反應(yīng)中心失活。此時放氧復(fù)合體脫離,反應(yīng)中心失活。此時Fo會明顯提高。會明顯提高。 因此,可以用因此,可以用Fo隨溫度的變化動態(tài)來反映高溫對光合器隨溫度的變化動態(tài)來反映高溫對光合器官的危害,用來評價植物的抗熱性。官的危害,用來評價植物的抗熱性。Fm:最大熒光產(chǎn)量。是最大熒光產(chǎn)量。是PS反應(yīng)中心完全關(guān)閉時的熒反應(yīng)中心完全
11、關(guān)閉時的熒 光產(chǎn)量。通常葉片經(jīng)暗適應(yīng)光產(chǎn)量。通常葉片經(jīng)暗適應(yīng)20min后測得后測得。Fv=Fm-Fo:可變熒光,反映可變熒光,反映PS的電子傳遞最大潛的電子傳遞最大潛 力。經(jīng)暗適應(yīng)后測得。力。經(jīng)暗適應(yīng)后測得。Fv/Fm:暗適應(yīng)下暗適應(yīng)下PS反應(yīng)中心完全開放時的最大反應(yīng)中心完全開放時的最大 光化學(xué)效率,反映光化學(xué)效率,反映PS反應(yīng)中心最大光能反應(yīng)中心最大光能 轉(zhuǎn)換效率。轉(zhuǎn)換效率。Fv/Fo:代表代表PS潛在光化學(xué)活性,與有活性的反潛在光化學(xué)活性,與有活性的反 應(yīng)中心的數(shù)量成正比關(guān)系應(yīng)中心的數(shù)量成正比關(guān)系。Fo: 光適應(yīng)下初始熒光。光適應(yīng)下初始熒光。Fm: 光適應(yīng)下最大熒光。光適應(yīng)下最大熒光。Fv
12、=Fm-Fo:光適應(yīng)下可變熒光。光適應(yīng)下可變熒光。Fs : 穩(wěn)態(tài)熒光產(chǎn)量穩(wěn)態(tài)熒光產(chǎn)量Fv/Fm:光適應(yīng)下光適應(yīng)下PS最大光化學(xué)效率,它反映有最大光化學(xué)效率,它反映有 熱耗散存在時熱耗散存在時PS反應(yīng)中心完全開放時的反應(yīng)中心完全開放時的 光化學(xué)效率,也稱為最大天線轉(zhuǎn)換效率。光化學(xué)效率,也稱為最大天線轉(zhuǎn)換效率。PS=(Fm-Fs)/Fm : PS實際光化學(xué)效率,它反實際光化學(xué)效率,它反 映在照光下映在照光下PS反應(yīng)中心部分關(guān)閉的情況下的反應(yīng)中心部分關(guān)閉的情況下的 實際光化學(xué)效率。實際光化學(xué)效率。qP =(Fm -Fs)/(Fm-Fo) :光化學(xué)猝滅系數(shù),它光化學(xué)猝滅系數(shù),它 反映了反映了PS反應(yīng)中
13、心的開放程度。反應(yīng)中心的開放程度。 1- qP 用來表示用來表示PS反應(yīng)中心的關(guān)反應(yīng)中心的關(guān) 閉程度。閉程度。qNP =(Fm-Fm)/(Fm-Fo) :非光化學(xué)猝滅系數(shù)非光化學(xué)猝滅系數(shù)NPQ = (Fm-Fm)/Fm Fm/Fm-1 :非光化學(xué)猝滅非光化學(xué)猝滅 ETR = PS absorbed PFD 0.5 :PSII電子電子 傳遞傳遞 速率速率 PSII以及以及ETR和光合速率最相關(guān)。非和光合速率最相關(guān)。非逆境環(huán)境中生長的植物的逆境環(huán)境中生長的植物的ETR和光合速率是和光合速率是成正比的。成正比的。 葉綠素分子激發(fā)以后,回到基態(tài)的過程葉綠素分子激發(fā)以后,回到基態(tài)的過程中大部分能量經(jīng)電子
14、傳遞后除了用于碳代謝中大部分能量經(jīng)電子傳遞后除了用于碳代謝過程,還用來進行過程,還用來進行氮代謝、硫代謝、米勒反氮代謝、硫代謝、米勒反應(yīng)、水水循環(huán)、光呼吸應(yīng)、水水循環(huán)、光呼吸等。等。 在逆境條件下,從光系統(tǒng)傳來的電子更在逆境條件下,從光系統(tǒng)傳來的電子更多地分配到光呼吸、米勒反應(yīng)等過程,此時,多地分配到光呼吸、米勒反應(yīng)等過程,此時,ETR就不能很好的反應(yīng)光合速率,就不能很好的反應(yīng)光合速率,PSII就就更沒有太多說服力了。更沒有太多說服力了。 qP.5.6.7.8.9Fv/Fm.4.5.6.7.8NaCl (mmol/L)050100150200250PSII.2.3.4.5(A)(B)(C)Na
15、Cl脅迫對雜交酸模葉片光脅迫對雜交酸模葉片光化學(xué)猝滅系數(shù)(化學(xué)猝滅系數(shù)(qP)、)、PSII反反應(yīng)中心光能捕獲效率應(yīng)中心光能捕獲效率(Fv/Fm)、和)、和PSII量子效量子效率率(PSII)的影響的影響 A A:光化學(xué)猝滅系數(shù)(光化學(xué)猝滅系數(shù)(qP)B B:光能捕獲效率(光能捕獲效率(Fv/Fm)C C:PSII量子效率量子效率(PSII)2730333639424548Fv/Fm.2.3.4.5.6.7.8PSII.1.2.3.4.5.6.7qP.4.5.6.7.8.9Temperature (oC)2730333639424548NPQ0.0.51.01.52.02.53.03.54.0
16、(A)(B)(C)(D)對照葉片和鹽脅迫葉片光化學(xué)猝滅系數(shù)(對照葉片和鹽脅迫葉片光化學(xué)猝滅系數(shù)(qP)、)、PSII光能捕獲光能捕獲效率(效率(Fv/Fm)、)、PSII量子效率量子效率(PSII,)、非光化學(xué)猝滅非光化學(xué)猝滅(NPQ,D)對溫度的響應(yīng)。對溫度的響應(yīng)。示示NaClNaCl處理增加葉片的抗高溫能力處理增加葉片的抗高溫能力 ,對照對照; ,200 mmol/L NaCl NaCl (mmol/L)0100200300PSII.1.2.3.4.5.6Fv/Fm.45.50.55.60.65.70.75qP.50.55.60.65.70.75.80(A)(B)(C)Ca2+ 對不同濃度
17、對不同濃度NaCl脅迫脅迫下雜交酸模葉片光化學(xué)猝滅下雜交酸模葉片光化學(xué)猝滅(qP),),PSII反應(yīng)中心光反應(yīng)中心光能捕獲效率(能捕獲效率(Fv/Fm)和)和PSII光量子效率光量子效率(PSII, )的影響的影響 : ck : 8 mmol/L Ca2+Ca2+ 對NaCl脅迫下雜交酸模葉片PSII光化學(xué)反應(yīng)的影響Time (h)024681012Fv/Fm0.0.2.4.6.81.0強光下氧濃度對雜交酸模葉片強光下氧濃度對雜交酸模葉片PSII光抑制及其恢復(fù)的影響光抑制及其恢復(fù)的影響 ,21 % O2,2 % O2 APo (in % relative to 25 oC)2040608010
18、01203 d7 d11 d80BFo (in % relative to 25 oC)80901001101201301401500CTemperature (oC)20253035404550Fm (in % relative to 25 oC)6070809010011080高溫對不同葉齡沙地榆葉片F(xiàn)o、Fm的影響00.20.40.60.82 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30Time (min)PSIICK - Mn0501001502002 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30Time (min)ETR
19、CK - Mn強光下對照與缺錳強光下對照與缺錳葉片葉片PSII實際光化實際光化學(xué)效率(學(xué)效率(PSII)和電子傳遞速率和電子傳遞速率(ETR)和光化學(xué)和光化學(xué)猝滅猝滅qP的變化。的變化。00.20.40.60.811.20306090120150180Time(min)qP CK - Mn不同溫度不同溫度下、強光下、強光對玉米葉對玉米葉片最大光片最大光化學(xué)效率化學(xué)效率的影響的影響Time (h)0510152025Fv/Fm0.0.2.4.6.81.0RecoveryStress 低溫和低溫弱光脅迫下甜椒低溫和低溫弱光脅迫下甜椒Fv/FmFv/Fm的響應(yīng)及其隨后的的響應(yīng)及其隨后的恢復(fù)?;謴?fù)條件
20、為恢復(fù)。恢復(fù)條件為25 25 C C和和100 100 mol mmol m-2-2 s s-1 -1光強。光強。 ,低溫弱光脅迫;,低溫弱光脅迫;,低溫黑暗脅迫。低溫黑暗脅迫。Time (h)02468ETR (mol m-2s-1)0816243240 低低溫弱光脅迫對甜椒葉片線性電子傳遞的影響溫弱光脅迫對甜椒葉片線性電子傳遞的影響 ,對照;,對照; ,低溫弱光脅迫(,低溫弱光脅迫(4 和和100 mol m-2 s-1光強);光強); ,MV處理(處理(4 和和100 mol m-2 s-1光強);光強); ,AsA處理(處理(4 和和100 mol m-2 s-1光強)光強) 00.2
21、0.40.60.81PSll0.20.40.60.8105101520PEG (%)Fv/Fm14790.0020.0040.0060.008NPQ0200400600800100005101520PEG (%)P rate (mol.m-2.s-1)1479經(jīng)經(jīng)1200mol1200molm m-2-2s s-1-1強光及不同濃度強光及不同濃度PEGPEG處理處理4 4小時后,小時后,不同節(jié)位大豆離體葉片不同節(jié)位大豆離體葉片F(xiàn)v/FmFv/Fm、PSIIPSII、P Praterate、及、及NPQNPQ的變化的變化PFD 1200 PFD 20 4000.20.40.60.810246PS
22、ll PFD 12000.40.50.60.70.80.90246Time (hour)Fv/Fm14810PFD 400 PFD 20 40 00.20.40.60.810246PSll0.40.60.810123456Time (hoour)Fv/Fm1479 田間大豆不同節(jié)位離體葉片的田間大豆不同節(jié)位離體葉片的Fv/FmFv/Fm、及、及PSIIPSII在在4040下對強光下對強光(1200mol1200mol)及弱光(及弱光(400mol400mol)的反應(yīng)以及隨后的暗恢復(fù)過程的反應(yīng)以及隨后的暗恢復(fù)過程PFD20PFD20PFD400-20104070100Relative Pn (%
23、)11204384100Relative leaf area (%)9:00 AM14:00PM 大豆葉片從伸出到展開過程光合速率的相對值大豆葉片從伸出到展開過程光合速率的相對值葉綠素?zé)晒庥糜谀芰糠峙涞难芯咳~綠素?zé)晒庥糜谀芰糠峙涞难芯縋n010203040681012141618Time of the day (hour)Pn(mol.m-2.s-1)CK1D1W 1Pn-50510152025681012141618Time of the day (hoour)Pn(mol.m-2.s-1)CK2D2W2Pn-4-2024681012681012141618Time of the day(h
24、our)Pn(mol.m-2.s-1)CK3D3W3長期干旱長期干旱(D)、淹澇淹澇(W)及正常澆水及正常澆水(CK)大豆倒數(shù)第大豆倒數(shù)第1、4、7位葉片光合日變化位葉片光合日變化1st node4th node7th nodePSll00.20.40.60.8168101214161820Time of the day (hour)PSllCK 1CK 2CK 3PSll68101214161820Time of the day (hour)D 1D 2D 3PSll68101214161820Time of the day (hour)W 1W 2W 3NPQ00.0030.0060.00
25、90.0120.015NPQ (1/Fm)NPQNPQ長期干旱及淹澇脅迫大豆葉綠素?zé)晒鈪?shù)的日變化的比較長期干旱及淹澇脅迫大豆葉綠素?zé)晒鈪?shù)的日變化的比較C K 1C K 2C K 3C K 1C K 2C K 3W 1W 2W 3W 1W 2W 3D 1D 2D 3D 1D 2D 3正常澆水正常澆水長期淹澇長期淹澇長期干旱長期干旱中午測定值中午測定值一天平均值一天平均值中午測定值中午測定值一天平均值一天平均值中午測定值中午測定值一天平均值一天平均值P37%D56%P34%P29%P58%P55%P53%D58%D63%D36%D41%D43%P16%P15%11%P47%P41%P37%D7
26、3%D74%D78%D49%D53%D58%P32%P34%P22%P55%P54%P52%D59%D58%D69%D41%D42%D44% 長期干旱及淹澇脅迫大豆一天長期干旱及淹澇脅迫大豆一天中對吸收光能分配的平均值及中中對吸收光能分配的平均值及中午時對吸收光能的分配午時對吸收光能的分配02004006000100200300400500600700800Bits葉片由黑暗轉(zhuǎn)入強光后葉綠素?zé)晒獾拟邕^程葉片由黑暗轉(zhuǎn)入強光后葉綠素?zé)晒獾拟邕^程 葉綠素?zé)晒庥脕硌芯抗夂蠙C構(gòu)在光下葉綠素?zé)晒庥脕硌芯抗夂蠙C構(gòu)在光下的啟動過程的啟動過程 2. 2. 連續(xù)激發(fā)式熒光儀連續(xù)激發(fā)式熒光儀 連續(xù)激發(fā)式熒光儀具
27、有相當(dāng)高的分辨率,連續(xù)激發(fā)式熒光儀具有相當(dāng)高的分辨率,初始記錄速度為初始記錄速度為每秒鐘每秒鐘10萬次,萬次,從從10s 到最長到最長300s內(nèi)不同時間的熒光信號都能被內(nèi)不同時間的熒光信號都能被定量地記錄。所以能夠從熒光定量地記錄。所以能夠從熒光O-P上升過上升過程中捕捉到更多熒光信息的變化,能夠準(zhǔn)程中捕捉到更多熒光信息的變化,能夠準(zhǔn)確記錄確記錄O-P變化過程中的變化過程中的O點、點、K點、點、J點點和和 I點的變化。點的變化。用連線激發(fā)式熒光儀測定的用連線激發(fā)式熒光儀測定的熒光誘導(dǎo)曲線熒光誘導(dǎo)曲線T im e (s)100101102103104105106107Relative fluor
28、escence intensity0.0.2.4.6.81.01.2bbccOKJIPa(a) 連續(xù)激發(fā)式熒光儀有:連續(xù)激發(fā)式熒光儀有:Handy PEAHandy PEA, PEAPEA,Pocket PEAPocket PEA, PEA Senior, PEA Senior, M-PEA M-PEA 等等Handy PEAPEAPEA SeniorM-PEAPocket PEAPEA SeniorM-PEAPocket PEA典型的典型的 O-J-I-P O-J-I-P 熒光誘導(dǎo)曲線熒光誘導(dǎo)曲線tim e (s)0.0.2.4.6.81.0Chl a fluorescence intens
29、ity (relative units)010002000300040005000OPIAtime (s)10-610-510-410-310-210-1100Chl a fluorescence intensity (relative units)010002000300040005000OJIPB 圖圖A: 時間坐標(biāo)為線性形式;時間坐標(biāo)為線性形式; 圖圖B: 時間坐標(biāo)為對數(shù)形式時間坐標(biāo)為對數(shù)形式 O-J-I-P O-J-I-P熒光誘導(dǎo)曲線熒光誘導(dǎo)曲線 的特征位點的特征位點 1. 20-50s時熒光(時熒光(O點)點) 2. 300 s時熒光(時熒光(K相)相) 3. 2 ms時熒光(時熒光
30、(J相)相) 4. 30 ms時熒光(時熒光(I相)相) 5. 0.3-2s 熒光(熒光(P相)相)tFmaxFP =FM30 msFI2 msFJ50 sF0JOIP02004006008001000120014000.010.1110100100010000Time (ms)Fluorescence Intensity (a.u.)50 s 300 s M0 M0 = ( V/ t) 0 t V0.00.10.20.30.40.50.00.20.40.60.8Time (ms)Relative variable fluorescence V O-J-I-PO-J-I-P曲線特征位點的意義曲
31、線特征位點的意義 為什么會產(chǎn)生這些特征位點?為什么會產(chǎn)生這些特征位點? 這些位點的變化反映了什么問題?這些位點的變化反映了什么問題? X Pheo QA Fd QB NADP PQ O2 Cytf PC P700 光光 量量 子子H2O Z P680 光光 量量 子子 光光 合合 電電 子子 傳傳 遞遞 鏈鏈 X Pheo QA Fd QB NADP PQ O2 Cytf PC P700 光光 量量 子子H2O Z P680 光光 量量 子子 H2O Z P680 Pheo QA QB PQ 0.2 2 20 200 ms4th h OKJIPPQH2PQPhQAQBPh-QAQB 2PQPQ
32、H212PhQA-QB3PhQA QB-4Ph -QA- QB5Ph-QA QB-6PhQA-QB-7PhQAQB2-8Ph-QA-QB-9Ph-QAQB2-10PhQA-QB2-11Ph-QA-QB2-123rd h 1st h 2nd h 照光后,照光后,PSII作用中心及受體側(cè)電子傳遞體的狀態(tài)。作用中心及受體側(cè)電子傳遞體的狀態(tài)。O O點:點:PSPS作用中心完全開放時,即所有的作用中心完全開放時,即所有的電子受體(電子受體(Q QA A、Q QB B、PQPQ等)處于最大程度等)處于最大程度氧化態(tài)時的熒光,稱為氧化態(tài)時的熒光,稱為初始熒光初始熒光或或最小熒最小熒光(光(FoFo)。 O點
33、熒光強弱與天線色素含量點熒光強弱與天線色素含量的多少及作用中心的活性狀態(tài)有關(guān)。的多少及作用中心的活性狀態(tài)有關(guān)。如:如: 天線色素降解可導(dǎo)致天線色素降解可導(dǎo)致Fo下降;下降; 作用中心失活可導(dǎo)致作用中心失活可導(dǎo)致Fo上升。上升。 J點:點:PS的電子受體的電子受體QA第一次處于瞬時第一次處于瞬時最大程度還原態(tài)時的熒光。最大程度還原態(tài)時的熒光。J點時電子受點時電子受體主要狀態(tài):體主要狀態(tài):QA- QB,QA- QB-。 J點的大小反映了點的大小反映了QA被還原的速率。它與被還原的速率。它與反應(yīng)中心色素、捕光色素和反應(yīng)中心色素、捕光色素和QA、QB的狀的狀態(tài)有關(guān),如果電子從態(tài)有關(guān),如果電子從QA向向
34、QB 的傳遞受到的傳遞受到限制,限制,J點就會升高。如:當(dāng)點就會升高。如:當(dāng)PSII反應(yīng)中反應(yīng)中心失活時心失活時(D1蛋白降解蛋白降解), QB 非還原反應(yīng)中非還原反應(yīng)中心數(shù)量增加,會導(dǎo)致心數(shù)量增加,會導(dǎo)致J點的升高。點的升高。I I點點:反應(yīng)了:反應(yīng)了PQPQ庫的異質(zhì)性庫的異質(zhì)性, ,即快還原型即快還原型PQPQ庫和慢還原型庫和慢還原型PQPQ庫的大小。庫的大小。I I點時電子點時電子受體主要狀態(tài):受體主要狀態(tài):Q QA A- -Q QB B2-2-。 P P點:點:PSPS的電子受體(的電子受體(QAQA、QBQB、PQPQ等)處于等)處于最大程度還原態(tài)時的熒光,稱為最大熒光。最大程度還原
35、態(tài)時的熒光,稱為最大熒光。 P P點時電子受體主要狀態(tài):點時電子受體主要狀態(tài):QAQA- -QBQB2-2-,PQH2PQH2。 P P點出現(xiàn)的時間(點出現(xiàn)的時間(0.3- 2s0.3- 2s)與)與PSIIPSII復(fù)合復(fù)合體的結(jié)構(gòu)和功能、體的結(jié)構(gòu)和功能、PQPQ庫的大小有關(guān);庫的大小有關(guān); P P點高低除了與誘導(dǎo)熒光的光強有關(guān)外,點高低除了與誘導(dǎo)熒光的光強有關(guān)外,還與天線的結(jié)構(gòu)和功能、天線能量耗散的大小還與天線的結(jié)構(gòu)和功能、天線能量耗散的大小有關(guān)。有關(guān)。 OJIP曲線和直線曲線和直線F = FM之之間的標(biāo)準(zhǔn)化后的面積形式間的標(biāo)準(zhǔn)化后的面積形式: Sm = Area / (FMFO)反映反映了
36、從了從0 ms到到 tFm時間內(nèi)將電時間內(nèi)將電子傳遞鏈中的電子受體全部子傳遞鏈中的電子受體全部還原所需的能量。還原所需的能量。即即PSPS反反應(yīng)中心受體側(cè)應(yīng)中心受體側(cè)PQPQ庫的大小,庫的大小,當(dāng)電子從當(dāng)電子從QA-QA-進入電子傳遞鏈進入電子傳遞鏈越多,則到達越多,則到達FM所需要的時所需要的時間就越長,間就越長,SmSm的值也越大。的值也越大。SmSmSm 植物葉片生理狀態(tài)的變化都會影響到植物葉片生理狀態(tài)的變化都會影響到快速葉綠素?zé)晒獾淖兓?,而任何環(huán)境條件快速葉綠素?zé)晒獾淖兓魏苇h(huán)境條件的改變都會影響到植物葉片生理狀態(tài),因的改變都會影響到植物葉片生理狀態(tài),因此通過檢測快速葉綠素?zé)晒獾淖?/p>
37、化可以知此通過檢測快速葉綠素?zé)晒獾淖兓梢灾拉h(huán)境因素對植物生理狀態(tài)的影響。葉綠道環(huán)境因素對植物生理狀態(tài)的影響。葉綠素?zé)晒獾淖兓喈?dāng)靈敏,從植物的形態(tài)和素?zé)晒獾淖兓喈?dāng)靈敏,從植物的形態(tài)和生長看不出任何變化時,葉綠素?zé)晒饩蜁L看不出任何變化時,葉綠素?zé)晒饩蜁l(fā)生顯著的變化。發(fā)生顯著的變化。time (s)100101102103104105106107Chl a fluorescence intensity02004006008000min30min45min60minTime (s)1e+0 1e+1 1e+2 1e+3 1e+4 1e+5 1e+6 1e+7Fluorescence in
38、tensity050010001500200025003000苔蘚脫水過程中苔蘚脫水過程中O-J-I-PO-J-I-P熒光誘導(dǎo)曲線的變化熒光誘導(dǎo)曲線的變化玉米缺鐵后玉米缺鐵后O-J-I-PO-J-I-P熒光誘導(dǎo)曲線的變化熒光誘導(dǎo)曲線的變化 不同環(huán)境條件下不同環(huán)境條件下J-I-P J-I-P 曲線變化舉例曲線變化舉例time (s)1e+01e+11e+21e+3 1e+41e+51e+6 1e+7Fluorescence intensity050010001500200025003000time (s)100101102103104105106107Chl a fluorescence int
39、ensity01000200030004000煙草葉片高溫處理后煙草葉片高溫處理后OJIPOJIP熒光誘導(dǎo)曲線的變化熒光誘導(dǎo)曲線的變化大豆葉片衰老后大豆葉片衰老后OJIPOJIP熒光熒光誘導(dǎo)曲線的變化誘導(dǎo)曲線的變化.01.1110 100 1000熒光Fluorescence050010001500200025003000感病處理Infection treatment對照CK時 間Time(ms).01.1110 100 1000 .01.1110 100 1000 10000ABCOJIPOJIP 灰霉病菌侵染的黃瓜葉片和對照葉片處理前(灰霉病菌侵染的黃瓜葉片和對照葉片處理前(A)、處理第)
40、、處理第10天天(B)、第)、第15天(天(C)快速葉綠素?zé)晒庹T導(dǎo)動力學(xué)曲線變化)快速葉綠素?zé)晒庹T導(dǎo)動力學(xué)曲線變化 不同溫度下處理大豆葉片不同溫度下處理大豆葉片5min鐘后,鐘后,OJIP曲線的變化曲線的變化 葉綠素?zé)晒庹T導(dǎo)動力學(xué)曲線的形態(tài)發(fā)生了變?nèi)~綠素?zé)晒庹T導(dǎo)動力學(xué)曲線的形態(tài)發(fā)生了變化,說明植物葉片的生理生化狀態(tài)、光合機構(gòu)發(fā)化,說明植物葉片的生理生化狀態(tài)、光合機構(gòu)發(fā)生了變化。生了變化。 但是到底發(fā)生了什么變化?這便需但是到底發(fā)生了什么變化?這便需要要JIP-test JIP-test 來定量的分析和解釋。來定量的分析和解釋。 JIP-testJIP-test就是通過定量分析快速葉綠素?zé)晒饩褪?/p>
41、通過定量分析快速葉綠素?zé)晒庹T導(dǎo)動力學(xué)曲線的變化,來解釋誘導(dǎo)動力學(xué)曲線的變化,來解釋PSIIPSII光能吸收、光能吸收、轉(zhuǎn)換、電子傳遞、轉(zhuǎn)換、電子傳遞、PSIIPSII作用中心以及受體側(cè)和供作用中心以及受體側(cè)和供體側(cè)的活性、以及電子傳遞體氧化還原狀態(tài)動態(tài)體側(cè)的活性、以及電子傳遞體氧化還原狀態(tài)動態(tài)變化的一種手段。變化的一種手段。 JIP test 的創(chuàng)始人的創(chuàng)始人-瑞士日內(nèi)瓦大學(xué)瑞士日內(nèi)瓦大學(xué)Reto Strasser 教授教授JIP-testJIP-test理論基礎(chǔ)理論基礎(chǔ) - - 生物膜能量流動生物膜能量流動 -1.75-1.25-0.75-0.250.250.751.2510 RC/ABS
42、Po/(1- Po)SFIABS o/(1- o)PIABSPICSoPICSMDIo/CSMETo/CSMTRo/CSMABS/CSMRC/CSMDIo/CSoETo/CSoTRo/CSoABS/CSoRC/CSoDIo/RC ETo/RCTRo/RCABS/RCkPkNP kSm/tFMAXNSm Do Eo o PoVIVJMGMOFV/FOFO/FM-1.75-1.25-0.75-0.250.250.751.2510 RC/ABS Po/(1- Po)SFIABS o/(1- o)PIABSPICSoPICSMDIo/CSMETo/CSMTRo/CSMABS/CSMRC/CSMDIo/
43、CSoETo/CSoTRo/CSoABS/CSoRC/CSoDIo/RC ETo/RCTRo/RCABS/RCkPkNP kSm/tFMAXNSm Do Eo o PoVIVJMGMOFV/FO-1.75-1.25-0.75-0.250.250.751.2510 RC/ABS Po/(1- Po)SFIABS o/(1- o)PIABSPICSoPICSMDIo/CSMETo/CSMTRo/CSMABS/CSMRC/CSMDIo/CSoETo/CSoTRo/CSoABS/CSoRC/CSoDIo/RC ETo/RCTRo/RCABS/RCkPkNP kSm/tFMAXNSm Do Eo o P
44、oVIVJMGMOFV/FOFO/FM由由 J I P test 可得出的多種不同的參數(shù)可得出的多種不同的參數(shù)JIP test 計算出的參數(shù) O-J-I-PO-J-I-P曲線和直線曲線和直線F = FMF = FM之間的標(biāo)準(zhǔn)化后的面積形式(之間的標(biāo)準(zhǔn)化后的面積形式(SmSm = Area / (F = Area / (FMMF FOO)反映了從反映了從0 ms0 ms到到 t tFmFm時間內(nèi)將電子傳遞鏈中的電子受體全部還原所需的能量。時間內(nèi)將電子傳遞鏈中的電子受體全部還原所需的能量。 比活性參數(shù)(比活性參數(shù)(QA處在可還原態(tài)時,單位處在可還原態(tài)時,單位PS反應(yīng)中心的活性)反應(yīng)中心的活性)AB
45、S/RC= MO(1/ VJ)(1/Po)單位反應(yīng)中心吸收的光能單位反應(yīng)中心吸收的光能TRO/RC= MO(1/ VJ)單位反應(yīng)中心捕獲的用于還原單位反應(yīng)中心捕獲的用于還原QA的能量(在的能量(在t0時)時)ETO/RC= MO(1/ VJ)O單位反應(yīng)中心捕獲的用于電子傳遞的能量(在單位反應(yīng)中心捕獲的用于電子傳遞的能量(在t0時)時)DIO/RC= ABS/RC- TRO/RC單位反應(yīng)中心耗散掉的能量(在單位反應(yīng)中心耗散掉的能量(在t0時)時)量子產(chǎn)額或能量分配比率量子產(chǎn)額或能量分配比率Po=TRO/ABS=(1-FO/FM)最大光化學(xué)效率(在最大光化學(xué)效率(在t0時)時)O=ETO/TRO=
46、(1-VJ)捕獲的激子將電子傳遞到電子傳遞鏈中超過捕獲的激子將電子傳遞到電子傳遞鏈中超過QA的其它電的其它電子受體的概率(在子受體的概率(在t0時)時)Eo=ETO/ABS=(1-FO/FM)O用于電子傳遞的量子產(chǎn)額(在用于電子傳遞的量子產(chǎn)額(在t0時)時)Do=1-Po =(FO/FM)用于熱耗散的量子比率(在用于熱耗散的量子比率(在t0時)時)Ro =RE/ABS =TRo/ABS (1 - VI)用于還原用于還原PSI受體側(cè)末端電子受體的量子產(chǎn)額(受體側(cè)末端電子受體的量子產(chǎn)額(t0時)時)比活性參數(shù)(照光材料單位截面積的活性)比活性參數(shù)(照光材料單位截面積的活性)ABS/CSOFO單位面
47、積吸收的光能(在單位面積吸收的光能(在t0時)時)ABS/CSMFM單位面積吸收的光能(在單位面積吸收的光能(在ttFM時)時)TRO/CSO=Po(ABS/CSO)單位面積捕獲的光能(在單位面積捕獲的光能(在t0時)時)ETO/CSO=Eo(ABS/CSO)單位面積的電子傳遞的量子產(chǎn)額(在單位面積的電子傳遞的量子產(chǎn)額(在t0時)時)DIO/CSO=(ABS/CSO) - (TRO/CSO) 單位面積的熱耗散(在單位面積的熱耗散(在t0時)時)反應(yīng)中心的密度反應(yīng)中心的密度RC/CSO=Po(VJ/MO) (ABS/CSO)單位面積有活性反應(yīng)中心的數(shù)量單位面積有活性反應(yīng)中心的數(shù)量Performa
48、nce Index 性能指數(shù)性能指數(shù) ? 綜合指數(shù)?綜合指數(shù)?PIABSRC/ABS Po/(1-Po) O/(1 - O ) 以吸收光能為基礎(chǔ)的性能指數(shù)以吸收光能為基礎(chǔ)的性能指數(shù) PICSRC/CSo Po/(1-Po) O/(1 - O ) 以單位面積為基礎(chǔ)的性能指數(shù)以單位面積為基礎(chǔ)的性能指數(shù) PI PI 是所有熒光參數(shù)中是所有熒光參數(shù)中最敏感的參數(shù)最敏感的參數(shù),在,在Fv/FmFv/Fm及其及其它許多參數(shù)尚未發(fā)生變化時,它許多參數(shù)尚未發(fā)生變化時,PIPI已出現(xiàn)明顯的變化。已出現(xiàn)明顯的變化。JIP JIP 曲線及有關(guān)參數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化曲線及有關(guān)參數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化不同樣品測定的原始不同樣品測定的原始JI
49、P曲線曲線1. 1. 用(用(Fm-Fm-FoFo)進行標(biāo)準(zhǔn)化后相對可變熒光的變化)進行標(biāo)準(zhǔn)化后相對可變熒光的變化 標(biāo)準(zhǔn)化后增加了不同樣品之間的可比性,無論測定樣品的面積大小是否相同,都可以進行比較,尤其適合比較苔蘚,地衣等不規(guī)則樣品.Vt = (F t Fo) / (Fm Fo)(Ft指任意時刻的熒光數(shù)值)2. 2. 用(用(Fj-FoFj-Fo)進行標(biāo)準(zhǔn)化后相對可變熒光的變化)進行標(biāo)準(zhǔn)化后相對可變熒光的變化W = (Ft Fo) / (Fj Fo)(Ft指任意時刻的熒光數(shù)值)3. K3. K點相對可變熒光的標(biāo)準(zhǔn)化(點相對可變熒光的標(biāo)準(zhǔn)化(W WK K), ,表示表示K K點相對值的大小。點
50、相對值的大小。W =WK 處理處理 /WK 對照對照表示處理植株中有活性反應(yīng)中心占對照植株的比例表示處理植株中有活性反應(yīng)中心占對照植株的比例 Wk Wk反映放氧復(fù)合體的狀況,反映放氧復(fù)合體的狀況, WkWk越大越大, ,放氧氧復(fù)合體受到的傷害放氧氧復(fù)合體受到的傷害越嚴重。該圖的越嚴重。該圖的WW顯示出對照與處理植株之間的最大差別出現(xiàn)顯示出對照與處理植株之間的最大差別出現(xiàn)在在0.3ms0.3ms,說明對放氧復(fù)合體活性的影響最大。,說明對放氧復(fù)合體活性的影響最大。WK= (Ft-FO)/(FJ-FO) (Ft和Fo為t點和O點熒光值)W4. 處理植株與對照植株相對可變熒光的差值處理植株與對照植株相
51、對可變熒光的差值 Vt (F t Fo) / (Fm Fo); Vt =Vt 處理處理-Vt 對照對照VtVt不同不同KNO3處理植株處理植株JIP曲線曲線( Vt ), 以及不同處理與對照之間的熒光差以及不同處理與對照之間的熒光差值值Vt 的變化。的變化。同處理與對照之間的最大差值出現(xiàn)在同處理與對照之間的最大差值出現(xiàn)在300um處,說明處,說明處理最大程度影響了放氧復(fù)合體的活性。處理最大程度影響了放氧復(fù)合體的活性。 Vt = (Ft - Fo)/(Fm - Fo) -0.10.00.10.20.30.4HNS-HNSCM-HNSCF-HNS Vt = (Ft - Fo)/(Fm - Fo)
52、-0.10.00.10.20.3Time(ms)0.010.1110100 100010000 Vt = (Ft - Fo)/(Fm - Fo) -0.10.00.10.20.3abcVt = (Ft - Fo)/(Fm - Fo)0.00.20.40.60.81.0Vt = (Ft - Fo)/(Fm - Fo)0.00.20.40.60.81.01.2HNSCMCFVt = (Ft - Fo)/(Fm - Fo)0.00.20.40.60.81.0OKJIP 赤星病菌赤星病菌A. alternata 代代謝產(chǎn)物對不同葉齡煙草葉謝產(chǎn)物對不同葉齡煙草葉片片JIP曲線曲線的影響。的影響。 圖圖a
53、, b, c 表示衰老程度逐表示衰老程度逐漸增加的煙草葉片漸增加的煙草葉片. Vt曲線變化最顯著的位點曲線變化最顯著的位點為為K點點,表明赤星病菌代謝表明赤星病菌代謝產(chǎn)物對光合機構(gòu)影響最大產(chǎn)物對光合機構(gòu)影響最大的部位是放氧復(fù)合體的部位是放氧復(fù)合體OEC的活性。此外隨著葉片的的活性。此外隨著葉片的衰老衰老,赤星病菌代謝產(chǎn)物對赤星病菌代謝產(chǎn)物對放氧復(fù)合體放氧復(fù)合體OEC的傷害作的傷害作用也逐漸加劇用也逐漸加劇. 引自引自Jia Yu-jao et al , Physiologia Plantarum 2010,138: 164175. 5. 用用 F300us -Fo 進行標(biāo)準(zhǔn)化化得到進行標(biāo)準(zhǔn)化化
54、得到 L band L band (Ft-Fo)/(F300us-Fo), Lband L band 處理處理 - L band 對照對照 如果基粒類囊體解離,就會導(dǎo)致類囊體之間的能量傳遞受阻,導(dǎo)致如果基粒類囊體解離,就會導(dǎo)致類囊體之間的能量傳遞受阻,導(dǎo)致150-200um處熒光值上升。處熒光值上升。 如果如果 Lband0,說明類囊體之間的能量傳遞,說明類囊體之間的能量傳遞受阻,如果受阻,如果 Lband0說明光合膜系統(tǒng)完整,能量傳遞順暢說明光合膜系統(tǒng)完整,能量傳遞順暢-對照對照-處理處理1- 處理處理2過量錳脅迫導(dǎo)致過量錳脅迫導(dǎo)致Lband增加增加 引自Li et al. BMC Plan
55、t Biology 2010, 10:42 6. 用雷達(蜘蛛)圖表示熒光參數(shù)的變化用雷達(蜘蛛)圖表示熒光參數(shù)的變化 將對照植物的將對照植物的各種熒光參數(shù)各種熒光參數(shù)都作為都作為1,其他,其他各處理植株的各處理植株的熒光參數(shù)都轉(zhuǎn)熒光參數(shù)都轉(zhuǎn)變成對照植株變成對照植株熒光參數(shù)的百熒光參數(shù)的百分數(shù)。分數(shù)。 圖中黑色為圖中黑色為對照小麥,其對照小麥,其他顏色為不同他顏色為不同干旱處理小麥。干旱處理小麥。處理植株熒光參數(shù)與對照植株熒光參數(shù)處理植株熒光參數(shù)與對照植株熒光參數(shù)比值比值-1.75-1.25-0.75-0.250.250.751.2510 RC/ABS Po/(1- Po)SFIABS o/(
56、1- o)PIABSPICSoPICSMDIo/CSMETo/CSMTRo/CSMABS/CSMRC/CSMDIo/CSoETo/CSoTRo/CSoABS/CSoRC/CSoDIo/RC ETo/RCTRo/RCABS/RCkPkNP kSm/tFMAXNSm Do Eo o PoVIVJMGMOFV/FOFO/FM-1.75-1.25-0.75-0.250.250.751.2510 RC/ABS Po/(1- Po)SFIABS o/(1- o)PIABSPICSoPICSMDIo/CSMETo/CSMTRo/CSMABS/CSMRC/CSMDIo/CSoETo/CSoTRo/CSoABS
57、/CSoRC/CSoDIo/RC ETo/RCTRo/RCABS/RCkPkNP kSm/tFMAXNSm Do Eo o PoVIVJMGMOFV/FO-1.75-1.25-0.75-0.250.250.751.2510 RC/ABS Po/(1- Po)SFIABS o/(1- o)PIABSPICSoPICSMDIo/CSMETo/CSMTRo/CSMABS/CSMRC/CSMDIo/CSoETo/CSoTRo/CSoABS/CSoRC/CSoDIo/RC ETo/RCTRo/RCABS/RCkPkNP kSm/tFMAXNSm Do Eo o PoVIVJMGMOFV/FOFO/FM
58、處理植株熒光參數(shù)與對照植株熒光參數(shù)的處理植株熒光參數(shù)與對照植株熒光參數(shù)的差值差值 對照植株的各對照植株的各熒光參數(shù)用黑線熒光參數(shù)用黑線 “0” 表示,大于表示,大于0表示處理植株表示處理植株該參數(shù)值升高,該參數(shù)值升高,小于小于0表示處理表示處理植株該參數(shù)值下植株該參數(shù)值下降。降。7. 能量流動模型能量流動模型Energy Pipeline Models葉綠素?zé)晒鈪?shù)的變化可以用直觀葉綠素?zé)晒鈪?shù)的變化可以用直觀 的能量流動模型來表示的能量流動模型來表示 Specific (membrane) model Phenomenological (Yield) model J I P-Test J I
59、 P-Test 應(yīng)用舉例應(yīng)用舉例:不同溫度對堿蒿葉片葉綠素?zé)晒庹T不同溫度對堿蒿葉片葉綠素?zé)晒庹T導(dǎo)動力學(xué)曲線的(導(dǎo)動力學(xué)曲線的(a),及),及WK的影的影響(響(b)。)。:對照:對照:400mmol/L NaCl處理處理 從圖可以看出,高溫處理后出現(xiàn)從圖可以看出,高溫處理后出現(xiàn)了明顯的了明顯的K點,隨著溫度升高放氧點,隨著溫度升高放氧復(fù)合體活性受到到傷害。而鹽適應(yīng)復(fù)合體活性受到到傷害。而鹽適應(yīng)提高了提高了植株對高溫的抗性。植株對高溫的抗性。:400mmol/L NaCl處理處理:對照:對照 (引自:盧叢明等人論文)(引自:盧叢明等人論文)1. 1.高溫處理對堿蒿快速葉綠素?zé)晒鈩恿W(xué)曲線的影響高
60、溫處理對堿蒿快速葉綠素?zé)晒鈩恿W(xué)曲線的影響 高溫處理對鹽脅迫后堿蒿高溫處理對鹽脅迫后堿蒿o ,PEO ,和,和RC/CS的影的影響。響。:對照:對照:400mmol/L NaCl處理;處理; 從圖可以看出,高溫處理從圖可以看出,高溫處理傷害傷害了了PSII的反應(yīng)中心(的反應(yīng)中心( RC/CS)和電子傳遞(和電子傳遞(o ,PEO)的的活性。活性。而鹽適應(yīng)提高了植株對而鹽適應(yīng)提高了植株對PSII高溫高溫的抗性。的抗性。 .01.1110100 1000熒光Fluorescence050010001500200025003000感病處理Infection treatment對照CK時 間Time(
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