HIT高效太陽電池簡介

1、HIT高效太陽電池簡介高效太陽電池簡介(Heterojunction with Intrinsic Thin -layer)華東光電子科技創(chuàng)新基地華東光電子科技創(chuàng)新基地2009年年7月月28日日晶體硅太陽電池結(jié)構(gòu)示意圖晶體硅太陽電池結(jié)構(gòu)示意圖薄膜硅太陽電池的典型結(jié)構(gòu)薄膜硅太陽電池的典型結(jié)構(gòu) 光照側(cè)p/I a-Si 510nmi/n a-Si510nmN型晶體硅156X156200um厚HIT電池結(jié)構(gòu)示意圖電池結(jié)構(gòu)示意圖背光側(cè)StructureConventional PN PVSurfaceAg / SiN / c-Si(n) / c-Si(p) / Al / Ag BacksideHeter

2、o Junction PVSurfaceAg / TCO / a-Si(p) / a-Si(i) / c-Si(n) / a-Si(i) / a-Si(n) / TCO / Ag BacksideHIT高效太陽電池特點(diǎn)高效太陽電池特點(diǎn)1. (光照側(cè)光照側(cè))P/I非晶硅薄膜和非晶硅薄膜和(背面?zhèn)缺趁鎮(zhèn)?I/N非晶非晶硅薄膜夾住硅薄膜夾住N型單晶硅片型單晶硅片;2. 兩側(cè)頂層形成透明的電極兩側(cè)頂層形成透明的電極(TCO)3. 電池對稱結(jié)構(gòu)電池對稱結(jié)構(gòu),雙面受光雙面受光;4. 非晶硅非晶硅/單晶硅電池的結(jié)合單晶硅電池的結(jié)合,吸收太陽光譜吸收太陽光譜范圍寬范圍寬;5. 非晶硅非晶硅PN結(jié)結(jié),能在能在2

3、00以下低以下低溫下沉積溫下沉積;HIT電池制作過程電池制作過程1. N型硅片型硅片(200um,1cm)表面織構(gòu)化表面織構(gòu)化;2. 用用PECVD在晶硅正面沉積在晶硅正面沉積i/P非晶硅非晶硅;3. 用用PECVD在晶硅背面沉積在晶硅背面沉積i/N非晶硅非晶硅;4. 用濺射技術(shù)在電池兩面沉積透明用濺射技術(shù)在電池兩面沉積透明TCO;5. 用絲網(wǎng)印刷技術(shù)在用絲網(wǎng)印刷技術(shù)在TCO上制作銀電極上制作銀電極;WAFERWAFER IN INProcessSaw Damage EtchingSaw Damage EtchingTexture EtchingTexture EtchingApparatus

4、 of Wet treatment Carrier life timeCarrier life time 100s100sn layer a-Si Depositionn layer a-Si Depositioni layer a-Si Depositioni layer a-Si Depositionp layer a-Si Depositionp layer a-Si Depositioni layer a-Si Depositioni layer a-Si DepositionApparatus of Plasma CVDWafer Temperature 200ProcessTest

5、ing Testing & Assemble a Module & Assemble a Module(same with(same with conventional c-Si PV) conventional c-Si PV) ElectrodeElectrodeTCO Deposition TCO Deposition (Surface)(Surface)TCO Deposition TCO Deposition (Backside)(Backside)Apparatus of TCO depositionApparatus of Electrode printingPr

6、ocess為什么為什么HIT電池具有高的轉(zhuǎn)換效率電池具有高的轉(zhuǎn)換效率?1. 所有制作過程都低于所有制作過程都低于200，不會因高溫雜質(zhì)擴(kuò)，不會因高溫雜質(zhì)擴(kuò)散而影響載流子壽命；散而影響載流子壽命；2.2. 雙面制結(jié)雙面制結(jié), ,可充分利用背面光線可充分利用背面光線; ;3.3. 采用采用N N型硅片型硅片, ,其載流子壽命遠(yuǎn)大于其載流子壽命遠(yuǎn)大于P P型硅型硅; ;4.4. 硅片薄硅片薄, ,有利于載流子穿過襯底被電極吸收有利于載流子穿過襯底被電極吸收; ;5.5. 表面織構(gòu)化表面織構(gòu)化, ,可降低對太陽光的反射可降低對太陽光的反射; ;6.6. 表面沉積非晶硅表面沉積非晶硅, ,吸收太陽光系數(shù)

7、大吸收太陽光系數(shù)大; ; 7.7. PECVDPECVD沉積過程中產(chǎn)生原子氫可對晶界進(jìn)行純化沉積過程中產(chǎn)生原子氫可對晶界進(jìn)行純化. .8. 異質(zhì)結(jié)異質(zhì)結(jié),開路電壓高開路電壓高.HIT電池優(yōu)點(diǎn)電池優(yōu)點(diǎn)1. 集中了非晶硅薄膜電池和晶體硅高遷移率的優(yōu)勢集中了非晶硅薄膜電池和晶體硅高遷移率的優(yōu)勢.2. 制備工藝簡單。制備工藝簡單。3. 溫度系數(shù)僅是晶硅太陽電池的一半溫度系數(shù)僅是晶硅太陽電池的一半 (-0.2%/).4. 雙面結(jié)構(gòu)在任何角度都可以增加光吸收雙面結(jié)構(gòu)在任何角度都可以增加光吸收,通常水通常水平安裝時發(fā)電效率可高出平安裝時發(fā)電效率可高出10%;垂直安裝時可高垂直安裝時可高出出34%.5. 三洋

8、公司已在大面積上獲得三洋公司已在大面積上獲得21%的高效率的高效率.6. 具有實(shí)現(xiàn)高效率和低成本硅太陽電池的發(fā)展前景具有實(shí)現(xiàn)高效率和低成本硅太陽電池的發(fā)展前景;7. HIT電池商業(yè)化發(fā)展很快電池商業(yè)化發(fā)展很快, 已占整個光伏市場的已占整個光伏市場的5%.HIT電池的技術(shù)關(guān)鍵電池的技術(shù)關(guān)鍵 高質(zhì)量非晶硅膜的生成高質(zhì)量非晶硅膜的生成; 單晶硅表面織絨結(jié)構(gòu)單晶硅表面織絨結(jié)構(gòu) TCO膜的光吸收膜的光吸收 薄膜化薄膜化(薄片化薄片化); 多結(jié)高效化多結(jié)高效化 屬于日本三洋公司的專利屬于日本三洋公司的專利; 非標(biāo)準(zhǔn)制程設(shè)備非標(biāo)準(zhǔn)制程設(shè)備;華東光電子創(chuàng)新基地的華東光電子創(chuàng)新基地的HIT項(xiàng)目項(xiàng)目 規(guī)模：規(guī)模：40MW 主