康華光電子技術(shù)基礎(chǔ)六模擬部分ch實用教案

1、電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ)(jch)(jch)模擬部分模擬部分1 1 緒論(xln)(xln)2 2 運算放大器3 3 二極管及其基本電路4 4 場效應(yīng)三極管及其放大電路5 5 雙極結(jié)型三極管及其放大電路6 6 頻率響應(yīng)7 7 模擬集成電路8 8 反饋放大電路9 9 功率放大電路10 10 信號處理與信號產(chǎn)生電路11 11 直流穩(wěn)壓電源第1頁/共106頁第一頁，共107頁。4 4 場效應(yīng)三極管及放大場效應(yīng)三極管及放大(fngd)(fngd)電路電路4.1 4.1 金屬金屬- -氧化物氧化物- -半導(dǎo)體（半導(dǎo)體（MOSMOS）場效應(yīng)三極）場效應(yīng)三極管管4.2 MOSFET4.2 MOSFET基本共

2、源極放大基本共源極放大(fngd)(fngd)電路電路4.3 4.3 圖解分析法圖解分析法4.4 4.4 小信號模型分析法小信號模型分析法4.5 4.5 共漏極和共柵極放大共漏極和共柵極放大(fngd)(fngd)電路電路4.6 4.6 集成電路單級集成電路單級MOSFETMOSFET放大放大(fngd)(fngd)電路電路4.7 4.7 多級放大多級放大(fngd)(fngd)電路電路4.8 4.8 結(jié)型場效應(yīng)管（結(jié)型場效應(yīng)管（JFETJFET）及其放大）及其放大(fngd)(fngd)電路電路* *4.9 4.9 砷化鎵金屬砷化鎵金屬- -半導(dǎo)體場效應(yīng)管半導(dǎo)體場效應(yīng)管4.10 4.10 各

3、種各種FETFET的特性及使用注意事項的特性及使用注意事項第2頁/共106頁第二頁，共107頁。場效應(yīng)管的分類場效應(yīng)管的分類(fn li)：P P溝道溝道( (u u do)do)耗盡耗盡(ho (ho jn)jn)型型P P溝道溝道P P溝道溝道N N溝道溝道增強型增強型N N溝道溝道N N溝道溝道（耗盡型）（耗盡型）FETFET場效應(yīng)管場效應(yīng)管JFETJFET結(jié)型結(jié)型MOSFETMOSFET絕緣柵型絕緣柵型(IGFET)(IGFET)耗盡型耗盡型：場效應(yīng)管沒有加偏置電壓時，就有導(dǎo)電溝道存在：場效應(yīng)管沒有加偏置電壓時，就有導(dǎo)電溝道存在增強型增強型：場效應(yīng)管沒有加偏置電壓時，沒有導(dǎo)電溝道：場效

4、應(yīng)管沒有加偏置電壓時，沒有導(dǎo)電溝道第3頁/共106頁第三頁，共107頁。4.1 金屬金屬(jnsh)-氧化物氧化物-半導(dǎo)半導(dǎo)體（體（MOS）場效應(yīng)三極管）場效應(yīng)三極管4.1.1 N溝道增強型溝道增強型MOSFET4.1.2 N溝道耗盡溝道耗盡(ho jn)型型MOSFET4.1.3 P溝道溝道MOSFET4.1.4 溝道長度調(diào)制等幾種效應(yīng)溝道長度調(diào)制等幾種效應(yīng)4.1.5 MOSFET的主要參數(shù)的主要參數(shù)第4頁/共106頁第四頁，共107頁。4.1.1 N溝道溝道(u do)增強型增強型MOSFET1. 1. 結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)(jigu)(jigu)L ：溝道：溝道(u do)長度長度W ：溝道寬度：溝

5、道寬度tox ：絕緣層厚度：絕緣層厚度通常通常 W L 絕緣體 溝道 柵極 g 鋁電極 （Al） 二氧化硅絕緣層 （SiO2） 源極 s 漏極 d L W N N P 型襯底 tox 第5頁/共106頁第五頁，共107頁。4.1.1 N溝道溝道(u do)增強型增強型MOSFET剖面圖剖面圖 d g s B 襯底 符號符號 鋁鋁 源極源極 s SiO2絕緣層絕緣層 柵極柵極 g 漏極漏極 d 鋁鋁 鋁鋁 耗盡層耗盡層 P 型硅襯底型硅襯底 B 襯底引線襯底引線 N N 1. 1. 結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)(jigu)(jigu)第6頁/共106頁第六頁，共107頁。4.1.1 N溝道溝道(u do)增強型增強

6、型MOSFET（1）VGS對溝道的控制對溝道的控制(kngzh)作作用用當當V VGSGS00時時 無導(dǎo)電溝道，無導(dǎo)電溝道， d、s間加間加電壓時，也無電流電壓時，也無電流(dinli)產(chǎn)產(chǎn)生。生。 s g d B 襯襯底底引引線線 N N VGG 耗耗盡盡層層 P 當當0 0 V VGS GS V VTN TN 時時 在電場在電場(din chng)作用下作用下產(chǎn)生導(dǎo)電溝道，產(chǎn)生導(dǎo)電溝道，d、s間加電壓間加電壓后，將有電流產(chǎn)生。后，將有電流產(chǎn)生。 s g d B 襯襯底底引引線線 N N VGG 耗耗盡盡層層 P VGS越大，導(dǎo)電越大，導(dǎo)電(dodin)溝道越厚溝道越厚 s g d B 襯襯

7、底底引引線線 N N VGG 耗耗盡盡層層 P （1）VGS對溝道的控制作用對溝道的控制作用2. 2. 工作原理工作原理 必須依靠柵極外加電壓才能產(chǎn)生反型必須依靠柵極外加電壓才能產(chǎn)生反型層的層的MOSFET稱為增強型器件稱為增強型器件第8頁/共106頁第八頁，共107頁。2. 2. 工作工作(gngzu)(gngzu)原原理理（2）VDS對溝道的控制對溝道的控制(kngzh)作用作用靠近(kojn)漏極d處的電位升高 s g d B 襯襯底底引引線線 N N VGG 耗耗盡盡層層 P VDD s g d B 襯襯底底引引線線 N N VGG 耗耗盡盡層層 P 電場強度減小電場強度減小溝道變薄溝

8、道變薄當當V VGSGS一定（一定（V VGS GS V VTN TN ）時，）時，V VDSDS I ID D 溝道電位梯度溝道電位梯度 iD O vDS 整個溝道呈整個溝道呈楔形分布楔形分布 VDD 第9頁/共106頁第九頁，共107頁。 s g d B 襯襯底底引引線線 N N VGG 耗耗盡盡層層 P VDD s g d B 襯襯底底引引線線 N N VGG 耗耗盡盡層層 P VDD 當當VDSVDS增加到使增加到使VGD=VTN VGD=VTN 時，時，在緊靠在緊靠(jn ko)(jn ko)漏極處出現(xiàn)漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。預(yù)夾斷。 iD O vDS 預(yù)夾斷點預(yù)夾斷點 A 在預(yù)夾斷在預(yù)夾

9、斷(ji dun)(ji dun)處：處：VGD=VGS-VDS =VTNVGD=VGS-VDS =VTN（2）VDS對溝道的控制對溝道的控制(kngzh)作用作用當當V VGSGS一定（一定（V VGS GS V VTN TN ）時，）時，V VDSDS I ID D 溝道電位梯度溝道電位梯度 2. 2. 工作原理工作原理第10頁/共106頁第十頁，共107頁。 iD O vDS 截止區(qū) vGSVTN 可變 電阻區(qū) vDS VTN時，增強型時，增強型MOSFET的的d、s間才能導(dǎo)通。間才能導(dǎo)通。第13頁/共106頁第十三頁，共107頁。3. I-V 3. I-V 特性曲線特性曲線(qxin)

10、(qxin)及大信號特性及大信號特性方程方程（1）輸出特性）輸出特性(txng)及大信號特性及大信號特性(txng)方程方程const.DSDGS)( vvfi 截止區(qū)截止區(qū)當當vGSVTN時，導(dǎo)電溝時，導(dǎo)電溝道尚未形成，道尚未形成，iD0，為截，為截止工作止工作(gngzu)狀態(tài)。狀態(tài)。第14頁/共106頁第十四頁，共107頁。 可變電阻區(qū)可變電阻區(qū) vDS V VTNTN ，且，且vDSDS（vGSGSV VTNTN）2TNGSnD)(VKi v2TNGS2TNn)1( VVKv2TNGSDO)1( VIv2TNnDOVKI 是是vGSGS2 2V VTNTN時的時的iD D I-V I-

11、V 特性特性(txng)(txng)：（1）輸出特性）輸出特性(txng)及大信號特性及大信號特性(txng)方程方程 必須讓必須讓FET工作在飽和區(qū)工作在飽和區(qū)（放大區(qū)）才有放大作用。（放大區(qū)）才有放大作用。3. 3. I-VI-V 特性曲線及大信號特性方程特性曲線及大信號特性方程第17頁/共106頁第十七頁，共107頁。（2）轉(zhuǎn)移）轉(zhuǎn)移(zhuny)特性特性const.GSDDS)( vvfi2TNGSDOD)1( VIiv# 為什么不談輸入為什么不談輸入(shr)特特性？性？ABCD在飽和在飽和(boh)區(qū)，區(qū)，iD受受vGS控制控制3. 3. I-VI-V 特性曲線及大信號特性方程特性

12、曲線及大信號特性方程第18頁/共106頁第十八頁，共107頁。4.1.2 N溝道溝道(u do)耗盡型耗盡型MOSFET1. 1. 結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)(jigu)(jigu)和工作和工作原理原理 s g d 二氧化硅 摻雜后具有正 離子的絕緣層 N N 耗盡層 N 型溝道 P B 襯底引線 d g s B 襯底 二氧化硅二氧化硅(r yng hu gu)(r yng hu gu)絕緣層中摻有大量的正離子，絕緣層中摻有大量的正離子，已存在導(dǎo)電溝道已存在導(dǎo)電溝道 可以在正或負的柵源電壓下工作，而且基本上無柵流可以在正或負的柵源電壓下工作，而且基本上無柵流第19頁/共106頁第十九頁，共107頁。4.1.2

13、N溝道溝道(u do)耗盡型耗盡型MOSFET2PNGSDSSD)1(VIiv 2TNGSDOD)1( VIiv（N N溝道增強型）溝道增強型）IDSS 2. I-V 2. I-V 特性曲線及大信號特性曲線及大信號(xnho)(xnho)特性方程特性方程第20頁/共106頁第二十頁，共107頁。4.1.3 P溝道溝道(u do)MOSFET d g s B d g s B # 襯底是什么類型襯底是什么類型(lixng)的半導(dǎo)體材料？的半導(dǎo)體材料？# 哪個哪個(n ge)符號是增強型的？符號是增強型的？# 在增強型的在增強型的P溝道溝道MOSFET 中，中，vGS應(yīng)加什么極性的電壓才能應(yīng)加什么極

14、性的電壓才能工作在飽和區(qū)（線性放大區(qū)）？工作在飽和區(qū)（線性放大區(qū)）？第21頁/共106頁第二十一頁，共107頁。4.1.3 P溝道溝道(u do)MOSFET# 是增強型還是耗盡是增強型還是耗盡(ho jn)型特性曲線？型特性曲線？# 耗盡型特性耗盡型特性(txng)曲線是怎樣的？曲線是怎樣的？vGS加什么極性的電壓能加什么極性的電壓能使管子工作在飽和區(qū)（線性放大區(qū)）？使管子工作在飽和區(qū)（線性放大區(qū)）？電流均以流入漏極的方向為正！電流均以流入漏極的方向為正！第22頁/共106頁第二十二頁，共107頁。4.1.4 溝道長度溝道長度(chngd)調(diào)制等幾種效應(yīng)調(diào)制等幾種效應(yīng)實際上飽和實際上飽和(b

15、oh)(boh)區(qū)的曲線并不是平坦的（區(qū)的曲線并不是平坦的（N N溝道為例）溝道為例）)1()(DS2TNGSnDvv VKi)1()1(DS2TNGSDOvv VIL的單位的單位(dnwi)為為m110 VL . 當不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)時，當不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)時， 0 0，曲線是平坦的。，曲線是平坦的。 修正后修正后VA稱為厄雷（稱為厄雷（Early）電壓）電壓1. 1. 溝道長度調(diào)制效應(yīng)溝道長度調(diào)制效應(yīng)第23頁/共106頁第二十三頁，共107頁。4.1.4 溝道長度調(diào)制等幾種溝道長度調(diào)制等幾種(j zhn)效應(yīng)效應(yīng) 襯底未與源極并接時，襯底與源極間的偏壓襯底未與源極并接時，襯底與源極間的偏壓

16、vBSvBS將影響實際的開啟（夾將影響實際的開啟（夾斷）電壓斷）電壓(diny)(diny)和轉(zhuǎn)移特性。和轉(zhuǎn)移特性。VTNO表示表示(biosh)vBS = 0時時的開啟電壓的開啟電壓2. 2. 襯底調(diào)制效應(yīng)（體效應(yīng)）襯底調(diào)制效應(yīng)（體效應(yīng)）N N溝道增強型溝道增強型對耗盡型器件的夾斷電壓有類似的影響對耗盡型器件的夾斷電壓有類似的影響第24頁/共106頁第二十四頁，共107頁。4.1.4 溝道長度調(diào)制等幾種溝道長度調(diào)制等幾種(j zhn)效應(yīng)效應(yīng)2. 2. 襯底調(diào)制襯底調(diào)制(tiozh)(tiozh)效應(yīng)（體效應(yīng)）效應(yīng)（體效應(yīng)） 通常通常(tngchng)，N溝道器件的襯底接電路的最低電位，溝道

17、器件的襯底接電路的最低電位，P溝道器件的襯底接電路的最高電位。溝道器件的襯底接電路的最高電位。 為保證為保證導(dǎo)電溝道與襯底之間導(dǎo)電溝道與襯底之間的的PN結(jié)反結(jié)反偏偏，要求：要求： N溝道溝道: : vBS 0 P溝道溝道: : vBS 0第25頁/共106頁第二十五頁，共107頁。4.1.4 溝道溝道(u do)長度調(diào)制等幾種效應(yīng)長度調(diào)制等幾種效應(yīng)3. 3. 溫度溫度(wnd)(wnd)效應(yīng)效應(yīng) VTN和電導(dǎo)和電導(dǎo)(din do)常數(shù)常數(shù)Kn隨溫度升高而下降，且隨溫度升高而下降，且Kn受溫度的影響大于受溫度的影響大于VTN受溫度的影響。受溫度的影響。 當溫度升高時，對于給定的當溫度升高時，對于

18、給定的VGS，總的效果是漏極電流減小。，總的效果是漏極電流減小。 )(2 2DSDSTNGSnDvvv VKi可變電阻區(qū)可變電阻區(qū) 2TNGSnD)(VKi v飽和區(qū)飽和區(qū)第26頁/共106頁第二十六頁，共107頁。4.1.4 溝道長度調(diào)制等幾種溝道長度調(diào)制等幾種(j zhn)效應(yīng)效應(yīng)4. 4. 擊穿擊穿(j chun)(j chun)效應(yīng)效應(yīng)（1）漏襯擊穿）漏襯擊穿(j chun) 外加的漏源電壓過高，將導(dǎo)致外加的漏源電壓過高，將導(dǎo)致漏極到襯底的漏極到襯底的PN結(jié)擊穿結(jié)擊穿(j chun)。 若絕緣層厚度若絕緣層厚度tox= 50 納米納米時，時，只要約只要約30V的柵極電壓就可的柵極電壓就

19、可將將絕緣層絕緣層擊穿，若取安全系數(shù)為擊穿，若取安全系數(shù)為3，則最大柵極安全電壓只有，則最大柵極安全電壓只有10V。 s g d B 襯襯底底引引線線 N N VGG 耗耗盡盡層層 P VDD （2 2）柵極擊穿）柵極擊穿 通常在通常在MOS管的柵源間接入雙管的柵源間接入雙向穩(wěn)壓管向穩(wěn)壓管，限制柵極電壓限制柵極電壓以保護器以保護器件。件。第27頁/共106頁第二十七頁，共107頁。4.1.5 MOSFET的主要參數(shù)的主要參數(shù)一、直流參數(shù)一、直流參數(shù)(cnsh)(cnsh)1. 開啟電壓開啟電壓(diny)VT （增強（增強型參數(shù)）型參數(shù)）2. 夾斷電壓夾斷電壓VP （耗盡（耗盡(ho jn)型

20、型參數(shù)）參數(shù)）第28頁/共106頁第二十八頁，共107頁。4.1.5 MOSFET的主要參數(shù)的主要參數(shù)一、直流參數(shù)一、直流參數(shù)(cnsh)(cnsh)3. 飽和飽和(boh)漏電流漏電流IDSS （耗盡型參數(shù)）（耗盡型參數(shù)）4. 直流輸入電阻直流輸入電阻RGS （1091015 ）第29頁/共106頁第二十九頁，共107頁。4.1.5 MOSFET的主要參數(shù)的主要參數(shù)所以所以(suy)(suy)1. 輸出電阻輸出電阻rds GSDDSdsVir vDAD12TNGSnds1)(iViVKr v當不考慮溝道調(diào)制當不考慮溝道調(diào)制(tiozh)(tiozh)效應(yīng)時，效應(yīng)時，0 0，rds rds 實

21、際實際(shj)(shj)中，中，rdsrds一般在幾十千歐到幾百千歐之一般在幾十千歐到幾百千歐之間。間。二、交流參數(shù)二、交流參數(shù) )1()(DS2TNGSnDvv VKi對于增強型對于增強型NMOS管管 1)(2TNGSnDDS VKivv有有第30頁/共106頁第三十頁，共107頁。4.1.5 MOSFET的主要參數(shù)的主要參數(shù)DS GSDmVigv 2. 2. 低頻低頻(dpn)(dpn)互導(dǎo)互導(dǎo)gm gm 二、交流二、交流(jioli)(jioli)參參數(shù)數(shù) 2TNGSnD)(VKi v則則DSDSGS2TNGSnGSDm)(VVVKigvvv )(2TNGSnVK vDn2iK LWK

22、 2Coxnn其中其中又因為又因為 2TNGSnD)(VKi vnDTNGS)(KiV v所以所以 )(2TNGSnmVKg vNMOSNMOS增強型增強型第31頁/共106頁第三十一頁，共107頁。4.1.5 MOSFET的主要參數(shù)的主要參數(shù)三、極限三、極限(jxin)(jxin)參數(shù)參數(shù) 1. 最大漏極電流最大漏極電流(dinli)IDM 2. 最大耗散最大耗散(ho sn)功功率率PDM 3. 最大漏源電壓最大漏源電壓V（BR）DS 4. 最大柵源電壓最大柵源電壓V（BR）GS 第32頁/共106頁第三十二頁，共107頁。4.2 MOSFET基本基本(jbn)共源極放共源極放大電路大電路

23、4.2.1 基本共源極放大電路的組成基本共源極放大電路的組成4.2.2 基本共源放大電路的工作基本共源放大電路的工作(gngzu)原原理理4.2.3 放大電路的習(xí)慣畫法和主要分析法放大電路的習(xí)慣畫法和主要分析法第33頁/共106頁第三十三頁，共107頁。4.2.1 基本共源極放大電路基本共源極放大電路(dinl)的組成的組成1. 1. 如何如何(rh)(rh)讓讓MOSMOS管工作在飽和管工作在飽和區(qū)？區(qū)？元件元件(yunjin)(yunjin)作用作用VGG：提供柵源電壓使提供柵源電壓使 vGS VTNVDD和和Rd ： 提供合適的漏源電壓，使提供合適的漏源電壓，使 vDS vGS - -

24、VTNRd 還兼有將電流轉(zhuǎn)換成電壓的作用還兼有將電流轉(zhuǎn)換成電壓的作用（VGG vi）通常稱通常稱VGG和和VDD為三極管的工作電源，為三極管的工作電源，vi為信號。為信號。第34頁/共106頁第三十四頁，共107頁。4.2.1 基本共源極放大電路基本共源極放大電路(dinl)的組成的組成2. 2. 信號如何通過信號如何通過(tnggu)MOS(tnggu)MOS管傳遞？管傳遞？vi 信號由柵源回路輸入、漏源回信號由柵源回路輸入、漏源回路輸出，即源極是公共端，所以路輸出，即源極是公共端，所以(suy)(suy)稱此電路為共源電路。稱此電路為共源電路。 也可看作信號由柵極輸入、漏也可看作信號由柵極

25、輸入、漏極輸出。極輸出。 vGS iD vDS (= vo)飽和區(qū)飽和區(qū)2TNGSnD)(VKi v由由MOS管的控管的控制關(guān)系決定制關(guān)系決定由由 iDSiovvvv 可獲得信號電壓增益可獲得信號電壓增益 （VGG vi）第35頁/共106頁第三十五頁，共107頁。4.2.2 基本共源放大電路基本共源放大電路(dinl)的工作原理的工作原理1. 1. 放大電路放大電路(dinl)(dinl)的靜態(tài)和動的靜態(tài)和動態(tài)態(tài) 靜態(tài)(jngti)：輸入信號為零（vi= 0 或 ii= 0）時，放大電路的工作狀態(tài)，也稱直流工作狀態(tài)。 動態(tài)：動態(tài)：輸入信號不為零時，放大電路的工作狀態(tài)，也稱輸入信號不為零時，放

26、大電路的工作狀態(tài)，也稱交交流工作狀態(tài)流工作狀態(tài)。 此時，此時，F(xiàn)ET的直流量的直流量ID、VGS、VDS，在輸出特性曲線上，在輸出特性曲線上表示為一個確定的點，習(xí)慣上稱該點為靜態(tài)工作點表示為一個確定的點，習(xí)慣上稱該點為靜態(tài)工作點Q。常。常將上述三個電量寫成將上述三個電量寫成IDQ、VGSQ和和VDSQ。第36頁/共106頁第三十六頁，共107頁。4.2.2 基本共源放大基本共源放大(fngd)電路的工作原理電路的工作原理2. 2. 放大電路的直流通路和交流放大電路的直流通路和交流(jioli)(jioli)通通路路僅有直流電流流經(jīng)的通路僅有直流電流流經(jīng)的通路(tngl)(tngl)為直為直流通

27、路流通路(tngl)(tngl)第37頁/共106頁第三十七頁，共107頁。4.2.2 基本共源放大電路的工作基本共源放大電路的工作(gngzu)原理原理2. 2. 放大電路的直流通路和交流放大電路的直流通路和交流(jioli)(jioli)通路通路直流電壓源內(nèi)阻直流電壓源內(nèi)阻(ni z)(ni z)為零，交流電流流經(jīng)直流電為零，交流電流流經(jīng)直流電壓源時不產(chǎn)生任何交流壓降，壓源時不產(chǎn)生任何交流壓降，故故直流電壓源對交流相當于短路直流電壓源對交流相當于短路僅有直流電流流經(jīng)的通路為直流通路僅有直流電流流經(jīng)的通路為直流通路第38頁/共106頁第三十八頁，共107頁。4.2.2 基本基本(jbn)共源

28、放大電路的工作原理共源放大電路的工作原理2. 2. 放大放大(fngd)(fngd)電路的直流通路和交流通路電路的直流通路和交流通路僅有交流僅有交流(jioli)(jioli)電流流經(jīng)的通路為交流電流流經(jīng)的通路為交流(jioli)(jioli)通路通路直流電壓源對交流相當于短路直流電壓源對交流相當于短路第39頁/共106頁第三十九頁，共107頁。4.2.2 基本共源放大電路的工作基本共源放大電路的工作(gngzu)原理原理3. 3. 放大電路的靜態(tài)工作放大電路的靜態(tài)工作(gngzu)(gngzu)點估算點估算直流通直流通(litng)(litng)路路假設(shè)假設(shè)NMOS管工作于飽和區(qū)，則管工作于

29、飽和區(qū)，則2TNGSQnDQ)(VVKI VGSQ = VGGVDSQ = VDD - - IDQ Rd 當已知當已知VGG、VDD、VTN、Kn、和、和Rd 時，便可求得時，便可求得Q點（點（VGSQ、IDQ、VDSQ）。必須檢驗是否滿足飽和區(qū)工作條件：）。必須檢驗是否滿足飽和區(qū)工作條件：VDSQ VGSQ - - VTN 0。若不滿足，則說明工作在可變電阻區(qū)，此時漏極電流為若不滿足，則說明工作在可變電阻區(qū)，此時漏極電流為DSTNGSnD )(2vvVKi 注意：電路結(jié)構(gòu)不同，除注意：電路結(jié)構(gòu)不同，除FET特性方程外，其它電路方程將有差別特性方程外，其它電路方程將有差別第40頁/共106頁第

30、四十頁，共107頁。例例4.2.1假設(shè)假設(shè)NMOS管工作管工作(gngzu)于飽和區(qū)，于飽和區(qū)，根據(jù)根據(jù)2TNGSQnDQ)(VVKI VGSQ = VGGVDSQ = VDD - - IDQ Rd已知已知VGG=2V，VDD=5V，VTN=1V，Kn=0.2mA/V2，Rd =12k ，求，求Q點。點。求得：求得： VGSQ=2V，IDQ=0.2mA，VDSQ=2.6V滿足飽和滿足飽和(boh)區(qū)工作條件：區(qū)工作條件： VDSQ VGSQ - VTN 0 ，結(jié)果即為所求。，結(jié)果即為所求。解：解：第41頁/共106頁第四十一頁，共107頁。4.2.2 基本共源放大電路基本共源放大電路(dinl

31、)的工作原理的工作原理3. 3. 放大電路的靜態(tài)工作放大電路的靜態(tài)工作(gngzu)(gngzu)點估算點估算飽和飽和(boh)區(qū)的條件：區(qū)的條件：VGSQ VTN , IDQ 0 ， VDSQ VGSQ - VTN 增強型增強型NMOS管管假設(shè)假設(shè)NMOS管工作于飽和區(qū)，利用管工作于飽和區(qū)，利用2TNGSQnDQ)(VVKI 計算計算Q點。點。若：若：VGSQ VTN , , NMOS管截止。管截止。若：若： VDSQ VGSQ - - VTN ，NMOS管可能工作在可變電阻區(qū)。管可能工作在可變電阻區(qū)。如果初始假設(shè)是錯誤的，則必須作出新的假設(shè)，同時重新分析電路。如果初始假設(shè)是錯誤的，則必須作

32、出新的假設(shè)，同時重新分析電路。# 請歸納其它管型靜態(tài)工作點的計算方法請歸納其它管型靜態(tài)工作點的計算方法第42頁/共106頁第四十二頁，共107頁。4.2.2 基本基本(jbn)共源放大電路的工作原理共源放大電路的工作原理4. 4. 放大電路的動態(tài)放大電路的動態(tài)(dngti)(dngti)工作情況工作情況在靜態(tài)基礎(chǔ)上加入在靜態(tài)基礎(chǔ)上加入(jir)(jir)小信號小信號vivi此時電路中的總電壓和電流為此時電路中的總電壓和電流為vGS = = VGSQ + + vi iD = = IDQ + + idvDS = = vDSQ + + vds 其中其中id和和vds為交為交流量流量2TNGSnD)(

33、VKi vvDS = = VDD - - iDRd 第43頁/共106頁第四十三頁，共107頁。4.2.3 放大電路的習(xí)慣放大電路的習(xí)慣(xgun)畫法和主要分畫法和主要分析法析法 省略工作電源的直流電壓符號省略工作電源的直流電壓符號(fho)(fho)，僅保留電壓源，僅保留電壓源非接非接“地地”端子，并標注電壓源名稱。端子，并標注電壓源名稱。習(xí)慣畫法習(xí)慣畫法1. 1. 習(xí)慣習(xí)慣(xgun)(xgun)畫法畫法第44頁/共106頁第四十四頁，共107頁。4.2.3 放大電路的習(xí)慣畫法放大電路的習(xí)慣畫法(hu f)和主要分析和主要分析法法1. 1. 習(xí)慣習(xí)慣(xgun)(xgun)畫法畫法第45

34、頁/共106頁第四十五頁，共107頁。4.2.3 放大電路放大電路(dinl)的習(xí)慣畫法和主要分析的習(xí)慣畫法和主要分析法法2. 2. 主要主要(zhyo)(zhyo)分析法分析法圖解法圖解法小信號小信號(xnho)模型分析法模型分析法第46頁/共106頁第四十六頁，共107頁。4.3 圖解圖解(tji)分析法分析法4.3.1 用圖解方法確定靜態(tài)工作用圖解方法確定靜態(tài)工作(gngzu)點點Q4.3.2 動態(tài)工作動態(tài)工作(gngzu)情況的圖解情況的圖解分析分析4.3.3 圖解分析法的適用范圍圖解分析法的適用范圍第47頁/共106頁第四十七頁，共107頁。4.3.1 用圖解方法用圖解方法(fngf

35、)確定靜態(tài)工作點確定靜態(tài)工作點Q 采用采用(ciyng)圖解法分析靜態(tài)工作點，必須已知圖解法分析靜態(tài)工作點，必須已知FET的輸?shù)妮敵鎏匦郧€。出特性曲線。靜態(tài)靜態(tài)(jngti)：vi = 0 輸入回路輸入回路vGS = VGG = VGSQ 輸出回路輸出回路vDS = VDDiDRd （直流負載線）（直流負載線）輸出回路左側(cè)的輸出回路左側(cè)的FET端口可用輸出特性曲線描述端口可用輸出特性曲線描述 共源放大電路共源放大電路第48頁/共106頁第四十八頁，共107頁。4.3.1 用圖解方法用圖解方法(fngf)確定靜態(tài)工作點確定靜態(tài)工作點Q得到靜態(tài)工作點：得到靜態(tài)工作點：VGSQ、 IDQ、 VDS

36、QvGS = VGG = VGSQ 共源放大共源放大(fngd)(fngd)電路電路直流負載直流負載(fzi)線線:vDS = VDDiDRd 第49頁/共106頁第四十九頁，共107頁。4.3.2 動態(tài)工作情況動態(tài)工作情況(qngkung)的圖解分析的圖解分析 共源放大共源放大(fngd)(fngd)電路電路vGS = VGSQ + vi 工作工作(gngzu)點沿負載點沿負載線移動線移動1. 1. 正常工作情況正常工作情況第50頁/共106頁第五十頁，共107頁。4.3.2 動態(tài)工作動態(tài)工作(gngzu)情況的圖解分析情況的圖解分析圖解分析可得如下結(jié)論：圖解分析可得如下結(jié)論： 1. vi

37、vGS iD vDS |vds (vo)| (vi正半周時正半周時) 2. vds與與vi相位相反；相位相反； 3. 可以測量出放大電路可以測量出放大電路的電壓放大倍數(shù)；的電壓放大倍數(shù)； 4. 可以確定可以確定(qudng)最最大不失真輸出幅度。大不失真輸出幅度。1. 1. 正常工作情況正常工作情況第51頁/共106頁第五十一頁，共107頁。4.3.2 動態(tài)工作情況動態(tài)工作情況(qngkung)的圖解分析的圖解分析2. 2. 靜態(tài)工作點對波形靜態(tài)工作點對波形(b xn(b xn) )失真的影響失真的影響截止截止(jizh)失失真真（NMOS）第52頁/共106頁第五十二頁，共107頁。4.3.

38、2 動態(tài)工作動態(tài)工作(gngzu)情況的圖解分析情況的圖解分析飽和飽和(boh)失真失真（NMOS）2. 2. 靜態(tài)工作點對波形失真的靜態(tài)工作點對波形失真的(zhn de)(zhn de)影響影響第53頁/共106頁第五十三頁，共107頁。4.3.3 圖解圖解(tji)分析法的適用范圍分析法的適用范圍幅度幅度(fd)(fd)較大而工作頻率不太高的情較大而工作頻率不太高的情況況優(yōu)點：優(yōu)點： 直觀直觀(zhgun)(zhgun)、形象。有助于建立和理解交、直流共存，靜、形象。有助于建立和理解交、直流共存，靜態(tài)和動態(tài)等重要概念；有助于理解正確選擇電路參數(shù)、合理設(shè)置靜態(tài)態(tài)和動態(tài)等重要概念；有助于理解正

39、確選擇電路參數(shù)、合理設(shè)置靜態(tài)工作點的重要性。能全面地分析放大電路的靜態(tài)、動態(tài)工作情況。工作點的重要性。能全面地分析放大電路的靜態(tài)、動態(tài)工作情況。缺點：缺點： 不能分析工作頻率較高時的電路工作狀態(tài)，也不能用來分析不能分析工作頻率較高時的電路工作狀態(tài)，也不能用來分析放大電路的輸入電阻、輸出電阻等動態(tài)性能指標。放大電路的輸入電阻、輸出電阻等動態(tài)性能指標。第54頁/共106頁第五十四頁，共107頁。4.4 小信號小信號(xnho)模型分析法模型分析法4.4.1 MOSFET的小信號的小信號(xnho)模型模型4.4.2 用小信號用小信號(xnho)模型分析共源放模型分析共源放大電路大電路4.4.3 帶

40、源極電阻的共源極放大電路分帶源極電阻的共源極放大電路分析析4.4.4 小信號小信號(xnho)模型分析法的適用模型分析法的適用范圍范圍第55頁/共106頁第五十五頁，共107頁。4.4 小信號小信號(xnho)模型分析法模型分析法建立小信號建立小信號(xnho)(xnho)模型的意義模型的意義建立小信號模型建立小信號模型(mxng)(mxng)的思的思路路 當放大電路的輸入信號幅值較小時，就可以把三極管小當放大電路的輸入信號幅值較小時，就可以把三極管小范圍內(nèi)的特性曲線近似地用直線來代替，從而可以把三極管范圍內(nèi)的特性曲線近似地用直線來代替，從而可以把三極管這個非線性器件所組成的電路當作線性電路來

41、處理。這個非線性器件所組成的電路當作線性電路來處理。 由于場效應(yīng)管是非線性器件，所以分析起來非常復(fù)由于場效應(yīng)管是非線性器件，所以分析起來非常復(fù)雜。建立小信號模型，就是在特定條件下將非線性器件雜。建立小信號模型，就是在特定條件下將非線性器件做線性化近似處理，從而簡化由其構(gòu)成的放大電路的分做線性化近似處理，從而簡化由其構(gòu)成的放大電路的分析和設(shè)計。析和設(shè)計。第56頁/共106頁第五十六頁，共107頁。4.4.1 MOSFET的小信號的小信號(xnho)模型模型1. 1. =0=0時時在飽和在飽和(boh)(boh)區(qū)內(nèi)有區(qū)內(nèi)有（以增強型（以增強型NMOS管為例）管為例）FET雙口網(wǎng)絡(luò)雙口網(wǎng)絡(luò)(wng

42、lu)2TGSnD)(VKi v2TgsGSQn)(VVK v2gsTGSQn)(v VVK2gsngsTGSQn2TGSQn)(2)(vvKVVKVVK DQI gsmvg 2gsnvK 靜態(tài)值靜態(tài)值（直流）（直流）動態(tài)值動態(tài)值（交流）（交流）非線性失非線性失真項真項 當當，vgs 2( (VGSQ- -VTN) )時，時，DQDIi gsmvg dDQiI 其中其中)(2TNGSQnmVVKg 第57頁/共106頁第五十七頁，共107頁。4.4.1 MOSFET的小信號的小信號(xnho)模型模型FET雙口網(wǎng)絡(luò)雙口網(wǎng)絡(luò)(wnglu)DQDIi gsmvg dDQiI gsmdvgi 純交流

43、純交流(jioli(jioli)電路模型電路模型1. 1. =0=0時時 gmvgs 是受控源是受控源 ，且為電壓，且為電壓控制電流源控制電流源(VCCS)。 電流方向與電流方向與vgs的極性是關(guān)聯(lián)的極性是關(guān)聯(lián)的。的。 第58頁/共106頁第五十八頁，共107頁。4.4.1 MOSFET的小信號的小信號(xnho)模型模型FET雙口網(wǎng)絡(luò)雙口網(wǎng)絡(luò)(wnglu)d、s端口看入有一電阻端口看入有一電阻(dinz)rds電路模型電路模型2. 2. 0 0時時GSQDDSdsVir vDQADQ2TNGSQn1)(1IVIVVK 第59頁/共106頁第五十九頁，共107頁。4.4.1 MOSFET的小信

44、號的小信號(xnho)模型模型gm 低頻低頻(dpn)互導(dǎo)互導(dǎo) 轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)移(zhuny)特性特性曲線曲線Q點上切線的斜率點上切線的斜率3. 3. 參數(shù)的物理意義參數(shù)的物理意義)(2TNGSQnVVK DSQGSDmVigv 第60頁/共106頁第六十頁，共107頁。4.4.1 MOSFET的小信號的小信號(xnho)模型模型3. 3. 參數(shù)參數(shù)(cnsh)(cnsh)的物理意義的物理意義GSQDDSdsVir v2TNGSQn)(1VVK rds 輸出電阻輸出電阻DQADQ1IVI 輸出特性曲線輸出特性曲線Q點上切線點上切線(qixin)斜率的倒數(shù)斜率的倒數(shù)第61頁/共106頁第六十一頁，共10

45、7頁。4.4.1 MOSFET的小信號的小信號(xnho)模型模型4. 4. 模型模型(mxng)(mxng)應(yīng)用的前提條件應(yīng)用的前提條件)(2TNGSQnmVVKg =0=0 0 0 參數(shù)都是小信號參數(shù)，即微變參數(shù)或交流參數(shù)。 與靜態(tài)(jngti)工作點有關(guān)，在放大區(qū)基本不變。 只適合對交流信號（變化量）的分析。 未包含結(jié)電容的影響，不能用于分析高頻情況。vgs rds 為便于分析，先考慮為便于分析，先考慮(kol)0時的情況時的情況oR dsmsdsdto11rgRriRv所以當所以當 =0時，時， oRddoo|RRRR 當當 0時，若時，若rds Rd ，則，則第76頁/共106頁第七

46、十六頁，共107頁。4.4.4 小信號小信號(xnho)模型分析法的適用范模型分析法的適用范圍圍 放大電路的輸入信號幅度較小，放大電路的輸入信號幅度較小，F(xiàn)ET工作在其工作在其I-V 特性曲線的特性曲線的飽和區(qū)（即近似線性范圍）內(nèi)。模型參數(shù)的值是在靜態(tài)工作點上求飽和區(qū)（即近似線性范圍）內(nèi)。模型參數(shù)的值是在靜態(tài)工作點上求得的。所以，放大電路的動態(tài)性能得的。所以，放大電路的動態(tài)性能(xngnng)與靜態(tài)工作點位置及穩(wěn)與靜態(tài)工作點位置及穩(wěn)定性密切相關(guān)。定性密切相關(guān)。優(yōu)點：優(yōu)點： 分析放大電路分析放大電路(dinl)(dinl)的動態(tài)性能指標的動態(tài)性能指標(Av (Av 、RiRi和和RoRo等等)

47、)非常方便，且適用于頻率較高時（用高頻模型）的分析。非常方便，且適用于頻率較高時（用高頻模型）的分析。缺點缺點： 在放大電路的小信號等效電路中，電壓、電流等電量及模型參數(shù)在放大電路的小信號等效電路中，電壓、電流等電量及模型參數(shù)均是針對變化量均是針對變化量(交流量交流量)而言的，不能用來分析計算靜態(tài)工作點。而言的，不能用來分析計算靜態(tài)工作點。第77頁/共106頁第七十七頁，共107頁。4.5 共漏極和共柵極共漏極和共柵極(shn j)放放大電路大電路4.5.1 共漏極（源極跟隨共漏極（源極跟隨(n su)器）放器）放大電路大電路4.5.2 共柵極放大電路共柵極放大電路4.5.3 MOSFET放大

48、電路三種組態(tài)的總結(jié)放大電路三種組態(tài)的總結(jié)和比較和比較第78頁/共106頁第七十八頁，共107頁。4.5.1 共漏極（源極跟隨器）放大共漏極（源極跟隨器）放大(fngd)電電路路1. 靜態(tài)靜態(tài)(jngti)分析分析設(shè)設(shè)MOSMOS管工作管工作(gngzu)(gngzu)于飽和于飽和區(qū)區(qū)2TNGSQnDQ)(VVKI sDQDDg2g1g2GSQRIVRRRV sDQDDDSQRIVV 需驗證是否工作在飽和區(qū)需驗證是否工作在飽和區(qū)第79頁/共106頁第七十九頁，共107頁。4.5.1 共漏極（源極跟隨共漏極（源極跟隨(n su)器）放大器）放大電路電路2. 動態(tài)分析動態(tài)分析根據(jù)根據(jù)(gnj)靜態(tài)工

49、作點可求得靜態(tài)工作點可求得 gm小信號小信號(xnho)等效電路等效電路)(2TNGSQnmVVKg )|(dssgsmorRg vv )|(1 )|(dssmgsdssgsmgsogsirRgrRg vvvvvv電壓增益電壓增益)|(1 )|(dssmgsdssgsmiorRgrRgA vvvvv1)|(1)|(dssmdssm rRgrRg輸出與輸入同相，且增益小于等于輸出與輸入同相，且增益小于等于1 1第80頁/共106頁第八十頁，共107頁。4.5.1 共漏極（源極跟隨器）放大共漏極（源極跟隨器）放大(fngd)電電路路2. 動態(tài)分析動態(tài)分析源電壓源電壓(diny)增益增益輸入電阻輸入

50、電阻)()|(1)|( siiidsdmdsdmsiiososRRRrRgrRgA vvvvvvvg2g1i| | RRR vs viRi Rsi g Rg1Rg2 gmvgs Rs rds d vo vgs s 第81頁/共106頁第八十一頁，共107頁。4.5.1 共漏極（源極跟隨共漏極（源極跟隨(n su)器）放大電路器）放大電路2. 動態(tài)分析動態(tài)分析輸出電阻輸出電阻gsmdsTsTTvvvgrRi mdssmdssTTo1| |111grRgrRiR vTgsvv 輸出電阻較小輸出電阻較小Rsi Rg1|Rg2 g it vt gmvgs Rs rds d vgs s 第82頁/共10

51、6頁第八十二頁，共107頁。4.5.2 共柵極共柵極(shn j)放大電路放大電路1. 靜態(tài)靜態(tài)(jngti)分析分析根據(jù)根據(jù)(gnj)(gnj)直流通路有直流通路有II DQdDQDDDRIVV 2TNGSQnDQ)(VVKI 由由可得可得 VGSQ又又 VS = - -VGSQ所以所以VDSQ = VD - - VS = VDD - -IDQ Rd + + VGSQ需驗證是否工作在飽和區(qū)需驗證是否工作在飽和區(qū)第83頁/共106頁第八十三頁，共107頁。4.5.2 共柵極共柵極(shn j)放大電路放大電路2. 動態(tài)分析動態(tài)分析)|(LdgsmoRRg vv gsivv 電壓電壓(diny)

52、增益增益)|(LdmioRRgA vvv輸出輸出(shch)(shch)與輸入同相與輸入同相設(shè)設(shè) =0=0sigsmgssiiisRgRivvvv 源電壓增益源電壓增益simLdmso1)|(RgRRgA vvv第84頁/共106頁第八十四頁，共107頁。4.5.2 共柵極共柵極(shn j)放大電路放大電路2. 動態(tài)分析動態(tài)分析輸入電阻輸入電阻mgsmgsiii1ggR vviv與共源電路與共源電路(dinl)(dinl)同相同相輸出電阻輸出電阻輸入電阻遠小于其它輸入電阻遠小于其它(qt)(qt)兩種組兩種組態(tài)態(tài)當當rds Rd 和和 rds Rsi時時Ro Rd第85頁/共106頁第八十五

53、頁，共107頁。4.5.3 MOSFET放大電路三種放大電路三種(sn zhn)組態(tài)組態(tài)的總結(jié)和比較的總結(jié)和比較1. 三種三種(sn zhn)組態(tài)的判斷組態(tài)的判斷柵極始終柵極始終(shzhng)(shzhng)不能做輸出不能做輸出電極電極第86頁/共106頁第八十六頁，共107頁。4.5.3 MOSFET放大電路三種組態(tài)的總結(jié)放大電路三種組態(tài)的總結(jié)(zngji)和比較和比較2. 三種三種(sn zhn)組態(tài)的動態(tài)指標組態(tài)的動態(tài)指標比較比較共源共源共漏共漏共柵共柵電壓電壓(diny)增益增益輸入電阻輸入電阻輸出電阻輸出電阻)|(ddsmRrgA v1)|(1)|(dssmdssm rRgrRgA

54、v)|(LdmRRgA vmi1gR 很高很高很高很高Ro RdRo Rdmdsso1| |grRR 第87頁/共106頁第八十七頁，共107頁。4.8 結(jié)型場效應(yīng)管（結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）及其放大及其放大(fngd)電路電路4.8.1 JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理的結(jié)構(gòu)和工作原理4.8.2 JFET的特性曲線及參數(shù)的特性曲線及參數(shù) 4.8.3 JFET放大放大(fngd)電路的小信電路的小信號模型分析法號模型分析法 第88頁/共106頁第八十八頁，共107頁。4.8.1 JFET的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)(jigu)和工作原理和工作原理1. 結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)(jigu) 第89頁/共106頁第八十九頁，共107頁。

55、4.8.1 JFET的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)(jigu)和工作原理和工作原理2. 工作工作(gngzu)原理原理 vGS對溝道的控制對溝道的控制(kngzh)作用作用當當vGS0時時（以（以N N溝道溝道JFETJFET為例）為例） 當溝道夾斷時，對應(yīng)的柵源電壓當溝道夾斷時，對應(yīng)的柵源電壓vGS稱為稱為夾斷電壓夾斷電壓VP （ 或或VGS(off) ）。）。對于對于N溝道的溝道的JFET，VP 0。PN結(jié)反偏結(jié)反偏耗盡層加厚耗盡層加厚溝道變窄。溝道變窄。 vGS繼續(xù)減小，溝道繼續(xù)變繼續(xù)減小，溝道繼續(xù)變窄。窄。第90頁/共106頁第九十頁，共107頁。4.8.1 JFET的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)(jigu)和工作原理和

56、工作原理 vDS對溝道的控制對溝道的控制(kngzh)作用作用當當vGSGS=0=0時，時， vDS iD g g、d d間間PNPN結(jié)的反向結(jié)的反向(fn (fn xinxin) )電壓增加，使靠近漏電壓增加，使靠近漏極處的耗盡層加寬，溝道變窄，極處的耗盡層加寬，溝道變窄，從上至下呈楔形分布。從上至下呈楔形分布。 當當vDSDS增加到使增加到使vGDGD= =V VP P 時，時，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。此時此時vDS 夾斷區(qū)延長夾斷區(qū)延長溝道電阻溝道電阻 iD基本不變基本不變2. 工作原理工作原理（以（以N N溝道溝道JFETJFET為例）為例）第91頁/共106頁

57、第九十一頁，共107頁。4.8.1 JFET的結(jié)構(gòu)和工作的結(jié)構(gòu)和工作(gngzu)原理原理 vGS vGS和和vDSvDS同時同時(tngsh)(tngsh)作用時作用時當當VP vGS0 時，導(dǎo)電時，導(dǎo)電(dodin)溝道更容易夾斷，溝道更容易夾斷，對于同樣的對于同樣的vDS ， iD的值比的值比vGS=0時的值要小。時的值要小。在預(yù)夾斷處在預(yù)夾斷處vGD=vGS- -vDS =VP 2. 工作原理工作原理（以（以N N溝道溝道JFETJFET為例）為例）第92頁/共106頁第九十二頁，共107頁。綜上分析綜上分析(fnx)(fnx)可可知知 JFET是電壓控制是電壓控制(kngzh)電流器

58、件，電流器件，iD受受vGS控制控制(kngzh)。 預(yù)夾斷預(yù)夾斷(ji dun)前前iD與與vDS呈近似線性關(guān)系；預(yù)夾斷呈近似線性關(guān)系；預(yù)夾斷(ji dun)后，后， iD趨于飽和。趨于飽和。 JFET柵極與溝道間的柵極與溝道間的PN結(jié)是反向偏置的，因此結(jié)是反向偏置的，因此iG 0，輸入電阻，輸入電阻很高。很高。第93頁/共106頁第九十三頁，共107頁。4.8.2 JFET的特性曲線的特性曲線(qxin)及參數(shù)及參數(shù)const.DSDGS)( vvfi2. 轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)移(zhuny)特性特性 const.GSDDS)( vvfi1. 輸出特性輸出特性 2PGSDSSD)1(VIiv (VPvGS0)第94頁/共106頁第九十四頁，共107頁。4.8.2 JFET的特性的特性(txng)曲線及參數(shù)曲線及參數(shù)與與MOSFET類似類似(li s)3. 主要參數(shù)主要參數(shù)第95頁/共106頁第九十五頁，共107頁。4.8.3 JFET放大電路放大電路(dinl)的小信號模型分析的小信號模型分析法法1. JFET小信號小信號(xnho)模型模型第96頁/共106頁第九十六頁，共107頁。4.8.3 JFET放大電路放大電路