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文檔簡介

1、 邏輯模擬 電路模擬 時序分析的作用和必要性 器件模擬 工藝模擬Ch7 模塊化設計 分層分級設計 全定制 標準單元庫 母片 可測性設計 CH61 集成電路設計的特點與分立元件電路的區(qū)別）2 集成電路設計信息描述的方法3 集成電路的基本設計流程4 自頂向下topdown）分層分級設計 由底向上人工版圖設計5 集成電路的設計規(guī)則是什么，有哪兩種方法，對比其特點。6 全定制設計方法 設計反相器的棍形圖、掩模版圖 設計二輸入與非門、或非門的棍形圖7 SC法、BLL法、GA法和可編程邏輯電路設計法的特點以及區(qū)別8 門陣列法GA法） 掌握CMOS門陣列六單元管的結構并設計三輸入與非門、或非門等基本電路V

2、VDDDDV Vssss 共價鍵 離子鍵 金屬鍵 分子鍵Ch5 晶格的種類 缺陷的種類 點缺陷的種類 襯底材料的發(fā)展化學氣相淀積CVD外延正膠與負膠 鉆蝕 替位式擴散和間隙式擴散 退火 Ch41 比較常見的三種光刻方法的優(yōu)缺點及適用范圍。2 集成電路制造工藝中制備二氧化硅最常用的兩類方法是什么，分別適用于制備那種類型六種的二氧化硅層。3 MOS集成電路標準場氧化隔離、局域氧化隔離和開槽回填隔離工藝。4 CVD的常用方法有哪些？CVD方法能制備哪些薄膜5 MOS集成電路的工藝流程6比較三種常用的干法刻蝕1常用的三種MOS管的柵極工藝是什么,比較其優(yōu)缺點？2用和構成的開關、反相器有什么區(qū)別？3熟練掌握構成反相器、邏輯門與非、或非的電路圖4存儲器的種類CH3電子與空穴施主雜質與受主雜質平均漂移速度雪崩擊穿與隧道擊穿MIS結構閾值電壓Ch2 1 畫出PN結的結構圖標出各區(qū)域的位置及其自建場的方向，決定PN結單向導電的兩個效應是什么，簡述它們的物理原因。2 簡述正向PN結電流的傳輸與轉換的過程，這個過程的特點是什么。3 雙極型晶體管npn管的基本結構是什么，畫出它正常工作的偏置情況，

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