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文檔簡介

1、 邏輯模擬 電路模擬 時(shí)序分析的作用和必要性 器件模擬 工藝模擬Ch7 模塊化設(shè)計(jì) 分層分級(jí)設(shè)計(jì) 全定制 標(biāo)準(zhǔn)單元庫 母片 可測性設(shè)計(jì) CH61 集成電路設(shè)計(jì)的特點(diǎn)與分立元件電路的區(qū)別）2 集成電路設(shè)計(jì)信息描述的方法3 集成電路的基本設(shè)計(jì)流程4 自頂向下topdown）分層分級(jí)設(shè)計(jì) 由底向上人工版圖設(shè)計(jì)5 集成電路的設(shè)計(jì)規(guī)則是什么，有哪兩種方法，對(duì)比其特點(diǎn)。6 全定制設(shè)計(jì)方法 設(shè)計(jì)反相器的棍形圖、掩模版圖 設(shè)計(jì)二輸入與非門、或非門的棍形圖7 SC法、BLL法、GA法和可編程邏輯電路設(shè)計(jì)法的特點(diǎn)以及區(qū)別8 門陣列法GA法） 掌握CMOS門陣列六單元管的結(jié)構(gòu)并設(shè)計(jì)三輸入與非門、或非門等基本電路V

2、VDDDDV Vssss 共價(jià)鍵 離子鍵 金屬鍵 分子鍵Ch5 晶格的種類 缺陷的種類 點(diǎn)缺陷的種類 襯底材料的發(fā)展化學(xué)氣相淀積CVD外延正膠與負(fù)膠 鉆蝕 替位式擴(kuò)散和間隙式擴(kuò)散 退火 Ch41 比較常見的三種光刻方法的優(yōu)缺點(diǎn)及適用范圍。2 集成電路制造工藝中制備二氧化硅最常用的兩類方法是什么，分別適用于制備那種類型六種的二氧化硅層。3 MOS集成電路標(biāo)準(zhǔn)場氧化隔離、局域氧化隔離和開槽回填隔離工藝。4 CVD的常用方法有哪些？CVD方法能制備哪些薄膜5 MOS集成電路的工藝流程6比較三種常用的干法刻蝕1常用的三種MOS管的柵極工藝是什么,比較其優(yōu)缺點(diǎn)？2用和構(gòu)成的開關(guān)、反相器有什么區(qū)別？3熟練掌握構(gòu)成反相器、邏輯門與非、或非的電路圖4存儲(chǔ)器的種類CH3電子與空穴施主雜質(zhì)與受主雜質(zhì)平均漂移速度雪崩擊穿與隧道擊穿MIS結(jié)構(gòu)閾值電壓Ch2 1 畫出PN結(jié)的結(jié)構(gòu)圖標(biāo)出各區(qū)域的位置及其自建場的方向，決定PN結(jié)單向?qū)щ姷膬蓚€(gè)效應(yīng)是什么，簡述它們的物理原因。2 簡述正向PN結(jié)電流的傳輸與轉(zhuǎn)換的過程，這個(gè)過程的特點(diǎn)是什么。3 雙極型晶體管npn管的基本結(jié)構(gòu)是什么，畫出它正常工作的偏置情況，

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