電力電子技術(shù)的重要作用WORD

1、文檔可能無法思考全面，請(qǐng)瀏覽后下載! 1 電力電子技術(shù)的重要作用電力電子是國(guó)民經(jīng)濟(jì)和國(guó)家安全領(lǐng)域的重要支撐技術(shù)。它是工業(yè)化和信息化融合的重要手段，它將各種能源高效率地變換成為高質(zhì)量的電能，將電子信息技術(shù)和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)相融合的有效技術(shù)途徑。同時(shí)，還是實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保和提高人民生活質(zhì)量的重要技術(shù)手段，在執(zhí)行當(dāng)前國(guó)家節(jié)能減排、發(fā)展新能源、實(shí)現(xiàn)低碳經(jīng)濟(jì)的基本國(guó)策中起著重要的作用。電力電子器件在電力電子技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用和市場(chǎng)中起著決定性的作用，是節(jié)能減排、可再生能源產(chǎn)業(yè)的“綠色的芯”。電力電子半導(dǎo)體器件是伴隨著以硅為基礎(chǔ)的微電子技術(shù)一起發(fā)展的。在上世紀(jì)五十到六十年代，微電子的基本技術(shù)得到了完善，而功率晶體管和晶閘

2、管則主導(dǎo)了電能變換的應(yīng)用。從七十年代到八十年代，功率MOS技術(shù)得到了迅速發(fā)展并在很大程度上取代了功率晶體管。基于MOS技術(shù)的IGBT器件開始出現(xiàn)，并研發(fā)出CoolMOS。九十年代初以后，主要的研發(fā)力量集中在對(duì)IGBT器件性能的提高和完善。到了本世紀(jì)初，經(jīng)過了若干代的連續(xù)發(fā)展，以德國(guó)英飛凌、瑞士ABB、美國(guó)國(guó)際整流器公司（IR）、日本東芝和富士等大公司為代表的電力電子器件產(chǎn)業(yè)已經(jīng)擁有了趨于完美的IGBT技術(shù)，產(chǎn)品的電壓覆蓋300V到6.5kV范圍。電力電子器件與相關(guān)技術(shù)包括：（1）功率二極管；（2）晶閘管；（3）電力晶體管；（4）功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）；（5）絕緣柵雙極型晶體管（IGB

3、T）；（6）復(fù)合型電力電子器件；（7）電力電子智能模塊（IPM）和功率集成芯片（Power IC）；（8）碳化硅和氮化鎵功率器件；（9）功率無源元件；（10）功率模塊的封裝技術(shù)、熱管技術(shù)；（11）串并聯(lián)、驅(qū)動(dòng)、保護(hù)技術(shù)。2 電力電子技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)2.1電力電子器件發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要方向：（1）高頻化、集成化、標(biāo)準(zhǔn)模塊化、智能化、大功率化；（2）新型電力電子器件結(jié)構(gòu)：CoolMOS，新型IGBT ；（3）新型半導(dǎo)體材料的電力電子器件：碳化硅、氮化鎵電力電子器件。2.2 電力電子裝置、應(yīng)用的現(xiàn)狀和趨勢(shì)（1）在新能源和電力系統(tǒng)中的應(yīng)用電力系統(tǒng)是電力電子技術(shù)應(yīng)用中最重要和最有

4、潛力的市場(chǎng)領(lǐng)域，電力電子技術(shù)在電能的發(fā)生、輸送、分配和使用的全過程都得到了廣泛而重要的應(yīng)用。從用電角度來說，要利用電力電子技術(shù)進(jìn)行節(jié)能技術(shù)改造，提高用電效率；從發(fā)、輸配電角度來說，必須利用電力電子技術(shù)提高發(fā)電效率和提高輸配電質(zhì)量。（2）在軌道交通和電動(dòng)汽車中的應(yīng)用電力電子技術(shù)在軌道交通牽引系統(tǒng)中的應(yīng)用主要分為三個(gè)方面：主傳動(dòng)系統(tǒng)、輔助傳動(dòng)系統(tǒng)、控制與輔助系統(tǒng)中的穩(wěn)壓電源。在電力電子技術(shù)的帶動(dòng)下，電傳動(dòng)系統(tǒng)由直流傳動(dòng)走向現(xiàn)代交流傳動(dòng)。電力電子器件容量和性能的提高、封裝形式的改進(jìn)，以及功能單元的模塊化設(shè)計(jì)技術(shù)促進(jìn)了傳動(dòng)系統(tǒng)裝置的簡(jiǎn)約化，促進(jìn)牽引電傳動(dòng)系統(tǒng)、輔助系統(tǒng)和控制與輔助電流穩(wěn)壓電源的發(fā)展。6

5、 / 7（3）工業(yè)電機(jī)節(jié)能應(yīng)用電動(dòng)機(jī)作為電能最大的消費(fèi)載體，具有很大的節(jié)電潛力。我國(guó)“十五”和“十一五”計(jì)劃都將電機(jī)系統(tǒng)節(jié)能列為節(jié)能的重點(diǎn)項(xiàng)目。而隨著電力電子技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)、自動(dòng)控制技術(shù)的迅速發(fā)展，電氣傳動(dòng)技術(shù)面臨著一場(chǎng)歷史革命，即交流調(diào)速取代直流調(diào)速、計(jì)算機(jī)數(shù)字控制技術(shù)取代模擬控制。（4）在消費(fèi)類電子中的應(yīng)用電力電子技術(shù)在消費(fèi)類電子中的應(yīng)用主要集中于各類家電中電機(jī)的驅(qū)動(dòng)、感應(yīng)加熱、照明驅(qū)動(dòng)和各類個(gè)人電子用品電源管理，家用電器依托變頻技術(shù)，主要瞄準(zhǔn)高功能和省電。（5）在國(guó)防軍工中的應(yīng)用電力電子技術(shù)及電力電子裝置已日益廣泛地應(yīng)用和滲透到能源、環(huán)境、制造業(yè)、交通運(yùn)輸業(yè)中，特別是與國(guó)家安全和國(guó)防有

6、關(guān)的先進(jìn)能源技術(shù)、激光技術(shù)、空天技術(shù)、高檔數(shù)控機(jī)床與基礎(chǔ)制造技術(shù)等許多重要領(lǐng)域，電力電子技術(shù)是關(guān)系到上述領(lǐng)域中的核心技術(shù)所在。電力電子在現(xiàn)代化國(guó)防中得到越來越廣泛的應(yīng)用，所有現(xiàn)代國(guó)防裝備的特種供電電源、電力驅(qū)動(dòng)、推進(jìn)、控制等均涉及到電力電子核心技術(shù)。2.3電力電子技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)（1）下一代電力電子裝置的變換效率將有極大的提高，采用碳化硅器件的裝置的效率將從現(xiàn)有硅器件的8590%提升到99%，體積減小到1/51/20。（2）下一代電力電子器件的裝置將開拓全新的應(yīng)用領(lǐng)域，極大地拓展電力電子技術(shù)的影響，諸如進(jìn)入輸電系統(tǒng)、實(shí)現(xiàn)智能電網(wǎng)等。3 我國(guó)電力電子行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與機(jī)遇3.1我國(guó)電力電子器件的市場(chǎng)現(xiàn)狀

7、和趨勢(shì)（1）從20052008年我國(guó)電力電子市場(chǎng)的增長(zhǎng)率平均為23%，到2008年電力電子器件的市場(chǎng)銷售額達(dá)1016.2億人民幣。（2）隨著我國(guó)特高壓直流輸電、高壓變頻、交流傳動(dòng)機(jī)車/動(dòng)車組、城市軌道交通、電動(dòng)汽車等技術(shù)的發(fā)展和市場(chǎng)需求的增加，對(duì)超大功率晶閘管、IGCT、IGBT的需求非常緊迫，而且需求量非常大。（3）從2010年到2020年全球IGBT市場(chǎng)將繼續(xù)保持年均20%左右的增長(zhǎng)速度。我國(guó)IGBT的市場(chǎng)規(guī)模，2010年是的55億元人民幣，預(yù)計(jì)2015年將增加到137億元人民幣， 2020年將達(dá)到341億元人民幣。3.2我國(guó)電力電子器件行業(yè)與國(guó)外的差距（1）高頻場(chǎng)控電力電子器件的市場(chǎng)基本

8、上被國(guó)外壟斷。（2）電力電子器件的生產(chǎn)受到國(guó)外競(jìng)爭(zhēng)。（3）電力電子器件的中、高端芯片的研發(fā)和生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)還有待突破。（4）電力電子器件芯片的生產(chǎn)線有待完善和提高。（5）新型電力電子器件生產(chǎn)的產(chǎn)業(yè)鏈還未形成。3.3我國(guó)電力電子裝置的發(fā)展現(xiàn)狀與分析（1）變頻器技術(shù)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上的變頻器廠家有300多家。活躍在我國(guó)市場(chǎng)上的國(guó)產(chǎn)品牌占70%左右，但市場(chǎng)份額僅占25%。目前，高壓變頻器的主要市場(chǎng)為內(nèi)資企業(yè)占有，中低壓變頻器市場(chǎng)主要被外資占有。（2）軌道交通中的應(yīng)用目前我國(guó)高鐵運(yùn)營(yíng)里程和運(yùn)行速度均為世界第一，但核心的電力電子器件如IGBT均為進(jìn)口產(chǎn)品。（3）直流輸電技術(shù)國(guó)內(nèi)直流輸電技術(shù)有了跨越式的進(jìn)步，輸送

9、電能容量有了很大的提升。高壓直流輸電是現(xiàn)今世界上先進(jìn)的輸變電技術(shù)，目前國(guó)內(nèi)直流輸電市場(chǎng)主要以±500kV超高壓直流輸電工程和±800kV特高壓直流輸電工程為主，直流輸電的核心設(shè)備國(guó)產(chǎn)晶閘管換流閥已獲得成功的應(yīng)用。（4）無功補(bǔ)償技術(shù)無功補(bǔ)償技術(shù)是電力電子大家族的重要成員，其中SVC（靜止無功補(bǔ)償器）是無功補(bǔ)償裝備的代表產(chǎn)品。目前，我國(guó)已經(jīng)完全掌握了SVC設(shè)計(jì)制造的核心技術(shù)，徹底實(shí)現(xiàn)了SVC的全面國(guó)產(chǎn)化，并已成為國(guó)際上最大的SVC設(shè)計(jì)制造國(guó)。（5）新能源中的應(yīng)用在當(dāng)前國(guó)家啟動(dòng)的發(fā)展新能源的戰(zhàn)略規(guī)劃中，將太陽(yáng)能、熱泵、水電、風(fēng)電、生物質(zhì)能、交通可替代能源、綠色建筑、新能源裝備制造

10、業(yè)、對(duì)外投資新能源發(fā)電等列為我國(guó)新能源發(fā)展的重點(diǎn)領(lǐng)域。我國(guó)將重點(diǎn)打造十大新能源工程。（6）國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策的扶持“十一五”期間，國(guó)家發(fā)改委啟動(dòng)了支持新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，第一批完成了對(duì)國(guó)內(nèi)眾多電力電子（包括IGBT）芯片和模塊企業(yè)的支持，培育了一大批功率電子的研發(fā)骨干企業(yè)。在“十二五”即將到來之際，國(guó)家發(fā)改委和工信部又發(fā)布了支持電力電子器件研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的眾多專項(xiàng)支持計(jì)劃，對(duì)IGBT的支持也首次寫進(jìn)了國(guó)務(wù)院牽頭、科技部組織的國(guó)家科技重大專項(xiàng)“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”，明確了國(guó)家對(duì)IGBT芯片研發(fā)、制造工藝、模塊封裝、制造裝備和材料全面支持。（7）全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移趨勢(shì)全球功率半

11、導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移趨勢(shì)促進(jìn)了我國(guó)電力電子器件需求的增長(zhǎng)和技術(shù)的進(jìn)步。目前，全球領(lǐng)先的制造商全力發(fā)展微電子半導(dǎo)體，而將大功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)向新興市場(chǎng)國(guó)家特別是中國(guó)轉(zhuǎn)移，主要表現(xiàn)為：制造轉(zhuǎn)移、采購(gòu)轉(zhuǎn)移、技術(shù)轉(zhuǎn)移。（8）下一代寬禁帶電力電子器件發(fā)展的機(jī)遇我國(guó)正面對(duì)著一個(gè)發(fā)展高功率碳化硅電力電子器件、實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展并迅速趕上以致超越西方國(guó)家的絕好機(jī)遇。在這樣一個(gè)迅速發(fā)展的領(lǐng)域，我國(guó)的電力電子產(chǎn)學(xué)研機(jī)構(gòu)急需進(jìn)行大量的基礎(chǔ)性研究工作，鞏固和發(fā)展科研隊(duì)伍，加強(qiáng)在國(guó)際上的影響，為發(fā)展高功率碳化硅電力電子器件奠定良好的基礎(chǔ)。高功率碳化硅電力電子器件的發(fā)展目標(biāo)，旨在滿足國(guó)家當(dāng)前在節(jié)能減排、開發(fā)新能源、傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型以及軍

12、事安全等領(lǐng)域的迫切需求，同時(shí)瞄準(zhǔn)國(guó)際發(fā)展前沿，實(shí)現(xiàn)高功率碳化硅電力電子器件的基礎(chǔ)理論創(chuàng)新、設(shè)計(jì)方法創(chuàng)新和系統(tǒng)分析創(chuàng)新。4 我國(guó)電力電子行業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃4.1編制原則我國(guó)電力電子產(chǎn)業(yè)化，要以科學(xué)發(fā)展觀為指導(dǎo)，圍繞我國(guó)低碳經(jīng)濟(jì)發(fā)展的重大戰(zhàn)略需求，瞄準(zhǔn)節(jié)能減排、發(fā)展新能源和培育新興戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用，充分發(fā)揮巨大的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求，堅(jiān)持“政府推動(dòng)、市場(chǎng)主導(dǎo)，自主創(chuàng)新、廣泛合作，整合資源、重點(diǎn)突破，立足國(guó)情、跨越發(fā)展”的原則，抓住機(jī)遇推動(dòng)電力電子器件產(chǎn)業(yè)化，優(yōu)化我國(guó)電力電子產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，為國(guó)家低碳經(jīng)濟(jì)發(fā)展做出貢獻(xiàn)。4.2 發(fā)展目標(biāo)（1）高頻場(chǎng)控電力電子器件和裝置產(chǎn)業(yè)（a）大力推進(jìn)IGBT、MOSFET、FRD等高

13、頻場(chǎng)控電力電子芯片和模塊的產(chǎn)業(yè)化，成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的芯片設(shè)計(jì)、制造和封裝技術(shù)，掌握溝糟型、電場(chǎng)中止型的NPT型IGBT的設(shè)計(jì)及制造技術(shù)，包括結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、可靠性設(shè)計(jì)，以及光刻、刻蝕、表面鈍化、背面研磨、背面離子注入、背面金屬化、測(cè)試等工藝技術(shù)，提高產(chǎn)品檔次。盡快形成芯片和器件的規(guī)模化生產(chǎn)。（b）在芯片工作的基礎(chǔ)上，加速并擴(kuò)大采用上述國(guó)產(chǎn)芯片各類模塊的產(chǎn)業(yè)化：為滿足電機(jī)節(jié)能、冶金、新能源、輸變電、汽車電子、軌道交通等領(lǐng)域?qū)β誓K的實(shí)際需求，實(shí)現(xiàn)采用自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的芯片和功率模塊產(chǎn)業(yè)化，確保國(guó)產(chǎn)芯片達(dá)30%。除了大功率模塊之外，還應(yīng)該開發(fā)智能功率模塊（IPM）和用戶專用功率模塊（ASPM）等，重點(diǎn)解

14、決模塊制造中的散熱關(guān)鍵技術(shù)、電磁兼容（EMC）技術(shù)和智能功率模塊的驅(qū)動(dòng)及保護(hù)技術(shù)等。（c）形成高端功率集成電路（PIC）產(chǎn)業(yè)，包括功率MOS智能開關(guān)，電源管理電路（20V到700V，功率達(dá)到1000W）、半橋或全橋逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器（三相全橋電路的集成，功率達(dá)到1000W，用于空調(diào)等應(yīng)用中）、PWM專用SPIC、集成穩(wěn)壓器等產(chǎn)品和產(chǎn)業(yè)，力爭(zhēng)在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)中占據(jù)20%以上的市場(chǎng)份額。（d）形成高頻場(chǎng)控電力電子器件生產(chǎn)的原材料及配套件的產(chǎn)業(yè)化：重點(diǎn)解決高阻區(qū)熔硅單晶（電阻率達(dá)到200cm以上、單晶直徑達(dá)8英寸）、陶瓷復(fù)銅板、鋁碳化硅基板、結(jié)構(gòu)件等的制造技術(shù)和提高產(chǎn)品質(zhì)量，滿足規(guī)模生產(chǎn)的需求。（e） 建

15、立國(guó)家級(jí)的高頻場(chǎng)控電力電子器件的測(cè)試平臺(tái)，制定和完善電力電子器件標(biāo)準(zhǔn)。（f）鼓勵(lì)和促進(jìn)國(guó)產(chǎn)高頻場(chǎng)控電力電子器件的應(yīng)用，使器件的制造和應(yīng)用相互促進(jìn)推進(jìn)我國(guó)的電力電子技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，確保國(guó)產(chǎn)高頻場(chǎng)控器件的市場(chǎng)占有率2030%。（g）鼓勵(lì)推廣采用自主技術(shù)芯片、器件和功率模塊的應(yīng)用裝置產(chǎn)業(yè)化，包括變頻裝置逆變裝置、感應(yīng)加熱裝置、無功補(bǔ)償、有源濾波、通信（網(wǎng)絡(luò)）電源等，使國(guó)產(chǎn)化的電力電子器件在國(guó)產(chǎn)裝置中所占比重提高到2030%。（h）在各應(yīng)用領(lǐng)域培育使用國(guó)產(chǎn)高頻場(chǎng)控器件的重點(diǎn)企業(yè)，給予政策性支持，開展國(guó)產(chǎn)化的示范應(yīng)用。在軌道交通、新能源汽車、電機(jī)節(jié)能、綠色電源、消費(fèi)電子等領(lǐng)域培育重點(diǎn)，樹立典型，發(fā)揮示

16、范作用，帶動(dòng)和推廣國(guó)產(chǎn)器件的應(yīng)用。“十二五”期間，國(guó)產(chǎn)IGBT在國(guó)內(nèi)總銷售額爭(zhēng)取達(dá)到2030%，培育510家在國(guó)內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)銷售額過億元的企業(yè)；形成商業(yè)化的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。預(yù)計(jì)2015年IGBT的銷售收入25億元，帶動(dòng)電力電子裝置規(guī)模達(dá)到500億元1370億元左右。（2）寬禁帶半導(dǎo)體材料和電力電子器件的研發(fā)我國(guó)在該領(lǐng)域還未開展研發(fā)，為此要積極開展碳化硅材料和器件的科研，掌握碳化硅材料和電力電子器件關(guān)鍵的設(shè)計(jì)優(yōu)化、制造工藝和封裝基本技術(shù)，建立自主的下一代電力電子器件的研發(fā)能力和產(chǎn)業(yè)化的基礎(chǔ)。爭(zhēng)取在“十二五”期間，達(dá)到以下目標(biāo)：（a）研發(fā)出4英寸的具有器件制造質(zhì)量的碳化硅單晶襯底；（b）建立60微米以

17、上的高電阻率碳化硅外延能力；（c）研制出5000V以上的碳化硅二極管和碳化硅晶體管芯片；（d）研制出40A以上的碳化硅二極管、20A以上的碳化硅晶體管芯片，（e）研制出400A以上的碳化硅二極管模塊，200A以上的碳化硅晶體管模塊。（3）電力電子裝置“十二五”期間，電力電子裝置及應(yīng)用方面的目標(biāo)則是重點(diǎn)解決目前新能源開發(fā)、軌道交通、電動(dòng)汽車、電力系統(tǒng)、消費(fèi)電子、國(guó)防應(yīng)用中急需的各種不同容量、高功率密度、高性能的電力電子裝置，研究和開發(fā)各應(yīng)用領(lǐng)域中電力電子裝置與節(jié)能關(guān)鍵技術(shù)，并實(shí)現(xiàn)完整的相應(yīng)產(chǎn)業(yè)鏈。建議在發(fā)展布局、支持原則、優(yōu)先發(fā)展重點(diǎn)以及實(shí)施措施上考慮以下幾點(diǎn)：（a）形成電力電子裝置生產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈；

18、（b）建立公共的電力電子裝置檢測(cè)試驗(yàn)平臺(tái)；（c）產(chǎn)業(yè)化中的關(guān)鍵技術(shù)問題研究；（d）電力電子裝置的專用應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)研究；（e）建議重點(diǎn)開發(fā)的產(chǎn)品和相關(guān)技術(shù)研究：* 高壓大功率電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速系統(tǒng)；* 大功率風(fēng)力發(fā)電并網(wǎng)變頻器；* 大功率光伏發(fā)電并網(wǎng)變流器；* 新能源混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車用變流器；* 軋鋼系統(tǒng)專用變頻器；* 特高壓直流換流閥暫態(tài)仿真模型的建立；* 換流閥高電位整體屏蔽和屏蔽性能的研究；* 特高壓直流換流閥的絕緣配合、局部放電水平的控制與抑制技術(shù)；* 特高壓直流換流閥關(guān)鍵器件的開發(fā)研制；* 特高壓直流換流閥冷卻水路、高壓光纜、光纜槽布局及材料防老化措施的研究；* 特高壓直流輸電換流閥型式試驗(yàn)

19、規(guī)范的研究；* 實(shí)現(xiàn)±800kV特高壓直流輸電換流閥產(chǎn)業(yè)化，研制±1000kV特高壓直流輸電換流閥；* 時(shí)速300350公里高速鐵路和大功率電力機(jī)車用變流器核心控制技術(shù)的研究和開發(fā)、消化吸收、再創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化生產(chǎn)；* 兆瓦級(jí)（1.5兆瓦5兆瓦）風(fēng)力發(fā)電機(jī)用變頻器實(shí)現(xiàn)低電壓穿越技術(shù)的研發(fā)及突破高壓（1700V6500V）大功率IGBT芯片工藝開發(fā)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化生產(chǎn)；* MW級(jí)雙饋式風(fēng)電機(jī)組變流器；* MW級(jí)直驅(qū)式風(fēng)電機(jī)組變流器；* 風(fēng)力發(fā)電機(jī)組變漿控制系統(tǒng)；* 采用電力電子變換器裝置實(shí)現(xiàn)變速恒頻雙饋風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)；* 采用電力電子變換裝置為風(fēng)力發(fā)電機(jī)提供無功控制；* 靜止無

20、功補(bǔ)償裝置（SVC）支持交流風(fēng)電輸電的無功補(bǔ)償；* 基于電壓源換流器（VSC）技術(shù)的風(fēng)電直流輸電（HVDC light）；* 風(fēng)電交流并網(wǎng)控制；* 風(fēng)電電能存儲(chǔ)和送變；* 二極管箝位多電平逆變器；* 空間矢量調(diào)制（SVM）技術(shù)；* 電流源型變頻器技術(shù)；* 高性能傳動(dòng)控制技術(shù)；* 模塊化多電平變流器研究；* MMC模塊的底層開關(guān)控制策略與上層無功功率、有功功率及電流跟蹤控制策略的研究；* 新材料的研究、開發(fā)。（4）研究團(tuán)隊(duì)和人才培養(yǎng)“十二五”期間，培養(yǎng)具有良好的研究基礎(chǔ)和較高水平的電力電子技術(shù)研究團(tuán)隊(duì)，在IGBT器件產(chǎn)業(yè)化、下一代寬禁帶碳化硅電力電子器件及其相應(yīng)的電力電子裝置的研發(fā)設(shè)計(jì)，使其具有一定國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。培養(yǎng)造就規(guī)模宏大、結(jié)構(gòu)優(yōu)化、布局合理、素質(zhì)優(yōu)良的人才隊(duì)伍，努力實(shí)現(xiàn)人才資源穩(wěn)步增長(zhǎng)、隊(duì)伍規(guī)模不斷壯大。人才素質(zhì)大幅度提高。人才結(jié)構(gòu)進(jìn)一步優(yōu)化，人才競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)明顯增強(qiáng)，競(jìng)爭(zhēng)力不斷提升。4.3 我國(guó)電力電子行業(yè)發(fā)展的措施和建議（1）建議采用重點(diǎn)支持的原則，把電力電子技術(shù)的發(fā)展列入國(guó)家中長(zhǎng)期發(fā)展規(guī)劃，進(jìn)行持續(xù)的、分階段的支持；并且，在國(guó)家政策方面進(jìn)行的扶持，基于以下兩個(gè)原則：（a）重視電力電子技術(shù)在我國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)防科技中的重要作用，把電力