半導(dǎo)體制造技術(shù)總結(jié)

1、半導(dǎo)體制造技術(shù)總結(jié)第一章出器件。8 / 52、 列出20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開展做出奉獻(xiàn)的4種 不同產(chǎn)業(yè)。P2答：真空管電子學(xué)、無線電通信、機(jī)械制表機(jī)及固體物理。3、 什么時間、什么地點、由誰創(chuàng)造了固體晶體管？P3 答：1947年12月16日在貝爾 實驗室由威廉肖克利、 約翰巴丁和沃爾特布拉頓創(chuàng)造了固體晶體管。5、列出5個集成時代，指出每個時代的時間段，并給出每個時代每個芯片上的元件數(shù)。P46、什么是硅片？什么是襯底？什么是芯片？答：芯片也稱為管芯單數(shù)和復(fù)數(shù)芯片或集成電路，硅圓片通常被稱為襯底8列出集成電路制造的 5個重要步驟，簡要描述每個步驟。P410、 列出提高微芯片制造技術(shù)相關(guān)的三個重

2、要趨勢，簡要 描述每個趨勢。P811、 什么是芯片的關(guān)鍵尺寸？這種尺寸為何重要？P913、什么是摩爾定律？它預(yù)測了什么？這個定律正確嗎？P1014、自1947年以來靠什么因素使芯片價格降低？給出這 種變化的兩個原因。16、描述硅片技師和設(shè)備技師的職責(zé)。P16AVV*第三早11. 解釋pn結(jié)反偏時發(fā)生的情況。P45答：導(dǎo)致通過二極管的電流很小，甚至沒有電流。12. 解釋pn結(jié)正偏時發(fā)生的情況。 P45答：將一正偏施加于 pn結(jié)，電路中n區(qū)電子從偏壓電源 負(fù)極被排斥。多余的電子從負(fù)極注入到充滿空穴的p區(qū)，使n區(qū)中留下電子的空穴。同時，p區(qū)的空穴從偏壓電源正極被排斥。由偏壓電源正極提供的空穴中和由偏

3、壓電源 負(fù)極提供的電子。空穴和電子在結(jié)區(qū)復(fù)合以及克制勢壘電 壓大大的減小了阻止電流的行為。只要偏壓對二極管能維 持一個固定的空穴和電子注入，電流就將持續(xù)的通過電 路。13. 雙極晶體管有多少個電極、結(jié)和類型？電極的名稱分別是什么？類型名稱分別是什么？P46答：有三電極和兩個 pn結(jié)、兩種類型。電極名稱：發(fā)射 極、基極、集電極。類型名稱：pnp、npn.16. BJT是什么類型的放大器器件？它是怎么根據(jù)能量要 求影響它的應(yīng)用的？ P47答：驅(qū)動電流的電流放大器件。發(fā)射極和集電極都是 n型的重?fù)诫s，比方砷或磷?；鶚O是p型雜質(zhì)硼的輕摻雜?；?極載流子減少，基極吸引的電流將明顯地比集電極吸引的 電流小

4、。這種差異說明了晶體管從輸入到輸出電流的增 益。晶體管能線性地將小的輸入信號放大幾百倍來驅(qū)動輸18. 雙極技術(shù)有什么顯著特征？雙極技術(shù)的最大缺陷是什么？ P48答：高速、耐久性、功率控制能力。缺陷：功耗高。19. 場效應(yīng)晶體管FET有什么優(yōu)點？ P49答：利于提高集成度和節(jié)省電能。22. FET的最大優(yōu)勢是什么？ P49答：低電壓和低功耗。25. FET的兩種根本類型是什么？他們之間的主要區(qū)別是 什么？ P50答：結(jié)型JFET和金屬-氧化物型MOSFET丨半導(dǎo)體。 區(qū)別是：MOSFET作為場效應(yīng)晶體管輸入端的柵極由一 層薄介質(zhì)與晶體管的其他兩極絕緣。JFET的柵極實際上同晶體管其他電極形成物理

5、的pn結(jié)。26. MOSFET有哪兩種類型？它們怎么區(qū)分？P50答：nMOS（n溝道）和pMOSp溝道。每種類型可由各 自器件的多數(shù)載流子來區(qū)分。第四章1列舉得到半導(dǎo)體級硅的三個步驟。半導(dǎo)體級硅有多純？P644. 描述非晶材料。為什么這種硅不能用于硅片？P659為什么要用單晶進(jìn)展硅片制造？P6714什么是CZ單晶生長法？ P6822. 為什么要用區(qū)熔法生長硅晶體？P7123. 描述區(qū)熔法。P7125. 給出更大直徑硅片的三大好處。P7226什么是晶體缺陷？ P73200mm及以上硅片中切片是怎么進(jìn)展的？P7741. 為什么要對硅片外表進(jìn)展化學(xué)機(jī)械平坦化？P7843.列舉硅片的7種質(zhì)量要求。P7

6、9第五章I. 什么是物質(zhì)的四種形態(tài)？試分別描述之。P876.描述三種溫標(biāo)，哪一種是科學(xué)工作中最常用的溫標(biāo)？P898. 給出真空的定義。什么是最常用的真空單位，它是怎么定義的？ P919. 給出冷凝和蒸發(fā)的定義。吸收和吸附之間有什么不同？P91-92II. 給出升華和凝華的定義。P9213. 什么是外表張力？ P9314. 給出材料的熱膨脹系數(shù) P94。20. 什么是酸？列出在硅片廠中常用的三種酸。P9521. 什么是堿？列出在硅片廠中常用的三種堿。P9623. 什么是溶劑？列出在硅片廠中常用的三種溶劑。P9724. 描述在硅片廠中使用的去離子水的概念。P9731. 什么是處理特殊氣體所面臨的最

7、大挑戰(zhàn)？P9938描述三種特殊氣體并分別舉例。P1014說明五類凈化間沾污。P1076解釋半導(dǎo)體制造中可以承受的顆粒尺寸的粗略規(guī)那么。P1089什么是 MIC?P10913解釋自然氧化層。識別由自然氧化層引起的三種問題。P11015. 給出在硅片制造中由 ESD引起的三種問題。P11116列舉硅片制造廠房中 7種沾污源。P11230. 列舉并解釋ESD的三種控制方法。 P11734. 描述反滲透（RO）過濾。什么是超過濾？P11939. 列舉并討論四類過濾器。P12142. 描述工藝氣體的過濾。P12149. 描述微環(huán)境，解釋為何這種環(huán)境在凈化間內(nèi)改善了沾污控制。P12553. 描述RCA清洗

8、工藝。P12661.列出典型的硅片濕法清洗順序。什么是清洗槽？P127第七章1. 什么是測量學(xué)？集成電路制造中測量學(xué)的目的是什么？ P1402. 缺陷的定義。硅片缺陷密度是怎樣定義的？P1406.半導(dǎo)體質(zhì)量測量的定義。列出在集成電路制造中12種不同的質(zhì)量測量。陳述使用不同質(zhì)量測量的工藝。P14210. 解釋四探針法，并給出測方塊電阻四探針法的優(yōu)點。P144-14512. 解釋等值線圖。P14513. 解釋橢偏儀的根本原理。用橢偏儀測薄膜厚度有哪些優(yōu)點？ P145-14617.用X射線怎樣測薄膜厚度？ XRF是什么的縮寫。什么是全反射XRF?P14724. 什么是亮場探測？什么是暗場探測？P15

9、128. 解釋什么是每步每片上的顆粒數(shù)PWP。P15329. 哪些是硅片關(guān)鍵尺寸的主要測量工具。P15430. 解釋SEM的主要操作。P15433.什么是套準(zhǔn)精度？陳述并解釋測量套準(zhǔn)精度的主要技術(shù)。P15636.描述二次離子質(zhì)譜儀SMIS。P160原子加力顯微鏡。P16241. 解釋透射電子能顯微鏡。P16343. 描述聚焦離子束加工并解釋它的好處。P165第八章1 什么是工藝腔？它的五項功能是什么？P1714 半導(dǎo)體制造業(yè)中的真空由有什么優(yōu)點？P1737 .什么是平均自由程？為什么它很重要？P17312 描述冷凝泵的原理，并解釋其過程。P17616. 列出氣流控制中 4個根本的對工藝腔的要求

10、。P17819. 質(zhì)量流量計的原理是什么？P17823. 什么是等離子體？它對工藝腔有什么益處？P18127 為什么潮濕是工藝腔的一大問題.P18328. 列出減少設(shè)備維修中的沾污的必要步驟。P184第九章I. 列出芯片廠中6個不同的生產(chǎn)區(qū)域并對每一個區(qū)域做簡單的描述。P188-1893 .舉出在高溫設(shè)備中進(jìn)展的5步工藝。P1894 .光刻的目的是什么？P189II. 舉出薄膜區(qū)用到的 4種不同的設(shè)備和工藝。P19113. 列出典型的CMOS工藝的14個主要生產(chǎn)步驟。P19217. 離子注入后進(jìn)展退火工藝的原因是什么？P19419.什么是淺槽隔離？它取代了什么工藝？P19425 .輕摻雜漏LD

11、D注入是如何減少溝道漏電流效應(yīng)的？P19726. 解釋側(cè)墻的目的。P19829. 什么是局部互連？P20031 .什么是通孔？什么是鎢塞？P201第十章I. 生長氧化層與淀積氧化層間的區(qū)別是什么？P2103 .熱預(yù)算的定義，解釋為什么其不受歡送。P211II. 列出熱氧化物在硅片制造的6種用途，并給出各種用 途的目的。不懂這題。014. 如果熱生長氧化層厚度為 2000 A ,那么硅消耗多少？0920_A17. 舉出氧化工藝中摻氯的兩個優(yōu)點。P21724. 解釋晶體晶向?qū)ρ趸锷L的影響。P21827. LOCOS是什么，熱氧化中如何使用？鳥嘴效應(yīng)是什么，為什么它不受歡送？P22028 .解釋

12、淺槽隔離STI。P22032. 什么是熱壁爐？ P22233. 列出臥式爐和立式爐的五個性能因素，判斷哪種爐體 是最適合的。P223第十一章47 .什么是快速熱處理RTP？相比于傳統(tǒng)爐其 6大優(yōu) 點是什么？ P2281.什么是多層金屬化？它對芯片加工來說為什么是必需的？ P2403.解釋ILD層的作用。在芯片中，ILD-1層所在的位置是哪里？ P2414.什么是薄膜？列舉并描述可承受的薄膜的8個特征。P2425.什么是深度比？為什么高深度比對ULSI器件很重要？ P2436.列舉并描述薄膜生長的三個階段。P2447.列舉淀積的5種主要技術(shù)。P2458.什么是CVD?P24611.識別并描述 C

13、VD反響中的8個步驟。P24720.為什么LPCVD較APCVD更普遍？描述 LPCVD的工藝過程。P25327.什么是 PECVD?PECVD 和 LPCVD的主要差異是什么?P25740.什么是外延？解釋自摻雜和外擴(kuò)散。P26741 .列舉并討論外延的三種方法。P268第十二章9. 列出并討論引入銅金屬化的5大優(yōu)點。P28317 描述鎢塞填充，并討論它是怎樣被用于多層金屬化 的？ P28918 為什么蒸發(fā)作為金屬淀積系統(tǒng)被取代？P29030. 在高級IC中，什么是產(chǎn)生鎢填充的典型方法？32. 解釋銅電鍍的根本過程。P29935. 列出雙大馬士革金屬化過程的10個步驟。P302第十三章1.

14、什么是光刻？ P3102. 描述投影掩膜版和掩膜版的區(qū)別。P3114. 定義分辨率。P3125. 什么是套準(zhǔn)精度？它對掩膜版的套準(zhǔn)容差有什么作用？ P3136. 討論工藝寬容度。P3147. 解釋負(fù)性和正性光刻的區(qū)別。P314&描述亮場掩膜版。P31510 .列出光刻的8個步驟，并對每一步做出簡要解釋。14. HMDS是什么？起到什么作用？P31717.給出硅片制造中光刻膠的兩種目的。P32228 .列出并描述I線光刻膠的4種成分。P32529. 負(fù)膠的兩大缺點是什么？P326P31634 .給出I線正膠具有良好分辨率的原因。P32735 .為什么I線光刻膠不能用在深紫外波長？P328

15、42. 列出并描述旋轉(zhuǎn)涂膠的4個根本步驟。P33045. 描述邊圈去除。P33346 .陳述軟烘的4個原因。P333第十四章3. 步進(jìn)光刻機(jī)的三個根本目標(biāo)是什么？P3427 .列出并解釋兩種形式的光波干預(yù)。什么是濾波器？ P3448. 什么是電磁波譜，什么是UV范圍？ P3459 .列出并描述光刻中使用的兩種UV曝光光源。P34613. 哪種激光器用做 248nm的光源？ 193nm的光源是什 么？ P34814. 什么是空間想干？為什么在光刻中控制它？P34824.什么是數(shù)值孔徑？陳述它的公式，包括近似公式。P35326 .列出并解釋硅片外表光反射引起的最主要的兩個問題。P35427. 什么

16、是抗反射涂層，它是怎樣減小駐波的？P35428. 陳述分辨率公式。影響光刻分辨率的三個參數(shù)是什么？ P35830. 計算掃描光刻機(jī)的分辨率，假設(shè)波長是248nm, NA是 0.65, k 是 0.6。P35831. 給出焦深和焦面的定義。寫出計算焦深的公式。P35935. 解釋接觸光刻機(jī)。它使用掩膜還是投影掩膜？P36036. 解釋接近光刻機(jī)是怎樣工作的。它要解決什么問題？P36137.解釋掃描投影光刻機(jī)是怎樣工作的。掃描投影光刻機(jī)努力解決什么問題？ P36138.解釋分步重復(fù)光刻機(jī)的根本功能。P36339.光刻中米用步進(jìn)掃描技術(shù)獲得了什么好處？P364第十五章1 .解釋光刻膠顯影，其目的是什

17、么？P387第一段第一句2.為什么要對化學(xué)放大深紫外光刻膠進(jìn)展后烘？簡述去保護(hù)作用。P3853.為什么溫度均勻性對后烘很重要？P385.5。簡述負(fù)膠顯影。負(fù)膠用于亞微米圖形的主要問題是什么?P3866.為什么正膠是普遍使用的光刻膠？P889.最常用的正膠是指哪些光刻膠？P38812.對化學(xué)放大深紫外光刻膠而言，PHS與顯影液之間是否發(fā)生了化學(xué)反響？ P38913. 列舉兩種光刻膠顯影方法。P38914. 解釋連續(xù)噴霧顯影。P38915 .描述旋覆浸沒顯影。P39017.解釋為什么要進(jìn)展堅膜。P39119.為什么要進(jìn)展顯影后檢查？P39221 .列舉出下一代光刻技術(shù)中4種正在研究的光刻技術(shù)。P3

18、93第十八早1. 定義刻蝕，刻蝕的目的是什么？ P4042. 刻蝕工藝有哪兩種類型？簡要描述各類刻蝕工藝。P4053. 列出按資料分類的三種主要干法蝕刻。P4054. 解釋有圖形和無圖形刻蝕的區(qū)別。P4055. 列舉9個重要的刻蝕參數(shù)。 P4067解釋負(fù)載效應(yīng)以及它與刻蝕速率的關(guān)系。P40610. 什么是方向性？為什么在刻蝕中需要方向性？P407?這個沒找到確切的答案12. 定義選擇比。干法刻蝕有高的或低的選擇比？高選擇 比意味著什么？描述并解釋選擇比公式。P40913 什么是刻蝕均勻性？獲得均勻性刻蝕的難點是什么？ 解釋ARDE并討論它與刻蝕均勻性的關(guān)系。ARDE的另一個名字是什么？ P40

19、941014. 討論刻蝕殘留物，他們?yōu)槭裁串a(chǎn)生以及要怎樣去除？P41016什么刻蝕中的等離子體誘導(dǎo)損傷，以及這些損傷帶來什么問題?P41118干法刻蝕的目的是什么？列舉干法刻蝕同濕法刻蝕相 比具有的優(yōu)點。干法刻蝕的缺乏之處是什么？P41119. 列舉在干法刻蝕中發(fā)生刻蝕反響的三種方法。P41220. 解釋發(fā)生刻蝕反響的化學(xué)機(jī)理和物理機(jī)理。P41225. 描述圓桶式等離子體刻蝕機(jī)。P41426. 描述平板反響器。 P41529. 解釋離子束銃。他是用什么材料？P41733. 描述電子盤旋共振。P41937. 什么是終點檢測？為什么在干法刻蝕中它是必需的？ 最常用的終點檢測類型是什么？P422十七

20、章1、什么是摻雜？P4423、 簡要描述熱擴(kuò)散。P4434、 簡要描述離子注入。P4435、 請列舉用于硅片制造的5種常用雜質(zhì)。&什么是結(jié)深？ P44410、列舉并解釋擴(kuò)散的三個步驟。P44514、 為什么雜質(zhì)需要激活？P44615、 什么是雜質(zhì)的固溶極限？P44616、 解釋橫向擴(kuò)散以及不希望有橫自擴(kuò)散的原因。P44721、 給出離子注入機(jī)的概況、P44822、 說明亞0.25微米工藝中摻雜的兩個主要目標(biāo)。P44823、 列舉離子注入優(yōu)于擴(kuò)散的7點。P44924、 離子注入的主要缺點是什么？如何克制？P45027、 什么是射程？解釋能量與射程之間的關(guān)系。P45028、如果電荷數(shù)為1的

21、正離子在電勢差 200keV的電場中運動，它的能量是多少？P45029、列舉離子注入機(jī)的 4種類型，并簡要描述。P45132、描述注入過程中的兩種主要能量損失機(jī)制。P45134、列舉離子注入設(shè)備的 5個主要子系統(tǒng)。P45335、離子源的目的是什么？最常用的離子源材料是什么？ 0N P45339、質(zhì)量分析器磁鐵的作用是什么？描述質(zhì)量分析器的功能。P45540、 加速管是怎樣增加粒子束能量的？P45645、 解釋離子束擴(kuò)散和空間電荷中和。P45846、 形成中性離子束陷阱的原因是什么？P45847、列舉并簡要解釋 4種掃描系統(tǒng)。P45950、討論硅片充電、二次電子噴淋和等離子電子噴淋。P46053、退火的目是什么？高溫爐退火和RTA哪一個更優(yōu)越？ P46355、描述溝道效應(yīng)。列舉并簡要解釋控制溝道效應(yīng)的三種機(jī)制P464。十八章41、描述外表形貌，較高的芯片封裝密度會引起外表形貌 的何種變化？4783、 列舉和論述三種傳統(tǒng)的平坦化方法。4805、描述化學(xué)