場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路ppt課件

1、基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)逸夫樓60713845105454本節(jié)內(nèi)容本節(jié)內(nèi)容 場(chǎng)效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 特性、規(guī)律總結(jié)特性、規(guī)律總結(jié) 雙極型和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的比較雙極型和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的比較 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路共源組態(tài)基本放大電路共源組態(tài)基本放大電路 偏置、放大電路偏置、放大電路 性能指標(biāo)計(jì)算性能指標(biāo)計(jì)算總結(jié)總結(jié)1：根據(jù)符號(hào)識(shí)別管子：根據(jù)符號(hào)識(shí)別管子 （1）PN結(jié)結(jié) 箭頭總是表示箭頭總是表示PN結(jié)，由結(jié)，由P指向指向N PN結(jié)總是反偏截止?fàn)顟B(tài)，結(jié)總是反偏截止?fàn)顟B(tài)，柵極無電流柵極無電流 （2）溝道）溝道 DS間的連線表示溝道間的連線表示溝道 溝道為虛線：溝道為虛線：U

2、gs=0時(shí)溝道不存在，只有增強(qiáng)電壓才時(shí)溝道不存在，只有增強(qiáng)電壓才能感應(yīng)出電荷形成溝道能感應(yīng)出電荷形成溝道增強(qiáng)型增強(qiáng)型 溝道為實(shí)線：溝道為實(shí)線：Ugs=0時(shí)溝道存在，外加電壓可形成電時(shí)溝道存在，外加電壓可形成電流流結(jié)型、耗盡型。結(jié)型、耗盡型。總結(jié)總結(jié)2：P溝道溝道 VS N溝道溝道 N溝道Ugs越大，導(dǎo)電溝道越寬，iD越大uDS0，iD實(shí)際流向?yàn)镈S總結(jié)總結(jié)3：工作區(qū)域判斷：工作區(qū)域判斷 （1）兩端均開啟（或均未夾斷）：可變電阻區(qū)）兩端均開啟（或均未夾斷）：可變電阻區(qū) DS間等效為電阻間等效為電阻Rds Rds大小取決于大小取決于Ugs iD=UDs/Rds （2）一端開啟（導(dǎo)通），一端夾斷：恒

3、流區(qū)）一端開啟（導(dǎo)通），一端夾斷：恒流區(qū) DS間等效為受控電流源間等效為受控電流源 iD=gm* ug 放大狀態(tài)應(yīng)工作區(qū)域放大狀態(tài)應(yīng)工作區(qū)域 （3）兩端未開啟（或均夾斷）：截止區(qū)）兩端未開啟（或均夾斷）：截止區(qū) iD=0 P溝道 轉(zhuǎn)移特性曲線和漏極輸出特性曲線與N溝道型場(chǎng)效應(yīng)管以縱軸左右對(duì)稱，即上述結(jié)論為： Ugs越小，導(dǎo)電溝道越寬，iD越大 uDSD 另：NPN型晶體管與PNP型晶體管特性曲線也以縱軸對(duì)稱BJT VS FET晶體管類型晶體管類型 項(xiàng)項(xiàng) 目目 雙極型晶體管雙極型晶體管(BJT) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET) 結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)NPN型型PNP型型結(jié)結(jié) 型：型：N溝道溝道, P溝道溝

4、道絕緣柵增強(qiáng)型：絕緣柵增強(qiáng)型： N溝道溝道 ,P溝道溝道絕緣柵耗盡型：絕緣柵耗盡型： N溝道溝道, P溝道溝道電極倒置電極倒置C、E不可倒置使用不可倒置使用D、S一般可倒置使用一般可倒置使用載流子載流子多子擴(kuò)散、少子漂移（兩多子擴(kuò)散、少子漂移（兩種）種）多子漂移（一種）多子漂移（一種）輸入量輸入量電流電流電壓電壓控制控制電流控制電流源電流控制電流源CCCS()電壓控制電流源電壓控制電流源VCCS(gm)噪聲噪聲較大較大較小較小熱穩(wěn)定性熱穩(wěn)定性差差較好較好輸入電阻輸入電阻低（幾十到幾千歐姆）低（幾十到幾千歐姆）高（幾兆歐姆以上）高（幾兆歐姆以上）靜電影響靜電影響不易受靜電影響不易受靜電影響易受靜電影響易受靜電影響集成工藝集成工藝不易大規(guī)模集成不易大規(guī)模集成適宜大規(guī)模和超大規(guī)模集成適宜大規(guī)模和超大規(guī)模集成大電流特性大電流特性好好次之次之場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管放大電路共源組態(tài)基本放大電路共源組態(tài)基本放大電路GUSU2CdRDDV1CsRVTCsuiDIg2Rg1Ruo自給偏置自給偏置VTVDDuiC1C2R