硅片檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)2016-2-1

1、 A/1版光為綠色新能源有限公司硅片檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)： LW-BZ-009-A1版本： A/1版受控狀態(tài)：編制部門：技術(shù)中心發(fā)放編號(hào)：編制： 日期：審核：日期：批準(zhǔn)： 日期：發(fā)布日期： 實(shí)施日期：文件更改申請(qǐng)單編號(hào)：LW-CX-001-A1-03文件名稱硅片檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)文件編號(hào)LW-BZ-009-A1申請(qǐng)部門鑄切技術(shù)部申請(qǐng)人王偉批準(zhǔn)人批準(zhǔn)日期更改原因：1、明確斷線移動(dòng)或類似操作導(dǎo)致的硅片明暗區(qū)間判定標(biāo)準(zhǔn)2、變更硅片尺寸范圍3、增加硅片表面潔凈度要求4、修改崩邊要求更改前內(nèi)容及條款1、 無(wú)2、 156-156.73、 無(wú)4、 B片中崩邊要求為：length1.5mm；width0.5mm個(gè)數(shù)不限更改后內(nèi)

2、容及條款1、 增加硅片黑色帶狀區(qū)域要求2、 155.8-156.73、 增加表面玷污定義4、 B片中崩邊要求為：length1.5mm；width0.5mm，每片不得超過(guò)4處硅片檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)1 目的規(guī)范多晶硅片檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)。2 適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了多晶硅片的電性能、外觀尺寸的檢驗(yàn)項(xiàng)目、測(cè)量器具、判定依據(jù)，適用于正常生產(chǎn)的多晶硅片的質(zhì)量檢驗(yàn)。3 定義3.1檢測(cè)工具：數(shù)顯千分尺、henneck分選機(jī)、直尺、三豐粗糙儀、MS203電阻率測(cè)試、少子壽命測(cè)試WT-2000。3.2檢測(cè)術(shù)語(yǔ)斑點(diǎn)定義：在光強(qiáng)430-650LUX下，距離眼睛40cm，成30-45°角目視能看到顏色異于周圍顏色的點(diǎn)即為斑點(diǎn)。翹

3、曲度：硅片的中面和參考面之間的最大距離和最小距離之差（即a值）。彎曲度：硅片中心凸起處于參考平面距離差值（即z值）。硅落：硅片表面有硅晶脫落現(xiàn)象且未穿透。崩邊：以硅片邊緣為參考線向內(nèi)部延伸深度0.5mm、長(zhǎng)度1.5mm及不能崩透的缺損屬于崩邊。缺口：光強(qiáng)430-650LUX，目光與硅片成30-45°，距離25-35cm可以看到貫通硅片的稱為缺口，看不到的不屬于缺口。水?。何闯浞趾娓?，水分蒸發(fā)后殘留物。表面玷污：硅片的表面或側(cè)面沾有殘膠或油污等雜物。游離碳黑線：清洗后距離硅片上邊緣5mm以內(nèi)的黑色區(qū)域。微晶：每1cm2長(zhǎng)度上晶粒個(gè)數(shù)10個(gè)。4 職責(zé)權(quán)限4.1 技術(shù)部負(fù)責(zé)制定硅片檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

4、；4.2 質(zhì)量部嚴(yán)格按照本文件中檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)硅片。5 正文5.1 表面質(zhì)量 表面質(zhì)量通過(guò)生產(chǎn)人員的分選判定，目測(cè)外觀符合附表1相關(guān)要求。對(duì)整包硅片重點(diǎn)查看B4（崩邊），B7（線痕）、B8（厚度差值）、缺口、碎片、油污等情況；整包里的B4片在迎光側(cè)表現(xiàn)為“亮點(diǎn)”背光側(cè)較暗；B7、B8片手感表現(xiàn)較重，不易區(qū)分或存在爭(zhēng)議時(shí)，利用分選機(jī)重新分選。5.2 外型尺寸幾何尺寸符合附表1相關(guān)要求，在研磨倒角處控制。如認(rèn)為硅片尺寸存在問(wèn)題使用分選機(jī)進(jìn)行檢驗(yàn)。5.3 電性能依據(jù)硅錠硅塊測(cè)試數(shù)據(jù)判定，必要時(shí)用相關(guān)測(cè)試儀器核實(shí)。硅片電阻率測(cè)量一點(diǎn)數(shù)值，當(dāng)超出B級(jí)范圍時(shí)，測(cè)量五個(gè)晶粒的電阻率，計(jì)算平均值X，以X值作為最

5、終判定值。5.4抽檢方法（1）對(duì)硅片車間自檢合格的包裝硅片或直傳片，采取一次抽檢（抽檢比例），不合格比例不高于0.5%。每次抽檢不合格率大于0.5%時(shí)，通知清洗班長(zhǎng)重新分選，對(duì)重新分選片抽檢合格后可入庫(kù)。（2）抽取硅片進(jìn)行檢測(cè)，其結(jié)果作為該批硅片合格的判定依據(jù)。6 相關(guān)文件無(wú)7 相關(guān)記錄無(wú)附表1：自檢硅片檢驗(yàn)項(xiàng)目及判定標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)項(xiàng)目A級(jí)品B級(jí)品電性能指標(biāo)Resistivity電阻率（·cm）0.73Carrier Lifetime少子壽命(s)1.2Oxygen concentration氧含量（atoms/cm3）1.0*1018Carbon concentration碳含量

6、（atoms/cm3）8*1017外形尺寸及外觀Geometry幾何形狀正方形Thickness厚度（m）180±20TTV（m）TTV3030TTV50Size尺寸（mm）155.8size156.7Diagonal對(duì)角線（mm）218.8-220.6Rectangular angle角度（º）90±0.3Chamfer angel倒角（º）45±10Chamfer wide倒角寬度（mm）0.5wide2.5Chip崩邊（寬度*延伸深度）（mm）不允許length1.5mm；width0.5mm每片不得超過(guò)4處Break age缺口（mm&

7、#178;）不允許<0.2*0.2Saw mark鋸痕（m）Saw mark1515Saw mark35Warp翹曲度（m）Warp5050Warp75Bow彎曲度（m）Bow5050<Bow75Surface表面無(wú)裂紋、孔洞、微晶；表面潔凈：無(wú)玷污、油污、手印；無(wú)裂紋、孔洞、微晶；表面潔凈：無(wú)玷污、油污、手印，砂漿斑點(diǎn)個(gè)數(shù)小于5個(gè)，黑線向內(nèi)延伸小于5mm。 附件1：B級(jí)硅片分類及標(biāo)識(shí)方法按優(yōu)先級(jí)B2至B9無(wú)重復(fù)排序標(biāo)示如下：B2晶粒小，其它檢驗(yàn)參數(shù)符合A級(jí)品標(biāo)準(zhǔn)。B3少子壽命以硅塊少子壽命為標(biāo)準(zhǔn)。B4小崩邊，其它檢驗(yàn)參數(shù)符合A級(jí)品標(biāo)準(zhǔn)。B5電阻率標(biāo)準(zhǔn)以硅塊電阻率為標(biāo)準(zhǔn)。B6 15

8、6mm*156mm硅片劃片后的125mm*125mm硅片（以后存在劃片可能）。B7鋸痕1535或亮線B級(jí)（參考亮線判定標(biāo)準(zhǔn)。），其它檢驗(yàn)參數(shù)符合A級(jí)品標(biāo)準(zhǔn)。B8 30<TTV50,其它檢驗(yàn)參數(shù)符合A級(jí)品標(biāo)準(zhǔn)。B9 表面沾污如果存在兩種以上的B級(jí)缺陷，以級(jí)別較高的等級(jí)作為歸類依據(jù)，優(yōu)先級(jí)別排列如下：第一級(jí)第二級(jí)第三級(jí)第四級(jí)第五級(jí)第六級(jí)第七級(jí)第八級(jí)第九級(jí)B1B2B5B3B8B7B4B9B6附件2 ：硅片“亮線”的判定標(biāo)準(zhǔn)2.1亮線片：硅片表面存在由于鋼線直接和硅片摩擦出現(xiàn)的類似拋光的硅片。2.1.1亮線處，測(cè)試深度小于10µm的硅片2.1.1.1單面亮線：亮線面積大于硅片面積的1/

9、2，為 B7亮線面積小于硅片面積的1/2，為A 級(jí)2.1.1.2雙面亮線：亮線面積大于硅片面積的1/4，為 B7亮線面積小于硅片面積的1/4，為A 級(jí)2.1.2亮線處，測(cè)試深度1020µm的硅片2.1.2.1單面亮線：亮線面積大于硅片面積的1/4，為 B7亮線面積小于硅片面積的1/4，為A 級(jí)2.1.2.2雙面亮線：亮線面積大于硅片面積的1/2，為 不合格亮線面積小于硅片面積的1/2，為B72.2黑色帶狀區(qū)：斷線處理往復(fù)升降工作臺(tái)或類似操作導(dǎo)致鋼線帶著砂漿將硅片表面摩擦，清洗后出現(xiàn)黑色矩形區(qū)域。2.2.1 帶狀區(qū)小于20mm硅片，按照附表1內(nèi)檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)判定；2.2.2 帶狀區(qū)大于20mm硅片，若滿足附表1內(nèi)A、B級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，則判定為B；不滿足B級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的，判定為不合格；注：檢測(cè)亮線及黑色帶狀區(qū)域線痕深度使用自動(dòng)分選設(shè)備。附件3 TTV測(cè)試點(diǎn)選取TTV測(cè)試5點(diǎn)，分別為硅片中心點(diǎn)和邊角處距離邊角各邊10-15mm處硅片厚度。見(jiàn)下圖：此點(diǎn)測(cè)定電阻率此點(diǎn)中心距邊10-15mm附件4 崩邊崩邊:硅片分選機(jī)在測(cè)量邊緣崩邊時(shí)受硅片厚度、光學(xué)衍射、成像精度限制，容易出現(xiàn)誤判。針對(duì)B4檔硅片需要人工搓開(kāi)硅片進(jìn)行檢測(cè)。微晶：硅片上細(xì)小晶粒連續(xù)密集分布區(qū)域，使用帶刻度光學(xué)放大鏡進(jìn)行檢測(cè)。此類硅片屬于