電子專業(yè)英語(yǔ)詞匯(續(xù))

1、Abrupt junction     突變結(jié)           Accelerated testing     加速實(shí)驗(yàn)   Acceptor          受主           

2、;  Acceptor atom         受主原子    Accumulation      積累、堆積       Accumulating contact   積累接觸    Accumulation region 積累區(qū)       &

3、#160;  Accumulation layer      積累層    Active region      有源區(qū)           Active component       有源元    Active device   

4、60;  有源器件         Activation             激活    Activation energy   激活能           Active region    &#

5、160;    有源（放大）區(qū)    Admittance        導(dǎo)納             Allowed band         允帶    Alloy-junction device合金結(jié)器件  

6、60;   Aluminum(Aluminium)   鋁    Aluminum oxide  鋁氧化物         Aluminum passivation    鋁鈍化    Ambipolar         雙極的      

7、    Ambient temperature     環(huán)境溫度    Amorphous      無(wú)定形的，非晶體的   Amplifier       功放 擴(kuò)音器 放大器    Analogue(Analog) comparator 模擬比較器 Angstrom      

8、;      埃    Anneal            退火               Anisotropic         各向異性的    Anod

9、e            陽(yáng)極               Arsenic (AS)          砷    Auger         

10、;   俄歇               Auger process        俄歇過(guò)程    Avalanche         雪崩          

11、     Avalanche breakdown  雪崩擊穿    Avalanche excitation雪崩激發(fā)    Background carrier  本底載流子         Background doping  本底摻雜    Backward        &

12、#160; 反向               Backward bias      反向偏置    Ballasting resistor   整流電阻           Ball bond     

13、0;    球形鍵合    Band             能帶                Band gap          能帶間隙   

14、Barrier            勢(shì)壘               Barrier layer        勢(shì)壘層    Barrier width       勢(shì)壘寬度 &

15、#160;         Base              基極    Base contact       基區(qū)接觸            Base stretching &

16、#160;   基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)                  Base transit time    基區(qū)渡越時(shí)間       Base transport efficiency基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)              Base

17、-width modulation基區(qū)寬度調(diào)制     Basis vector         基矢            Bias              偏置      &

18、#160;        Bilateral switch      雙向開(kāi)關(guān)    Binary code     二進(jìn)制代碼Binary compound semiconductor 二元化合物半導(dǎo)體    Bipolar           雙極性的  

19、     Bipolar Junction Transistor (BJT)雙極晶體管    Bloch            布洛赫              Blocking band       阻擋能帶 

20、0;  Blocking contact   阻擋接觸            Body - centered      體心立方    Body-centred cubic structure 體立心結(jié)構(gòu)   Boltzmann         波爾茲曼  &

21、#160; Bond              鍵、鍵合           Bonding electron    價(jià)電子    Bonding pad        鍵合點(diǎn)     &#

22、160;       Bootstrap circuit    自舉電路    Bootstrapped emitter follower 自舉射極跟隨器Boron           硼    Borosilicate glass    硼硅玻璃      

23、     Boundary condition  邊界條件    Bound electron      束縛電子           Breadboard         模擬板、實(shí)驗(yàn)板    Break down   

24、0;    擊穿                Break over         轉(zhuǎn)折    Brillouin           布里淵     

25、60;       Brillouin zone      布里淵區(qū)    Built-in            內(nèi)建的             Build-in electric field 內(nèi)建電場(chǎng)  &

26、#160; Bulk              體/體內(nèi)             Bulk absorption     體吸收    Bulk generation     體產(chǎn)生     

27、;        Bulk recombination   體復(fù)合    Burn - in          老化                Burn out      &#

28、160;    燒毀    Buried channel      埋溝               Buried diffusion region  隱埋擴(kuò)散區(qū)                 &#

29、160;                 Can                 外殼             Capacitance  &

30、#160;    電容    Capture cross section   俘獲截面         Capture carrier     俘獲載流子                      Carrie

31、r               載流子、載波     Carry bit         進(jìn)位位      Carry-in bit           進(jìn)位輸入  &#

32、160;      Carry-out bit      進(jìn)位輸出    Cascade              級(jí)聯(lián)             Case     

33、60;      管殼      Cathode              陰極             Center           中心

34、60;   Ceramic              陶瓷（的）       Channel          溝道    Channel breakdown    溝道擊穿     

35、60;   Channel current     溝道電流    Channel doping       溝道摻雜         Channel shortening   溝道縮短    Channel width        溝道寬度

36、60;        Characteristic impedance 特征阻抗    Charge              電荷、充電    Charge-compensation effects 電荷補(bǔ)償效應(yīng)    Charge conservation   電荷守恒 &#

37、160;    Charge neutrality condition  電中性條件    Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage    電荷驅(qū)動(dòng)/交換/共享/轉(zhuǎn)移/存儲(chǔ)     Chemmical etching    化學(xué)腐蝕法        Chemically-Polish  化學(xué)拋光 

38、   Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化學(xué)機(jī)械拋光   Chip  芯片    Chip yield           芯片成品率        Clamped         箝位    Cl

39、amping diode       箝位二極管        Cleavage plane    解理面    Clock rate           時(shí)鐘頻率           Clock genera

40、tor   時(shí)鐘發(fā)生器    Clock flip-flop      時(shí)鐘觸發(fā)器          Close-packed structure  密堆積結(jié)構(gòu)    Close-loop gain     閉環(huán)增益         

41、60;  Collector         集電極    Collision           碰撞                Compensated OP-AMP 補(bǔ)償運(yùn)放    Commo

42、n-base/collector/emitter connection   共基極/集電極/發(fā)射極連接    Common-gate/drain/source connection       共柵/漏/源連接    Common-mode gain   共模增益          Common-mode input  共模輸入 

43、;   Common-mode rejection ratio (CMRR)   共模抑制比    Compatibility       兼容性              Compensation       補(bǔ)償    Compensated i

44、mpurities  補(bǔ)償雜質(zhì)     Compensated semiconductor 補(bǔ)償半導(dǎo)體    Complementary Darlington circuit  互補(bǔ)達(dá)林頓電路    Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS)    互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管    Complementary err

45、or function  余誤差函數(shù)    Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)/ 測(cè)試 /制     造    Compound Semiconductor  化合物半導(dǎo)體  Conductance         電導(dǎo)    Conduction band (edge)

46、0;   導(dǎo)帶(底)       Conduction level/state 導(dǎo)帶態(tài)      Conductor               導(dǎo)體          Conductivity    

47、;     電導(dǎo)率    Configuration            組態(tài)          Conlomb            庫(kù)侖    Conpled Configuratio

48、n Devices  結(jié)構(gòu)組態(tài)  Constants           物理常數(shù)    Constant energy surface    等能面      Constant-source diffusion恒定源擴(kuò)散    Contact        

49、         接觸          Contamination        治污            Continuity equation      連續(xù)性方程  &#

50、160;  Contact hole         接觸孔    Contact potential          接觸電勢(shì)     Continuity condition   連續(xù)性條件    Contra doping      

51、;      反摻雜       Controlled           受控的    Converter               轉(zhuǎn)換器      &#

52、160; Conveyer           傳輸器    Copper interconnection system  銅互連系統(tǒng)Couping            耦合    Covalent          

53、      共階的       Crossover            跨交    Critical                 臨界的    

54、    Crossunder          穿交                  Crucible坩堝   Crystal defect/face/orientation/lattice   晶體缺陷/晶面/晶向/晶     格

55、60;   Current density          電流密度       Curvature           曲率    Cut off            

56、60;     截止 Current drift/dirve/sharing  電流漂移/驅(qū)動(dòng)/共享    Current Sense           電流取樣       Curvature          彎曲    Custom

57、 integrated circuit  定制集成電路   Cylindrical        柱面的    Czochralshicrystal   直立單晶    Czochralski technique     切克勞斯基技術(shù)（Cz法直拉晶體J）    Dangling bonds     

58、;   懸掛鍵            Dark current       暗電流    Dead time            空載時(shí)間          Debye leng

59、th       德拜長(zhǎng)度    De.broglie            德布洛意          Decderate          減速    Decibel (dB) 

60、;         分貝              Decode            譯碼    Deep acceptor level     深受主能級(jí)    &#

61、160;  Deep donor level     深施主能級(jí)    Deep impurity level     深度雜質(zhì)能級(jí)     Deep trap           深陷阱    Defeat        

62、60;       缺陷    Degenerate semiconductor 簡(jiǎn)并半導(dǎo)體      Degeneracy         簡(jiǎn)并度          Degradation      退化   

63、;    Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 攝氏/開(kāi)氏溫度    Delay                 延遲             Density      

64、;     密度    Density of states        態(tài)密度           Depletion          耗盡          

65、60;               Depletion approximation 耗盡近似         Depletion contact    耗盡接觸                  Depletion de

66、pth        耗盡深度         Depletion effect     耗盡效應(yīng)    Depletion layer         耗盡層           Depletion

67、 MOS     耗盡MOS    Depletion region        耗盡區(qū)           Deposited film      淀積薄膜    Deposition process      淀積工藝

68、60;        Design rules        設(shè)計(jì)規(guī)則    Die                  芯片（復(fù)數(shù)dice）  Diode        

69、    二極管    Dielectric             介電的            Dielectric isolation 介質(zhì)隔離    Difference-mode input   差模輸入    

70、      Differential amplifier  差分放大器    Differential capacitance  微分電容          Diffused junction     擴(kuò)散結(jié)    Diffusion         

71、;      擴(kuò)散            Diffusion coefficient  擴(kuò)散系數(shù)    Diffusion constant      擴(kuò)散常數(shù)          Diffusivity     

72、;     擴(kuò)散率    Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 擴(kuò)散電容/勢(shì)壘/電流/爐    Digital circuit          數(shù)字電路          Dipole domain      偶極

73、疇    Dipole layer           偶極層             Direct-coupling     直接耦合        Direct-gap semiconductor  直接帶隙半導(dǎo)體 

74、  Direct transition     直接躍遷                Discharge             放電             

75、0; Discrete component  分立元件               Dissipation            耗散               Distribution  

76、;      分布    Distributed capacitance 分布電容             Distributed model  分布模型    Displacement      位移         

77、           Dislocation            位錯(cuò)    Domain               疇        

78、         Donor              施主    Donor exhaustion      施主耗盡           Dopant    

79、0;        摻雜劑    Doped semiconductor  摻雜半導(dǎo)體          Doping concentration  摻雜濃度      Double-diffusive MOS(DMOS)雙擴(kuò)散MOS.    Drift    

80、0;            漂移               Drift field          漂移電場(chǎng)    Drift mobility       

81、;   遷移率             Dry etching        干法腐蝕    Dry/wet oxidation       干/濕法氧化        Dose    &#

82、160;         劑量    Duty cycle        工作周期     Dual-in-line package （DIP） 雙列直插式封裝    Dynamics            動(dòng)態(tài)  &#

83、160;           Dynamic characteristics 動(dòng)態(tài)屬性    Dynamic impedance   動(dòng)態(tài)阻抗                     Early effect    &#

84、160;       厄利效應(yīng)    Early failure       早期失效    Effective mass          有效質(zhì)量   Einstein relation(ship) 愛(ài)因斯坦關(guān)系    Electric Erase Programmable

85、Read Only Memory(E2PROM) 一次性電可擦除只讀存儲(chǔ)器    Electrode              電極        Electrominggratim   電遷移    Electron affinity    電子親和勢(shì)   

86、   Electronic -grade     電子能    Electron-beam photo-resist exposure   光致抗蝕劑的電子束曝光    Electron gas           電子氣       Electron-grade water 電子級(jí)純水 

87、     Electron trapping center 電子俘獲中心  Electron Volt (eV)    電子伏    Electrostatic           靜電的       Element         

88、60; 元素/元件/配件    Elemental semiconductor 元素半導(dǎo)體   Ellipse            橢圓    Ellipsoid              橢球       

89、  Emitter            發(fā)射極          Emitter-coupled logic  發(fā)射極耦合邏輯Emitter-coupled pair  發(fā)射極耦合對(duì)      Emitter follower       射隨器 

90、       Empty band        空帶    Emitter crowding effect 發(fā)射極集邊（擁擠）效應(yīng)      Endurance test =life test 壽命測(cè)試       Energy state       &#

91、160; 能態(tài)    Energy momentum diagram 能量-動(dòng)量(E-K)圖 Enhancement mode 增強(qiáng)型模式    Enhancement MOS     增強(qiáng)性MOS     Entefic            (低)共溶的    Environmental test 

92、60;    環(huán)境測(cè)試       Epitaxial          外延的    Epitaxial layer         外延層         Epitaxial slice   &#

93、160;  外延片    Expitaxy              外延           Equivalent curcuit   等效電路    Equilibrium majority /minority carriers 平衡多數(shù)/少數(shù)載流子  &

94、#160; Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽?。ň幊蹋┐鎯?chǔ)器    Error function complement           余誤差函數(shù)    Etch                 刻蝕   &

95、#160;         Etchant           刻蝕劑    Etching mask         抗蝕劑掩模        Excess carrier      過(guò)剩

96、載流子    Excitation energy      激發(fā)能            Excited state       激發(fā)態(tài)    Exciton              激子

97、              Extrapolation      外推法    Extrinsic             非本征的          Extrinsic semi

98、conductor 雜質(zhì)半導(dǎo)體    Face - centered        面心立方          Fall time         下降時(shí)間    Fan-in          &#

99、160;     扇入             Fan-out          扇出    Fast recovery          快恢復(fù)       

100、    Fast surface states   快界面態(tài)    Feedback             反饋             Fermi level        費(fèi)米能級(jí)  

101、  Fermi-Dirac Distribution 費(fèi)米-狄拉克分布   Femi potential    費(fèi)米勢(shì)    Fick equation       菲克方程（擴(kuò)散）    Field effect transistor 場(chǎng)效應(yīng)晶體管    Field oxide         &

102、#160; 場(chǎng)氧化層          Filled band        滿帶    Film                 薄膜         

103、60;   Flash memory      閃爍存儲(chǔ)器    Flat band             平帶             Flat pack        

104、60; 扁平封裝    Flicker noise        閃爍（變）噪聲      Flip-flop toggle    觸發(fā)器翻轉(zhuǎn)    Floating gate        浮柵          &#

105、160;     Fluoride etch      氟化氫刻蝕    Forbidden band      禁帶                Forward bias      正向偏置   

106、 Forward blocking /conducting正向阻斷/導(dǎo)通    Frequency deviation noise頻率漂移噪聲      Frequency response    頻率響應(yīng)           Function         函數(shù)    Gai

107、n               增益               Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化鉀    Gamy ray          r 射線  

108、60;           Gate            門、柵、控制極    Gate oxide     柵氧化層                Gauss（ian

109、）     高斯    Gaussian distribution profile 高斯摻雜分布Generation-recombination 產(chǎn)生-復(fù)合                Geometries          幾何尺寸      &

110、#160;  Germanium(Ge)        鍺    Graded             緩變的           Graded (gradual) channel 緩變溝道    Graded junction 

111、     緩變結(jié)           Grain                晶粒    Gradient            梯度   

112、;          Grown junction        生長(zhǎng)結(jié)    Guard ring          保護(hù)環(huán)           Gummel-Poom model 葛謀-潘 模型  

113、;  Gunn - effect      狄氏效應(yīng)                    Hardened device   輻射加固器件        Heat of formation      形成熱&

114、#160;   Heat sink         散熱器、熱沉        Heavy/light hole band   重/輕 空穴帶    Heavy saturation   重?fù)诫s              Hell

115、 - effect           霍爾效應(yīng)    Heterojunction    異質(zhì)結(jié)               Heterojunction structure 異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)    Heterojunction Bipolar Transistor（HBT

116、）異質(zhì)結(jié)雙極型晶體    High field property     高場(chǎng)特性    High-performance MOS.( H-MOS)高性能MOS.   Hormalized      歸一化    Horizontal epitaxial reactor  臥式外延反應(yīng)器     Hot carrior  

117、60;   熱載流子    Hybrid integration   混合集成    Image - force       鏡象力           Impact ionization        碰撞電離    Impedance&

118、#160;        阻抗             Imperfect structure       不完整結(jié)構(gòu)    Implantation dose        注入劑量    Implanted ion&

119、#160;          注入離子    Impurity           雜質(zhì)             Impurity scattering      雜志散射   

120、Incremental resistance 電阻增量（微分電阻）In-contact mask    接觸式掩模    Indium tin oxide (ITO) 銦錫氧化物      Induced channel       感應(yīng)溝道    Infrared           &

121、#160; 紅外的          Injection             注入    Input offset voltage    輸入失調(diào)電壓    Insulator          

122、   絕緣體    Insulated Gate FET(IGFET)絕緣柵FET   Integrated injection logic集成注入邏輯          Integration           集成、積分      Interconnection  

123、0;     互連    Interconnection time delay 互連延時(shí)     Interdigitated structure   交互式結(jié)構(gòu)                Interface          

124、0; 界面             Interference          干涉    International system of unions國(guó)際單位制 Internally scattering    谷間散射    Interpolation   

125、0;     內(nèi)插法          Intrinsic              本征的      Intrinsic semiconductor 本征半導(dǎo)體      Inverse operation  

126、0;   反向工作    Inversion            反型            Inverter              倒相器    Ion 

127、;                離子            Ion beam             離子束      Ion etching  &

128、#160;       離子刻蝕         Ion implantation      離子注入    Ionization           電離          &#

129、160;  Ionization energy      電離能    Irradiation           輻照            Isolation land          隔離島 

130、   Isotropic            各向同性    Junction FET(JFET)  結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管     Junction isolation      結(jié)隔離        Junction spacing   

131、60; 結(jié)間距           Junction side-wall      結(jié)側(cè)壁    Latch up            閉鎖             Lateral

132、0;            橫向的    Lattice              晶格            Layout        

133、     版圖    Lattice binding/cell/constant/defect/distortion  晶格結(jié)合力/晶胞/晶格/晶格常熟     /晶格缺陷/晶格畸變    Leakage current  （泄）漏電流         Level shifting       電平移動(dòng)

134、60;   Life time            壽命             linearity            線性度    Linked bond    

135、     共價(jià)鍵           Liquid Nitrogen      液氮    Liquidphase epitaxial growth technique  液相外延生長(zhǎng)技術(shù)        Lithography      &

136、#160;   光刻           Light Emitting Diode(LED) 發(fā)光二極管    Load line or Variable   負(fù)載線          Locating and Wiring 布局布線    Longitudinal   

137、0;     縱向的            Logic swing        邏輯擺幅    Lorentz             洛淪茲       &

138、#160;   Lumped model       集總模型    Majority carrier     多數(shù)載流子          Mask         掩膜板，光刻板    Mask level   &#

139、160;     掩模序號(hào)            Mask set      掩模組      Mass - action law質(zhì)量守恒定律        Master-slave D flip-flop主從D觸發(fā)器    Matching

140、0;          匹配               Maxwell      麥克斯韋    Mean free path  平均自由程          Meandered emit

141、ter junction梳狀發(fā)射極結(jié)    Mean time before failure (MTBF)  平均工作時(shí)間    Megeto - resistance   磁阻               Mesa         臺(tái)面    MESFET-

142、Metal Semiconductor金屬半導(dǎo)體FET    Metallization       金屬化        Microelectronic technique  微電子技術(shù)    Microelectronics   微電子學(xué)           

143、60; Millen indices   密勒指數(shù)    Minority carrier   少數(shù)載流子            Misfit         失配    Mismatching        失配  &

144、#160;            Mobile ions    可動(dòng)離子      Mobility           遷移率              Module 

145、       模塊    Modulate          調(diào)制                Molecular crystal分子晶體    Monolithic IC      單片

146、IC       MOSFET金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管    Mos. Transistor(MOST )MOS. 晶體管      Multiplication   倍增    Modulator         調(diào)制         

147、;       Multi-chip IC    多芯片IC    Multi-chip module(MCM)  多芯片模塊    Multiplication coefficient倍增因子    Naked chip      未封裝的芯片（裸片）   Negative feedback  負(fù)反饋  &

148、#160; Negative resistance    負(fù)阻              Nesting         套刻      Negative-temperature-coefficient  負(fù)溫度系數(shù)    Noise margin  

149、; 噪聲容限    Nonequilibrium   非平衡              Nonrolatile     非揮發(fā)（易失）性    Normally off/on   常閉/開(kāi)            

150、; Numerical analysis      數(shù)值分析    Occupied band      滿帶              Officienay      功率    Offset     

151、60;       偏移、失調(diào)        On standby      待命狀態(tài)    Ohmic contact      歐姆接觸          Open circuit     開(kāi)路 

152、   Operating point     工作點(diǎn)            Operating bias   工作偏置    Operational amplifier (OPAMP)運(yùn)算放大器    Optical photon =photon  光子       &

153、#160;   Optical quenching光猝滅    Optical transition    光躍遷           Optical-coupled isolator光耦合隔離器    Organic semiconductor有機(jī)半導(dǎo)體      Orientation    &

154、#160; 晶向、定向    Outline            外形              Out-of-contact mask非接觸式掩模    Output characteristic 輸出特性       

155、60; Output voltage swing 輸出電壓擺幅    Overcompensation 過(guò)補(bǔ)償             Over-current protection  過(guò)流保護(hù)        Over shoot        過(guò)沖    &

156、#160;         Over-voltage protection  過(guò)壓保護(hù)    Overlap         交迭                Overload      

157、       過(guò)載    Oscillator        振蕩器              Oxide               氧化物  &#

158、160;   Oxidation         氧化              Oxide passivation     氧化層鈍化    Package            封裝&#

159、160;               Pad             壓焊點(diǎn)    Parameter           參數(shù)       

160、;        Parasitic effect    寄生效應(yīng)    Parasitic oscillation  寄生振蕩            Passination       鈍化    Passive component  

161、無(wú)源元件            Passive device    無(wú)源器件    Passive surface      鈍化界面            Parasitic transistor 寄生晶體管                P