高頻阻抗計(jì)算幫助文件

1、Polar Si9000伝送線路 Si9000紹介Si9000伝送線路 特性PCB紹介 計(jì)算方法伝送線路構(gòu)造Microstrip伝送線路Stripline伝送線路伝送線路差動(dòng)伝送線路Si9000 使用Si9000 Si9000 設(shè)定無損失計(jì)算結(jié)果保存再表示結(jié)果印刷周波數(shù)依存性計(jì)算拡張基材表使用Si9000表表示 外部Si9000 伝送線路 Polar Instruments社Si9000伝送線路 、高速正確周波數(shù)依存PCB伝送線路組込。Si9000、無損失周波數(shù)依存雙方対応、広範(fàn)囲PCB伝送線路対伝送線路抽出。Si9000、最先端 法利用、差動(dòng)回路設(shè)計(jì)対、PCB導(dǎo)體計(jì)算。 、境界要素解析基、広

2、範(fàn)囲microstrip、stripline、coplanar構(gòu)造対、素早提供。 無損失計(jì)算 、重要PCB（例、導(dǎo)體高厚、比誘電率）対、PCB導(dǎo)體値素早計(jì)算。目標(biāo)與、Si9000 機(jī)能、必要得回路値計(jì)算。構(gòu)造寸法制約場(chǎng)合、設(shè)計(jì)者基板、 利用、簡(jiǎn)単異寸法対応。Si9000、広範(fàn)囲導(dǎo)體比誘電體構(gòu)成1個(gè)複數(shù)比誘電體設(shè)定対応。Si9000、導(dǎo)體上下比誘電體層構(gòu)造用 提供、導(dǎo)體間樹脂偏在領(lǐng)域補(bǔ)正含。周波數(shù)依存性計(jì)算Si9000、境界要素法用、RLGC2（）4（差動(dòng)）S-抽出、設(shè)計(jì)中構(gòu)造対伝送線路素早表示。絶対値、損失（導(dǎo)體損失、比誘電體損失、挿入損失）、表層厚対周波數(shù)提供。Polar Si9000、Mi

3、crosoft Windows環(huán)境內(nèi)実行、表簡(jiǎn)単表計(jì)算外部転送、今後解析利用。拡張基材拡張基材用、Si9000周波數(shù)依存性計(jì)算改良。、周波數(shù)帯域基材値入力、周波數(shù)異（例、Er損失正接）指定製造會(huì)社対応。特性PCB紹介最新PCB 速度、速度高速化、間（、PCB導(dǎo)體）、単導(dǎo)體見。速速度高周波數(shù)（、1ns超速度、300MHz超周波數(shù)）、PCB導(dǎo)體、伝送線路扱必要。、安定、予測(cè)可能高速行場(chǎng)合、PCB導(dǎo)體電気的性質(zhì)PCB比誘電體制御必要。重要一、PCB導(dǎo)體特有（信號(hào)伝送線路上下波動(dòng)電圧電流比率）。、導(dǎo)體物理的寸法（例、導(dǎo)體幅厚）関數(shù)、PCB基材比誘電率誘電體厚。 PCB導(dǎo)體、誘導(dǎo)性容量性、抵抗、決。PC

4、B一般的、25120間。実際、PCB伝送線路一般的、線路導(dǎo)體、一複數(shù)電源層、比誘電體構(gòu)成。伝送線路、導(dǎo)體電源層、特性構(gòu)成。PCB、多層構(gòu)造持、特性、様方法構(gòu)築。、方法用、値、以下、物理的構(gòu)造、比誘電體電気的性質(zhì)決。信號(hào)導(dǎo)體幅厚導(dǎo)體両面高導(dǎo)體電源層設(shè)定比誘電率 自體固有示、使用 固有一致、PCB導(dǎo)體選択。PCB導(dǎo)體固有一致場(chǎng)合、安定前伝送線路上複數(shù)回反射発生。、高速、時(shí)間長(zhǎng)、 発生。値許容値、回路設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)者決。、設(shè)計(jì)者仕様確認(rèn)完成基板仕様満確認(rèn)PCB製造會(huì)社任場(chǎng)合。計(jì)算方法Si9000差動(dòng)構(gòu)造 可能。Si9000離散數(shù)値分析、境界要素法使用、殘余評(píng)価。個(gè)別線形近似導(dǎo)體斷面周辺重付共利用、導(dǎo)

5、體上表面電荷分布予測(cè)。境界電圧狀態(tài)電荷分布理解、積分法使用関數(shù)評(píng)価、構(gòu)造予測(cè)。、構(gòu)造計(jì)算。Microstrip伝送線路Stripline伝送線路特性PCB通常、（不平衡）差動(dòng)構(gòu)成（平衡）持microstrip、stripline伝送線路用作。 Micro strip線路、誘電層実裝低損失比誘電體上（実際、比誘電體単體比誘電體多數(shù)比誘電體層構(gòu)成）特性幅伝導(dǎo)性導(dǎo)體構(gòu)成。 比誘電體通常、FR-4強(qiáng)化作。周波數(shù)非常高場(chǎng)合、PTFE使用場(chǎng)合。 、他強(qiáng)化樹脂利用可能。PCB伝送線路、以下複數(shù)設(shè)定。Exposed microstripsurface microstrip)Coated microstrip（

6、、通常使用）Buried microstripembedded microstripCentred striplineDual (offset) stripline伝送線路伝送線路、2個(gè)接続方法最一般的手法（、導(dǎo)體他負(fù)荷接続）。 基準(zhǔn)（）層 與。図中、導(dǎo)體輪郭幅臺(tái)形形狀、W上面最近導(dǎo)體幅、W1下面最近導(dǎo)體幅。詳細(xì)Surface MicrostripEmbedded MicrostripCoated MicrostripOffset StriplineSurface Microstrip下図（surface microstripexposed microstrip）、信號(hào)線外気露出、電源層合配置

7、。 Si9000、構(gòu)造導(dǎo)體（上下導(dǎo)體）基準(zhǔn)比誘電體配置従分類。 下図、信號(hào)導(dǎo)體（1B）下比誘電體層使用surface microstrip構(gòu)造示。導(dǎo)體下1層比誘電體持surface microstrip下図導(dǎo)體下2層比誘電體層使用surface microstrip構(gòu)造（2B）。導(dǎo)體下2層比誘電體層持surface microstripEmbedded Microstrip埋込式（埋沒）microstrip表面型同、違信號(hào)線2層比誘電體間埋込、電源層既知距離位置。導(dǎo)體上1層下1層2層持embedded microstrip構(gòu)造、2層比誘電體、導(dǎo)體下1層上1層配置（1B1A呼）。信號(hào)線埋込、同等

8、surface microstrip構(gòu)造比20%低下。Coated Microstrip導(dǎo)體下比誘電體持coated microstrip。coated microstrip表面版同一、違信號(hào) 覆點(diǎn)。、 種類厚最大數(shù)程度低下場(chǎng)合。導(dǎo)體下二層比誘電體持coated microstrip。Offset Stripline設(shè)定、信號(hào)導(dǎo)體2層電源層挾構(gòu)造取、2層層等距離位置構(gòu)造場(chǎng)合、場(chǎng)合。構(gòu)造、Dual Stripline呼。2目導(dǎo)體、上層H1 位置。2層信號(hào)層直行（直角交差交差面最?。┡渲谩２顒?dòng)伝送線路良好耐性改善必要場(chǎng)合、差動(dòng)構(gòu)成（平衡線路呼場(chǎng)合）使用。差動(dòng)、信號(hào)論理補(bǔ)數(shù)負(fù)荷適用。 、平衡線路、同

9、等（不平衡）場(chǎng)合同様、信號(hào)導(dǎo)體対応電源層（12）。 平衡線路內(nèi)生成、相互打消性質(zhì)、EMIRFI、不平衡線路場(chǎng)合比較、低。外部、両方信號(hào)等感知、同相除去。下図（Broadside-coupled Stripline除）、導(dǎo)體輪郭臺(tái)形、幅W上面最近導(dǎo)體幅、W1下面最近導(dǎo)體幅。詳細(xì)Edge-coupled Surface MicrostripEdge-coupled Coated MicrostripEdge-coupled Embedded MicrostripEdge-coupled Offset StriplineBroadside-coupled StriplineEdge-coupled

10、Surface Microstrip導(dǎo)體下単層比誘電體持edge-coupled surface maicrostrip構(gòu)造導(dǎo)體間間隙S1、差動(dòng)定義。、被覆密度、構(gòu)造製造容易。、外層上必要他処理、許容値広。Edge-coupled Coated Microstrip導(dǎo)體下単層比誘電體持edge-coupled coated microstripSurface Microstrip場(chǎng)合同様、構(gòu)造製造容易、追加加、発生。 Si9000、導(dǎo)體外部上部導(dǎo)體間厚指定、基板製造許容。構(gòu)造、特LPI（Liquid Photo Imagable）採(cǎi)用場(chǎng)合溢敏感反応。、edge coupling部位比誘電率溢深

11、変動(dòng)。Edge-coupled Embedded Microstrip導(dǎo)體上下1層比誘電體持edge-coupled embedded microstrip內(nèi)層処理少、edge-coupled embedded microstrip構(gòu)造、同等表面導(dǎo)體一貫性備、製造容易。製造過程、樹脂導(dǎo)體間封、両導(dǎo)體間樹脂偏在領(lǐng)域（下1B1A1R中REr表示）形成。領(lǐng)域他構(gòu)造異Er持比誘電體。導(dǎo)體間樹脂偏在領(lǐng)域持edge-coupled embedded microstripEdge-coupled Offset Stripline導(dǎo)體下上1層比誘電體持edge-coupled offset stripline

12、offset stripline構(gòu)造同様、構(gòu)造上部電源層距離定鏡面配置edge-coupled差動(dòng)持雙構(gòu)造成。下層上層対対角線狀配線、層間抑制。以下、導(dǎo)體下2層上1層、樹脂偏在領(lǐng)域?qū)w間。導(dǎo)體間樹脂偏在領(lǐng)域持edge-coupled offset stripline構(gòu)造Broadside-Coupled Stripline2層（H1 H2）基材比誘電體備broadside-coupled offset stripline、見単純構(gòu)造製造、一定備製造実際非常困難。最一般的構(gòu)造、少內(nèi)層備、最高両導(dǎo)體表面覆構(gòu)造。 內(nèi)層不良、誤差種原因、特導(dǎo)體微細(xì)場(chǎng)合、一貫性高結(jié)果生出困難。3層（H1、H2、H3）基

13、材非誘電體備Broadside-coupled offset striplineSi9000 Broadside-coupled、H2、H32層対稱的比誘電體想定。、2層通常比誘電率同同一製造。broadside-coupled stripline導(dǎo)體輪郭臺(tái)形、W2表面?zhèn)葘?dǎo)體幅表、W1 中心側(cè)導(dǎo)體幅表。Si9000、Si9000、構(gòu)造範(fàn)囲選択、SB200 貼付表示。使用、結(jié)果保存、再表示、印刷、編集使用、周波數(shù)依存性表Windows介分析利用表計(jì)算。設(shè)定、最大最小構(gòu)造値計(jì)算使用 収束設(shè)定指定。中Si9000 、Polar Instruments 上特性関連。構(gòu)造押、構(gòu)造関連範(fàn)囲特性構(gòu)造（、差動(dòng)

14、、coplanar、他）表示。貼付使用、特性情報(bào)SB200 PCB層構(gòu)成交換。構(gòu)造構(gòu)造使用、表示構(gòu)造表特性構(gòu)造選択。表示範(fàn)囲、関連変。構(gòu)造図構(gòu)造図選択特性反映。hotspot（ 、H1、Er1）、修正 選択。計(jì)算構(gòu)造許容値入力修正場(chǎng)合、値計(jì)算場(chǎng)合目標(biāo)値 行場(chǎng)合計(jì)算使用。 標(biāo)準(zhǔn)拡張計(jì)算許容値適用場(chǎng)合拡張使用。色、最大最小値影響及示。例、緑色、Er1最小値変動(dòng)最大値影響及。計(jì)算計(jì)算使用、計(jì)算単位、 収束設(shè)定指定。周波數(shù)依存性計(jì)算 周波數(shù)依存性計(jì)算使用、周波數(shù)依存性計(jì)算使用値入力修正行。拡張基材使用、周波數(shù)帯指定周波數(shù)依存性結(jié)果表結(jié)果表使用、周波數(shù)依存性計(jì)算結(jié)果表形式確認(rèn)。表示列損失結(jié)果、表層厚結(jié)果

15、選択。Si9000 設(shè)定Si9000、現(xiàn)実値動(dòng)作設(shè)計(jì)。計(jì)算使用値Si9000超場(chǎng)合、Si9000値0返。計(jì)算中Si9000 使用値範(fàn)囲調(diào)整。設(shè)定。 Si9000設(shè)定表示。各計(jì)算反復(fù)回?cái)?shù)（Si 試行）最大最小値入力。無損失計(jì)算、Si9000 使用、主要PCB対PCB導(dǎo)體値計(jì)算迅速実行。 Si9000 使用、導(dǎo)體長(zhǎng)単位、伝搬遅延、計(jì)算。Si9000 、Si9000 起動(dòng)。無損失計(jì)算詳細(xì) 計(jì)算伝搬遅延、計(jì)算基板 （ ）拡張使用差動(dòng)計(jì)算伝搬遅延、奇數(shù)偶數(shù) 計(jì)算 計(jì)算構(gòu)造構(gòu)造種類。単位寸法単位(、）選。以下値入力。H1（高） 比誘電體厚W1W2（幅） 導(dǎo)體幅（仕上済 考慮）T1（厚） 導(dǎo)體厚Er1比誘電

16、率値、対応入力、計(jì)算押。計(jì)算結(jié)果（Zo）表示。必要場(chǎng)合、記特有構(gòu)成説明書入。伝搬遅延、計(jì)算構(gòu)造構(gòu)造設(shè)定。上示入力、詳細(xì)押。標(biāo)準(zhǔn)、結(jié)果以下表示。Si9000指定単位、伝搬遅延、結(jié)果表示。閉押終了?；?（ ） 、任意公稱値対基板求。対応中任意基板寸法、 中公稱値入力、計(jì)算押、未知寸法、例基板高H1導(dǎo)體幅求。拡張使用拡張 選択、許容値、最大、最小追加表示、各範(fàn)囲指定、製造変動(dòng)影響観察。最大値調(diào)整緑表示、最小値調(diào)整表示。例、公稱80指定、基板高±1製造上変動(dòng)公稱及影響観察。拡張選択。80入力、基板1高計(jì)算。公稱基板1高9.77計(jì)算?；?高許容値1値入力、計(jì)算。Si9000、H11変動(dòng)対範(fàn)

17、囲、76.2783.37計(jì)算。他許容値必要応入力?；?比誘電體許容値0.5入力、計(jì)算押。範(fàn)囲、72.7187.89。差動(dòng)計(jì)算差動(dòng)計(jì)算、 計(jì)算同手法、違導(dǎo)體間隔備。一部、間隔部位比誘電率基材比誘電率一括値別途指定。必要応値許容値入力、計(jì)算。Si9000、計(jì)算。一方計(jì)算使用、目標(biāo)戻必要値 行。伝搬遅延、奇數(shù)偶數(shù) 計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)、詳細(xì)、差動(dòng)奇數(shù)偶數(shù) 計(jì)算結(jié)果表示。拡張上、詳細(xì)、指定許容値対計(jì)算結(jié)果表示。結(jié)果保存再表示基板種類計(jì)算結(jié)果、保存再表示、後確認(rèn)。名前保存選択。名稱保存場(chǎng)所指定、保存押。計(jì)算結(jié)果保存。結(jié)果再表示場(chǎng)合、開選、呼出結(jié)果選、開押。拡張基板表使用Si9000周波數(shù)依存性計(jì)算、拡張基板使用精度高。、基板値周波數(shù)帯指定、周波數(shù)異指定製造會(huì)社材料対応。製造業(yè)者、例、周波數(shù)範(fàn)囲Er値、100MHzEr = 4.2、100MHz1GHzEr = 4.15、1GHz10GHzEr = 4.1、異値指定。詳細(xì)比誘電體層周波數(shù)選択拡張基板表追加修正比誘電體層周波數(shù)選択比誘電體層周波數(shù)選択場(chǎng)合、拡張基材畫面編集。拡張基材 表示。各