巨磁電阻實(shí)驗(yàn)

1、巨磁電阻效應(yīng)及其應(yīng)用巨磁電阻（Gia nt mag neto resista nee,簡(jiǎn)稱(chēng)GMR）效應(yīng)表示在一個(gè)巨磁電阻系統(tǒng)中，非常弱小的磁性變化就能導(dǎo)致巨大的電阻變化的特殊效應(yīng)法國(guó)科學(xué)家阿爾貝費(fèi)爾（Albert Fert）和德國(guó)科學(xué)家彼得格林貝格爾（Peter Grunberg ）因分別獨(dú)立發(fā)現(xiàn)巨磁阻效應(yīng)而共同榮膺 2007年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng).圖1反鐵磁有序GMR是一種量子力學(xué)和凝聚態(tài)物理 學(xué)現(xiàn)象，是磁阻效應(yīng)的一種，可以在磁性 材料和非磁性材料相間的薄膜層（幾個(gè)納 米厚）結(jié)構(gòu)中觀察到在量子力學(xué)出現(xiàn)后， 德國(guó)科學(xué)家海森伯（W. Heisenberg, 1932年諾貝爾獎(jiǎng)得主）明確提出鐵磁性有序狀

2、態(tài)源于鐵磁性原子磁矩之間的量子力學(xué) 交換作用，這個(gè)交換作用是短程的，稱(chēng)為直接交換作用.隨后，科學(xué)家們又發(fā) 現(xiàn)很多的過(guò)渡金屬和稀土金屬的化合物也具有反鐵磁有序狀態(tài),即在有序排列的磁材料中，相鄰原子因受負(fù)的交換作用，自旋為反平行排列，如圖1所示.此 時(shí)磁矩雖處于有序狀態(tài)，但總的凈磁矩在不受外場(chǎng)作用時(shí)仍為零 .這種磁有序 狀態(tài)稱(chēng)為反鐵磁性.反鐵磁性通過(guò)化合物中的氧離子（或其他非金屬離子）將最 近的磁性原子的磁矩耦合起來(lái)，屬于間接交換作用.此外，在稀土金屬中也出 現(xiàn)了磁有序，其中原子的固有磁矩來(lái)自4f電子殼層.相鄰稀土原子的距離遠(yuǎn)大 于4f電子殼層直徑，所以稀土金屬中的傳導(dǎo)電子擔(dān)當(dāng)了中介 ，將相鄰的稀

3、土原 子磁矩耦合起來(lái)，這就是RKK型間接交換作用.直接交換作用的特征長(zhǎng)度為0.1 0.3nm,間接交換作用可以長(zhǎng)達(dá)1nm以上. 據(jù)此美國(guó)IBM實(shí)驗(yàn)室的江崎和朱兆祥提出了超晶格的概念所謂的超晶格就是指 由兩種（或兩種以上）組分（或?qū)щ婎?lèi)型）不同、厚度極小的薄層材料交替生長(zhǎng) 在一起而得到的一種多周期結(jié)構(gòu)材料，其特點(diǎn)是這種復(fù)合材料的周期長(zhǎng)度比各 薄膜單晶的晶格常數(shù)大幾倍或更長(zhǎng).上世紀(jì)八十年代，制作高質(zhì)量的納米尺度 樣品技術(shù)的出現(xiàn)使得金屬超晶格成為研究前沿.因此凝聚態(tài)物理工作者對(duì)這類(lèi) 人工材料的磁有序，層間耦合，電子輸運(yùn)等進(jìn)行了廣泛的基礎(chǔ)方面的研究.其 中相關(guān)的代表性研究工作簡(jiǎn)介如下.其一是德國(guó)尤利希

4、科研中心的物理學(xué)家彼得 格倫貝格爾.他一直致力于研 究鐵磁性金屬薄膜表面和界面上的磁有序狀態(tài) , 其研究對(duì)象是一個(gè)三明治結(jié)構(gòu) 的薄膜,兩層厚度約10nm的鐵層之間夾有厚度為1nm的鉻層.之所以選擇選擇這 一材料系統(tǒng) , 首先是因?yàn)榻饘勹F和鉻是周期表上相近的元素 , 具有類(lèi)似的電子 殼層, 容易實(shí)現(xiàn)兩者的電子狀態(tài)匹配 . 其次, 金屬鐵和鉻的晶格對(duì)稱(chēng)性和晶格 常數(shù)相同 , 它們之間晶格結(jié)構(gòu)相匹配 . 這兩類(lèi)匹配非常有利于對(duì)基本物理過(guò)程 進(jìn)行探索 . 盡管如此 , 長(zhǎng)期以來(lái)該課題組所獲得的三明治薄膜僅為多晶體 . 隨 著制備薄膜技術(shù)的發(fā)展，分子束外延（MBE）方法的應(yīng)用才使得結(jié)構(gòu)完整的單晶樣 品得

5、以問(wèn)世 , 其成分依然是鐵 -鉻-鐵三層膜 . 此后, 為了進(jìn)一步獲得鐵磁矩的 有關(guān)信息 , 科研工作者將光散射應(yīng)用于對(duì)金屬三層膜進(jìn)行相關(guān)研究 . 在實(shí)驗(yàn)過(guò) 程中，薄膜上的外磁場(chǎng)被逐步減小直至消失結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在鉻層厚度為0.8nm的 鐵-鉻-鐵三明治中 , 兩邊的兩個(gè)鐵磁層磁矩從彼此平行 （較強(qiáng)磁場(chǎng)下 ）轉(zhuǎn)變?yōu)榉?平行（弱磁場(chǎng)下）. 亦即, 對(duì)于非鐵磁層鉻的某個(gè)特定厚度 , 在無(wú)外磁場(chǎng)時(shí) , 兩 邊鐵磁層磁矩處于反平行狀態(tài) , 這一現(xiàn)象成為巨磁電阻效應(yīng)出現(xiàn)的前奏 . 在對(duì) 這一現(xiàn)象的進(jìn)一步研究過(guò)程中 , 格倫貝格爾等發(fā)現(xiàn)當(dāng)兩個(gè)磁矩反平行時(shí) , 鐵- 鉻- 鐵三明治呈現(xiàn)高電阻狀態(tài) . 而當(dāng)兩個(gè)磁矩

6、平行時(shí) , 則對(duì)應(yīng)與其低電阻狀態(tài) , 且 兩種不同狀態(tài)下的阻值差高達(dá) 10%. 之后, 格倫貝格爾將此結(jié)果寫(xiě)成論文 , 并申 請(qǐng)了將這種效應(yīng)和材料應(yīng)用于硬盤(pán)磁頭的專(zhuān)利 .另一位科研工作者是巴黎十一大學(xué)固體物理實(shí)驗(yàn)室物理學(xué)家阿爾貝費(fèi)爾，其課題組將鐵、鉻薄膜交替制成幾十個(gè)周期的鐵 -鉻超晶格 , 亦稱(chēng)周期性多層膜 . 通過(guò)對(duì)此類(lèi)物質(zhì)的研究 , 他們發(fā)現(xiàn)了當(dāng)改變磁場(chǎng)強(qiáng)度時(shí) , 超晶格薄膜的電阻下 降近一半 , 即磁電阻比率達(dá)到 50%. 據(jù)此該現(xiàn)象被命名為巨磁電阻現(xiàn)象 , 并用兩 電流模型予以合理解釋 . 顯然 , 該周期性多層膜可視為若干個(gè)格倫貝格爾三明 治的重疊 , 因此德國(guó)和法國(guó)的這兩個(gè)獨(dú)立發(fā)

7、現(xiàn)實(shí)屬同一個(gè)物理現(xiàn)象 .除了上述兩位諾貝爾獎(jiǎng)獲得者的開(kāi)創(chuàng)性工作，IBM公司的斯圖爾特帕金（S. P. Parkin ）將GMR的制作材料做了進(jìn)一步推廣，為其工業(yè)化應(yīng)用奠定了基礎(chǔ) 他于1 990年首次報(bào)道了鐵 -鉻超晶格系列之外的鈷 -釕和鈷-鉻超晶格體系亦有巨 磁電阻效應(yīng) , 并且隨著非磁層厚度增加 , 其磁電阻值振蕩下降 . 此后 , 科學(xué)家 在過(guò)渡金屬超晶格和金屬多層膜中又發(fā)現(xiàn)了20種左右不同的體系均存在巨磁電阻振蕩現(xiàn)象帕金的工作首先為尋找更多的GM材料開(kāi)辟了廣闊空間，為尋找適合硬盤(pán)的GM材料提供了可能，1997年制成了 GM磁頭即是其成功之一.其次, 在薄膜制備方法上帕金采用較普通的磁控

8、濺射技術(shù)用以替代精密的MB方法，并使之成為工業(yè)生產(chǎn)多層膜的標(biāo)準(zhǔn) . 磁控濺射技術(shù)克服了物理發(fā)現(xiàn)與產(chǎn)業(yè)化之間 的障礙 ， 使巨磁電阻成為基礎(chǔ)研究快速轉(zhuǎn)換為商業(yè)應(yīng)用的國(guó)際典范 . 同時(shí)， 巨 磁電阻效應(yīng)也被認(rèn)為是納米技術(shù)的首次真正應(yīng)用 .巨磁電阻效應(yīng)發(fā)現(xiàn)的另一重大意義在于打開(kāi)了一扇通向新技術(shù)世界的大門(mén) 自旋電子學(xué) GMR作為自旋電子學(xué)的開(kāi)端具有深遠(yuǎn)的科學(xué)意義 傳統(tǒng)的電子 學(xué)是以電子的電荷移動(dòng)為基礎(chǔ)的 ， 電子自旋往往被忽略了 . 巨磁電阻效應(yīng)表明 電子自旋對(duì)于電流的影響非常強(qiáng)烈 ， 電子的電荷與自旋兩者都可能載運(yùn)信息 . 自旋電子學(xué)的研究和發(fā)展引發(fā)了電子技術(shù)與信息技術(shù)的一場(chǎng)新的革命 . 目前電 腦

9、， 音樂(lè)播放器等各類(lèi)數(shù)碼電子產(chǎn)品中所裝備的硬盤(pán)磁頭 ， 基本上都應(yīng)用了巨 磁電阻效應(yīng) . 利用巨磁電阻效應(yīng)制成的多種傳感器 ， 已廣泛應(yīng)用于各種測(cè)控領(lǐng) 域除利用鐵磁膜-金屬膜-鐵磁膜的GM效應(yīng)外，由兩層鐵磁膜夾一極薄的絕緣 膜或半導(dǎo)體膜構(gòu)成的隧穿磁阻（TMR）效應(yīng),已顯示出比GM效應(yīng)更高的靈敏度. 此外， 在單晶和多晶等多種形態(tài)的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的稀土錳酸鹽 ， 以及一些磁性半 導(dǎo)體中 ， 都發(fā)現(xiàn)了巨磁電阻效應(yīng) .實(shí)驗(yàn)?zāi)康? 了解GMR效應(yīng)的原理.2 測(cè)量GMR模擬傳感器的磁電轉(zhuǎn)換特性曲線(xiàn).3 測(cè)量GMR的磁阻特性曲線(xiàn).4 測(cè)量GMR開(kāi)關(guān)（數(shù)字）傳感器的磁電轉(zhuǎn)換特性曲線(xiàn).5 用GMR傳感器測(cè)量電流.

10、6 用GMR梯度傳感器測(cè)量齒輪的角位移，了解GMR轉(zhuǎn)速傳感器的原理.7 通過(guò)實(shí)驗(yàn)了解磁記錄與讀出的原理 .實(shí)驗(yàn)原理根據(jù)導(dǎo)電的微觀機(jī)理 ， 電子在導(dǎo)電時(shí)并非沿電場(chǎng)直線(xiàn)前進(jìn) ， 而是不斷和晶 格中的原子產(chǎn)生碰撞 （又稱(chēng)散射） ， 每次散射后電子都會(huì)改變運(yùn)動(dòng)方向 ， 總的運(yùn) 動(dòng)是電場(chǎng)對(duì)電子的定向加速與這種無(wú)規(guī)散射運(yùn)動(dòng)的疊加 . 電子在兩次散射之間 走過(guò)的平均路程稱(chēng)為平均自由程 ， 電子散射幾率小 ， 則平均自由程長(zhǎng) ， 電阻率低.在電阻定律R= 1/S中，電阻率可視為常數(shù)，與材料的幾何尺度無(wú)關(guān).這 是因?yàn)橥ǔ２牧系膸缀纬叨冗h(yuǎn)大于電子的平均自由程（例如銅中電子的平均自由程約34nn）,可以忽略邊界效應(yīng)

11、.然而，當(dāng)材料的幾何尺度小到納米量級(jí)且只有 幾個(gè)原子的厚度時(shí)（例如，銅原子的直徑約為0.3nm）,電子在邊界上的散射幾 率大大增加，此時(shí)可以明顯觀察到厚度減小，電阻率增加的現(xiàn)象.電子除本身攜帶電荷外，還具有自旋特性.自旋磁矩又分為平行或反平行 于外磁場(chǎng)方向的兩種不同取向.在自旋磁矩與材料的磁場(chǎng)方向平行的情況下，電子散射的幾率遠(yuǎn)小于二者反平行條件下的散射幾率.與此相應(yīng)，材料的電阻在自旋磁矩與外磁場(chǎng)方向平行時(shí)將遠(yuǎn)小于二者反平行時(shí)的阻值.事實(shí)上，材料的總電阻可視為兩類(lèi)自旋電流的并聯(lián)電阻，因此總電流則為兩類(lèi)自旋電流之和， 此即兩電流模型.如圖2所示，無(wú)外磁場(chǎng)時(shí)，多層膜結(jié)構(gòu)中的上下兩層磁性材料反平行 （

12、反鐵 磁）耦合.當(dāng)施加足夠強(qiáng)的外磁場(chǎng)后，兩層鐵磁膜的方向都與外磁場(chǎng)方向一致， 外磁場(chǎng)使兩層鐵磁膜從反平行耦合變成了平行耦合.電流的方向在多數(shù)應(yīng)用中與膜面方向平行.無(wú)外磁場(chǎng)時(shí)頂層磁場(chǎng)方向無(wú)外磁場(chǎng)時(shí)底層磁場(chǎng)方向圖 2 多層 膜 GMR 結(jié)構(gòu)圖事實(shí)上，有兩類(lèi)與自旋相關(guān)的散射對(duì)巨磁電阻效應(yīng)有貢獻(xiàn)：其一，界面上的散射.在無(wú)外磁場(chǎng)條件下，上下兩層鐵磁膜的磁場(chǎng)方向相 反，無(wú)論電子的初始自旋狀態(tài)如何，從一層鐵磁膜進(jìn)入另一層鐵磁膜時(shí)都面臨 狀態(tài)改變（平行-反平行，或反平行-平行），電子在界面上的散射幾率很大 對(duì)應(yīng)于高電阻狀態(tài)；在有外磁場(chǎng)存在時(shí)，上下兩層鐵磁膜的磁場(chǎng)方向一致，電 子在界面上的散射幾率很小，對(duì)應(yīng)于低

13、電阻狀態(tài).其二，鐵磁膜內(nèi)的散射即使電流方向平行于膜面，由于無(wú)規(guī)散射，電子 也有一定的幾率在上下兩層鐵磁膜之間穿行.在無(wú)外磁場(chǎng)時(shí)，上下兩層鐵磁膜 的磁場(chǎng)方向相反，無(wú)論電子的初始自旋狀態(tài)如何，在穿行過(guò)程中都會(huì)經(jīng)歷散射 幾率?。ㄆ叫校┖蜕⑸鋷茁蚀螅ǚ雌叫校﹥煞N過(guò)程，兩類(lèi)自旋電流的并聯(lián)電阻相 似兩個(gè)中等阻值的電阻的并聯(lián)，對(duì)應(yīng)于高電阻狀態(tài).在有外磁場(chǎng)時(shí)，上下兩層 鐵磁膜的磁場(chǎng)方向一致，自旋平行的電子散射幾率小，自旋反平行的電子散射 幾率大，兩類(lèi)自旋電流的并聯(lián)電阻相似一個(gè)小電阻與一個(gè)大電阻的并聯(lián)，對(duì)應(yīng)于低電阻狀態(tài).多層膜GM結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，工作可靠，磁阻隨外磁場(chǎng)線(xiàn)性變化的范圍大，在制作 模擬傳感器方面得到廣泛應(yīng)

14、用.在數(shù)字記錄與讀出領(lǐng)域,為進(jìn)一步提高靈敏度， 發(fā)展了自旋閥結(jié)構(gòu)的GMR.如圖3所示.自旋閥結(jié)構(gòu)的SV-GMR（Spirvalve GMR由釘扎層，被釘扎層，中間導(dǎo)電層和自由層構(gòu)成.其中，釘扎層使用反鐵磁材料，被釘扎層使用硬鐵磁材料，鐵磁 和反鐵磁材料在交互耦合作用下形成一個(gè)偏轉(zhuǎn)場(chǎng)，此偏轉(zhuǎn)場(chǎng)將被釘扎層的磁化 方向固定，不隨外磁場(chǎng)改變.自由層使用軟鐵磁材料，它的磁化方向易于隨外 磁場(chǎng)轉(zhuǎn)動(dòng).這樣，很弱的外磁場(chǎng)就會(huì)改變自由層與被釘扎層磁場(chǎng)的相對(duì)取向，對(duì)應(yīng)于很高的靈敏度.制造時(shí)，使自由層的初始磁化方向與被釘扎層垂直，磁 記錄材料的磁化方向與被釘扎層的方向相同或相反（對(duì)應(yīng)于0或1）,當(dāng)感應(yīng)到磁記錄材料的

15、磁場(chǎng)時(shí)，自由層的磁化方向就向與被釘扎層磁化方向相同（低電阻） 或相反（高電阻）的方向偏轉(zhuǎn)，檢測(cè)出電阻的變化，就可確定記錄材料所記錄的 信息，硬盤(pán)所用的GM磁頭就采用這種結(jié)構(gòu).自由層中間導(dǎo)電層 被釘扎層 釘扎層圖3自旋閥 SV -GMR 結(jié)構(gòu)圖實(shí)驗(yàn)儀器一.主體名稱(chēng)：ZKY-巨磁電阻效應(yīng)及應(yīng)用實(shí)驗(yàn)儀構(gòu)成及功能：電流表部分：做為一個(gè)獨(dú)立的電流表使用兩個(gè)檔位：2mA檔和200mA檔，可通過(guò)電流量程切換開(kāi)關(guān)選擇合適的電流檔位 測(cè)量電流電壓表部分：做為一個(gè)獨(dú)立的電壓表使用兩個(gè)檔位：2V檔和200mV檔，可通過(guò)電壓量程切換開(kāi)關(guān)選擇合適的電壓檔位.恒流源部分：可變恒流源實(shí)驗(yàn)儀還提供GMR傳感器工作所需的4V電

16、源和運(yùn)算放大器工作所需的 乂V電源.二.各種組件1. 基本組件：基本特性組件由GM模擬傳感器，螺線(xiàn)管線(xiàn)圈及比較電路，輸入輸出插孔 組成.用以對(duì)GM的磁電轉(zhuǎn)換特性，磁阻特性進(jìn)行測(cè)量.GM傳感器置于螺線(xiàn)管的中央.螺線(xiàn)管用于在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中產(chǎn)生大小可計(jì)算的磁場(chǎng)，由理論分析可知，無(wú)限長(zhǎng)直螺線(xiàn)管內(nèi)部軸線(xiàn)上任一點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為：B = w）nl .式中n為線(xiàn)圈密度，I為流經(jīng)線(xiàn)圈的電流強(qiáng)度%=4二102H/m為真空中的磁導(dǎo)率.采用國(guó)際單位制時(shí)，由上式計(jì)算出的磁感應(yīng)強(qiáng)度 單位為特斯拉（1特斯拉=10000高斯）2. 電流測(cè)量組件：電流測(cè)量組件將導(dǎo)線(xiàn)置于 GM模擬傳感器近旁，用GM傳感器測(cè)量導(dǎo)線(xiàn)通過(guò)不同大小電流時(shí)導(dǎo)

17、線(xiàn)周?chē)拇艌?chǎng)變化，就可確定電流大小與一般測(cè)量電流需將電流表接入電路相比，這種非接觸測(cè)量不干擾原電路的工作，具有特殊的優(yōu)點(diǎn)3角位移測(cè)量組件：角位移測(cè)量組件用巨磁阻梯度傳感器作傳感元件，鐵磁性齒輪轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，齒牙干擾了梯度傳感器上偏置磁場(chǎng)的分布，使梯度傳感器輸出發(fā)生變化，每轉(zhuǎn)過(guò)一齒，就輸出類(lèi)似正弦波一個(gè)周期的波形 利用該原理可以測(cè)量角位移（轉(zhuǎn)速，速度）.汽 車(chē)上的轉(zhuǎn)速與速度測(cè)量?jī)x利用的就是這一原理4磁讀寫(xiě)組件：磁讀寫(xiě)組件用于演示磁記錄與讀出的原理磁卡做記錄介質(zhì)，磁卡通過(guò)寫(xiě)磁頭時(shí)可寫(xiě)入數(shù)據(jù)，通過(guò)讀磁頭時(shí)將寫(xiě)入的數(shù)據(jù)讀出來(lái)巨磁電阻效應(yīng)及其應(yīng)用實(shí)驗(yàn)報(bào)告一、實(shí)驗(yàn)時(shí)間：年 月曰、樣品：巨磁阻基本特性組件，磁讀寫(xiě)

18、組件，電流測(cè)量組件，角位移測(cè)量組件，巨磁阻試件，磁卡以及巨磁電阻效應(yīng)及應(yīng)用實(shí)驗(yàn)儀(01-001)三、實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?、了解巨磁電阻效應(yīng)實(shí)驗(yàn)原理；2、了解巨磁阻的模擬傳感器磁電轉(zhuǎn)換特性；3、了解巨磁阻的磁阻特性；4、通過(guò)實(shí)驗(yàn)了解磁記錄與磁讀寫(xiě)的原理.四、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：1、GMR模擬傳感器的磁電轉(zhuǎn)換特性測(cè)量：表1磁阻兩端電壓4V勵(lì)磁電流l1(mA)磁感應(yīng)強(qiáng)度B輸出電壓U(mV勵(lì)磁電流I1(mA)磁感應(yīng)強(qiáng)度B輸出電壓U(mV10089.98069.76049.8403020151050-5-10-15.1-20-30.1-40.7-50.2-60-76.8-80.1-90-100卩=4nX -7H/m (1

19、)n=24000T/m (2)B= %nl(3)輸出電壓與磁感應(yīng)強(qiáng)度B之間的關(guān)系曲線(xiàn)：磁感應(yīng)強(qiáng)度B與輸出電壓U之間的關(guān)系曲線(xiàn)25(22f20(17JL15012510()7cn5025輸出電壓u(vrB赫線(xiàn)磁場(chǎng)O30.-O20.-0.010.020.030.040.0增大 時(shí)BU關(guān) 系曲 線(xiàn)磁感應(yīng)強(qiáng)度B圖(1)2、GMR磁阻特性測(cè)量：由式(3)可得磁感應(yīng)強(qiáng)度B,巨磁阻兩端電壓為4V,則由歐姆定律可得磁阻R.表2磁阻特性測(cè)量磁阻兩端電壓4V勵(lì)磁電流I l(mA)磁感應(yīng)強(qiáng)度B磁阻電流I (mA磁阻R(Q)勵(lì)磁電流I 1(mA)磁感應(yīng)強(qiáng)度B磁阻電流I ( mA磁阻R(Q )10030.1-100-3

20、0.19027.1-90-27.18024.1-80-24.169.521.0-70-21.16018.1-60-18.149.815.0-50-15.139.111.8-40.1-12.1309.0-30-9.0206.0-19.8-6.014.84.5-15-4.5103.0-10-3.051.5-5-1.500.000.0-5.1-1.551.5-10.1-3.0103.0-15-4.515.34.6-20.2-6.1206.0-30.5-9.2309.0-40.1-12.140.112.1-50-15.15015.1-60-18.16018.1-70.1-21.17021.1-80-2

21、4.18024.1-90-27.19027.1-100-30.110030.1磁阻與磁感應(yīng)強(qiáng)度關(guān)系曲線(xiàn):R-B關(guān)系曲線(xiàn)一一磁場(chǎng)減小時(shí)R-B關(guān)系曲線(xiàn)圖(2)磁場(chǎng)增大時(shí) R-B關(guān)系曲線(xiàn)3、GMR開(kāi)關(guān)(數(shù)字)傳感器的磁電轉(zhuǎn)換特性曲線(xiàn)測(cè)量勵(lì)磁電流1 (mA輸岀電壓U(V)勵(lì)磁電流1 (mA)輸岀電壓U(V)50-5040-4030-3020-2019.4-17.519.4-17.510-1000-1010-2020-22.924.3-22.924.3-3030-4040-5050幵關(guān)特性曲線(xiàn)輸出電壓0-6021.81.61.41.20.2-404010.8U（ V）0.60.4磁場(chǎng)減小 時(shí)巨磁阻 開(kāi)關(guān)特性 曲線(xiàn)磁場(chǎng)增大 時(shí)巨磁阻 開(kāi)關(guān)特性 曲線(xiàn)-20 0 20勵(lì)磁電流I