多晶硅的危害介紹

1、多晶硅的危害2010/9/19:09:38近年，尤其是2007年以來，我國多晶硅產(chǎn)業(yè)有著迅猛的發(fā)展。1000t以上級別多晶硅生產(chǎn)裝置陸續(xù)建成。多晶硅的危害主要在其生產(chǎn)過程中有氫氣、液氯、三氯氫硅等有害物質(zhì)生成，生產(chǎn)過程中又存在火災(zāi)、爆炸、中毒、窒息、觸電傷害等諸多危險(xiǎn)因素。多晶硅生產(chǎn)過程中主要危險(xiǎn)、有害物質(zhì)中氯氣、氫氣、三氯氫硅、氯化氫等主要危險(xiǎn)特性有：1）氫氣：與空氣混合能形成爆炸性混合物，遇熱或明火即會(huì)發(fā)生爆炸。氣體比空氣輕，在室內(nèi)使用和儲存時(shí)，漏氣上升滯留屋頂不易排出，遇火星會(huì)引起爆炸。氫氣與氟、氯、澳等鹵素會(huì)劇烈反應(yīng)。2）氧氣：易燃物、可燃物燃燒爆炸的基本要素之一，能氧化大多數(shù)活性物質(zhì)

2、。與易燃物（如乙快、甲烷等）形成有爆炸性的混合物。3）氯：有刺激性氣味，能與許多化學(xué)品發(fā)生爆炸或生成爆炸性物質(zhì)。幾乎對金屬和非金屬都起腐蝕作用。屬高毒類。是一種強(qiáng)烈的刺激性氣體。4）氯化氫：無水氯化氫無腐蝕性，但遇水時(shí)有強(qiáng)腐蝕性。能與一些活性金屬粉末發(fā)生反應(yīng)，放出氫氣。遇富化物能產(chǎn)生劇毒的富化氫氣體。5）三氯氫硅：遇明火強(qiáng)烈燃燒。受高熱分解產(chǎn)生有毒的氯化物氣體。與氧化劑發(fā)生反應(yīng)，有燃燒危險(xiǎn)。極易揮發(fā)，在空氣中發(fā)煙，遇水或水蒸氣能產(chǎn)生熱和有毒的腐蝕性煙霧。燃燒（分解）產(chǎn)物:氯化氫、氧化硅。6）四氯化硅：受熱或遇水分解放熱，放出有毒的腐蝕性煙氣。7）氫氟酸：腐蝕性極強(qiáng)。遇H發(fā)泡劑立即燃燒。能與普通

3、金屬發(fā)生反應(yīng)，放出氫氣而與空氣形成爆炸性混合物。8）硝酸：具有強(qiáng)氧化性。與易燃物（如苯）和有機(jī)物（如糖、纖維素等）接觸會(huì)發(fā)生劇烈反應(yīng)，甚至引起燃燒。與堿金屬能發(fā)生劇烈反應(yīng)。具有強(qiáng)腐蝕性。9）氮?dú)猓喝粲龈邿?，容器?nèi)壓增大。有開裂和爆炸的危險(xiǎn)。10）氟化氫：腐蝕性極強(qiáng)。若遇高熱，容器內(nèi)壓增大，有開裂和爆炸的危險(xiǎn)。11）氫氧化鈉：本品不燃，具強(qiáng)腐蝕性、強(qiáng)刺激性，可致人體灼傷?；馂?zāi)、爆炸、中毒是多晶硅項(xiàng)目在生產(chǎn)中的主要危險(xiǎn)、有害因素，另外，還存在觸電、機(jī)械傷害、腐蝕、粉塵等危險(xiǎn)、有害因素。主要有：1）氫氣制備：電解槽、氫、氧貯罐等，火災(zāi)爆炸、觸電、機(jī)械傷害。2）氯化氫合成：氯化氫合成爐、氯氣、氫氣緩沖

4、罐等，火災(zāi)爆炸、中毒、觸電。3）三氯氫硅合成：三氯氫硅合成爐、合成氣洗滌塔、供料機(jī)等，火災(zāi)爆炸、中毒、腐蝕、觸電、機(jī)械傷害、粉塵。4）合成氣分離：混合氣洗滌塔、氯化氫吸收塔、氯化氫解析塔、混合氣壓縮機(jī)等，火災(zāi)爆炸、中毒、腐蝕、觸電、機(jī)械傷害。5）氯硅烷分離：精儲塔、再沸器、冷凝氣等，火災(zāi)爆炸、中毒、腐蝕、觸電、機(jī)械傷害。6）三氯氫硅還原：三氯氫硅汽化器、還原爐、還原爐冷卻水循環(huán)泵等，火災(zāi)爆炸、中毒、腐蝕、觸電、機(jī)械傷害。7）還原尾氣分離：混合氣洗滌塔、混合氣壓縮機(jī)、氯化氫吸收塔等，火災(zāi)爆炸、中毒、腐蝕、觸電、機(jī)械傷害。8）四氯化硅氫：化四氯化硅汽化器、氫化爐等，火災(zāi)爆炸、中毒、腐蝕、觸電、機(jī)械

5、傷害。通過以上分析，火災(zāi)爆炸、化學(xué)中毒是主要潛在危險(xiǎn)、有害因素，在工藝、設(shè)備、設(shè)施和防護(hù)方面存在隱患和缺陷時(shí)，非常容易發(fā)生，所以應(yīng)針對可能發(fā)生的原因，采取防范措施預(yù)以積極排除。對生產(chǎn)過程盡量采用自動(dòng)控制系統(tǒng)，提高自動(dòng)控制水平；在氯氣、氯化氫、三氯氫硅、鹽為作業(yè)人員配發(fā)酸、四氯化硅容易泄漏的部位，加強(qiáng)通風(fēng)并設(shè)置可燃、有毒氣體檢測報(bào)警裝置;合格適宜的防毒、防塵、防灼傷等防護(hù)用品，來避免多晶硅帶來的危害。多晶硅百科名片多晶硅多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。 以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核、 些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí)，硅原子如這些晶核長成品面取向不同的晶粒，則這利用價(jià)

6、值：從目前國際太陽電池的發(fā)展過程可以看出其發(fā)展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。目錄簡介性質(zhì)生產(chǎn)危害利用價(jià)值工業(yè)發(fā)展國際多晶硅產(chǎn)業(yè)概況國際多晶硅主要技術(shù)特征國內(nèi)多晶硅產(chǎn)業(yè)概況簡介性質(zhì)生產(chǎn)危害利用價(jià)值工業(yè)發(fā)展國際多晶硅產(chǎn)業(yè)概況國際多晶硅主要技術(shù)特征國內(nèi)多晶硅產(chǎn)業(yè)概況 多晶硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展預(yù)測 多晶硅行業(yè)發(fā)展的主要問題 行業(yè)發(fā)展對策與建議 多晶硅太陽能充電器展開編輯本段簡介多晶硅；polycrystallinesilicon編輯本段性質(zhì)灰色金屬光澤。密度2.322.34。熔點(diǎn)1410C。沸點(diǎn)2355C。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽膻L。硬

7、度介于鋌和豆&之間，室溫下質(zhì)脆，切割時(shí)易碎裂。加熱至800c以上即有延性，1300c時(shí)顯出明顯變形。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應(yīng)。高溫熔融狀態(tài)下，具有較大的化學(xué)活潑性，能與幾乎任何材料作用。具有半導(dǎo)體性質(zhì),是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，但微量的雜質(zhì)即可大大影響其導(dǎo)電性。電子工業(yè)中廣泛用于制造半導(dǎo)體收音機(jī)、錄音機(jī)、電冰箱、彩電、錄像機(jī)、電子計(jì)算機(jī)等的基礎(chǔ)材料。由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下氯化，再經(jīng)冷凝、精儲、還原而得。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如，在力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)和熱學(xué)性質(zhì)的各向異性方面,遠(yuǎn)不如單晶硅明顯；在電學(xué)性質(zhì)方

8、面,多晶硅晶體的導(dǎo)電性也遠(yuǎn)不如單晶硅顯著,甚至于幾乎沒有導(dǎo)電性。在化學(xué)活性方面，兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別，但真正的鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導(dǎo)電類型和電阻率等。多晶硅是生產(chǎn)單晶硅的直接原料，是當(dāng)代人工智能、自動(dòng)控制、信息處理、光電轉(zhuǎn)換等半導(dǎo)體器件的電子信息基礎(chǔ)材料。被稱為微電子大廈的基石編輯本段生產(chǎn)危害多晶硅生產(chǎn)過程中主要危險(xiǎn)、有害物質(zhì)中氯氣、氫氣、三氯氫硅、氯化氫等主要危險(xiǎn)特性有：1）氫氣：與空氣混合能形成爆炸性混合物，遇熱或明火即會(huì)發(fā)生爆炸。氣體比空氣輕，在室內(nèi)使用和儲存時(shí)，漏氣上升滯留屋頂不易排出，遇火星會(huì)引起爆炸。氫氣與氟、氯、澳等鹵素會(huì)劇烈反應(yīng)。2）氧

9、氣：助燃物、可燃物燃燒爆炸的基本要素之一，能氧化大多數(shù)活性物質(zhì)。與易燃物（如乙快、甲烷等）形成有爆炸性的混合物。3）氯：有刺激性氣味，能與許多化學(xué)品發(fā)生爆炸或生成爆炸性物質(zhì)。幾乎對金屬和非金屬都起腐蝕作用。屬高毒類。是一種強(qiáng)烈的刺激性氣體。4）氯化氫：無水氯化氫無腐蝕性，但遇水時(shí)有強(qiáng)腐蝕性。能與一些活性金屬粉史發(fā)生反應(yīng)，放出氫氣。遇氧化物能產(chǎn)生劇毒的氧化氫氣體。5）三氯氫硅：遇明火強(qiáng)烈燃燒。受高熱分解產(chǎn)生有毒的氯化物氣體。與氧化劑發(fā)生反應(yīng)，有燃燒危險(xiǎn)。極易揮發(fā)，在空氣中發(fā)煙，遇水或水蒸氣能產(chǎn)生熱和有毒的腐蝕性煙霧。燃燒（分解）產(chǎn)物：氯化氫、氧化硅。6）四氯化硅：受熱或遇水分解放熱，放出有毒的腐

10、蝕性煙氣。7）氫氟酸：腐蝕性極強(qiáng)。遇H發(fā)泡劑立即燃燒。能與普通金屬發(fā)生反應(yīng)，放出氫氣而與空氣形成爆炸性混合物。8）硝酸：具有強(qiáng)氧化性。與易燃物（如苯）和有機(jī)物（如糖、纖維素等）接觸會(huì)發(fā)生劇烈反應(yīng)，甚至引起燃燒。與堿金屬能發(fā)生劇烈反應(yīng)。具有強(qiáng)腐蝕性。9）氮?dú)猓喝粲龈邿?，容器?nèi)壓增大。有開裂和爆炸的危險(xiǎn)。10）氟化氫：腐蝕性極強(qiáng)。若遇高熱，容器內(nèi)壓增大，有開裂和爆炸的危險(xiǎn)。11）氫氧化鈉：本品不燃，具強(qiáng)腐蝕性、強(qiáng)刺激性，可致人體灼傷。編輯本段利用價(jià)值在太陽能利用上，單晶硅和多晶硅也發(fā)揮著巨大的作用。雖然從目前來講，要使太陽能發(fā)電具有較大的市場，被廣大的消費(fèi)者接受，就必須提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率，

11、降低生產(chǎn)成本。從目前國際太陽電池的發(fā)展過程可以看出其發(fā)展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、建也材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。1可供應(yīng)太陽編輯本段工業(yè)發(fā)展從工業(yè)化發(fā)展來看，重心已由單晶向多晶方向發(fā)展，主要原因?yàn)?電池的頭尾料愈來愈少；2對太陽電池來講，方形基片更合算，通過澆鑄法和直接凝固法所獲得的多晶硅可直接獲得方形材料；3多晶硅的生產(chǎn)工藝不斷取得進(jìn)展，全自動(dòng)澆鑄爐每生產(chǎn)周期（50小時(shí)）可生產(chǎn)200公斤以上的硅錠，晶粒的尺寸達(dá)到厘米級；4由于近十年單晶硅工藝的研究與發(fā)展很快，其中工藝也被應(yīng)用于多晶硅電池的生產(chǎn)，例如選擇腐蝕發(fā)射結(jié)、背表面場、腐蝕絨面、表面和體鈍化、細(xì)金屬柵電極，采

12、用絲網(wǎng)印刷技術(shù)可使柵電極的寬度降低到50微米，高度達(dá)到15微米以上，快速熱退火技術(shù)用于多晶硅的生產(chǎn)可大大縮短工藝時(shí)間，單片熱工序時(shí)間可在一分鐘之內(nèi)完成，采用該工藝在100平方厘米的多晶硅片上作出的電池轉(zhuǎn)換效率超過14%。據(jù)報(bào)道，目前在5060微米多晶硅襯底上制作的電池效率超過16%。利用機(jī)械刻槽、絲網(wǎng)印刷技術(shù)在100平方厘米多晶上效率超過17%,無機(jī)械刻槽在同樣面積上效率達(dá)到16%,采用埋柵結(jié)構(gòu)，機(jī)械刻槽在130平方厘米的多晶上電池效率達(dá)到15.8%。編輯本段國際多晶硅產(chǎn)業(yè)概況當(dāng)前，晶體硅材料（包括多晶硅和單晶硅）是最主要的光伏材料，其市場占有率在90%以上，而且在今后相當(dāng)長的一段時(shí)期也依然是

13、太陽能電池的主流材料。多晶硅材料的生產(chǎn)技術(shù)長期以來掌握在美、日、德等3個(gè)國家7個(gè)公司的10家工廠手中，形成技術(shù)封鎖、市場壟斷的狀況。多晶硅的需求主要來自于半導(dǎo)體和太陽能電池。按純度要求不同，分為電子級和太陽能如其中，用于電子級多晶硅占55%左右，太陽能級多晶硅占45%,隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,太陽能電池對多晶硅需求量的增長速度高于半導(dǎo)體多晶硅的發(fā)展，預(yù)計(jì)到2008年太陽能多晶硅的需求量將超過電子級多晶硅。1994年全世界太陽能電池的總產(chǎn)量只有69MW,而2004年就接近1200MW,在短短的10年里就增長了17倍。專家預(yù)測太陽能光伏產(chǎn)業(yè)在二十一世紀(jì)前半期將超過核電成為最重要的基礎(chǔ)能源之一。據(jù)悉

14、，美國能源部計(jì)劃到2010年累計(jì)安裝容量4600MW,日本計(jì)劃2010年達(dá)到5000MW,歐盟計(jì)劃達(dá)到6900MW,預(yù)計(jì)2010年世界累計(jì)安裝量至少18000MW。從上述的推測分析，至2010年太陽能電池用多晶硅至少在30000噸以上，表2給出了世界太陽能多晶硅工序的預(yù)測。據(jù)國外資料分析報(bào)道，世界多晶硅的產(chǎn)量2005年為28750噸，其中半導(dǎo)體級為20250噸，太陽能級為8500噸，半導(dǎo)體級需求量約為19000噸，略有過剩；太陽能級的需求量為15000噸，供不應(yīng)求，從2006年開始太陽能級和半導(dǎo)體級多晶硅需求的均有缺口，其中太陽能級產(chǎn)能缺口更大。據(jù)日本稀有金屬雜志2005年11月24日報(bào)道，世

15、界半導(dǎo)體與太陽能多晶硅需求緊張，主要是由于以歐洲為中心的太陽能市場迅速擴(kuò)大，預(yù)計(jì)2006年，2007年多晶硅供應(yīng)不平衡的局面將為愈演愈烈，多晶硅價(jià)格方面半導(dǎo)體級與太陽能級原有的差別將逐步減小甚至消除，2005年世界太陽能電池產(chǎn)量約1GW,如果以1MW用多晶硅12噸計(jì)算，共需多晶硅是1.2萬噸，20052010年世界太陽能電池平均年增長率在25%,至IJ2010年全世界半導(dǎo)體用于太陽能電池用多晶硅的年總的需求量將超過6.3萬噸。世界多晶硅主要生產(chǎn)企業(yè)有日本的Tokuyama、三菱、住友公司、美國的Hemlock、Asimi、SGS、MEMC公司，德國的Wacker公司等，其年產(chǎn)能絕大部分在100

16、0噸以上，其中Tokuyama、Hemlock、Wacker三個(gè)公司生產(chǎn)規(guī)模最大，年生產(chǎn)能力均在30005000噸。編輯本段國際多晶硅主要技術(shù)特征(1)多種生產(chǎn)工藝路線并存，產(chǎn)業(yè)化技術(shù)封鎖、壟斷局面不會(huì)改變。由于各多晶硅生產(chǎn)工廠所用主輔原料不盡相同，因此生產(chǎn)工藝技術(shù)不同；進(jìn)而對應(yīng)的多晶硅產(chǎn)品技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)、產(chǎn)品質(zhì)量指標(biāo)、用途、產(chǎn)品檢測方法、過程安全等方面也存在差異，各有技術(shù)特點(diǎn)和技術(shù)秘密，總的來說，目前國際上多晶硅生產(chǎn)主要的傳統(tǒng)工藝有：區(qū)良西門子法、硅烷法和流化床法。其中改良西門子工藝生產(chǎn)的多晶硅的產(chǎn)能約占世界總產(chǎn)能的80%,短期內(nèi)產(chǎn)業(yè)化技術(shù)壟斷封鎖的局面不會(huì)改變。(2)新一代低成本多晶硅工藝技

17、術(shù)研究空前活躍。除了傳統(tǒng)工藝(電子級和太陽能級兼容)及技術(shù)升級外，還涌現(xiàn)出了幾種專門生產(chǎn)太陽能級多晶硅的新工藝技術(shù)，主要有：改良西門子法的低價(jià)格工藝；冶金法從金屬硅中提取高純度硅;高純度SiO2直接制??；熔融析出法(VLD:Vapertoliquiddeposition);還原或熱分解工藝；無氯工藝技術(shù)，Al-Si溶體低溫制備太陽能級硅;熔鹽電解法等。編輯本段國內(nèi)多晶硅產(chǎn)業(yè)概況近年來，在中央政府大力推廣新能源政策的支持下，各地方省份也是積極跟進(jìn)，培養(yǎng)優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)。江西省抓住機(jī)遇，憑借粉石英(硅材料主要原料)儲量全國第一的資源優(yōu)勢，出臺多方面措施保障光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展。短短3、4年間，使得一大批光伏產(chǎn)業(yè)上

18、下游項(xiàng)目迅速在江西集聚，成為我國重要的光伏產(chǎn)業(yè)基地。以新余為主產(chǎn)地、以賽維LDK和盛豐能源為核心企業(yè)的產(chǎn)業(yè)帶具有較強(qiáng)的生產(chǎn)能力，初步建立了從硅料、硅片到太陽能電池組件及配套產(chǎn)品的完整產(chǎn)業(yè)鏈.擁有了對外合作的有效途徑和一批關(guān)鍵人才，在國內(nèi)已具有較明顯的規(guī)模優(yōu)勢和市場競爭力。2008年江西省光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，實(shí)現(xiàn)銷售收入128.9億元。另外該省生產(chǎn)的多晶硅片已占全球總產(chǎn)量的四分之一，龍頭企業(yè)賽維2008年的產(chǎn)能超過1400MW。2009年初，經(jīng)省政府同意，由江西省發(fā)改委牽頭編制的江西省光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃正式下發(fā)，為江西光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展確定了大的方向。規(guī)劃中提到，力爭到2012年將江西打造成為全球重要的光

19、伏產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。按照規(guī)劃，未來數(shù)年，新余、豐城、南昌產(chǎn)業(yè)帶將建成全省光伏產(chǎn)業(yè)主要集聚區(qū)。江西圭山工業(yè)園集中了國內(nèi)幾家主要的多晶硅生產(chǎn)企業(yè)，目前綜合也達(dá)10000噸以上，其中江西盛豐新能源科技有限公司產(chǎn)能最大:2009年達(dá)到1500噸，2010年可達(dá)300。噸，預(yù)計(jì)2012年項(xiàng)目計(jì)劃工程完成后，產(chǎn)能將穩(wěn)定在4000噸以上。江西盛豐新能源科技有限公司于2008年9月28日注冊成立。公司位于贛江之濱的豐城市豐源工業(yè)園，距省會(huì)南昌市僅60公里，距昌北機(jī)場1小時(shí)路程，周邊緊靠105國道、昌樟高速公路，交通便利。盛豐能源是一家專業(yè)從事太陽能級多晶硅研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)，擁有一批長期從事電力及硅材料提純生產(chǎn)的協(xié)

20、作團(tuán)隊(duì)，其具有自主知識產(chǎn)權(quán)的新物理法太陽能級高純硅生產(chǎn)技術(shù)，將為國內(nèi)太陽能電池制造提供高效高純硅料并大幅降低太陽能電池制造成本，成為有別于西門子法高純硅生產(chǎn)技術(shù)依靠者，以大力提升光伏發(fā)電的競爭力。江西賽維LDK太陽能高科技有限公司是世界規(guī)模最大的太陽能多晶硅片生產(chǎn)企業(yè)。工廠坐落于江西省新余市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū),專注于太陽能多晶硅鑄錠及多晶硅片研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的高新技術(shù)光伏企業(yè)，擁有國際最先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備。公司注冊資金11095萬美元，總投資近3億美元。2006年4月份投產(chǎn)，7月份產(chǎn)能達(dá)到100兆瓦，8月份入選“REDHERRING亞洲百強(qiáng)企業(yè)”，10月份產(chǎn)能達(dá)到200兆瓦，被國際專業(yè)人士稱為

21、“LDK速度奇跡榮獲“2006年中國新材料產(chǎn)業(yè)最具成長性企業(yè)”稱號。目前公司正致力于發(fā)展成為一個(gè)世界級光伏企業(yè)2007年6月1日，賽維LDK成功在美國紐約證交所上市,成為中國企業(yè)歷史上在美國單一發(fā)行最大的一次IPO;賽維LDK是江西省企業(yè)有史以來第一次在美國上市的企業(yè)，是中國新能源領(lǐng)域最大的一次IPO。該公司1.5萬噸硅料項(xiàng)目近日已在江西省新余市正式啟動(dòng)，該項(xiàng)目總固定資產(chǎn)投資120億元以上，預(yù)計(jì)將成為目前全球太陽能領(lǐng)域單個(gè)投資額最多、產(chǎn)能設(shè)計(jì)規(guī)模最大的項(xiàng)目之一。據(jù)悉，該項(xiàng)目計(jì)劃首期在2008年底前建成投產(chǎn)，形成6000噸太陽能級硅料的年生產(chǎn)能力；2009年項(xiàng)目全部建成投產(chǎn)后，將形成1.5萬噸產(chǎn)

22、能，從而使該公司成為世界主要的太陽能多晶硅原料生產(chǎn)企業(yè)。編輯本段一多晶硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展預(yù)測高純多晶硅是電子工業(yè)和太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)原料，在未來的50年里，還不可能有其他材料能夠替代硅材料而成為電子和光伏產(chǎn)業(yè)主要原材料。隨著信息技術(shù)和太陽能產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,全球?qū)Χ嗑Ч璧男枨笤鲩L迅猛，市場供不應(yīng)求。世界多晶硅的產(chǎn)量2005年為28750噸，其中半導(dǎo)體級為20250噸，太陽能級為8500噸。半導(dǎo)體級需求量約為19000噸，略有過剩；太陽能級的需求量為15600噸，供不應(yīng)求。近年來，全球太陽能電池產(chǎn)量快速增加，直接拉動(dòng)了多晶硅需求的迅猛增長。全球多晶硅由供過于求轉(zhuǎn)向供不應(yīng)求。受此影響，作為太陽能電池主要原

23、料的多晶硅價(jià)格快速上漲。中國多晶硅工業(yè)起步于20世紀(jì)50年代，60年代中期實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化，到70年代，生產(chǎn)廠家曾經(jīng)發(fā)展到20多家。但由于工藝技術(shù)落后，環(huán)境污染嚴(yán)重，消耗大，成本高等原因，絕大部分企業(yè)虧損而相繼停產(chǎn)或轉(zhuǎn)產(chǎn)。到目前為止，國內(nèi)有多晶硅生產(chǎn)條件的單位有洛陽中硅高科技有限公司、峨嵋半導(dǎo)體材料廠（所）、四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司、亞洲硅業(yè)（青海）有限公司4家企業(yè)。中國集成電路和太陽能電池對多晶硅的需求快速增長，2005年集成電路產(chǎn)業(yè)需要電子級多晶硅約1000噸，太陽能電池需要多晶硅約1400噸；至IJ2010年，中國電子級多晶硅年需求量將達(dá)到約2000噸，光伏級多晶硅年需求量將達(dá)到約420

24、0噸。而中國多晶硅的自主供貨存在著嚴(yán)重的缺口，95%以上多晶硅材料需要進(jìn)口，供應(yīng)長期受制于人，再加上價(jià)格的暴漲，已經(jīng)危及到多晶硅下游眾多企業(yè)的發(fā)展，成為制約中國信息產(chǎn)業(yè)和光伏產(chǎn)業(yè)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸問題。由于多晶硅需求量繼續(xù)加大，在市場缺口加大、價(jià)格不斷上揚(yáng)的刺激下，國內(nèi)涌現(xiàn)出一股搭上多晶硅項(xiàng)目的熱潮。多晶硅項(xiàng)目的投資熱潮，可以說是太陽能電池市場迅猛發(fā)展的必然結(jié)果，但中國硅材料產(chǎn)業(yè)一定要慎重發(fā)展，不能一哄而上；關(guān)鍵是要掌握核心技術(shù)，否則將難以擺脫受制于人的局面。作為高科技產(chǎn)業(yè)，利用硅礦開發(fā)多晶硅，產(chǎn)業(yè)耗能大，電力需求高。目前電價(jià)已成為中國大多數(shù)硅礦企業(yè)亟待突破的瓶頸之一。因此中國大力發(fā)展多晶硅產(chǎn)業(yè)，

25、亟需在條件成熟的地方制定電價(jià)優(yōu)惠政策，降低成本。由于需求增加快速，但供給成長有限，預(yù)估多晶硅料源的供應(yīng)2007年將是最嚴(yán)重缺乏的一年，預(yù)計(jì)到2009年，全世界多晶硅的年需求量將達(dá)到6.5萬噸。在未來的3至5年間，也就是在中國的十一五”期間，將是中國多晶硅產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的黃金時(shí)期。編輯本段多晶硅行業(yè)發(fā)展的主要問題產(chǎn)業(yè)化差距同國際先進(jìn)水平相比，國內(nèi)多晶硅生產(chǎn)企業(yè)在產(chǎn)業(yè)化方面的差距主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：產(chǎn)能低供需矛盾突生2005年中國太陽能用單晶硅企業(yè)開工率在20%30%,半導(dǎo)體用單晶硅企業(yè)開工率在80%-90%,無法實(shí)現(xiàn)滿負(fù)荷生產(chǎn)，多晶硅技術(shù)和市場仍牢牢掌握在美、日、德國的少數(shù)幾個(gè)生產(chǎn)廠商中，嚴(yán)重

26、制約我國產(chǎn)業(yè)發(fā)展。生產(chǎn)規(guī)模小現(xiàn)在公認(rèn)的最小經(jīng)濟(jì)規(guī)模為1000噸/年，最佳經(jīng)濟(jì)規(guī)模在2500噸/年，而我國現(xiàn)階段多晶硅生產(chǎn)企業(yè)離此規(guī)模仍有較大的距離。工藝設(shè)備落后同類產(chǎn)品物料和電力消耗過大，三廢問題多，與國際水平相比，國內(nèi)多晶硅生產(chǎn)物耗能耗高出1倍以上，產(chǎn)品成本缺乏競爭力。其他4、千噸級工藝和設(shè)備技術(shù)的可靠性、先進(jìn)性、成熟性以及各子系統(tǒng)的相互匹配性都有待生產(chǎn)運(yùn)行驗(yàn)證，并需要進(jìn)一步完善和改進(jìn)。5、國內(nèi)多晶硅生產(chǎn)企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新能力不強(qiáng)，基礎(chǔ)研究資金投入太少，尤其是非標(biāo)設(shè)備的研發(fā)制造能力差。6、地方政府和企業(yè)項(xiàng)目投資多晶硅項(xiàng)目，存在低水平重復(fù)建設(shè)的隱憂。7產(chǎn)生大量污染。編輯本段行業(yè)發(fā)展對策與建議1、發(fā)展

27、壯大我國多晶硅產(chǎn)業(yè)的市場條件已經(jīng)基本具備、時(shí)機(jī)已經(jīng)成熟，國家相關(guān)部門加大對多晶硅產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)，科技創(chuàng)新、工藝完善、項(xiàng)目建設(shè)的支持力度，抓住有利時(shí)機(jī)發(fā)展壯大我國的多晶硅產(chǎn)業(yè)。2、支持最具條件的改良西門子法共性技術(shù)的實(shí)施，加快突破千噸級多晶硅產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)，形成從材料生產(chǎn)工藝、裝備、自動(dòng)控制、回收循環(huán)利用的多晶硅產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線，材料性能接近國際同類產(chǎn)品指標(biāo)；建成節(jié)能、低耗、環(huán)保、循環(huán)、經(jīng)濟(jì)的多晶硅材料生產(chǎn)體系，提高我們多晶硅在國際上的競爭力。3、依托高校以及研究院所，加強(qiáng)新一代低成本工藝技術(shù)基礎(chǔ)性及前瞻性研究，建立低成本太陽能及多晶硅研究開發(fā)的知識及技術(shù)創(chuàng)新體系,獲得具有自主知識產(chǎn)權(quán)的生產(chǎn)工藝和技術(shù)。4、政府主管部門加強(qiáng)宏觀調(diào)控與行業(yè)管理，避免低水平項(xiàng)目的重復(fù)投資建設(shè)，保證產(chǎn)業(yè)的有序、可持續(xù)發(fā)展。編輯本段多晶硅太陽能充電器簡介多晶硅太陽能充電器是將光能轉(zhuǎn)換成電能的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備.太陽能充電器的原理是：通過光電轉(zhuǎn)換板將光能轉(zhuǎn)換成電能并儲藏在內(nèi)置的容量為2600mAH的鋰電池里，然后再通過控制電路將內(nèi)置鋰電池的電能經(jīng)過輸出接口給手機(jī),數(shù)碼相機(jī),MP3,MP4等產(chǎn)品充電.在長期無陽光照射的環(huán)境下，也可以