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文檔簡介
1、(1)Hall系數(shù) Hall系數(shù) 對(duì)于自由電子:q =e,所以, 其中,n為單位體積中的載流子數(shù),即載流子濃度。 由Hall系數(shù)的測量不僅可以判斷載流子的種類(帶正電還是帶負(fù)電),而且還是測量載流子濃度的重要手段。載流子濃度越低,Hall系數(shù)就越大,Hall效應(yīng)就越明顯。(2)F-D分布函數(shù) FermiDirac分布函數(shù) 其中 m是電子的化學(xué)勢,其物理意義是在體積不變的情況下,系統(tǒng)增加一個(gè)電子所需的自由能。從分布幾率看,當(dāng)Em時(shí),f(m)1/2 ,代表填充幾率為1/2的能態(tài)。 當(dāng)Em >幾個(gè)kBT時(shí),exp(Em)/ kBT >>1 , 有:這時(shí),F(xiàn)ermiDirac分布過渡
2、到經(jīng)典的Boltzmann分布。且f(E)隨E的增大而迅速趨于零。這表明: Em >幾個(gè)kBT的能態(tài)是沒有電子占據(jù)的空態(tài)。(3)Bloch函數(shù)及其物理意義Bloch函數(shù) 行進(jìn)波因子 表明在晶體中運(yùn)動(dòng)的電子已不再局域于某個(gè)原子周圍,而是可以在整個(gè)晶體中運(yùn)動(dòng)的,這種電子稱為共有化電子。它的運(yùn)動(dòng)具有類似行進(jìn)平面波的形式。那么,周期函數(shù) 的作用則是對(duì)這個(gè)波的振幅進(jìn)行調(diào)制,使它從一個(gè)原胞到下一個(gè)原胞作周期性振蕩,但這并不影響態(tài)函數(shù)具有行進(jìn)波的特性。(4)波失k的物理意義,態(tài)空間點(diǎn)陣,分布密度,簡約區(qū),k取值總數(shù)波失k的物理意義:表示不同原胞間電子波函數(shù)的位相變化。 不同的波矢量k表示原胞間位相差不
3、同,即描述晶體中電子不同的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。態(tài)空間點(diǎn)陣:k取值不連續(xù),在k空間中,k的取值構(gòu)成一個(gè)空間點(diǎn)陣,稱為態(tài)空間點(diǎn)陣。分布密度:在k空間中,波失k的分布密度為k取值總數(shù):在簡約區(qū)中波失k的取值總數(shù)為(5)金屬,半導(dǎo)體電導(dǎo)率隨溫度變化的差異金屬而言:Fermi能級(jí)位于導(dǎo)帶內(nèi),所以溫度變化激發(fā)的載流子的貢獻(xiàn)可以基本不用考慮;那么:隨溫度升高,晶格的振動(dòng)加劇,從而導(dǎo)致載流子受到晶格振動(dòng)所引起的散射,也就是聲子的散射加強(qiáng);從而電阻率增加,電導(dǎo)率下降;半導(dǎo)體而言:Fermi能級(jí)位于導(dǎo)帶和價(jià)帶之間,溫度變化激發(fā)的載流子的貢獻(xiàn)必須考慮;隨溫度升高,從價(jià)帶激發(fā)到導(dǎo)帶的載流子數(shù)目增加,即有更多的載流子參與了導(dǎo)電,
4、從而電阻率降低,電導(dǎo)率上升。半導(dǎo)體的電導(dǎo)率對(duì)溫度比較敏感,溫度上升會(huì)使電導(dǎo)率明顯增加。(6)光吸收及光發(fā)射光吸收:當(dāng)光通過材料時(shí),光與材料中的原子(離子)、電子相互作用時(shí)即可發(fā)生光的吸收光發(fā)射:物體依賴外界光源進(jìn)行照射,從而獲得能量,產(chǎn)生激發(fā)導(dǎo)至發(fā)光的現(xiàn)象。它大致經(jīng)過吸收、能量傳遞及光發(fā)射三個(gè)主要階段,光的吸收及發(fā)射都發(fā)生于能帶之間的躍遷,都經(jīng)過激發(fā)態(tài)。(7)二次電子,透射電子及其應(yīng)用二次電子(SE):從距樣品表面100A左右深度范圍內(nèi)激發(fā)出來的低能電子(<50ev)。主要特點(diǎn):對(duì)樣品表面形貌敏感;空間分辨率高;信號(hào)收集率高;應(yīng)用:掃描墊子顯微鏡(SEM)透射電子(TE):如果樣品夠?。?/p>
5、<1m)透過樣品的入射電子為透射電子,其能量近似于入射電子能量。主要特點(diǎn):質(zhì)厚襯度效應(yīng);衍射效應(yīng)(Bragg方程);衍襯效應(yīng)(位向或結(jié)構(gòu));應(yīng)用:透射電子顯微鏡(TEM)(8)Eg影響因素及其尺寸關(guān)系 影響因素:禁帶寬度是半導(dǎo)體的一個(gè)重要特征參量,其大小主要決定于半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu),即與晶體結(jié)構(gòu)和原子的結(jié)合性質(zhì)等有關(guān)。尺寸關(guān)系:當(dāng)半導(dǎo)體晶粒尺寸小到一定值時(shí)(110nm),就會(huì)表現(xiàn)出量子尺寸效應(yīng)。量子尺寸效應(yīng)會(huì)使其導(dǎo)帶和價(jià)帶能級(jí)變成分立能級(jí),能隙變寬,(9)倒格子與正格子關(guān)系 (10)晶格振動(dòng)及聲子晶格振動(dòng):晶體中原子在格點(diǎn)附近的熱振動(dòng);聲子:晶格振動(dòng)的簡正模式(或格波)的能量的量子稱為聲子
6、(12)導(dǎo)體、半導(dǎo)體及絕緣體能帶解釋導(dǎo)體:低溫下為部分填充的或半滿的能帶絕緣體:在T-0K時(shí)價(jià)帶是滿帶,其上最低的許可帶是空帶的是絕緣體。半導(dǎo)體:在T-0K的價(jià)帶是滿帶,其上最低的許可帶全空,但價(jià)帶上的禁帶不如絕緣體寬的是半導(dǎo)體。其T-0K時(shí)的空帶稱為導(dǎo)帶。(13)解理面、表面及其各自面指數(shù)關(guān)系面的催化活性等 礦物晶體在外力作用下嚴(yán)格沿著一定的結(jié)晶方向破裂,并且能裂出光滑平面的性質(zhì)稱為解離,這些面稱為解理面。 解理面一般光滑平整,一般平行于面間距最大、面網(wǎng)密度最大的晶面,因?yàn)槊骈g距大,面間的引力小,這樣就造成解理面一般的晶面指數(shù)較低。(14)能帶形成的主要原因 晶體中電子共有化的結(jié)果,使得晶體
7、內(nèi)電子的能量狀態(tài)不同于孤立原子中的電子,晶體內(nèi)電子的能量可以處于一些允許的范圍之內(nèi),這些允許的范圍稱為能帶。 而不能處于兩個(gè)能帶之間的區(qū)域稱為禁帶。(15)能態(tài)密度及費(fèi)米面能態(tài)密度 dZ為能量在EE+dE兩等能面間的能態(tài)數(shù)(考慮了電子自旋),即能態(tài)密度為能帶中單位能量間隔內(nèi)的電子能態(tài)數(shù)。 dZ=2r(k)´(k空間中能量在EE+dE兩等能面間的體積) 近自由電子的能態(tài)密度 N(E) 緊束縛近似的能態(tài)密度 電子的能態(tài)密度并不是均勻分布的,電子能量越高,能態(tài)密度就越大。 費(fèi)米面 是最高占據(jù)能級(jí)的等能面,k空間中能量為的E等能面E(k)= E, 是F0K時(shí)電子占據(jù)態(tài)與非占據(jù)態(tài)的分界面。這里僅就近自由電
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