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1、NATIONAL尸 IN5TRUMEE【NI教程】測試系統(tǒng)的不二之選:系統(tǒng)源測量單元(SMU)目錄1. 基于NI SourceAdapt 技術(shù)的 NI PXIe -4139系統(tǒng)源測量單元2. NI PXIe-4139 技術(shù)細(xì)節(jié)3. 應(yīng)用示例一一DC-DC轉(zhuǎn)換器測試4. 應(yīng)用示例一一LED特性描述5. SMU助力您的下一個測試系統(tǒng)1基于NI SourceAdapt 技術(shù)的 NI PXIe-4139 系統(tǒng)源測量單元源測量單元(SMU)是一種精密測量儀器,可同時對同一通道的電流和電壓進行同步源測量。該功能使得源 測量單元成為從精準(zhǔn)直流電源到記述分立元件或集成電路等半導(dǎo)體組件的特性等各種應(yīng)用的理想之選

2、。某些源測量單元針對特定的應(yīng)用或者需求作了優(yōu)化,例如泄露測試、大功率IV掃描、為具有快速瞬態(tài)響應(yīng)的移動設(shè)備供電。這些儀器完美地提供了某一特定的功能,但是您可能需要多個這樣的源測量單元來完全 記述需要各種不同激勵或功能的設(shè)備的特性?;蛘?,您也可以選擇系統(tǒng)源測量單元,它將高功率、高精度、高速源測量功能集成到單個儀器上,使您能夠執(zhí)行各種不同的功能以及通過同一接口進行各種不同的設(shè)備 測試。這不僅簡化了連接,而且減少了使用儀器的種類和數(shù)量,降低了測試系統(tǒng)的占地空間和總體成本。NI PXIe-4139將傳統(tǒng)的箱式源測量單元的高功率和精確度以及ni技術(shù)集于一身,具有更快速、更靈活、更小巧的特性。這種結(jié)合使得

3、 NI PXIe-4139不僅能夠?qū)崿F(xiàn)傳統(tǒng)源測量單元之外的功能,而且變成一款 多功能的儀器,可用作為:? 精準(zhǔn)電源? 快速瞬變電源? 電壓表、電流表或歐姆表? 隔離高壓/電流數(shù)字化儀? 高電壓/電流序列發(fā)生器? 脈沖發(fā)生器? 可編程負(fù)載? 低頻交流阻抗計將多種功能集成到單個儀器使得 NI PXIe-4139成為測試各種不同設(shè)備的理想之選,這些設(shè)備可能包含以下需求:?高功率輸入輸出,同時具有高速采樣功能,例如電源管理集成電路(PMIC)?高速瞬態(tài)響應(yīng),例如射頻電源放大器? 精準(zhǔn)測量及大功率脈沖掃頻,例如功率晶體管和高亮度 LED?通過同一接口進行精準(zhǔn)IV和低頻電容測量,例如微型機電系統(tǒng)設(shè)備(ME

4、M)7 NATIONALINSTRUMENTS由于NI PXIe-4139的模塊化特性和緊湊的尺寸,您可以將幾個源測量通道集成到混合信號自動化測試應(yīng)用 中,或者借助單個4U PXI機箱中的17個源測量單元通道來搭建高密度半導(dǎo)體測試系統(tǒng)。2. NI PXIe-4139 技術(shù)細(xì)節(jié)NI PXIe-4139所具有的寬功率范圍、 高測量精度可以滿足大部分直流測試需求。此外,NI-PXIe-4139擴展了傳統(tǒng)源測量單元的功能,實現(xiàn)了快速采樣、快速更新以及基于 NI技術(shù)的源測量單元響應(yīng)自定義化。這使 得源測量單元能夠用于各種不同的應(yīng)用,而此前則需要連接各種外部儀器,如示波器、函數(shù)發(fā)生器或高度 專業(yè)化的電源。

5、規(guī)格SpecificationNI PXIe-4139Precision System SMUMax Voltage60VMax Current*3 A. DC + 10 A. PulsMax Power20 W( DC500 W* PulseCurrent Sensitivity100 f AVoliage Sensitivity100 nVMaxRteT8MS/$Max Update Rate100 kS/s.Output timingSWor HW timedTransicm ResponseSlow, Normal Fast C 曲 tm (NI SovrceAdspt)Gudrdin

6、gViesRemote Sense特性更寬范圍脈沖NI PXIe-4139可以產(chǎn)生高至500 W的脈沖,這使您可以快速測試大功率設(shè)備的IV特性而無需串聯(lián)多個源測量單元。在更寬的脈沖范圍下進行測試不僅可以使源測量單元在其常規(guī)的IV范圍之外運行,而且可以最小化待測設(shè)備(DUT)的散熱量,減少對熱能管理基礎(chǔ)設(shè)備的需求。SourceAdapt 技術(shù)NI PXIe-4139采用了新一代 NI SourceAdapt技術(shù),使您可以自定義源測量單元的控制循環(huán),從而實現(xiàn)對 任意給定負(fù)載的最優(yōu)響應(yīng)一一即使是高電容或者電感負(fù)載。消除過壓不僅保護了待測設(shè)備,而且也消除了 振蕩引發(fā)的系統(tǒng)穩(wěn)定性問題。此外,上升和下降時

7、間的最小化也可幫助您最大程度縮短測試時間。(書*)#亙一 dE1,0Q,90.80,70-60.50.40,30,20.10.0 -0.10.40.81.21.6o1 Slow, 100 rF load Normal. 100 nF load Custom. 100 nF Isd2.0Tiire (Milliseconds)這個功能對高電容負(fù)載特別重要,因為它可以避免損壞待測設(shè)備或者儀器。傳統(tǒng)的源測量單元使用固定的模擬控制循環(huán),通過從 常態(tài)”跳轉(zhuǎn)到 高電容”模式來防止源測量單元陷入不穩(wěn)定狀態(tài)。但是,在高電容模式 運行時,源測量單元的上升時間被極大地限制了,電容負(fù)載通常被限制在50 uF。由于S

8、ourceAdapt技術(shù)可讓您直接訪問源測量單元的數(shù)字控制循環(huán),因此您可以優(yōu)化任意負(fù)載的源測量單元響應(yīng),即使是針對2,500 uF的電容器,如下圖所示。firjrtfoim GraphCmiient+放大圖片NATIONALINSTRUMENTS如上圖所示,源測量單元為一個電容 2,500 uF和電阻2Q的待測設(shè)備提供了源電壓。 電壓最高值為3.3 V , 電流達到極值10 A后大約停留了 1 ms。如果不采用SourceAdapt技術(shù),在這種無功負(fù)載狀態(tài)下,傳統(tǒng)的 源測量單元可能會變得不穩(wěn)定,并且有可能會損壞待測設(shè)備或儀器。3.應(yīng)用示例一一DC-DC轉(zhuǎn)換器測試測試電源管理集成電路(PMIC)

9、,如下圖所示的德州儀器公司的降壓轉(zhuǎn)換器,需要配置兩個源測量單元。第 一個源測量單元為待測設(shè)備提供了特定電壓的輸入電源。第二個源測量單元通過增量掃描電流充當(dāng)負(fù)載。BOOTRTX2LKCOMPFB通過測量待測設(shè)備輸入輸岀端的電壓電流,就可以計算岀該DC - DC轉(zhuǎn)換器的功率效率。如下圖所示。NIPXIe-4139提供了寬IV范圍和硬件定時的序列引擎,使其成為從低功率到高功率快速掃描的理想選擇。VtalJMK誕弧聞1vzsi.mK此外,NI PXIe-4139的快速采樣率使您可以捕獲線路和負(fù)載的瞬態(tài)變化,而使用傳統(tǒng)儀器則需要連接一個 外部示波器。這一瞬態(tài)行為對于記述 DC組件的特性十分重要,而且傳統(tǒng)

10、源測量單元則無法測量這些行為。Trmis 屮so JsI im:血恥斶憶M+放大圖片4.應(yīng)用示例LED特性描述NATIONALINSTRUMENTSLEDSgcs37 V2,5A*NIPXIe-4139上圖所示的LED來自于CREE公司,具有一個典型的 37 V正向電壓,最高電流達 2.5 A。即使這些數(shù)值 超過了 NI PXIe-4139的20 W直流上限,您仍然可以通過擴展的脈沖范圍來記述該設(shè)備的特性。脈沖使您 不僅只需使用一個源測量單元就可記述LED的特性,還可最小化通過測試設(shè)備消散的熱量,避免需要創(chuàng)建自定義散熱器。PuJfi 0tfVdt9Lpinrt P4A14 BtiCurTcht

11、lMl 佝4MI*cQ : OiOCQOl匚*f 畑Iir* .-aim JPiiI-m dn The. fi)4ilsii-屛Tin* (i-l上圖通過使用一組 50 us脈沖并使電流逐漸增大到最大值來顯示大功率LED的IV特性。使用50 us的窄脈沖寬度不僅可以最小化 LED的自熱影響,而且還可以減少總體測試時間。如果沒有NI SourceAdapt技術(shù),創(chuàng)建準(zhǔn)確的窄脈沖是不可能的,該技術(shù)優(yōu)化了源測量單元對特定待測設(shè)備的響應(yīng),并可提供最快的上 升時間,且無過壓或振蕩現(xiàn)象。NATIONALINSTRUMEhTTS5. SMU助力您的下一個測試系統(tǒng)NI系統(tǒng)源測量單元在體積小巧的PXI組成結(jié)構(gòu)中提供高達 500 W的脈沖電源,同時也提供了高達100 fA的電流敏感度。這些儀器

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