內(nèi)存大小容量識別

1、內(nèi)存芯片如按廠家所屬地域來分主要有日，韓廠家，歐美及中國（含臺灣?。S家等等?？淳幪栕R內(nèi)存芯片是了解內(nèi)存的一個好方法，下面就是內(nèi)存識別資料，供大家參考： 主要的內(nèi)存芯片廠商的名稱既芯片代號如下： 現(xiàn)代電子HYUNDAI：HY注：代號 三星SAMSUNG：KM或M NBM：AAA 西門子SIEMENS：HYB 高士達(dá)LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M 富士通FUJITSU：MB 摩托羅拉MOTOROLA：MCM MATSUSHITA：MN OKI：MSM 美凱龍MICRON：MT 德州儀器TMS：TI 東芝TOSHIBA：TD或TC 日立HITACHI：HM STI：TM

2、日電NEC：uPD IBM：BM NPNX：NN 一.日本產(chǎn)系列： 主要廠家有Hitachi日立，Toshiba東芝，NEC日電，Mitsubishi三菱等等，日產(chǎn)晶圓的特點(diǎn)是品質(zhì)不錯，價格稍高。 1.HITACHI日立。 日立內(nèi)存質(zhì)量不錯，許多PC100的皆可穩(wěn)上133MHz。它的穩(wěn)定性好，做工精細(xì)，日立內(nèi)存芯片的編號有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60區(qū)別是A60的CL是2，B60的CL是3。市面上B60的多，但完全可超133MHz外頻， HITACHI的SDRAM芯片上的標(biāo)識為以下格式： HM 52 XX XX 5 X X TT-XX HM代表是日立的產(chǎn)品，52是S

3、DRAM，如為51則為EDO DRAM。 第1、2個X代表容量。 第3、4個X表示數(shù)據(jù)位寬，40、80、16分別代表4位、8位、16位。 第5個X表示是第幾個版本的內(nèi)核，現(xiàn)在至少已經(jīng)排到"F"了。 第6個X如果是字母"L"就是低功耗?？瞻讋t為普通。 TT為TSOII封裝。 最后XX代表速度： 75：7.5ns133MHz 80：8ns125MHz A60：10nsPC-100 CL2或3 B60：10nsPC-100 CL3 例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位輸出，100MHZ時CL是3。 2.NEC。 NEC的SDRAM芯片上的標(biāo)

4、識通常為以下格式： PD45 XX X X XG5-AXX X-XXX PD4代表是NEC的產(chǎn)品。 "5"代表是SDRAM。 第1、2個X代表容量。 第3或4個X表示數(shù)據(jù)位寬，4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位。當(dāng)數(shù)據(jù)位寬為16位和32位時，使用兩位，即占用第4個X。由于NEC的標(biāo)識的長度固定，這會對下面的數(shù)字造成影響。 第4或5個X代表Bank。"3"或"4"代表4個Bank，在16位和32位時代表2個Bank；"2"代表2個Bank。 第5個X，如為"1"代表LVTTL。如

5、為16位和32位的芯片，第5個X已被占用，則第5個X有雙重含義，如"1"代表2個Bank和LVTTL，"3"代表4個Bank和LVTTL。 G5為TSOPII封裝。 -A后的XX是代表速度： 80：8ns125MHz 10：10nsPC100 CL 3 10B：10ns較10慢，Tac為7，不完全符合PC100規(guī)范。 12：12ns 70：PC133 75：PC133 速度后的X如果是字母"L"就是低功耗，空白則為普通。 -X XX：第一人X通常為數(shù)字，如64Mbit芯片上常為準(zhǔn)，16Mbit芯片上常為7，規(guī)律不詳。其后的XX的&qu

6、ot;JF"、"JH"、"NF"等。估計(jì)與封裝外型有關(guān)："NF"對應(yīng): 44-pinTSOP-II；"JF"對應(yīng)54-pin TSOPII；"JH"對應(yīng)86-pin TSOP-II。 例如：PD4564841G5-A80-9JF，64Mbit，8位，4個Bank，在CL=3時可工作在125MHZ下，在100MHZ時CL可設(shè)為2。 3.TOSHIBA東芝。 TOSHIBA的芯片上的標(biāo)識為以下格式： TC59S XX XX X FT X-XX TC代表是東芝的產(chǎn)品。 59代表是SDRAM系

7、列。其后的S為普通SDRAM，R為Rambus SDRAM，W為DDR SDRAM。 第1、2個X代表容量。64為64Mbit，M7為128Mbit。 第3、4個X表示數(shù)據(jù)位寬，04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位。 第5個X估計(jì)是用來表示內(nèi)核的版本。目前常見的為"B"。 FT為TSOPII封裝。 FT后如果有字母"L"就是低功耗，空白則為普通。 最后的XX是代表速度： 75：7.5ns133MHz 80：8ns125MHz 10：10ns100MHz CL=3 例如：TC59S6408BFTL-80，64Mbit，8位，可正常工作在

8、125MHz，且為低功耗型號。 二.韓國產(chǎn)系列： 韓國現(xiàn)在的SEC三星和HY（現(xiàn)代，它還將LGS給兼并了）占據(jù)了世界內(nèi)存產(chǎn)量的多半份額，韓國產(chǎn)晶圓的特點(diǎn)是質(zhì)量比較穩(wěn)定，價格也較合理。 1.SECSamsung Electronics三星。 三星的SDRAM芯片的標(biāo)識為以下格式： KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FX KM代表是三星的產(chǎn)品。 三星的SDRAM產(chǎn)品KM后均為4，后面的"S"代表普通的SDRAM，如為"H"，則為DDR SDRAM。 "S"前兩個XX表示數(shù)據(jù)位寬，4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和3

9、2位。 三星的容量需要自己計(jì)算一下。方法是用"S"后的X乘S前的數(shù)字，得到的結(jié)果即為容量。 "0"后的第一個X代表由幾個Bank構(gòu)成。2為2個Bank，3為難個Bank。 "0"后的第2個X，代表interface，1為SSTL，0為LVTTL。 "0"后的第3個X與版本有關(guān)，如B、C等，但每個字母下又有各個版本，在表面上并不能看得出來。 "T"為TSOP封裝。 速度前的"G"和"F"的區(qū)別在自刷新時的電流，"F"需要的電流較"

10、;G"小，相當(dāng)于一般的低功耗版。 "G/F"后的X代表速度： 7：7ns143MHz 8：8ns125MHz H：10nsPC100 CL2或3 L：10nsPC100 CL3 10：10ns100MHz 例如：KM416S4031BT-GH，是64Mbit16*4，16，4個Bank，在100MHZ時CL=2。 三星公布的標(biāo)準(zhǔn)PC133芯片： Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA 2.HYUNDAI現(xiàn)代 現(xiàn)在國內(nèi)常見的有HY57V65XXXXA

11、TC 10和HY57V651XXXXXATC10。現(xiàn)代的HY PC 100 SDRAM的編號應(yīng)是ATC 10或BTC，沒有A的或B的，就不是PC 100內(nèi)存。經(jīng)測試，發(fā)現(xiàn)HY編號為ATC10的SDRAM上133MHz時相當(dāng)困難。而編號ATC8的上133MHz也不行，但可超到124MHz。 編號BTC的SDRAM上133MHz很穩(wěn)定。66841XT75為PC133的，66841ET7K為PC100的。 現(xiàn)代的SDRAM芯片上的標(biāo)識為以下格式： HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX HY代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品。 5X表示芯片類型，57為一般的SDRAM，5D為DDR SDRAM。

12、第2個X代表工作電壓，空白為5V，"V"為3.3V "U"為2.5V。 第3-5個X代表容量和刷新速度，分別如下： 16：16Mbits，4K Ref。 64：64Mbits，8K Ref。 65：64Mbits，4K Ref。 128：128Mbits，8K Ref。 129：128Mbits，4K Ref。 256：256Mbits，16K Ref。 257：256Mbits，8K Ref。 第6、7個X代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬，40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位。 第8個X代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個Bank組成，1、2、3分別代表2

13、個、4個和8個Bank。是2的冪次關(guān)系。 第9個X一般為0，代表LVTTLLow Voltage TTL接口。 第10個X可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新。 第11個X如為"L"則代表低功耗的芯片，如為空白則為普通芯片。 第12、13個X代表封裝形式，分別如下： JC：400mil SOJ TC：400mil TSOP-II TD：13mm TSOP-II TG：16mm TSOP-II 最后幾位為速度： 7：7ns143MHz 8：8ns125MHz 10p：10nsPC-100 CL2或3 10s：10nsPC-100 CL3 10：10ns100M

14、Hz 12：12ns83MHz 15：15ns66MHz 例如：常見的HY57V658010CTC-10s，HY是現(xiàn)代的芯片，57說明是SDRAM，65是64Mhbit和4K refreshcycles/64ms，下來的8是8位輸出，10是2個Bank，C是第4個版本的內(nèi)核，TC是400mil TSOP-封裝，10S代表CL=3的PC-100。需要指出的是-10K不是PC100的產(chǎn)品，-7J和-7K也不是PC133的產(chǎn)品。-8的性能要好于-7K和-7J。 3.LGSLG Semicon LGs早已被HY現(xiàn)代納入麾下，但還是有必要單獨(dú)介紹下它。LG現(xiàn)有的內(nèi)存條編號后綴為7J、7K、10K、8。其

15、中10K是非PC100規(guī)格的，速度極慢。7J和7K才是PC 100的SDRAM，7J和7K工作模式的速度參數(shù)不同，LGs 7J編號在1073222，LGs 7K編號是1072222，兩者的主要區(qū)別是第三個反應(yīng)速度的參數(shù)上。而8才是真正的8ns PC 100內(nèi)存，但國內(nèi)沒有出現(xiàn)?，F(xiàn)在市面上還有很多10K的LGs內(nèi)存，速度比7J和7K差很遠(yuǎn)，但因外型相差不大，所以不少奸商把10K冒充7J或7K的來賣。而7J和7K經(jīng)過測試比較，7K比7J的更優(yōu)秀，上133MHz時7K比7J更穩(wěn)定，但7K的市面上不多見。 LGS的SDRAM芯片上的標(biāo)識為以下格式： GM72V XX XX X 1 X X T XX G

16、M代表為LGS的產(chǎn)品。 72代表SDRAM。 第1、2個X代表容量，類似現(xiàn)代，16為16Mbits，66為64Mbits。 第3、4個X表示數(shù)據(jù)位寬，一般為4、8、16等，不補(bǔ)0。 第5個X代表Bank，2對應(yīng)2個Bank，4對應(yīng)4個Bank，和現(xiàn)代的不一樣，屬于直接對應(yīng)。 第6個X表示是第幾人版本的內(nèi)核 ，現(xiàn)在至少已經(jīng)排到"E"了。 第7個X如果是字母"L"，就是低功耗，空白則為普通。 "T"為常見的TSOP封裝，現(xiàn)在還有一種BLP封裝出現(xiàn)，為"I"。 最后的XX自然是代表速度： 7.5：7.5ns133MHz

17、8：8ns125MHz 7K：10nsPC-100 CL2或3 7J：10ns100MHz 10K：10ns100MHz 12：12ns83MHz 15：15ns66MHz 例如：GM72V661641CT7K，這是64Mbit，16位輸出，4個Bank，剛達(dá)到PC-100的要求（CL=3）SDRAM。 三.歐美生產(chǎn)系列及其它： 在歐美內(nèi)存廠商中Micron，IBM，SIEMENS西門子等都較有名氣。另外中國臺灣省的廠家這幾年來進(jìn)步也很神速，如茂矽、臺晶、華邦、臺積電和聯(lián)華等廠家在生產(chǎn)規(guī)模和技術(shù)上已經(jīng)趕韓超美了，國產(chǎn)的晶圓的質(zhì)量不錯，價格也很便宜。 1.Micron。 Micron的SDRAM

18、芯片上標(biāo)識為以下格式： MT48 XX XX M XX AX TG-XX X MT代表是Micron的產(chǎn)品。 48代表是SDRAM系列。其后的XX如為LC則為普通SDRAM。46V為DDR SDRAM。 Mricron的容量需要自己計(jì)算一下。方法是將XX M XX中的M前后的數(shù)字相乘，得到的結(jié)果即為容量。 M后的XX表示數(shù)據(jù)位寬，4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位。 AX代表Write RecoveryTwr，如A2表示Twr=2clk。 TG為TSOPII封裝。LG為TGFP封裝。 最后的XX是代表速度： 7：7ns143MHz 75：7.5ns133MHz 8X：8ns125MHz 其中X為AE，字母越后性能越好。按CL-TRCD-TRP的表示方法AE分別為：3-3-3、3-2-3、3-2-2、2-2-2、2-2-2。 10：10