ARM與不同位寬存儲器的地址線錯位接口,外部總線接口深入.

1、ARM是 32位，地址空間是2的32次幕，4G地址空間。所有的外設(shè)（FLASH,RAM,SD 卡等等）都映射到這4G的空間上。比如大部分ARM7都把RAM映射到0x40000000, 所以對RAM勺操作就在0X40000000開始的地址上。FLASH從 0X0開始。使用FLASH 還要 考慮地址重映射，就是選擇片內(nèi)FLASH或片外FLASHFLASH一般是8位或16位，當它接到32位的ARM上時，地址位就會錯位。 對于 16 位 FLASH FLASH的 A0 要接 ARM的 A1。對于 8 位 FLASH, FLASH的 A0 要接ARM的 A0。ARM的A0對應(yīng)8位，ARM勺A1對應(yīng)16位

2、，ARM的A2對應(yīng)32 位，如果FLASH是 32位，那么FLASH的 A0接ARM的A232位的FLASH FLASH勺A0要接ARM的A2,因為32位地址表示4個字節(jié), 每次要跳4個字節(jié)的話，那么就是從A2開始才變化，A1 A0不變化16位的FLASH FLASH勺A0要接ARM的A1，因為16位地址表示2個字節(jié), 每次要跳2個字節(jié)的話，那么就是從A1開始才變化，A0不變化8位的FLASH FLASH勺A0要接ARM勺A0,因為8位地址表示1個字節(jié)，每 次要跳1個字節(jié)的話，那么就是從A0開始才變化。位 A0 省掉了，對于16位的FLASH,我們可以這樣認為：16位存儲器的設(shè)計者將低 我們只

3、要讀取一次就可以得到兩個字節(jié)，讀取的這個地址對應(yīng)于（偶地址是針對ARM發(fā)出的地址的A21.1，即實際上是存儲器需要的偶地址 ARM發(fā)出的地址而言的）。LPC2200, S3C2410A,S3C244等都是上述這樣的，當然也有不同的。IMX27和BF537這兩款CPI都是不管存儲器是多少位的的,都是直接A0-B0, 沒有任何考慮錯位的情況，是因為他們的存儲控制器已經(jīng)內(nèi)部作了處理 了 ,三星的如S3C2443S3C2450S3C641等后續(xù)的也都是這樣子了再來看看外部總線配置EMC和外部總線功能引腳的關(guān)系：0E:輸出使能OUT EABLEWE WRITE EABLE寫入使能CE：chip EABL

4、E 片選ALE :地址鎖存使能（ADRESS LOCK EABLEBLS:字節(jié)選擇信號重點看 WE BLS 的關(guān)系在LPC2200系列ARM中，為了適應(yīng)外部存儲器組的寬度和類型，EMO供了一組字節(jié)選擇信號，要實現(xiàn)這些功能，RBLE位進行設(shè)定。對外部存儲器組進行寫訪問時，對外部存儲器組進行讀訪問時，需要對相應(yīng)存儲器配置寄存器中的RBLE位決定WE信號是否有效；RBLE位決定BLSn信號是否有效。外部存儲器的接口取決于存儲器組的寬度（32位、16位、8位，由BCFG 的MW位決定）。而且，存儲器芯片的選擇也需要對BCFG寄存器的RBLE位進行 適當?shù)脑O(shè)置。選擇8位或者不按字節(jié)區(qū)分的的存儲器的時候，

5、RBLE位應(yīng)該為0，在讀訪問期間EMC將BLS3:0拉高。當存儲器組為含有字節(jié)選擇選 擇輸入的16 位或32位存儲器組成的時候，RBLE位應(yīng)該為1,在讀訪問期間EMC各BLS3:0 拉低。注意這里沒有對 RBLE為0或1的時候，寫訪 問期間BLS3:0引腳的電 平作出交代。以16位寬的存儲器組連接16位的存儲器芯片為例（這種情況比較常見， 周立功的easyarm2200就是這樣的）。很顯然這里 RBLE位應(yīng)該為1。 BLS1、BLS0分別接到了存儲器芯片的UB LB腳。作為16位的存儲器芯片， 要取得16位寬度的字，無論是讀訪問還是寫訪問，UB和LB位都必須為低電平0。 作為16位的ram,程

6、序中不可避免的存在對它的寫操作。程序能正常運行就說 明對它的寫操作是成功的?？梢赃M一步推斷在寫訪問期間，BLS1、BLS0是16位或32位存儲器組成的時低電平的。當存儲器組為含有字節(jié)選擇選擇輸入的EMC候，RBLE位應(yīng)該為1,在讀訪問期間EMC將BLS3:0拉低。在寫訪問周期 同樣是將BLS3:0拉低。 這種操作也符合使用8位單片機時候的習慣，Wft&演了“寫”的角色。cs -OEWE 一CEOEWEBLS1UBBLSfOLBDi15:D-IO15:0'Aa m;0l.Aa_b:116 bit wide meniory bank interfaced to 16 bit mem

7、ory chipi jRBLE-1)i'.下面是32位寬的存儲器組連接8位的存儲器芯片，很顯然這里 位應(yīng)該為0。網(wǎng)友wag提出這樣的問題，能否用 ARM的 WE引腳直接連接到存儲器芯片的 引腳。有這樣的問題可能是源于以前的習慣，也可能是不清楚RBLE位為0時，寫訪問期間BLS3:0引腳的狀態(tài)。上面介紹了 RBL呂0的時候的讀寫情況。EMC勺WE BLS3:0拉低，將數(shù)據(jù)送到要寫入的地址。對于讀RBLEWELP C2210/2220 User Manual 信號沒有被使用。在寫周期， 周期，BLS3:0拉高。網(wǎng)友sky421提到“我用的是 化，BLS0在變化”2214,接一片8位的RAM

8、寫的時候WE腳不會有變我個人理解，如果RBLE= 0, BLS引腳就取代了 WR的功能，WR腳就不可以使用 了。有心的朋友可以用邏輯分析儀測一下，實際情況如何，驗證一把。csOEBLS3CE0E WEOEBLS21 V WEoeBLSf l I WEBLSJO 一OEWE0131:24 一A3b:210(701 -j 10(7 03 _rai) 32 bit wde mefpory bank mterfaced to 8 bit niemOfy chips (RE悴?發(fā)牟更了 產(chǎn)"號IIOI7 01Aanr01D23 16iO7 0JI A3 _m:00(15 8 - tO7 0J

9、r- Ala.m O總結(jié)，當RBL呂1, WR有效，BLS充當字節(jié)選擇，其隨 WR OE的變化而變化, 讀、寫操作時BLS都是低電平，此時用于有字節(jié)選擇的外部設(shè)備。當RBLE=0 WRt效，此時用于當WF信號，而WR無效。無字節(jié)選擇的外部設(shè)備,BLS可以充不是ARM9 S3C2440的，但是有相似之處!存儲器映射：0-1G(0x0000,0000 - 0x3fff,ffff):1- 2G(0x4000,0000 - 0x7fff,ffff):2- 3.5G(0x8000,0000 - 0xbfff,ffff - 0xdfff,ffff):3.5G - 3.75G(0xe000,0000 - 0

10、xefff,ffff): VPB3.75G - 4G(0xf000,0000 - 0xffff,ffff): AHB雖然ARM7的尋址空間為 4G,但是LPC2200片內(nèi)片內(nèi)Flash.RAM.系列只提供CS0 - CS3 是A24和A25的譯碼輸岀， 為 bank。- bank3,共 16M*4=64M.復位時,bank0 的總線寬度由為8位。字節(jié)定位信號(BLS0 - BLS3)當Memory由字節(jié)寬度器件Boot1:0片外存儲器。 外設(shè)。外設(shè)。A0A23總共16M的地址。片選信號 劃分 位總線寬度。16 位，bank3將片外存儲區(qū)這4個bank可以被分別配置為 8/16/32 引腳決定,

11、bank1 為32位，bank2 為0x8000,0000 - 0x83ff,ffff協(xié)調(diào)總線寬度和外存芯片數(shù)據(jù)線寬度。”(如62256 )或者朱按照字節(jié)區(qū)分的多字節(jié)器件”組成時，應(yīng)將RBLE設(shè)置為"0"。此時，讀訪問時 EMC將BLS0BLS3 拉高。當Memory由含有字節(jié)選擇輸入的16位或32位器件”組成時，應(yīng)將RBLE設(shè)置為"1"。此時,讀訪問時EMC將BLS0BLS3拉低。所以，當Memory由62256組成時，由于不需要片內(nèi)字節(jié)選擇輸入”，故令RBLE = '0'，則BLS0BLS3只會與nWR同步，可以代替 nWR使用。但是，當Memory由IS61LV25616AL組成時，由于該芯片有 "nLB"和"nUB"控制低/高8位 的輸入，故令 RBLE = '1' ，則 BLS0BLS3 與 nRD 和 nWR 都會同步，此時，不可以使用 BLS0BLS3 代替 nWR 信號。地址數(shù)據(jù)總線： D0 - D31, A0 - A23, OE, WE, CS0 - CS3, BLS0 - BLS3啟動后由P 2.7/P 2.6控制引導方式，然后由程序設(shè)置MEMMAP決定中斷向量的映射。BCFG0 - BCFG3 控制讀寫延時和總線寬度。