微電概論考試綱要

1、微電概論 綱要 唐睿第一章 緒論1. 電子工業(yè)增長(zhǎng)率一般為GDP增長(zhǎng)率的3倍，而集成電路工業(yè)增長(zhǎng)率又是電子工業(yè)增長(zhǎng)率的2倍。幾十年來(lái)，世界集成電路業(yè)的產(chǎn)值以大于13%，集成度以46%的年增長(zhǎng)率持續(xù)發(fā)展。2. 集成電路的定義 （P7）3. 微電子學(xué)的作用 （P9）4. 集成電路的分類：（1）按器件結(jié)構(gòu)分類，以及各自優(yōu)缺點(diǎn)(3種) （2）按集成電路規(guī)模分類（6種） （3）按結(jié)構(gòu)形式分類（2種） （4）按電路功能分類（3種） (P9)5. 集成電路分類總結(jié)圖 （P12）6. 微電子學(xué)的主要研究什么，以什么為目的，特點(diǎn)是什么 (P13)7. 微電子技術(shù)的定義及包括的內(nèi)容（四種）第二章半導(dǎo)體物理和器件物

2、理基礎(chǔ) 1.半導(dǎo)體器件的定義和分類（兩種） 2. 半導(dǎo)體的主要特點(diǎn)（四種） （P15） 3. 硅、鍺、砷化鎵晶體中共價(jià)鍵上的電子擺脫束縛所需能量 （P16） 4. 電子、空穴、載流子 （P17） 多子、少子 (P27) 5. N型、P型半導(dǎo)體的概念 （P17） 6. 遷移率是反映半導(dǎo)體載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)，同樣的參雜濃度，載流子的遷移率越大，半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率越高，遷移率的大小不僅關(guān)系著導(dǎo)電能力的強(qiáng)弱，而且還直接決定著載流子運(yùn)動(dòng)（飄逸和擴(kuò)散）的快慢。它直接影響了半導(dǎo)體器件的工作速度。遷移率大小與參雜濃度和溫度有關(guān)。 7.載流子的定義，運(yùn)動(dòng)形式（三種）和散射形式（兩種） 8.pn節(jié)的定義、特

3、性 突變節(jié)與緩變節(jié) PN節(jié)的單向?qū)щ娦?平衡PN節(jié) （P33） 9.PN節(jié)的擊穿及原理 （P41） 10.三極管（雙極晶體管） （P43） 11.MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)（圖）、工作原理、別稱 （P55） 12MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類，四種MOSFET的截面圖及其轉(zhuǎn)移和輸出特性曲線（P63） 13.反相器和存儲(chǔ)器第三章 1.評(píng)價(jià)集成電路性能的主要方面及其個(gè)自定義和作用 （P66） 2.串、與、并、或及其電路圖的畫法 3.IC的制造簡(jiǎn)要流程（四步） 第四章 1.光刻三要素 光刻的工藝流程 （P89） 2正負(fù)膠的工作原理 （P95） 3.幾種常見的光刻方法及其優(yōu)缺點(diǎn)（根據(jù)曝光方法的不同分為三類）

4、超細(xì)線條光刻技術(shù)的分類 （四類） （P97） 4刻蝕技術(shù)的種類及各自的優(yōu)缺點(diǎn) （P99）氧化硅層的主要作用（六種） （P101） （P101） 7.二氧化硅的制備方法及原理（四種） （P102）8化學(xué)氣相淀積方法（三種） （P109）9.參雜的方法（2種）的步驟（六步） （P112） 10.金屬膜的形成方法（2種） 少數(shù)金屬可采用CVD方法淀積 （P113） 11.集成電路工藝小結(jié) （P122）第五章 1.摩爾定律 （P124）基于分層分級(jí)設(shè)計(jì)思想的設(shè)計(jì)過程（四個(gè)階段） 從域的角度分（三個(gè)方面） （P125）公式及含義 (P134) 4.版圖的檢查與驗(yàn)證（3布） （P133）集成電路的兩種設(shè)計(jì)規(guī)則 （P135） 第七章1.SOC指什么 （P215）第八章 1.光電導(dǎo)體的定義 光電導(dǎo)的基本工作原理 2光伏效應(yīng) 3.光電效應(yīng)（2類） 光電效應(yīng)和光伏效應(yīng)屬于內(nèi)光電效應(yīng) 光生載流子第九章 1.MEMS指什么 （P267） 2.廣義上MEMS的定義 MEMS的應(yīng)用 （P267） 3.幾種重要的MEMS器件（6種） （P270）（4種） （P289） 5.制作MEMS器件的3種重要技術(shù) （P28