非晶硅薄膜PECVD沉積裝置

1、非晶硅薄膜PECVD沉積裝置（專有技術(shù)）參示指標(biāo)1、設(shè)備外形2、裝片腔體結(jié)構(gòu)3、應(yīng)用：非晶硅太陽能電池生產(chǎn)線主要用于生產(chǎn)大型光電玻璃模板，以普通玻璃為基底經(jīng)過常壓CVD制備氧化錫,PECVD制備各類非晶硅膜層，磁控濺射制備鋁膜電極，中間利用激光對膜系進行刻槽，再經(jīng)過檢測和封裝，完成大面積電池組件的制造過程，整個工藝流程不超過十道。比晶體硅電池制作工藝更簡單，硅材料利用率提高了幾十倍，制造成本大約只有晶體硅電池的1/3。4、非晶硅電池生產(chǎn)流程：整條生產(chǎn)線主要包括：玻璃磨邊、玻璃清洗、玻璃鉆孔、預(yù)熱爐、冷卻爐、老化爐、PECVD設(shè)備、PVD設(shè)備、激光刻膜設(shè)備、封裝層壓設(shè)備、電池I-V檢測設(shè)備等。5

2、、設(shè)備形式： PECVD設(shè)備采用集裝箱式裝夾方式，可一次裝夾生產(chǎn)48片單片規(guī)格6、裝片規(guī)格： 1245mm×635mm7、設(shè)備極限真空度:可達到5×10-4Pa8、溫度控制：設(shè)備采用PID溫控，具有外部隔熱保護9、等離子體：射頻方式10、控制方式：采用計算機系統(tǒng)控制 11、 工藝氣體：硅烷、磷烷、硼烷氣、氫氣、氬氣、氮氣 12、13、 設(shè)備詳細參數(shù)：設(shè)備組成：真空室，真空系統(tǒng)，電極盒， 電極盒承載輸送專用車，工件承載輸送專用車，電極維修專用車，預(yù)熱爐，冷卻爐； 主要技術(shù)規(guī)格：被加工玻璃尺寸1245 x 635 mm 單次處理組件數(shù)量48；電極盒結(jié)構(gòu)：兩個磁極之間是

3、真空室。里面裝有兩個半圓形空盒狀的金屬電極，通稱為“D形電極”。D形電極接在高頻電源的輸出端上，2個D形電極之間的空隙（加速間隙）有高頻電場產(chǎn)生。粒子源安裝在真空室中心的加速間隙中。D形電極內(nèi)部沒有高頻電場，粒子進入D形電極之內(nèi)就不再被加速，在恒定的主導(dǎo)磁場作用下做圓周運動。只要粒子回旋半圓的時間等于加速電壓半周期的奇整數(shù)倍，就能夠得到諧振加速。用一個表達式可以表示成： Tc=KTrt 式中Tc是粒子的回旋周期，Trt是加速電壓的周期，K應(yīng)該是奇整數(shù)；電極盒材料：100高強度航空鋁材；電極盒制造：高精度大型加工中心；電極材料防變形工藝： 1）輝光放電(Glow Discharge)， 

4、;屬于低氣壓放電(low pressure discharge)，工作壓力一般都低于10mbar，其構(gòu)造是在封閉的容器內(nèi)放置兩個平行的電極板，利用電子將中性原子和分子激發(fā)，當(dāng)粒子由激發(fā)態(tài)(excited state)降回至基態(tài)(ground state)時會以光的形式釋放出能量。電源可以為直流電源也可以是交流電源。2）電暈放電(Corona Discharge)：輝光放電只能在低氣壓下工作，而電暈放電可以在大氣壓下工作，但需要足夠高的電壓以增加電暈部位的電場；高溫高真空獲取泵：渦輪分子泵，本底真空：103 pa,工藝真空獲取泵：英制工藝無油泵，工藝壓力控制：美制碟閥與壓力傳感器，工件加溫制式：防污染紅外線外加熱，溫度控制：美制測溫元件與日溫控器，溫度工件溫度250