SM7028規(guī)格書,PWM 控制芯片

1、SM7028 注:如需最新資料或技術(shù)支持,請與我們聯(lián)系 管腳示意圖EDIP8管腳說明名稱 管腳序號 管腳說明GND 5,6,7,8 芯片地,同時也是內(nèi)置高壓 MOS 管 SOURCE 端口FB 1 反饋輸入端口VDD 2 芯片電源端,工作電壓范圍可達 9V30VNC 3 -DRAIN 4 內(nèi)置高壓 MOS 管的 DRAIN ,同時芯片啟動時,也做芯片的啟動 注:如需最新資料或技術(shù)支持,請與我們聯(lián)系極限參數(shù)極限參數(shù) (TA= 25 符號 說明 范圍 單位 V DS(max芯片 DRAIN 腳最高耐壓 -0.3730 V V DS(ST芯片啟動時, DRAIN 腳最高耐壓 -0.3400 V VD

2、D 芯片電源電壓 -0.330 V I vdd 嵌位電流 10 mA I FB 最大反饋電流 3 mA V ESD ESD 電壓 >4000 V T J 結(jié)溫 -40150 T STG 存儲溫度 -55150 熱阻參數(shù)符號 說明 SM7028 單位R thJA 熱阻 (1 45 /W注(1 :芯片要焊接在有 200mm 2銅箔散熱的 PCB 板,銅箔厚度 35um ,銅箔連接到所有的 GND 腳。電氣工作參數(shù)(除非特殊說明,下列條件均為 T A =25, VDD=18V符號 說明 條件范圍單位 最小 典型 最大BV DS 漏源擊穿電壓 V FB =2V; ID =1mA 730 - -

3、V I DSS DRAIN 端關(guān)斷態(tài)漏電流 V FB =2V; VDS =500V - - 0.1 mA R DS(on源漏端導(dǎo)通電阻 I D =0.2A - 12 - Ohm VDD ON VDD 開啟電壓 13 14.5 16 V VDD OFF VDD 關(guān)閉電壓 7 8 9 V VDD HYS VDD 遲滯閾值電壓 - 6.5 - V VDD OVP VDD 過壓保護閾值 - 32 - V IDD1 VDD 工作電流 I FB =2.0mA - 0.4 - mA IDD2 VDD 工作電流 I FB =0.5mA;ID =50mA - 1.0 - mA IDD CH 芯片充電電流 V D

4、S =100V; VDD=5V - -220 - uAFOSC 芯片振蕩頻率 - 60 - KHzG ID I FB /IDRAIN 增益 - 560 -I LIMIT 峰值電流閾值 V FB =0V - 700 - mA I FBSD FB 關(guān)斷電流 - 0.9 - mA R FB FB 輸入電阻 I D =0mA - 1.23 - Kohm t LEB 前置消隱時間 - 300 - ns t ON(min最小導(dǎo)通時間 - 700 - ns t OVT 過溫保護溫度 - 150 - t HYS 過溫遲滯閾值溫度 - 30 - 注:如需最新資料或技術(shù)支持,請與我們聯(lián)系功能表述 電路圖說明上圖中

5、 D1-D4、 C2組成全波整流, D5、 R1、 C3組成 RCD 吸收回路,消除變壓器 T2漏感產(chǎn)生的尖峰電壓, 避免擊穿 SM7028內(nèi)部的高壓 MOS 管。輸出部分 U3、 U2、 R5、 R6、 R3、 R4、 C8組成采樣反饋電路, R5、 R6決定系統(tǒng)的輸出電壓, 輸出電壓 VOUT 等于:2.5V R6R6R5V OUT +=R3、 R4限制 U2光耦 PC817B 的電流,避免影響反饋回路。 C8的加入使得系統(tǒng)反饋更加穩(wěn)定,避免振蕩。 VDD 電壓部分SM7028芯片工作電壓范圍寬,達到 9V30V ,此特性可以很方便的應(yīng)用在某些特殊的領(lǐng)域,比如電池充 電器等。當開關(guān)電源啟動

6、后, C2電容上的電壓會通過 T2原邊線圈、芯片內(nèi)部的高壓啟動 MOS 管向芯片 VDD 電容 C4充電。當 C4電容電壓達到 16V ,內(nèi)部高壓啟動 MOS 管關(guān)閉,同時 PWM 開啟,系統(tǒng)開始工作。當 C4電容電壓下降到 9V 以下,關(guān)閉 PWM 信號,同時芯片將會產(chǎn)生復(fù)位信號,使系統(tǒng)重新啟動。這就是 欠壓保護。注:如需最新資料或技術(shù)支持,請與我們聯(lián)系 FB 部分 通過高壓 MOS 的電流 I D 分成兩個部分, 其中一部分為 I S , 這部分電流為芯片采樣電流。 I S 與 I D 成比例關(guān)系:S ID D I G =I通過上圖可知:V R I I FB S 23. 02 (=+,由此

7、可以得到:-FBS I -2R V230=I . 以上公式合并,可得到:. (FB ID D I -2R V230 G =I 注:如需最新資料或技術(shù)支持,請與我們聯(lián)系SM7028 AC/DC PWM 功率開關(guān) TOZZ -IZV1.0 如果將 FB 腳對地短接，此時 IFB 的電流等于： I FB = - 0.23V R1 1 1 + R1 R 2 再將上式合并，最終得到 IDLIM： I DLIM = G ID 0.23V ( 然而在實際應(yīng)用中，F(xiàn)B 腳是上拉的方式接入到 VDD，不可能對地短路。當系統(tǒng)啟動或者短路時，此時 FB 腳的電壓比較接近于 0V，通過內(nèi)部高壓 MOS 管漏極電流則為

8、最大值 IDLIM。 IFB = - 0.23V R1 GID = ID IFB 從上圖可以看出，IFB 電流大，ID 的電流就小；IFB 電流小，ID 的電流就大。當 IFB 的電流大于 IFBSD 時， 芯片會關(guān)閉 PWM，此時的 ID 的值大約為 85mA，同時芯片會自動進入突發(fā)模式。這對于系統(tǒng)工作在空載或者輕 載至關(guān)重要。 u 過壓保護 當芯片 VDD 的電壓超過 VDDOVP 時，會觸發(fā)內(nèi)部復(fù)位信號，導(dǎo)致系統(tǒng)重新啟動。 注：如需最新資料或技術(shù)支持，請與我們聯(lián)系 -6- SM7028 AC/DC PWM 功率開關(guān) TOZZ -IZV1.0 u 12V/1A 反激電源應(yīng)用方案 原理圖： BOM 清單： CX1 C1 C2 C3 C4 C5 C6、C7 X 電容 10uF/400V 15uF/400V 102/1KV 103 10uF/50V 470uF/35V C8 D1、D2 D3、D4 D5、D6 D7 LT L1 104 IN4007 IN4007 FR107 SR3100 UU9.8 3uH R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 100K/1W 9.1K 0 270 1K 47K 33K R8 U1 U2 U3 F1 Y1 RT1 5.1K SM