材料科學(xué)基礎(chǔ)選擇題(共11頁(yè))

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上1、極化會(huì)對(duì)晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生顯著影響，可使鍵性由（ B ）過(guò)渡，最終使晶體結(jié)構(gòu)類(lèi)型發(fā)生變化。A: 共價(jià)鍵向離子鍵 B: 離子鍵向共價(jià)鍵 C: 金屬鍵向共價(jià)鍵 D: 鍵金屬向離子鍵2、離子晶體中，由于離子的極化作用，通常使正負(fù)離子間的距離（ B ），離子配位數(shù)（ ）。 A: 增大，降低 B: 減小，降低 C: 減小，增大 D: 增大，增大3、氯化鈉具有面心立方結(jié)構(gòu)，其晶胞分子數(shù)是（ C ）。A: 5 B: 6 C: 4 D: 34、NaCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為4，Na+填充在Cl-所構(gòu)成的（ B ）空隙中。A: 全部四面體 B: 全部八面體 C: 1/2四面體 D: 1

2、/2八面體5、CsCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為1，Cs+填充在Cl-所構(gòu)成的（ C ）空隙中。A: 全部四面體 B: 全部八面體 C: 全部立方體 D: 1/2八面體6、MgO晶體屬NaCl型結(jié)構(gòu)，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子組成，其一個(gè)單位晶胞中有（ B ）個(gè)MgO分子。A: 2 B: 4 C: 6 D: 87、螢石晶體可以看作是Ca2+作面心立方堆積，F(xiàn)-填充了（ D ）。 A: 八面體空隙的半數(shù) B: 四面體空隙的半數(shù) C: 全部八面體空隙 D: 全部四面體空隙 8、螢石晶體中Ca2+的配位數(shù)為8，F(xiàn)-配位數(shù)為（ B ）。 A: 2 B: 4 C: 6 D: 8 9、C

3、sCl晶體中Cs+的配位數(shù)為8，Cl-的配位數(shù)為（ D ）。 A: 2 B: 4 C: 6 D: 810、硅酸鹽晶體的分類(lèi)原則是（ B ）。A: 正負(fù)離子的個(gè)數(shù) B: 結(jié)構(gòu)中的硅氧比C:化學(xué)組成 D:離子半徑11、鋯英石ZrSiO4是（ A ）。A: 島狀結(jié)構(gòu) B: 層狀結(jié)構(gòu) C: 鏈狀結(jié)構(gòu) D: 架狀結(jié)構(gòu)12、硅酸鹽晶體中常有少量Si4+被Al3+取代，這種現(xiàn)象稱(chēng)為（ C ）。 A: 同質(zhì)多晶 B: 有序無(wú)序轉(zhuǎn)變 C: 同晶置換 D: 馬氏體轉(zhuǎn)變13. 鎂橄欖石Mg2SiO4是（ A ）。 A: 島狀結(jié)構(gòu) B: 層狀結(jié)構(gòu) C: 鏈狀結(jié)構(gòu) D: 架狀結(jié)構(gòu)14、對(duì)沸石、螢石、MgO三類(lèi)晶體具有的

4、空隙體積相比較，其由大到小的順序?yàn)椋?A ）。A: 沸石>螢石>MgO B: 沸石>MgO>螢石 C: 螢石>沸石>MgO D: 螢石>MgO>沸石15、根據(jù)鮑林(Pauling)規(guī)則，離子晶體MX2中二價(jià)陽(yáng)離子的配位數(shù)為8時(shí)，一價(jià)陰離子的配位數(shù)為（ B ）。 A: 2 B: 4 C: 6 D: 816、構(gòu)成硅酸鹽晶體的基本結(jié)構(gòu)單元SiO4四面體，兩個(gè)相鄰的SiO4四面體之間只能（ A ）連接。 A: 共頂 B: 共面 C: 共棱 D: A+B+C17、點(diǎn)缺陷與材料的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、材料的高溫動(dòng)力學(xué)過(guò)程等有關(guān)，以下點(diǎn)缺陷中屬于本征缺陷的是（

5、D ）。A：弗侖克爾缺陷 B：肖特基缺陷C：雜質(zhì)缺陷 D：A+B18、位錯(cuò)的（ A）是指在熱缺陷的作用下，位錯(cuò)在垂直滑移方向的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少。A: 攀移 B: 攀移C: 增值 D: 減少19、對(duì)于形成雜質(zhì)缺陷而言，低價(jià)正離子占據(jù)高價(jià)正離子位置時(shí)，該位置帶有負(fù)電荷，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生（ D ）。A: 負(fù)離子空位 B: 間隙正離子C: 間隙負(fù)離子 D: A或B20、對(duì)于形成雜質(zhì)缺陷而言，高價(jià)正離子占據(jù)低價(jià)正離子位置時(shí)，該位置帶有正電荷，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生（ D ）。 A: 正離子空位 B: 間隙負(fù)離子C: 負(fù)離子空位 D: A或B21、形成固溶體后對(duì)晶體的性質(zhì)將產(chǎn)

6、生影響, 主要表現(xiàn)為（ D ）。A: 穩(wěn)定晶格 B: 活化晶格C: 固溶強(qiáng)化 D: A+B+C22、固溶體的特點(diǎn)是摻入外來(lái)雜質(zhì)原子后原來(lái)的晶體結(jié)構(gòu)不發(fā)生轉(zhuǎn)變，但點(diǎn)陣畸變，性能變化。固溶體有有限和無(wú)限之分，其中（ B ）。A: 結(jié)構(gòu)相同是無(wú)限固溶的充要條件B: 結(jié)構(gòu)相同是無(wú)限固溶的必要條件，不是充分條件C: 結(jié)構(gòu)相同是有限固溶的必要條件D: 結(jié)構(gòu)相同不是形成固溶體的條件23、缺陷對(duì)晶體的性能有重要影響，常見(jiàn)的缺陷為（ D ）。 A: 點(diǎn)缺陷 B: 線(xiàn)缺陷 C: 面缺陷 D: A+B+C24、按照晶體結(jié)構(gòu)缺陷形成的原因，可將晶體結(jié)構(gòu)缺陷的類(lèi)型分為（ D ）。 A: 熱缺陷 B: 雜質(zhì)缺陷 C: 非

7、化學(xué)計(jì)量缺陷 D: A+B+C25、晶體中的熱缺陷的濃度隨溫度的升高而增加，其變化規(guī)律是（ B ）。A:線(xiàn)性增加 B:呈指數(shù)規(guī)律增加 C:無(wú)規(guī)律 D:線(xiàn)性減少26、間隙式固溶體亦稱(chēng)填隙式固溶體，其溶質(zhì)原子位于點(diǎn)陣的間隙中。討論形成間隙型固溶體的條件須考慮（ D ）。 A: 雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)大小 B: 晶體（基質(zhì)）結(jié)構(gòu) C: 電價(jià)因素 D: A+B+C27、位錯(cuò)的滑移是指位錯(cuò)在（A ）作用下，在滑移面上的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致永久形變。 A: 外力 B: 熱應(yīng)力 C: 化學(xué)力 D: 結(jié)構(gòu)應(yīng)力28、柏格斯矢量（Burgers Vector）與位錯(cuò)線(xiàn)垂直的位錯(cuò)稱(chēng)為(A )，其符號(hào)表示為( )。A:刃位錯(cuò)； B: 刃

8、位錯(cuò)；VX C: 螺位錯(cuò)； D:刃位錯(cuò)；29、熱缺陷亦稱(chēng)為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。當(dāng)離子晶體生成肖特基缺陷（Schottky defect）時(shí)，（ B ）。A: 正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的縮小B: 正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加C: 正離子空位和負(fù)離子間隙是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加D: 正離子間隙和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加30、熱缺陷亦稱(chēng)為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。生成弗侖克爾缺陷（Frenkel defect

9、）時(shí)，（ A ）。 A: 間隙和空位質(zhì)點(diǎn)同時(shí)成對(duì)出現(xiàn) B: 正離子空位和負(fù)離子空位同時(shí)成對(duì)出現(xiàn) C: 正離子間隙和負(fù)離子間隙同時(shí)成對(duì)出現(xiàn) D: 正離子間隙和位錯(cuò)同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)31、位錯(cuò)的具有重要的性質(zhì)，下列說(shuō)法不正確的是（ C）。 A: 位錯(cuò)不一定是直線(xiàn) B: 位錯(cuò)是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的邊界 C: 位錯(cuò)可以中斷于晶體內(nèi)部 D: 位錯(cuò)不能中斷于晶體內(nèi)部32、位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)包括位錯(cuò)的滑移和位錯(cuò)的攀移，其中（ A）。 A: 螺位錯(cuò)只作滑移，刃位錯(cuò)既可滑移又可攀移 B: 刃位錯(cuò)只作滑移，螺位錯(cuò)只作攀移 C: 螺位錯(cuò)只作攀移，刃位錯(cuò)既可滑移又可滑移 D: 螺位錯(cuò)只作滑移，刃位錯(cuò)只作攀移33、硅酸鹽熔體中各種聚

10、合程度的聚合物濃度（數(shù)量）受（ D）因素的影響。 A: 組成 B: 溫度 C: 時(shí)間 D: A+B+C34、當(dāng)熔體組成不變時(shí)，隨溫度升高，低聚物數(shù)量（ C ），粘度（ ）。 A: 降低；增加 B: 不變；降低 C: 增加；降低 D: 增加；不變35、當(dāng)溫度不變時(shí)，熔體組成的O/Si比高，低聚物（C ），粘度（ ）。 A: 降低；增加 B: 不變；降低 C: 增加；降低 D: 增加；不變36、硅酸鹽熔體的粘度隨O/Si升高而（ B），隨溫度下降而（ ）。 A: 增大，降低 B: 降低，增大 C: 增大，增大 D: 降低，降低37、由結(jié)晶化學(xué)觀(guān)點(diǎn)知，具有（A ）的氧化物容易形成玻璃。 A: 極性共

11、價(jià)鍵 B: 離子鍵 C: 共價(jià)鍵 D: 金屬鍵38、Na2O·Al2O3·4SiO2熔體的橋氧數(shù)為（ D）。 A: 1 B: 2C: 3 D: 4 39、Na2OCaOAl2O3SiO2玻璃的橋氧數(shù)為（ B ）。A: 2.5 B: 3 C: 3.5 D:440、如果在熔體中同時(shí)引入一種以上的R2O時(shí)，粘度比等量的一種R2O高，這種現(xiàn)象為（ B）。A:加和效應(yīng) B:混合堿效應(yīng) C:中和效應(yīng) D:交叉效應(yīng)41、對(duì)普通硅酸鹽熔體，隨溫度升高，表面張力將（A ）。 A: 降低 B: 升高 C: 不變 D: A或B42、熔體的組成對(duì)熔體的表面張力有很重要的影響，一般情況下，O/Si減

12、小，表面張力將（ A）。 A: 降低 B: 升高 C: 不變 D: A或B43、由熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變的過(guò)程是（ C ）的過(guò)程。 A: 可逆與突變 B: 不可逆與漸變 C: 可逆與漸變 D: 不可逆與突變44、當(dāng)組成變化時(shí)，玻璃的物理、化學(xué)性質(zhì)隨成分變化具有（ C ）。 A: 突變性 B: 不變性 C: 連續(xù)性 D: A或B45、熔體組成對(duì)熔體的表面張力有重要的影響，一般情況下，O/Si減小，表面張力將（ A ）。（A）降低 （B） 升高 （C） 不變 （D） A或B46、不同氧化物的熔點(diǎn)TM和玻璃轉(zhuǎn)變溫度Tg的比值（Tg/TM）接近（ B ）易形成玻璃。 A: 二分之一 B: 三分之二 C:

13、四分之一 D: 五分之一47、可用三T（Time-Temperature-Transformation）曲線(xiàn)來(lái)討論玻璃形成的動(dòng)力學(xué)條件，三T曲線(xiàn)前端即鼻尖對(duì)應(yīng)析出106體積分?jǐn)?shù)的晶體的時(shí)間是最少的，由此可得出形成玻璃的臨界冷卻速率，通常，該臨界冷卻速率愈大，則系統(tǒng)形成玻璃（ A）。 A: 愈困難 B: 愈容易 C: 質(zhì)量愈好 D: 質(zhì)量愈差48、不同O/Si比對(duì)應(yīng)著一定的聚集負(fù)離子團(tuán)結(jié)構(gòu)，形成玻璃的傾向大小和熔體中負(fù)離子團(tuán)的聚合程度有關(guān)。聚合程度越低，形成玻璃（ A ）。 A: 越不容易 B: 越容易 C: 質(zhì)量愈好 D: 質(zhì)量愈差49、當(dāng)熔體中負(fù)離子集團(tuán)以（ C ）的歪曲鏈狀或環(huán)狀方式存在時(shí)

14、，對(duì)形成玻璃有利。 A: 低聚合 B: 不聚合 C: 高聚合 D: A或C25、橋氧離子的平均數(shù)Y是玻璃的結(jié)構(gòu)參數(shù)，玻璃的很多性質(zhì)取決于Y值。在形成玻璃范圍內(nèi)，隨Y的增大，粘度（ D），膨脹系數(shù)（ ）。 A: 增大；不變 B: 降低；增大 C: 不變；降低 D: 增大；降低50、對(duì)于實(shí)際晶體和玻璃體，處于物體表面的質(zhì)點(diǎn)，其境遇和內(nèi)部是不同的，表面的質(zhì)點(diǎn)處于（ A ）的能階，所以導(dǎo)致材料呈現(xiàn)一系列特殊的性質(zhì)。A: 較高 B: 較低 C: 相同 D: A或C51、由于固相的三維周期性在固體表面處突然中斷，表面上原子產(chǎn)生的相對(duì)于正常位置的上、下位移，稱(chēng)為（ B）。A: 表面收縮 B: 表面弛豫C:

15、表面滑移 D: 表面擴(kuò)張52、固體的表面能與表面張力在數(shù)值上不相等，一般說(shuō)來(lái)，同一種物質(zhì)，其固體的表面能（B）液體的表面能。A: 小于 B: 大于C: 小于等于 D: 等于53、重構(gòu)表面是指表面原子層在水平方向上的周期性與體內(nèi)（ ），垂直方向的層間距與體內(nèi)（ A ）。A:不同；相同 B:相同；相同C:相同；不同 D:不同；不同54、粘附劑與被粘附體間相溶性（ C ），粘附界面的強(qiáng)度（ ）。A:越差；越牢固 B:越好；越差C:越好；越牢固 D:越好；不變55、離子晶體MX在表面力作用下，極化率小的正離子應(yīng)處于穩(wěn)定的晶格位置，易極化的負(fù)離子受誘導(dǎo)極化偶極子作用而移動(dòng)，從而形成表面（ C，這種重排的

16、結(jié)果使晶體表面能量趨于穩(wěn)定。A: 收縮 B: 弛豫 C: 雙電層 D: B+C56、表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會(huì)強(qiáng)烈地影響表面性質(zhì)，對(duì)于脆性材料的強(qiáng)度這種影響尤為重要，微裂紋長(zhǎng)度（ ），斷裂強(qiáng)度（ A ）。A: 越長(zhǎng)；越低 B: 越長(zhǎng)；越高C: 越短；越低 D: 越長(zhǎng)；不變57、界面對(duì)材料的性質(zhì)有著重要的影響，界面具有（ D ）的特性。A: 會(huì)引起界面吸附 B: 界面上原子擴(kuò)散速度較快C: 對(duì)位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)有阻礙作用 D: A+B+C58、只要液體對(duì)固體的粘附功（B ）液體的內(nèi)聚功，液體即可在固體表面自發(fā)展開(kāi)。A: 小于 B: 大于C: 小于等于 D: 等于59、當(dāng)液體對(duì)固

17、體的潤(rùn)濕角90°時(shí)，即在潤(rùn)濕的前提下，表面粗糙化后，液體與固體之間的潤(rùn)濕（ C）。A: 更難 B: 不變C: 更易 D: A或B60、當(dāng)液體對(duì)固體的潤(rùn)濕角90°時(shí)，即在不潤(rùn)濕的前提下，表面粗糙化后，液體與固體之間的潤(rùn)濕（ A ）。A: 更難 B: 不變C: 更易 D: A或B61、粘附功數(shù)值的大小，標(biāo)志著固-液兩相輔展結(jié)合的牢固程度，粘附功數(shù)值（ B ），固-液兩相互相結(jié)合（ ）；相反，粘附功越小，則越易分離。A: 越大；越松散 B: 越大；越牢固C: 越??；越牢固 D: 越大；不變62、為了提高液相對(duì)固相的潤(rùn)濕性，在固-氣和液-氣界面張力不變時(shí)，必須使液-固界面張力（B）

18、。A: 降低 B: 升高C: 保持不變 D: 有時(shí)升高，有時(shí)降低 63、對(duì)于附著潤(rùn)濕而言，附著功表示為W=SV+LV-SL，根據(jù)這一原理，( A ) 才能使陶瓷釉在坯體上附著牢固。 A: 盡量采用化學(xué)組成相近的兩相系統(tǒng) B: 盡量采用化學(xué)組成不同的兩相系統(tǒng) C: 采用在高溫時(shí)不發(fā)生固相反應(yīng)的兩相系統(tǒng) D: 前三種方法都不行64、將高表面張力的組分加入低表面張力的組分中去，則外加組分在表面層的濃度（ C）體積內(nèi)部的濃度。A: 等于 B: 大于 C: 小于 D: A或B65、表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會(huì)強(qiáng)烈地影響表面性質(zhì)，對(duì)于脆性材料的強(qiáng)度這種影響尤為重要，微裂紋長(zhǎng)度（

19、A ），斷裂強(qiáng)度（ ）。A:越長(zhǎng)；越低 B:越長(zhǎng)；越高 C: 越短；越低 D: 越長(zhǎng)；不變66、吸附膜使固體表面張力（ B）。A: 增大 B: 減小 C: 不變 D: A或B67、粗糙度對(duì)液固相潤(rùn)濕性能的影響是：CA: 固體表面越粗糙，越易被潤(rùn)濕B: 固體表面越粗糙，越不易被潤(rùn)濕C: 不一定D: 粗糙度對(duì)潤(rùn)濕性能無(wú)影響68、下列關(guān)于晶界的說(shuō)法哪種是錯(cuò)誤的。AA: 晶界上原子與晶體內(nèi)部的原子是不同的B: 晶界上原子的堆積較晶體內(nèi)部疏松C: 晶界是原子、空位快速擴(kuò)散的主要通道D: 晶界易受腐蝕69、相平衡是指在多相體系中，物質(zhì)在各相間分布的平衡。相平衡時(shí)，各相的組成及數(shù)量均不會(huì)隨時(shí)間而改變，是（

20、C ）。 A:絕對(duì)平衡 B:靜態(tài)平衡 C:動(dòng)態(tài)平衡 D:暫時(shí)平衡70、二元凝聚系統(tǒng)平衡共存的相數(shù)最多為3，而最大的自由度數(shù)為（ A ）。A:2 B:3 C:4 D:571、熱分析法是相平衡的研究方法之一，其原理是根據(jù)系統(tǒng)在冷卻過(guò)程中溫度隨時(shí)間的變化情況來(lái)判斷系統(tǒng)中是否發(fā)生了相變化，該方法的特點(diǎn)是（ D ）。A: 簡(jiǎn)便 B: 測(cè)得相變溫度僅是一個(gè)近似值C: 能確定相變前后的物相 D: A+B72、淬冷法是相平衡的研究的動(dòng)態(tài)方法，其特點(diǎn)是（ D）。A: 準(zhǔn)確度高 B: 適用于相變速度慢的系統(tǒng)C: 適用于相變速度快的系統(tǒng) D: A+B73、可逆多晶轉(zhuǎn)變是一種同質(zhì)多晶現(xiàn)象，多晶轉(zhuǎn)變溫度（ A ）兩種晶

21、型的熔點(diǎn)。A: 低于 B: 高于C: 等于 D: A或B74、不可逆多晶轉(zhuǎn)變的多晶轉(zhuǎn)變溫度（ B種晶型的熔點(diǎn)。A: 低于 B: 高于C: 等于 D: A或B75、在熱力學(xué)上，每一個(gè)穩(wěn)定相有一個(gè)穩(wěn)定存在的溫度范圍，超過(guò)這個(gè)范圍就變成介穩(wěn)相。在一定溫度下，穩(wěn)定相具有（ C ）的蒸汽壓。A: 最高 B: 與介穩(wěn)相相等C: 最低 D: A或B76、多晶轉(zhuǎn)變中存在階段轉(zhuǎn)變定律，系統(tǒng)由介穩(wěn)狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定態(tài)不是直接完成的，而是依次經(jīng)過(guò)中間的介穩(wěn)狀態(tài)，最后變?yōu)樵摐囟认碌姆€(wěn)定狀態(tài)。最終存在的晶相由（ D ）決定。A: 轉(zhuǎn)變速度 B: 冷卻速度C: 成型速度 D: A與B77、二元凝聚系統(tǒng)的相圖中，相界線(xiàn)上的自由

22、度為（C）。 A: 3 B: 2 C: 1 D: 078、根據(jù)杠杠規(guī)則，在二元凝聚系統(tǒng)的相圖中，如果一個(gè)總質(zhì)量為M的相分解為質(zhì)量G1和G2的兩個(gè)相，則生成兩個(gè)相的質(zhì)量與原始相的組成到兩個(gè)新生相的組成點(diǎn)之間線(xiàn)段（ B。 A: 成正比 B: 成反比 C: 相等 D: A或C79、三元相圖中，相界線(xiàn)上的自由度為（C）。 A: 3 B: 2 C: 1 D: 080、固體中質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散特點(diǎn)為：( D )。A: 需要較高溫度 B: 各向同性C: 各向異性 D: A+C81、在離子型材料中，影響擴(kuò)散的缺陷來(lái)自?xún)蓚€(gè)方面：熱缺陷與不等價(jià)置換產(chǎn)生的點(diǎn)缺陷，后者引起的擴(kuò)散為( C )。A：互擴(kuò)散 B：無(wú)序擴(kuò)散C：非本

23、征擴(kuò)散 D：本征擴(kuò)散82、固體中質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散特點(diǎn)為：DA: 需要較高溫度 B: 各向同性C: 各向異性 D: A+C83、擴(kuò)散之所以能進(jìn)行，在本質(zhì)上是由于體系內(nèi)存在（ A ）。A: 化學(xué)位梯度 B: 濃度梯度C: 溫度梯度 D: 壓力梯度84、固溶體的類(lèi)型及溶質(zhì)的尺寸對(duì)溶質(zhì)擴(kuò)散的活化能有較大影響。則H、C、Cr在-Fe中擴(kuò)散的活化能的大小順序?yàn)椋?B ）。A: QH>QC>QCr B: QCr> QC >QHC: QC >QH>QCr D: QCr> QH >QC 85、晶體的表面擴(kuò)散系數(shù)Ds、界面擴(kuò)散系數(shù)Dg和體積擴(kuò)散系數(shù)Db之間存在（ A ）的

24、關(guān)系。A: Ds> Dg> Db B: Db< Dg< DsC: Dg> Ds> Db D: Dg< Ds< Db86、在離子型材料中，影響擴(kuò)散的缺陷來(lái)自?xún)蓚€(gè)方面：熱缺陷和摻雜點(diǎn)缺陷。由它們引起的擴(kuò)散分別稱(chēng)為（B ）。A: 自擴(kuò)散和互擴(kuò)散 B: 本征擴(kuò)散和非本征擴(kuò)散C: 無(wú)序擴(kuò)散和有序擴(kuò)散 D: 穩(wěn)定擴(kuò)散和不穩(wěn)定擴(kuò)散87、穩(wěn)定擴(kuò)散（穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散）是指在垂直擴(kuò)散方向的任一平面上，單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)該平面單位面積的粒子數(shù)（ B ）。 A: 隨時(shí)間而變化 B: 不隨時(shí)間而變化 C: 隨位置而變化 D: A或B88、不穩(wěn)定擴(kuò)散(不穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散)是指擴(kuò)散物質(zhì)在擴(kuò)散介質(zhì)

25、中濃度隨（ A）。 A: 隨時(shí)間和位置而變化 B: 不隨時(shí)間和位置而變化 C: 只隨位置而變化 D: 只隨時(shí)間而變化89、菲克（Fick）第一定律指出，擴(kuò)散通量與濃度梯度成正比，擴(kuò)散方向與濃度梯度方向（ C）。 A: 相同 B: 無(wú)關(guān) C: 相反 D: 前三者都不是90、由于處于晶格位置和間隙位置的粒子勢(shì)能的不同，在易位擴(kuò)散、間隙擴(kuò)散和空位擴(kuò)散三種機(jī)制中，其擴(kuò)散活化能的大小為（ C ）。 A: 易位擴(kuò)散=間隙擴(kuò)散>空位擴(kuò)散 B: 易位擴(kuò)散>間隙擴(kuò)散=空位擴(kuò)散 C: 易位擴(kuò)散>間隙擴(kuò)散>空位擴(kuò)散 D: 易位擴(kuò)散<間隙擴(kuò)散<空位擴(kuò)散91、一般晶體中的擴(kuò)散為（ D

26、 ）。 A: 空位擴(kuò)散 B: 間隙擴(kuò)散 C: 易位擴(kuò)散 D: A和B92、由肖特基缺陷引起的擴(kuò)散為（A ）A:本征擴(kuò)散 B:非本征擴(kuò)散 C:正擴(kuò)散 D:負(fù)擴(kuò)散93、空位擴(kuò)散是指晶體中的空位躍遷入鄰近原子，而原子反向遷入空位，這種擴(kuò)散機(jī)制適用于（ C ）的擴(kuò)散。 A: 各種類(lèi)型固溶體 B: 間隙型固溶體 C: 置換型固溶體 D: A和B94、擴(kuò)散過(guò)程與晶體結(jié)構(gòu)有密切的關(guān)系，擴(kuò)散介質(zhì)結(jié)構(gòu)（ A ），擴(kuò)散（ ）。 A: 越緊密；越困難 B: 越疏松；越困難 C: 越緊密；活化能越小 D: 越疏松；活化能越大95、不同類(lèi)型的固溶體具有不同的結(jié)構(gòu)，其擴(kuò)散難易程度不同，間隙型固溶體比置換型（ D ）。 A

27、: 難于擴(kuò)散 B: 擴(kuò)散活化能大 C: 擴(kuò)散系數(shù)小 D: 容易擴(kuò)散96、擴(kuò)散相與擴(kuò)散介質(zhì)性質(zhì)差異越大，（ B）。 A: 擴(kuò)散活化能越大 B: 擴(kuò)散系數(shù)越大 C: 擴(kuò)散活化能不變 D: 擴(kuò)散系數(shù)越小97、在晶體中存在雜質(zhì)時(shí)對(duì)擴(kuò)散有重要的影響，主要是通過(guò)（ D），使得擴(kuò)散系數(shù)增大。 A: 增加缺陷濃度 B: 使晶格發(fā)生畸變 C: 降低缺陷濃度 D: A和B98、通常情況下，當(dāng)氧化物在雜質(zhì)濃度較低時(shí)，其在高溫條件下引起的擴(kuò)散主要是（ A ）。A: 本征擴(kuò)散 B: 非本征擴(kuò)散C: 互擴(kuò)散 D: A+B99、按熱力學(xué)方法分類(lèi)，相變可以分為一級(jí)相變和二級(jí)相變，一級(jí)相變是在相變時(shí)兩相化學(xué)勢(shì)相等，其一階偏微熵不相等，因此一級(jí)相變（ B ）。 A: 有相變潛熱，無(wú)體積改變B: 有相變潛熱