TFT-LCD制造工藝

1、.1SUSTTFTTFT液晶顯示器液晶顯示器制造工藝制造工藝張方輝張方輝 2005.7.2 TFT Array Process Liquid Crystal Cell Process Module Assembly ProcessTFT-LCD ProCess.3C/F InTroDuCe anD ProCess彩色濾光片基本結(jié)構(gòu)是由玻璃基板（Glass Substrate），黑色矩陣（Black Matrix），彩色層（Color Layer），保護層（Over Coat），ITO導電膜組成。一般穿透式TFT用彩色光片結(jié)構(gòu)如下圖。GLASS SUBSTRATEBlack MatrixColo

2、r LayerOver CoatITO .4C/F 的結(jié)構(gòu).5C/F ProCess.6.7C/F PIxeL array馬賽克式直條式三角形式四畫素v馬賽克式:：顯示AV動態(tài)畫面v直條式：較常顯示文字畫面,(Note Book)。 .8Cr/CrOx製程技術(shù)感光樹脂製程技術(shù)各製程技術(shù)之比較顏料分散法電著法染色法印刷法各製程技術(shù)之比較.9Cr/CrOx製程基板Cr/CrOx膜光阻成膜光阻塗佈曝光顯影蝕刻剝膜UV光源光罩.10感光樹脂製程基板黑色光阻光阻塗佈曝光UV光源光罩顯影.11黑紋製程技術(shù)比較Cr/CrOx石墨樹脂顏料樹脂兩色重疊膜厚(um)0.13/0.04光學濃度3

3、.53.02.51.5反射率(%)6858優(yōu)點 膜厚薄 光學濃度佳 製程穩(wěn)定膜厚適中 光學濃度佳製程穩(wěn)定不需黑紋製程，成本最低缺點 成本高 環(huán)境污染大 解晰度稍差 製程尚不穩(wěn)定膜厚較厚光學濃度較差膜厚最厚光學濃度差相對成本11/31/20.12顏料分散法1.著色光阻塗佈2.曝光3.顯影4.重覆製程1-3 三色形成光罩著色光阻黑紋BM玻璃基板.13電著法析出機構(gòu) 2H2O2OH12H2e 2OH1H2OO1 2O1O2 COOHCOOH(a) 陰離子型電著機構(gòu)示意圖析出機構(gòu) 2H2O2e2OH2H 2HH2 NR2OHNR2H2O(b) 陽離子型電著機構(gòu)示意圖.14電著法製程2.顯影光阻ITO玻

4、璃基板1.曝光3.蝕刻、剝膜4.電著光罩ITO電極5. G,B重覆 三色形成.15GRBGRBRRGBGB導電膠遮避層ITO導線電 著 後 之ITO導線(a)直條狀排列(b)馬賽克排列電著法-電著示意圖.16染色法1.樹脂塗佈2.曝光著色光阻黑紋BM玻璃基板3.顯像5.染色.重覆15製程三色形成.17印刷法1.Blanket轉(zhuǎn)動Blanket油墨.油墨轉(zhuǎn)印至 Blanket3.油墨印刷至玻璃基板4.三色形成黑紋玻璃基板G,B重覆.18PossIbLe DeFeCTs on C/F Particles Pattern Defects Pinholes Tokki Mixed Color Mura

5、.19ITo透明導電層的作用.20ARRAYARRAY制程制程（1 1）六道光罩：）六道光罩：GE-SE-PE-CH-SD-DCGE-SE-PE-CH-SD-DC（2）五道光罩：GE-SE-SD-CH-PEGE-SE-SD-CH-PE.21TFT Array組成材料（六道光罩）MASK 1-GEGate 電極Cr MASK 3-PE畫素電極ITOMASK 5-SDSource/Drain 電極Cr/Al/CrMASK 2-SE通道與電極之接觸介面 (n+)a-Si：H MASK 2-SE Channel( 通道)(i)a-Si：H MASK 2-SEGI 層(Gate 絕緣層)SiNxMASK

6、 6-DC保護層SiNx MASK 4-CHContact hole.22Mask 1：GE (Gate電極形成)AA1. 受入洗淨SPC(島田)2. 濺鍍Cr (4000A)ULVAC/AKT3. 成膜前洗淨SPC/芝蒲4. UV處理東芝5. 光阻塗佈/曝光/顯影TEL/Nikon 6. 顯影檢查/光阻寸檢Nikon/Hitachi7. 硬烤光洋8. Cr Taper蝕刻(WET)DNS9. 光阻去除DNS10.製程完成檢查 KLA/ORBOAA.23Mask 2：SE (島狀半導體形成)AAAA1. 成膜前洗淨 SPC/芝蒲2. 成膜SiNx Barlzers3. 成膜前洗淨 SPC/芝蒲

7、4. 成膜SiNx/a-Si/n+Si Barlzers 5. 光阻塗佈/曝光/顯影 TEL/Nikon 6. 顯影檢查 Nikon/ Hitachi7. 蝕刻(DRY) TEL/PSC8. 光阻去除 DNS9. 製程完成檢查 KLA/ORBO.24Mask 3：PE (畫素電極形成)AAAA1. 成膜前洗淨SPC/芝蒲2. 成膜ITOULVAC3. 光阻塗佈/曝光/顯影TEL/Nikon 4. 顯影檢查/光阻寸檢Nikon/Hitachi5. 蝕刻(WET)DNS6. 光阻去除DNS7. 製程完成檢查 KLA/ORBO.25Mask 4：CH (Contact Hole形成)1.Array

8、6道Mask工程中唯一沒有 成膜製程2.蝕刻GI層(SiNx)，定義出不同層 金屬間的連接區(qū) AAAA1. 光阻塗佈/曝光/顯影TEL/Nikon 2. 顯影檢查/光阻寸檢Nikon/Hitachi3. 蝕刻(DRY)TEL/PSC4. 光阻去除DNS5. 製程完成檢查 KLA/ORBO.26Mask 5：SD (Source及Drain電極形成)AAAA1. 成膜前洗淨SPC/芝蒲2. 成膜Cr/Al/CrULVAC/AKT3. 光阻塗佈/曝光/顯影TEL/Nikon 4. 顯影檢查/光阻寸檢Nikon/Hitachi5. 蝕刻上層Cr(WET)DNS6. 硬烤光洋7. 蝕刻Al(WET)D

9、NS8. 硬烤光洋9. 蝕刻下層Cr(WET)DNS10.蝕刻n+Si(DRY)TEL/PSC11.光阻去除DNS12.製程完成檢查 KLA/ORBO.27Mask 6：DC(保護層形成)AAAA1. 成膜前洗淨SPC/芝蒲2. 成膜SiNxBarlzers3. 光阻塗佈/曝光/顯影TEL/Nikon 4. 顯影檢查Nikon/Hitachi5. 蝕刻(DRY)TEL/PSC6. 光阻去除DNS7. 退火光洋TFT元件製程結(jié)束 , 後流至ARRAY TESTER .28TFT Array組成材料（五道光罩）MASK 1-GEGate 電極Cr MASK 5-PE畫素電極 ITOMASK 3-S

10、DSource/Drain 電極 CrMASK 2-SE通道與電極之接觸介面 (n+)a-Si：H MASK 2-SE Channel(通道)(i)a-Si：H MASK 2-SEGI 層(Gate 絕緣層)SiNxMASK 4-CHContact hole SiNx .29Mask 1：GE (Gate電極形成)AA1. 受入洗淨芝蒲2. 濺鍍Cr (4000A)ULVAC3. 成膜前洗淨島田理化/芝蒲4. 光阻塗佈/曝光/顯影TEL/DNS/Nikon 5. 顯影檢查/光阻寸檢 V-tech6. 硬烤田葉井7. Cr Taper蝕刻(WET) DNS8. 光阻去除島田理化10 製程完成檢查

11、 ORBOTEC/OLYMPUS AA.30MASK 2 Island 形成1.在 6 道 Mask之SE工程，其顯示區(qū)域內(nèi)所 製作的Pattern為 TFT之Island及Source Line與Gate Line重疊的部份。在5道Mask 製程中則將Source Line的底部皆鋪上SE層.31MASK 3 S/D 電極形成1.在 6 道 Mask製程，其第3道Mask為PE工程 在5道Mask製程，其第3道Mask為SD程。5 道Mask中PE為最後一道Mask。.32MASK 4 SiN Depo. 挖 Contact Hole1.此處的CH工程(5M)結(jié)合了CH工程(6M)及 DC工

12、程(6M)，故在CH工程(5M)需先鍍上 SiN，做為保護膜。2.此處的CH工程(5M)有些區(qū)域需挖SiN(GI 層及保護膜)，故在下一道製程PE工程鍍 上ITO膜時，對金屬濺鍍的階梯覆蓋能力 要求增加。.33MASK 5 Pixel 電極形成1.為何 5 道 Mask 中要將 SD 工程放在第3道 Mask、PE工程放在第5道 Mask？ 推測：因為CH 工程(5M)是結(jié)合DC及CH 工程(6M)，故在CH工程(5M)需先鍍上保護 膜SiN，若第 3 道 Mask(5M)改成PE工程 (5M)，則在CH工程(5M)時鍍上之保護膜SiN 無法保護 TFT ，因為此時 TFT 尚未形成。2.PE

13、工程(5M)在最後一道工程的優(yōu)缺點： A.在 6 道 Mask製程中，為了平坦度的要求 ，沒有將PE上的保護膜SiN挖掉。但此一 作法卻增加的一個電容，使的驅(qū)動IC的 負載增加。5 道 Mask 將PE工程(5M)放， 在最後一道製程，可將保護膜 SiN 置於 PE底下，同時解決此二問題。 B.在 ITO Depo.時需要通入O2，在挖CH(5M) 處SD工程Depo.的金屬此時裸露在表面， 故SD工程最表層的金屬需要求較不易氧 化的金屬。 .34 Clean 工程 Process Monitor受入洗受入洗洗淨洗淨成膜成膜寫真寫真蝕刻蝕刻剝膜剝膜Array檢查檢查Array processP

14、attern 欠陷檢查欠陷檢查 欠陷分類 統(tǒng)計趨勢各製程擔當各製程擔當Clean 化工程 Product 裝置記錄裝置記錄製程改善製程改善情報情報.35CELLCELL制程制程（1 1）傳統(tǒng)）傳統(tǒng)CELLCELL制程制程（2 2）ODFODF版版CELLCELL制程制程.36液晶注入工程檢查工程切割裂片面板分段工程重合(對位)面板間距控制框膠硬化重合工程間隔劑散佈間隔劑散布工程銀膠印刷銀膠涂布配向配向后洗凈配向處理工程配向膜印刷配向膜燒成(熱硬化)配向膜形成工程干燥純水洗凈洗凈工程Array基板投入洗凈工程純水洗凈干燥配向膜形成工程配向膜印刷配向膜燒成(熱硬化)配向處理工程配向配向后洗凈框膠涂

15、布框膠印刷框膠預烤彩色濾光片投入實裝工程面板工程完成點燈檢查(面板檢查)工程偏光板貼附液晶注入封止洗淨退火(液晶再配向)貼附工程 傳統(tǒng)CELL製造工程 FLOW CHARTPI玻璃基板A滾輪印刷滾輪PI分子玻璃基板配向布滾輪PI層玻璃基板散佈間隔劑玻璃基板框膠針筒排氣液晶玻璃基板配向?qū)娱g隔劑真空真空氮氣偏光板Array框膠CF.37製程流程.38製程流程.39CF Cleaning(彩色濾光片洗淨) 在Color Filter購入後可能會受到周圍環(huán)境有機物質(zhì)污染，需對此附著在CF上之有機物排除，此製程以UV/O3對有機物進行分解達到清潔之目的。 f e d c b a a : Loader部

16、b : 基板受取部 c : Air Knife 部 d : Eximer UV部 e : 基板整列部 f : Unloader 部 .40 1st Scribe & break(一次切割裂片一次切割裂片) 將大尺寸的Array TFT基板切割成我們所要的尺寸基板。 1-up 2-up =2片1-up .41切割成2-up的目的是因為Cell的生產(chǎn)線屬連續(xù)式生產(chǎn)線的型式(line),同樣數(shù)量的1-up與2-up投入生產(chǎn)線中雖然所花費的時間幾乎一樣,但2-up的產(chǎn)能就是比1-up多出一倍 。生產(chǎn)線1-up2-up1-up2-up 2-up的產(chǎn)量比1-up多一倍.421st Grinding

17、(一次磨邊) 按照所定尺寸切割好的玻璃，進行基板端面的研磨裝置，如圖，其主要目的有：(1). 將切割裂片後的玻璃截面平坦化，避免截面缺陷應力集中。(2). 避免尖銳的截面?zhèn)︶嵫u程設(shè)備。 C typeR type.43一、長邊整形機磨除部分100mmStraight wheel 功能：將裂片後的面板長邊磨平0.1mm.44二、短邊整形機磨除部分100mmStraight wheel 功能：將裂片後的面板短邊磨平0.1mm.45三、角磨邊機 功能：將面板四個角磨平100mmStraight wheel10.5mm.46After-grinding cleaning(磨邊後洗淨) 將前段磨邊後之玻

18、璃基板洗淨，主要去除殘留在表面上之玻璃粉屑、小顆粒等。 abcdefa：搬入Conveyor部 b：Water Shower (1) 部 c：CJ部 d：Water Shower (2) 部e：Air-knife部 f：搬出Conveyor部 .47CJ部CJ ( Cavitation Jet ) 由上下各2列強力水柱沖灌，產(chǎn)生液面下氣泡沖洗玻璃機板。 .48.49Pre-PI Cleaning(印上PI膜前洗淨) 在PI膜印刷前將玻璃基板洗淨，並做適當?shù)谋砻娓馁|(zhì)，使膜能均勻地塗布在玻璃基板上 。abcdefghija：基板受取/洗劑Brush部 b：Water Shower-1部 c：Wat

19、er Shower (2) 部 d：MS Shower部 e：Silane Shower部 f：Water Shower (3) 部 g：Air-knife部 h：IR乾燥部 i：冷卻部 j：搬出Conveyor部 .50基板受取洗劑Brush部 Brush對向回轉(zhuǎn)的目的 上下Brush有自我清潔的功用 使欲清洗的玻璃基板不致於刮傷 減少Detergent的帶出量及流入下個單元 能有效清潔Array基板凹凸的表面流品方向Brush roller玻璃基板.51MS Shower部 MS( Mega Sonic ) 由2臺，頻率1.6MHz，以Maga波直立振盪，經(jīng)狹縫出口形成水簾，衝擊在基板上如

20、同海浪般沖洗，可處理約1um左右之Particle。 .52PI Printing(印上PI膜) 在玻璃基板（TFT基板、CF基板 ）上均勻塗佈印上一層薄膜，並且升溫把其溶劑揮發(fā)達到薄膜平整效果，其塗佈區(qū)域依照設(shè)計而定；薄膜厚度依據(jù)所選定的PI材料而有不同。 .53製程原理FilterInk supplySubstrateLetterpressDoctorPrint RollerAnilox RollerDispenserPI film流 品 方 向.54.55PI Inspection(PI膜檢驗) 將已經(jīng)塗佈PI膜且經(jīng)過預烤的玻璃基板（TFT基板與CF基板）進行表面檢查，利用CCD及影像處

21、理系統(tǒng)對玻璃基板做影像分析，區(qū)分其上過PI膜部份的顏色差異，藉由此檢查裝置早期發(fā)現(xiàn)不良、分析歸納不良，以其找出PI Print的最佳製程條件。 .56PI Post Bake(印上PI膜後烘乾) 將已經(jīng)上完P(guān)I膜且檢查OK的玻璃基板進行高溫製程，使得基板上的PI膜進行硬化反應，以便於進行配向製程的進行。 .57立式乾燥爐Clean oven.58Rubbing(配向或稱定向) 於PI膜上製作出供液晶定向用之溝槽，使液晶整齊排列於上 ,下配向膜間 。配向配向?；逡苿臃较驖L輪轉(zhuǎn)動方向ITO基板玻璃基板配向滾輪.59利用配向布摩擦玻璃基板上方的PI膜，形成供液晶定向排列所需的構(gòu)槽及預傾角 液晶分子

22、玻璃基板配向膜未經(jīng)配向之液晶分子配向後的液晶分子排列井然有序液晶分子.60雖然在配向作業(yè)時的磨擦不會破壞TFT基板,但磨擦所引起的靜電卻可能會破壞TFT(薄膜電晶體),因此TFT基板四周的Gate電極與Source電極是以短路相接的(shorted),以避免靜電所造成的破壞。 配向膜液晶分子ITO玻璃基板 配向後的液晶分子.61為了讓液晶的排列順著上下介面的方向做90的轉(zhuǎn)動,我們必須固定最上層的液晶及最下層的液晶,而為了讓液晶旋轉(zhuǎn)的方向固定一致(同為順時針方向或逆時針方向),我們替液晶做了預傾角,這些製程稱為定向定向或配向配向(rubbing)最上層液晶第二層液晶最底層液晶上層偏光模下層偏光模

23、光源.62配向模(PI)上若無預傾角時,液晶分子旋轉(zhuǎn)的方向會不一致 液晶玻璃基板.63在施加電場的狀況下,為了使液晶站起的方向一致,故在配向時在PI模上磨出(rub)預傾角。 玻璃基板只從右端站起可能從右端或左端站起配向方向液晶.64配向方式：下列圖形的組立方式是由CF基板上升、原地翻轉(zhuǎn)然後與下方的TFT基板進行組合,如圖(為配向方向，+為組立對位符號)。 TFT基板CF基板CF基板由下往上翻轉(zhuǎn)組立6點鐘視角方向?qū)Ρ茸罴裈FT基板CF基板由下往上翻轉(zhuǎn)組立組立後夾角12點鐘視角方向?qū)Ρ茸罴岩壕まD(zhuǎn)方向CF基板TFT基板TFT基板CF基板CF基板組立後夾角液晶扭轉(zhuǎn)方向.65After-rubbin

24、g Cleaning(配向後洗淨) 去除經(jīng)過Rubbing後的毛屑、PI膜殘渣等有機污染物及其他Particle。 a b c d e f g h a : 基板受取 b : 洗劑US 部 c : Water Shower 部 d : MS Shower部 e : Spin Dry部 f : IR乾燥部 g : 冷卻部 h : 搬出Conveyor部 .66Spin Dry（1）有搬入Spin Table之機械懸臂，其接觸玻璃基板下方邊緣端8mm以內(nèi)，Chuck材質(zhì)為Teflon，方式如下圖: 機械手臂玻璃基板.67Spin Dry（2）.68Spacer Spraying(灑間隙球) 將spa

25、cer均勻散佈在玻璃基板中，作為兩塊玻璃間隙的支撐，形成均勻的cell gap,以避免panel在製造過程中，因壓合、升溫造成玻璃形變或cell gap的不均勻化;另一方面，若發(fā)現(xiàn)不良品（聚集或密度太多、太少），則需利用cleaner將spacer清除乾淨後，乾式灑間隙球再重新rework,而本廠採乾式灑間隙球之方式 ?？蚰z間隙球 灑間隙球 玻璃基板 液晶 無間隙球時發(fā)生的缺陷 玻璃基板框膠 液晶.69乾式灑間隙球：乾式灑間隙球：利用氮氣與spacer混合後，以高壓氣體為動力，將spacer均勻噴灑在基板上。其中為使spacer不聚集在一起，利用摩擦生電的原理，將spacer與管壁高速摩擦而帶

26、同性電。噴灑時，spacer因同性相斥的原理而彼此分散，達到均勻而不聚集的散佈。 乾式灑間隙球 氮氣 玻璃基板.70Spacer Density Inspection(間隙球密度檢驗) Spacer散佈之後，需經(jīng)過此步驟檢查是否合格。其檢查的項目大略分為兩大類：spacer散佈的密度及cohesion的情形。若檢驗為合格者，則送至下一個步驟；若為不合格者，則送至double buffer內(nèi)準備再行rework的步驟。 由於lamp發(fā)出的光照射到spacer之後反射至detector camera的亮度較只照射到基板的光線強度為強。所以經(jīng)由detector camera所收集到不同亮度的光線經(jīng)由

27、CCD轉(zhuǎn)換為電荷訊號，再經(jīng)由影像處理單元轉(zhuǎn)換後即可於monitor顯影。若再將影像訊號傳送至PC，經(jīng)由電腦的運算，可得知spacer的數(shù)目及cohesion的聚集情形，而達到檢測spacer散佈情況的目的。 .71CCD 檢測原理CCUImage process unitmonitorPCspacer.72Sealant Patterning(塗佈框膠) 以Dispenser塗佈框膠(Sealant)於彩色濾光片(CF)上,將LCD Cell上下兩片玻璃基板區(qū)隔開 以Dispenser塗佈框膠(Sealant)液晶注入口塗佈器彩色濾光片加壓氮氣.73保護液晶不和外界水汽及雜質(zhì)接觸，並防止液晶外

28、流。 無框膠時液晶會外流液晶CF玻璃基板TFT玻璃基板.74Dispenser是由注射桶（barrel）和針頭（nozzle head）所組成，框膠置於注射桶中，利用氣體（一般使用氮氣）加壓將框膠由筒內(nèi)經(jīng)由針頭畫於基板上。 gapN2 gasplate surfacesealantPerfectNozzle邊緣殘留Seal會導致過細或斷線.75框膠成份：框膠成份：硬化劑硬化促進劑充填劑 稀釋劑溶劑其他添加劑：顏料、消泡劑等。 可僥性賦予劑Fiber.76Sealant Pre-bake(框膠烘乾) 為了讓框膠(Sealant)硬化前，將框膠內(nèi)的溶劑揮發(fā)，以防止因硬化溫度過高，框膠內(nèi)溶劑突沸，使

29、框膠產(chǎn)生孔洞。因此在硬化前要在較低的溫度下先行預烤(Pre-bake)。 .77Transfer Dispenser(塗佈銀膠) 由於TFTLCD cell上層基板為color filter，下層基板是TFT，外接之IC電極是架於TFT上。因此需藉由導通材(在此使用銀膠)導通上基板，才能使cell形成電容 。 液晶框膠銀膠外接IC電極.78銀膠點的數(shù)量目的是要達到電性的均一性。隨著Panel基板越大，當有電壓訊號輸入，整片CF基板達到Common電壓的時間也越久（愈靠近銀點越快達到，愈遠離銀點越慢達到），因此我們必須均勻的把銀膠點分佈於Panel兩側(cè)，減短電壓輸入距離（時間），才能有好的均一性

30、。 N2 gas Plate surface Ag gel .79Cell Assembly(組合) 將上流裝置搬入之TFT ARRAY基板及CF基板利用光學儀器(CCD)高精細mark對位後均勻加壓貼合,達到控制兩枚基板至特定間隙(Gap) 。彩色濾光片子像素間隙球TFT玻璃基板組合後的面板框膠彩色濾光片TFT玻璃基板.80Cell Press(壓合) 此步驟為加壓於兩基板,其目的為：a.使兩片基板連接黏合。b.產(chǎn)生基板間距,並做為日後防止異物侵入液晶之界面。在CF基板與TFT基板之對準與初步壓合後，予其一均勻之壓力，並藉由控制壓力大小，來調(diào)整兩片基板間尚未硬化之框膠高度，使達到期望之預設(shè)值

31、，並在框膠硬化之過程中持續(xù)壓合，保持基板間距，避免因框膠與spacer因彈性或熱膨脹而變形 。.81CELL壓合型式 重量加壓法重量加壓法：在cell上堆疊重物如玻璃板或鋼板,利用重量對cell進行施壓 。 機械加壓法機械加壓法：以機械對加壓板施力者 。真空加壓法真空加壓法：在密壁空間中抽真空使可移動之上板 或下板對cell做擠壓,優(yōu)點為施壓均勻 性高。 氣囊加壓法氣囊加壓法：利用 PV= nRT充入一定量氣體,再控制溫度做加壓 。.82舊式Jig新式Jig真空加壓氣囊加壓抽真空.83壓合步驟均壓紙均熱板CELL.84Seal Bake(烘乾) 在基板壓合後,予以加熱使基板間之框膠受熱硬化,我

32、們將以控制加熱過程中之溫度程式與加熱之均勻性來得到最佳性之框膠硬化物。 .851.Vacuum Anneal (真空回火)2.LC Injection (液晶注入)3.End Seal (加壓封止)4.After End Seal Cleaner.86Vacuum Anneal l在高溫真空下，將組立完的空在高溫真空下，將組立完的空panel中的水氣中的水氣、未脫盡之框膠、溶劑或揮發(fā)性氣體去除。、未脫盡之框膠、溶劑或揮發(fā)性氣體去除。l藉以縮短液晶注入時間，並避免產(chǎn)生藉以縮短液晶注入時間，並避免產(chǎn)生defect.87Vacuum Anneal 機臺示意圖Sheath heaterSirocco

33、fanFin heaterPanel heaterCooling jacket.88前後製程關(guān)聯(lián)性Sealant Curing(框膠硬化)Vacuum Anneal(真空回火)LC Injection(液晶注入).89LC Injectionl將液晶注入經(jīng)將液晶注入經(jīng)Vacuum Anneal後的後的Panel。l本製程所使用的液晶注入法為表面張力法，將本製程所使用的液晶注入法為表面張力法，將機臺維持在低真空度，將注入口與機臺維持在低真空度，將注入口與LC boat中的中的液晶接觸，利用表面張力原理使液晶充滿於液晶接觸，利用表面張力原理使液晶充滿於Panel中。中。l可保持液晶的潔淨度，但較浪

34、費液晶，故每次製可保持液晶的潔淨度，但較浪費液晶，故每次製程結(jié)束後需進行程結(jié)束後需進行LC boat剩餘剩餘液晶回收動作。液晶回收動作。.90Vacuum to P2 & holding Vacuum to P2 & holding N2 LeakN2 LeakMechanism of LC InjectionPitch of Injection Hole: 92mm(L131Xx), 120mm(L141Xx, L170Ex)Injection Hole width: 5mm(L131Xx), 10mm(L141Xx), 15mm(L170Ex).91 液晶脫泡 (4.1Pa

35、 30min) 液晶漏電流測試 (30pA)液晶及液晶皿添加安裝 Cassette 安置 規(guī)格確認開始進行液晶注入 NG更換液晶重新檢查 NG液晶注入結(jié)束檢查注入情況.92前後製程關(guān)聯(lián)性Vacuum Anneal(真空回火)LC Injection(液晶注入)End Seal(加壓封止).93l將多餘的LC吸取出來，並將LC注入口以封口膠封住。l利用壓力，使Panel保持最適當?shù)膅ap外，並將多餘的LC擠出。.94Panel(CF面朝上)Polyfron(顆粒面朝上)Spacer(14.5mm)28片(13“、14” 2層)14片(17“ 4層)Spacer 9.5mmSpacer(3mm)S

36、pacer 29.5mmSpacer(20mm)Spacer 9.5mm.95塗布長度塗布長度塗布高度框膠封口膠吸入端.96將堆疊完成的Jig以MGV送至及機臺內(nèi)確認裝置內(nèi)無任何異物及裝置門是關(guān)閉的狀態(tài)將選擇模式切換至“AUTO”模式選擇“AUTO WIPE”按下“開始”鍵輸入OPI及Cassette #.97前後製程關(guān)聯(lián)性LC Injection(液晶注入)End Seal(加壓封止)After End Seal Cleaner.98封口膠在使用前，先進行真空脫泡的動作，將封口膠內(nèi)空氣排除，避免在進行End Seal時，有空氣被帶入注入口內(nèi)造成Defect。.99Panel在進行LC Inj

37、ection完，經(jīng)End Seal封口後，用以清洗附著在CELL基板上的液晶。.100前後製程關(guān)聯(lián)性End Seal(加壓封止)After End Seal Cleaner2nd Cut(2次切割及裂片).101后段B2製程簡介.102將已灌好液晶的TFT LCD Panel週邊多餘的玻璃切割，並將切割好的TFT LCD裂開。將2-up玻璃尺寸切成1-up後，將Panel裂開。.103將空Cassette置於收片機下，按下“運轉(zhuǎn)”及“下降”在touch panel下按下“B面”將Panel TFT面面朝上，對準stage，長邊電極長邊電極需朝上踩下真空吸著，使真空吸住Panel 雙手同時按下兩

38、顆綠色按鈕切割完成後，一手拿起Panel ，一手拿起毛刷朝外清掃一次stage在touch panel下按下“A面”將Panel CF面面朝上，對準stage，長邊電極長邊電極需朝上進行二次裂片(2nd Break).104在touch panel下按下“A面”將Panel上多餘的玻璃剝除將Panel CF面面朝上，對準stage，長邊電極長邊電極需朝上踩下真空吸著，使真空吸住Panel 雙手同時按下兩顆綠色按鈕裂片完成後，一手拿起Panel ，一手拿起毛刷朝外清掃一次stage在touch panel下按下“B面”將Panel TFT面面朝上，對準stage，長邊電極長邊電極需朝上重複以下的

39、步驟一次將Panel送入Panel Insert中OK裂片不良進行Rework.105TFT面先撥開紅色部分，小心將Panel由TFT面翻倒CF面CF 面以水平剝?nèi)》绞剑瑒兊羲{色部分CF 面最後剝掉綠色部分.106(1).毛刷應與stage平行， 毛刷之木柄不可與 stage接觸(2).清理Stage上之玻璃屑 應由右至左刷到底， 不可來回刷(3).清理Stage上之玻璃屑 時，先清掃上半部2次， 再清掃下半部1次一次二次.107Acer72H之TFT面Sun map長邊的電極部份Pin注意事項：1.長邊的電極部份電極部份一定是朝上擺放朝上擺放2.Panel要牢牢抵住三邊的Pin，但不可推太大

40、力，以免撞破Panel3.如機臺還在使用塑膠的Pin時，Pin與Panel的相連處要記得壓.108前後製程關(guān)聯(lián)性After End Seal Cleaner2nd Cut(2次切割及裂片)2nd Grinding(2次磨邊).109將切割裂片後的玻璃截面平坦化，避免截面缺陷應力集中避免尖銳的截面?zhèn)︶嵫u程設(shè)備研磨掉short ring.110Cassette Loader外形整形機 面磨邊機 角磨邊機 Out ConveyorCulletRemover.111一、外形整形機磨除部分100mmStraight wheel 功能：將裂片後的面板側(cè)邊(不含注入口測)磨平0.1mm.112二、面磨邊機

41、 (含short ring) 功能：將面板側(cè)面(不含注入口測)磨出倒角，或?qū)hort ring磨除Multi wheel0.492mm0. 2mmShort ring需磨除的部分.113三、角磨邊機 功能：將面板四個角磨平100mmStraight wheel10.5mm.114前後製程關(guān)聯(lián)性2nd Cut(2次切割及裂片)2nd Grinding(2次磨邊)Cullet Remover.115本機臺之目的為清除2nd scriber/breaker製程所產(chǎn)生之玻璃，若使用有機溶劑亦可用於清除前段其他製程產(chǎn)生之機污染物。 .1162nd GrindingPanel Clean with An

42、neal(1)(2)(3)(4)(5)(1)基板收取、位置決定部(2)CF側(cè)潤濕、清掃部 (4)TFT側(cè)潤濕、清掃部(3)基板反轉(zhuǎn)部 (5)基板反轉(zhuǎn)部、取出部.117 (1)：將基板潤濕後，以捲動之cleaning tape於基板表面作360度旋轉(zhuǎn)，利用tape下壓與旋轉(zhuǎn)的力量研磨玻璃碎屑與有機污染物，使其體積減小後被tape帶走，以達到清潔效果。rollertapePaneltrace ofcleaning headtapetapecleandirty.118(2)：以陶瓷或SUS材質(zhì)的刀刃，往覆於基板表面移動，利用刀刃的下壓力量將玻璃碎屑與有機物清除。刀刃清潔每片基板後以brush自我清潔

43、，避免其上附著之玻璃碎屑污染下一片基板。.119前後製程關(guān)聯(lián)性2nd Grinding(2次磨邊)Cullet RemoverPanel Clean with Anneal.1201.Panel Clean with Anneal2.Polarizer Lamination(偏光片貼附)3.Auto Clave4.After End Seal Cleaner.121清除基板表面之particle，以利偏光片貼附。並對液晶實施回火，使分子於基板內(nèi)部排列更為有秩序。.122 貼附偏光板前的清潔 使液晶重新排列整齊CF+TFTPF製程目的製程目的.123ABFGHDCEIJKB緩衝區(qū)緩衝區(qū)A接收輸送

44、帶接收輸送帶 C灑水區(qū)灑水區(qū) G熱風區(qū)熱風區(qū) F風刀乾燥區(qū)風刀乾燥區(qū)E潤濕區(qū)潤濕區(qū) D刷洗區(qū)刷洗區(qū) H紅外線加熱區(qū)紅外線加熱區(qū) I冷卻區(qū)冷卻區(qū) J輸出輸送帶輸出輸送帶 K清淨區(qū)清淨區(qū) .124 刷子的下壓量刷子的下壓量 刷子的平行度刷子的平行度 紅外線加熱板的溫度控制紅外線加熱板的溫度控制 風刀與風刀與SQUEEZE ROLLER的距離的距離 靜電破壞靜電破壞.125 刷子刷子 : NYLON 輸送帶滾輪輸送帶滾輪 : 導電橡膠導電橡膠 OR SUS SQUEEZE ROLLER : PVA IR HEAT PLATE : 陶瓷材料陶瓷材料 CO2 .126前後製程關(guān)聯(lián)性Cullet Remo

45、verPanel Clean with Anneal偏光板貼附.127Polarizer Lamination將偏光板貼付於已灌好液晶及完成封口將偏光板貼付於已灌好液晶及完成封口的的CellCell上。上。 .128 將偏光板貼至面板將偏光板貼至面板CF PFTFT 玻璃CF 玻璃TFT PF.129 偏光板構(gòu)造Poly Vinyl AlcoholTAC(支撐層)粘著層TAC(支撐層)分離層保護膜.130 機臺組成BTFTFTFTFCFBCFA面板旋轉(zhuǎn)區(qū)面板旋轉(zhuǎn)區(qū) B面板清潔區(qū)面板清潔區(qū) E偏光板對位區(qū)偏光板對位區(qū)D偏光板清潔區(qū)偏光板清潔區(qū)C偏光板儲存盒偏光板儲存盒 F去除分離層及貼付偏光板去

46、除分離層及貼付偏光板 G捲取分離層及面板反轉(zhuǎn)捲取分離層及面板反轉(zhuǎn) H面板旋轉(zhuǎn)及讀取面板面板旋轉(zhuǎn)及讀取面板ID I卸載區(qū)卸載區(qū)ECFDCFCCFCTFTDTFTETFTAGGHI.131 靜電靜電 MAX100V 微粒子或氣泡微粒子或氣泡 SIZE30um 對位精度對位精度 貼付位置精度貼付位置精度 設(shè)定位置設(shè)定位置0.3mm 貼付平行度精度貼付平行度精度 設(shè)定位置設(shè)定位置0.3mm.132 滾輪滾輪 : 搬送滾輪搬送滾輪 : UPE 面板清潔滾輪面板清潔滾輪 偏光板清潔滾輪偏光板清潔滾輪 貼付滾輪貼付滾輪 偏光板的功能偏光板的功能透過軸吸收軸光進行方向直線偏光光源（自然光）偏光板清掃Roller轉(zhuǎn)寫Roller流品方向.133前後製程關(guān)聯(lián)性Panel Clean with Anneal偏光板貼附Auto Clave.134Auto Clave去除偏光板與去除偏光板與CellCell當中的氣泡，並增加偏當中的氣泡，並增加偏光板的附著強度。光板的附著強度。 .135 除去面板及偏光板間的氣泡 增加貼付的粘著力CF PFTFT 玻璃CF 玻璃TFT PF.136機臺組成機臺組成Sirocco 風扇機臺主體滑軌極屏燈絲.137 極屏燈絲極屏燈絲 範圍範圍