高精度Sigma_delta調(diào)制器系統(tǒng)設(shè)計和仿真

1、第37卷 第5期2010年5月文章編號:1674 2974(2010)05 0054 06湖南大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版)JournalofHunanUniversity(NaturalSciences)Vol.37,No.5May 2010高精度Sigma delta調(diào)制器系統(tǒng)設(shè)計和仿真石立春1,2 *,楊銀堂,吳笑峰,李 迪,丁瑞雪1111(1.西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院,寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件教育部重點實驗室,陜西西安 710071;2.西安通信學(xué)院,陜西西安 710106)摘 要:提出了一種基于MATLAB/SIMULINKsigma delta( )調(diào)制器系統(tǒng)設(shè)計與仿真的方法.該方法首先根

2、據(jù)設(shè)計目標確定調(diào)制器的階數(shù)、過采樣率和內(nèi)嵌量化器位數(shù),優(yōu)化調(diào)制器噪聲傳輸函數(shù)NTF的零極點,調(diào)整調(diào)制器的結(jié)構(gòu)系數(shù),得到性能優(yōu)化的調(diào)制器系統(tǒng)結(jié)構(gòu);然后通過分析調(diào)制器非理想因素,對非理想情況下的調(diào)制器基于SIMULINK進行行為級建模與仿真;最后得到調(diào)制器子模塊電路參數(shù).調(diào)制器電路級仿真結(jié)果表明由該方法得到模塊參數(shù)能夠有效、可靠的指導(dǎo)調(diào)制器的電路設(shè)計.關(guān)鍵詞:sigma delta調(diào)制器;系統(tǒng)設(shè)計;行為仿真;非理想性中圖分類號:TN792 文獻標識碼:A+SystematicDesignandSimulationofaHighResolutionSigma deltaModulatorSHILi

3、chun1,2 ,YANGYin tang,WUXiao feng,LIDi,DINGRui xue1111(1.SchoolofMicroelectronics,XidianUniv,KeyLaboratoryofWideBand GapSemiconductorMaterialsandDevicesofMinistryofEducation,Xi an,Shanxi 710071,China;2.Xi anCommunicationInstitute,Xi an,Shanxi 710106,China) Abstract:BasedonMATLAB/SIMULINK,thispaperin

4、troducedamethodofthesystematicdesignandbehavioralsimulationofthesigma deltamodulator.Throughthemethod,firstly,aperformance opti mizedmodulatorstructurecanbefoundbydefiningtheorder,OSRandthebitnumberoftheinsertedquantizer,optimizingtheNTFzerosandscalingthestructurecoefficientsofthemodulator.Thentheno

5、n idealmodulatorwasmodeledandsimulatedbasedonSIMULINKthroughtheanalysisofthemodulatornon ideality,andthemodulatorsub circuitsperformancewasacquiredfinally.Thesimulationresultofthemodulatorcircuitdesignedundertheguidanceoftheacquiredsub circuitsperformanceshowsthattheac quiredsub circuitsperformancec

6、anguidethemodulatorcircuitdesigneffectivelyandreliably.Keywords:sigma deltamodulator;systematicdesign;behavioralsimulation;non idealitySigma deltaADC主要由前端sigma delta調(diào)制器和后端數(shù)字抽取濾波器兩部分組成.調(diào)制器利用過采樣技術(shù)和噪聲整形技術(shù)1-2降低了轉(zhuǎn)換器模擬電路的設(shè)計要求;數(shù)字抽取濾波器3中低速高精模數(shù)轉(zhuǎn)換器的首要選擇,從而在從低頻5和音頻6乃至中頻7和數(shù)字錄像8的多領(lǐng)域內(nèi)得到廣泛應(yīng)用.隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展,集成電路的集成度和

7、復(fù)雜度都得到了極大的提高.早先的由下到上(bottom up)的集成電路設(shè)計方法對越來越復(fù)雜系可以充分利用高速發(fā)展的數(shù)字集成電路技術(shù),所以Sigma deltaADC與現(xiàn)代標準CMOS工藝特別兼容4,是實現(xiàn)*收稿日期:2009-09-12基金項目:國家杰出青年基金資助項目(60725415);國家863項目資助(2009AA01Z256、2009AA01Z258)作者簡介:石立春(1976-),男,山東茌平人,講師,博士研究生通訊聯(lián)系人,E mail:lc-shi第5期石立春等:高精度Sigma delta調(diào)制器系統(tǒng)設(shè)計和仿真55統(tǒng)不再適用,必須采用由上向下(top down)的設(shè)計方法.在設(shè)

8、計前期必須進行系統(tǒng)級設(shè)計和仿真,確立滿足系統(tǒng)性能要求的各子模塊電路的性能參數(shù),用來指導(dǎo)后期子模塊電路的設(shè)計,才能夠保證設(shè)計任務(wù)更快更好的完成.Sigma delta轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換精度主要由模擬部分即sigma delta調(diào)制器決定.目前sigma delta調(diào)制器方面系統(tǒng)級和行為級模擬器有很多,但它們大都各自從調(diào)制器結(jié)構(gòu)、系數(shù)和調(diào)制器非理想型兩個方面分別對sigma delta調(diào)制器進行了研究.本文綜合考慮結(jié)構(gòu)、系數(shù),非理想性多方面因素在MATLAB/SIMULIK環(huán)境下對開關(guān)電容(switch capacitor,SC)sigma delta調(diào)制器進行系統(tǒng)設(shè)計與行為仿真.本文根據(jù)設(shè)計目標,通過

9、確定調(diào)制器結(jié)構(gòu),優(yōu)化調(diào)制器系數(shù),考慮模塊的非理想型因素影響,最后得到滿足調(diào)制器設(shè)計要求、經(jīng)優(yōu)化的各子模塊電路參數(shù)指標.根據(jù)所確定的各子模塊電路的性能指標完成調(diào)制器電路,晶體管級仿真結(jié)果說明本文完成的調(diào)制器系統(tǒng)設(shè)計和行為仿真能夠有效、可靠地指導(dǎo)調(diào)制器的電路設(shè)計.10-119和工藝的限制,調(diào)制器的階數(shù)、過采樣率和量化器位數(shù)不可能無限制地提高.目前文獻中實現(xiàn)的調(diào)制器電路,一般階數(shù)為1到6階、過采樣率8到512(過采樣率通常取2的整數(shù)次方,方便后端數(shù)字抽取濾波器的實現(xiàn)),內(nèi)部量化器位數(shù)1到5位.調(diào)制器有單環(huán)和級聯(lián)兩種結(jié)構(gòu).單環(huán)結(jié)構(gòu)又可分為一階、二階和多階(包括三階和三階以上)結(jié)構(gòu).一階和二階調(diào)制器結(jié)構(gòu)

10、非常成熟,且保持絕對的穩(wěn)定,不足之處是噪聲整形效果差,要實現(xiàn)高精度得采用高的過采樣率和多位量化.單環(huán)多階調(diào)制器能夠在過采樣不高的情況下實現(xiàn)較大的信噪比,但其穩(wěn)定性差,模擬電路部分相對較復(fù)雜,功耗較大.級聯(lián)結(jié)構(gòu)是利用絕對穩(wěn)定的一階、二階或者穩(wěn)定的三階單環(huán)調(diào)制器結(jié)構(gòu)進行級聯(lián)實現(xiàn)穩(wěn)定的高階調(diào)制器,它需要噪聲補償電路來消除前級量化噪聲,并且各級之間系數(shù)的偏差會導(dǎo)致噪聲泄露,因此對電路的非理想性比較敏感.多位調(diào)制器是指采用多位內(nèi)嵌量化器代替1位內(nèi)嵌量化器,它的優(yōu)點是在相同的條件下實現(xiàn)高分辨率,并且能增加單環(huán)高階結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性,其缺點是調(diào)制器中DAC的非線性是限制調(diào)制器性能的重要因素,需要數(shù)字校正或者動態(tài)匹

11、配電路來增加DAC的線形度.為了實現(xiàn)SNR達到120dB的設(shè)計目標,考慮到實際電路的非理想性,以及電路中其它噪聲源的存在11-12,系統(tǒng)設(shè)計必須選擇比SNR指標要求更高的SQNR指標,才能使電路SNR性能達到要求.本設(shè)計SQNR指標定為130dB,這樣量化噪聲基本可以被忽略,同時也提供了一定的設(shè)計余量.根據(jù)公式(1)來確定調(diào)制器的階數(shù)、過采樣率和內(nèi)嵌量化器位數(shù),理論上有多種不同的M,L和N的組合可以實現(xiàn)確定的SQNR.根據(jù)通?？蓪崿F(xiàn)調(diào)制器的階數(shù)、過采樣率和量化器位數(shù)實際范圍,以下組合:L=2,M=256,N=4,SQNR=133;L=3,M=128,N=2,SQNR=134;L=3,M=64,

12、N=5,SQNR=130;L=4,M=64,N=1,SQNR=134;L=4,M=32,N=4,SQNR=131;L=5,M=64,N=1,SQNR=161;L=5,M=32,N=4,SQNR=131,可以滿足SQNR要求.本文設(shè)計的調(diào)制器應(yīng)用于音頻領(lǐng)域,信號帶寬小,可以采用比較高的過采樣率.為了保證調(diào)制器穩(wěn)定,同時為了使電路實現(xiàn)盡量簡單,結(jié)合以上分析的各結(jié)構(gòu)特點,選擇絕對穩(wěn)定的單環(huán)二階結(jié)構(gòu).最后確定L=2,M=256,N=4組合,SQNR可達133dB.第2步:確定調(diào)制器噪聲傳輸函數(shù).21 Sigma delta調(diào)制器設(shè)計本文設(shè)計的高精度Sigma delta調(diào)制器用于立體聲數(shù)字音頻模數(shù)轉(zhuǎn)換

13、器,設(shè)計指標為:信號帶寬24kHz,信噪比(signal to noiseratio;SNR)120dB,相當于20位精度.以此設(shè)計為例,給出Sigma delta調(diào)制器系統(tǒng)設(shè)計與行為仿真的方法和步驟.1 1 Sigma delta調(diào)制器系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和系數(shù)的設(shè)計第1步:根據(jù)設(shè)計指標結(jié)合調(diào)制器各種結(jié)構(gòu)的特點,確定調(diào)制器的階數(shù)、過采樣率、內(nèi)嵌量化器位數(shù)、以及調(diào)制器采用單環(huán)結(jié)構(gòu)還是級聯(lián)結(jié)構(gòu).在認為噪聲只包括量化噪聲,不考慮實際電路各種限制因素的理想情況下,一個階數(shù)為L、過采樣率為M、內(nèi)嵌量化器位數(shù)為N的調(diào)制器,信號量化噪聲比(signal to quantization noiseratio;SQNR)

14、可以用分貝(dB)表示為:SQNR=1.76+10lg(2L+1)-20L lg +10(2L+1)lgM+6.02N.(1)由公式(1)可以看到,調(diào)制器的階數(shù)越高、過采樣率越大、量化器位數(shù)越多,調(diào)制器的信噪比越大,精度越高.當L,N不變時,過采樣率M每提高一倍,SQNR提高6.02 (L+0.5)dB,相當于精度提高L+0.5位;當L,M不變時,N每增加1位,SQNR提高6.02dB,精度提高1位.由于實際電路56 湖南大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版)2010年對于內(nèi)嵌單量化器的sigma delta調(diào)制器可以看作由一個環(huán)路濾波器后接一個量化器構(gòu)成,線形模型如圖1所示.NTF來考慮調(diào)制器的穩(wěn)定性.一位

15、量化調(diào)制器根據(jù)李氏準則13-14,多位量化調(diào)制器利用Kenney提出的準則15,來判斷調(diào)制器的穩(wěn)定性是否達到要求.當調(diào)制器的穩(wěn)定性不滿足要求時,需要調(diào)整NTF極點從z=-1處向遠離該點的方向移動,從而提高調(diào)制器的穩(wěn)定性.表1 優(yōu)化零點位置及信號量化噪聲比改善Tab.1 OptimalzeropositionandimprovementofSQNRL優(yōu)化零點位置(用基帶 B歸一化)0 1/0,0,7 9(3/7)-3/35SQNR/dB改善03.581318232834圖1 單量化器sigma delta調(diào)制器通用結(jié)構(gòu)Fig.1 Generalstructureofasingle quantiz

16、ermodulator123調(diào)制器的系統(tǒng)特性可以用傳輸函數(shù)表示為:V(z)=G(z)U(z)+H(z)E(z).(2)公式中V(Z),U(Z),E(Z)分別為調(diào)制器輸出、輸入和量化噪聲的Z變換,相應(yīng)的信號傳輸函數(shù)STF和噪聲傳輸函數(shù)NTF分別為:0.STF=G(z)=;NTF=H(z)=1-L11-L1(3)由圖1可以看到,只要確定了信號傳輸函數(shù)和噪聲傳輸函數(shù)就可以確定環(huán)路濾波器傳輸函數(shù),進而實現(xiàn)調(diào)制器的拓撲結(jié)構(gòu).理想情況下,調(diào)制器的信號傳輸函數(shù)為1,對信-1L號是全通的;噪聲傳輸函數(shù)為(1-z),對噪聲進行壓縮整形.實際設(shè)計中,信號傳輸函數(shù)只要保證是一個最大平坦度的全通函數(shù),就能使調(diào)制器對信

17、號全通;而噪聲傳輸函數(shù)的設(shè)計,既要保證調(diào)制器的穩(wěn)定性又要使噪聲最小化.因此調(diào)制器系統(tǒng)設(shè)計的重點是噪聲傳輸函數(shù)的設(shè)計.調(diào)制器基帶(信號帶寬)內(nèi)量化噪聲特性主要取決于噪聲傳輸函數(shù)的零點分布,調(diào)制器穩(wěn)定性則決定于噪聲傳輸函數(shù)的極點.因此噪聲傳輸函數(shù)設(shè)計就是噪聲傳輸函數(shù)零極點的設(shè)計.傳統(tǒng)的噪聲-1L傳輸函數(shù)(1-z)的零點都在z=0處,不能對基帶內(nèi)的噪聲進行最有效的壓縮.因此要通過優(yōu)化零點的位置使系統(tǒng)對量化噪聲進行更好的整形,從而進一步提高調(diào)制器的SQNR,如表12所示.噪聲傳輸函數(shù)的極點采用全極點最平法16進行設(shè)計,由公式(3)可以看到STF和NTF的極點是相同的,因此用該方法設(shè)計噪聲傳輸函數(shù)極點時

18、,可以使信號傳輸函數(shù)的全通性同時得到滿足.根據(jù)得到的噪聲傳輸函數(shù)的零極點可以得到噪z-ziL聲傳輸函數(shù)NTF= i=1,接下來要利用z-pi12-13456780.23862, 0.66121, 0.932470, 0.40585, 0.74153, 0.94911 0.18343, 0.52553, 0.79667, 0.94911本文經(jīng)零極點優(yōu)化設(shè)計的二階穩(wěn)定調(diào)制器NTF的零極點和系統(tǒng)傳輸函數(shù)STF和NTF如圖2所示,可以看到在基帶fB內(nèi)信號全通,噪聲被最大壓縮.(b)NTF和STF的幅度圖2 優(yōu)化的二階調(diào)制器Fig.2 Optimalsecond ordermodulator第3步:調(diào)制

19、器拓撲結(jié)構(gòu)的實現(xiàn)和動態(tài)范圍的縮放.確定了噪聲傳輸函數(shù)和信號傳輸函數(shù),接下來就要用特定拓撲結(jié)構(gòu)的調(diào)制器實現(xiàn)這一傳輸函數(shù),即根據(jù)所采用的調(diào)制器拓撲結(jié)構(gòu)確定調(diào)制器中相應(yīng)的系數(shù).一般來說,能實現(xiàn)傳輸函數(shù)的拓撲結(jié)構(gòu)都可以選擇,結(jié)果并不是唯一的,但CIFB,CRFB,CIFF,CRFF是最常運用的4種基本拓撲結(jié)構(gòu).這里我們選取能增加調(diào)制器穩(wěn)定性和動態(tài)范圍的低通CIFB結(jié)構(gòu),調(diào)制器拓撲結(jié)構(gòu)如圖3所示.2-9第5期石立春等:高精度Sigma delta調(diào)制器系統(tǒng)設(shè)計和仿真57圖3 二階調(diào)制器的拓撲結(jié)構(gòu)Fig.3 Thetopologystructureofthe2-ordermodulator調(diào)制器的拓撲結(jié)構(gòu)

20、確定后,必須檢驗該結(jié)構(gòu)的每個積分器的輸出結(jié)果是否和實際電路一致.因為上述設(shè)計的調(diào)制器每個積分器的輸出結(jié)果不受限制,可以是任意值.但電路實現(xiàn)的積分器的輸出由于受實際電路電源電壓以及運放動態(tài)范圍的限制,是有限的.因此必須將積分的輸出限制在實際電路確定的范圍內(nèi),防止調(diào)制器過載情況發(fā)生.利用文獻10在MATLAB軟件中將調(diào)制器拓撲結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換為狀態(tài)方程形式:u(x(n+1)=Ax(n)+B,v(n).(4)v(式中:A,B,C,D為狀態(tài)距陣,x(n)和y(n)分別為調(diào)制器的狀態(tài)變量和量化器的輸入,u(n)和v(n)分別為調(diào)制器的輸入輸出.用調(diào)制器的狀態(tài)方程在MATLAB環(huán)境下進行仿真,檢驗狀態(tài)變量(即積分

21、器的輸出)是否滿足實際電路積分器輸出的動態(tài)范圍.當狀態(tài)變量超出時,根據(jù)兩者的比例關(guān)系對調(diào)制器拓撲結(jié)構(gòu)的系數(shù)進行縮放,這樣可以得到能夠用實際電路正確實現(xiàn)并且穩(wěn)定的調(diào)制器結(jié)構(gòu).表2是動態(tài)范圍縮放前后的調(diào)制器系數(shù).仿真時,輸入信號采用幅度為-1dBFS頻率為15kHz正弦信號,動態(tài)范圍縮放后調(diào)制器仿真結(jié)果如圖4所示.系統(tǒng)設(shè)計得到的調(diào)制器SQNR達到133dB,性能與第1步設(shè)計分析結(jié)果相符.1 2 非理想情況下調(diào)制器行為仿真和模塊參數(shù)設(shè)計通過調(diào)制器的系統(tǒng)級設(shè)計,得到了調(diào)制器的結(jié)構(gòu).為使調(diào)制器的結(jié)構(gòu)能估測實現(xiàn)電路達到的性能,起到對各模塊電路的設(shè)計指導(dǎo)作用,并最終使實現(xiàn)該調(diào)制器的芯片級電路達到設(shè)計目標,需

22、要在系統(tǒng)設(shè)計時考慮電路的實際情況對調(diào)制器性能的影響.y(n)=Cx(n)+Du(n)1通過綜合考慮各因素對調(diào)制器性能的影響程度,得到使調(diào)制器性能優(yōu)化的各模塊參數(shù)指標.由此指導(dǎo)調(diào)制器模塊電路的設(shè)計,這樣既避免了由于某些模塊指標低導(dǎo)致調(diào)制器性能不達標的現(xiàn)象,又避免了因某些模塊指標不必要的高使得設(shè)計復(fù)雜、難度增加的問題,從而更快更好地完成設(shè)計任務(wù).表2 縮放前后調(diào)制器系數(shù)Tab.2 Thepre scaledandscaledmodulatorcoefficient系數(shù)a1a2b1b2c1c2g1縮放前0.2163077490.21630.0905110.00005縮放后0.09050.03850.

23、09050.03850.118720.1244圖4 理想情況下二階4位調(diào)制器的性能(OSR=256)Fig.4 Theperformanceof2 order4 bitidealmodulatorforOSR=256通常,在一個標準的開關(guān)電容型sigma delta調(diào)制器,除了量化噪聲外,還有實際電路的非理想因素會導(dǎo)致調(diào)制器性能下降.這些非理想因素可以概括為:時鐘抖動,積分器噪聲(包括積分器采樣電容的熱噪聲和放大器的噪聲),積分器的非理想性(即指積分器中放大器的有限的直流增益,有限的增益帶58 湖南大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版)2010年寬,還有轉(zhuǎn)換速率和飽和電壓的限制等),此外還有DAC和ADC中比

24、較器等模塊的非理想性1-2,11,這些非理想因素在系統(tǒng)設(shè)計時必須加以考慮.開關(guān)電容(SC)電路在每個時鐘周期內(nèi)實現(xiàn)采樣電容與積分電容之間的電荷轉(zhuǎn)移.采樣時鐘抖動會導(dǎo)致調(diào)制器對信號不均勻采樣,其結(jié)果是提高了整個量化噪聲的功率.熱噪聲和運算放大器噪聲是影響開關(guān)電容型sigma delta調(diào)制器性能的重要噪聲源.由于運放的非理想因素使得SC積分電荷的不完全轉(zhuǎn)移造成實際模擬電路實現(xiàn)積分器時往往會偏離積分器的理想特性.對積分器影響最大的運算放大器非理想性,包括有限的直流(DC)增益和帶寬(BW),轉(zhuǎn)換速率(SR)和飽和電壓的限制等11-12.當調(diào)制器內(nèi)的量化器為多位量化器時,ADC中比較器的精度和失調(diào),

25、以及反饋回路中多位D/A非線性問題,會使調(diào)制器輸出產(chǎn)生諧波分量.借助文獻11提供的方法對上述非理想性因素在MATLAB/SIMULINK進行建模,在SIMU LINK環(huán)境下建立包含非理想因素的調(diào)制器行為級模型,并進行仿真.本設(shè)計的非理想性模型如圖5所示,考慮了時鐘抖動(JitteredSine模型)、電容的熱噪聲(KT/Cnoise模型)、運放的噪聲(opNoise模型)和非理想積分器(REALIntegrator模型).由于二級積分器的非理想因素和輸入噪聲被一級積分器壓縮,對調(diào)制器性能影響小,所以二級積分器用理想積分器代替.采用與上節(jié)相同的輸入信號,改變模型中各非理想因素的大小,重復(fù)進行大量

26、仿真,確定各參數(shù)對調(diào)制器性能影響的程度,得到使調(diào)制器性能達125dB(為電路級實現(xiàn)留有一定的余量)的各模塊所需達到的參數(shù)指標要求,如表3所示.這時,考慮了非理想性的調(diào)制器行為級仿真結(jié)果如圖6所示,SQNR達到125.1dB.圖5 考慮非理想因素的二階調(diào)制器行為級模型Fig.5 2 ordermodulatorbehavioralmodelundernon idealityconsidered表3 調(diào)制器子模塊性能參數(shù)要求Tab.3 Theperformanceparameterrequirementofthemodulatorsub block模塊參數(shù)時鐘抖動kT/C噪聲運放有限增益運放帶寬運

27、放擺率運放輸出擺幅運放噪聲DAC非線性影響程度一般很大采樣電容6.5pF大一般一般很大小很大100dB120MHz100V/ s2.5Vp-p10n需數(shù)字校正算法參數(shù)要求500fs圖6 考慮非理想因素時二階調(diào)制器的性能Fig.6 Theperformanceof2 ordermodulatorundernon idealityconsidered第5期石立春等:高精度Sigma delta調(diào)制器系統(tǒng)設(shè)計和仿真593 曾健平,孫凡博,葉英,等.高階 ADC的抽取濾波器的設(shè)計2 結(jié)果分析與討論根據(jù)上述參數(shù)指標,在Candence環(huán)境下采用5V電源電壓0.5 mcharted工藝設(shè)計調(diào)制器各模塊電路

28、,其中運放采用折疊式共源共柵機構(gòu),積分器用開關(guān)電容技術(shù)實現(xiàn),量化器利用4位快閃ADC實現(xiàn),反饋DAC采用開關(guān)電容陣列實現(xiàn).同樣利用幅度為-1dBFS頻率為15kHz的差分正弦輸入信號,對調(diào)制器進行晶體管級仿真,得到仿真結(jié)果如圖7所示.晶體管級調(diào)制器仿真結(jié)果很接近考慮非理想情況下的仿真結(jié)果,這說明系統(tǒng)設(shè)計是有效的,對調(diào)制器非理想性的考慮是充分的;同時還表明根據(jù)非理想情況確定的調(diào)制器各子模塊參數(shù)指標是可靠的,對電路級調(diào)制器設(shè)計具有指導(dǎo)作用.J.湖南大學(xué)學(xué)報:自然科學(xué)版,2009,36(3):36-39.ZENGJian ping,SUNFan bo,YEYing,etal.Designofadec

29、imationfilterusedin ADCJ.JournalofHunanU niversity:NaturalSciences,2009,36(3):36-39.(InChinese)4 BULTK.Analogdesigninsub submicronCMOSC/ProcEurSolid StateCircuitsConf.BroadcomNetherlandsBV,Sept,2000:126-132.5 PERELMANY,GINOSARR.Alow light levelsensorformedicaldiagnosticapplicationsJ.IEEEJSolid State

30、Cir cuits,2001,36(10):1553-1558.6COBANAL,ALLENPE.A1.5V1.0mWaudiomodulatorwith98dBdynamicrangeC/Solid StateCir cuitsConference,1999.DigestofTechnicalPapers.ISSCC.1999IEEEInternational:1999:50-51.7 BREEMSLJ,VANDENSWANEJ,HUIJSINGJH.A1.8mWCMOS modulatorwithintegratedmixerforA/DconversionofIFsignalsJ.IEE

31、EJSolid StateCircuits,2000,35(4):468-475.8 VLEUGELSK,RABIIS,WOOLEYBA.A2.5Vbroadbandmulti bit modulatorwith95dBdynamicrangeC/Solid StateCircuitsConference,2001.DigestofTechnicalPapers.ISSCC.2001IEEEInternational:2001:50-51.9 RIZZIM.Efficiencyofsimulationtoolsindesigningsigma deltaADCJ.AEU,2006,60(4):290-298.10SCHREIERR.Delta sigmatoolboxformatlab.EB/OL.http:/havioralmodelingofswitched capacitorsigmadeltamodulatorsJ.IEEETransCircandSystI,2003,50(3):352-364.12TAPAN