物理氣相淀積

1、天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理Chap.5 物理氣相淀積 (PVD)ICIC中的薄膜及其制備方法中的薄膜及其制備方法1淀積的概念及淀積的概念及PVDPVD和和CVDCVD23濺射的基本原理及方法濺射的基本原理及方法45真空蒸發(fā)的基本原理及過程真空蒸發(fā)的基本原理及過程薄膜淀積中的臺階覆蓋問題薄膜淀積中的臺階覆蓋問題天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理單個完整的CMOS結(jié)構(gòu)天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理IC中的薄膜v 介電薄膜介電薄膜（SiOSiO2 2，SiNSiN）：用來隔）：用來隔離導(dǎo)電層，作為擴(kuò)散及離子注入離導(dǎo)電

2、層，作為擴(kuò)散及離子注入的掩蔽膜，或是防止摻雜物的流的掩蔽膜，或是防止摻雜物的流失，或用來覆蓋器件免受雜質(zhì)，失，或用來覆蓋器件免受雜質(zhì)，水汽或刮傷的損害。水汽或刮傷的損害。v 多晶硅多晶硅（PolysiliconPolysilicon）：）：MOSMOS器件器件的柵淀積材料，多層金屬導(dǎo)通材的柵淀積材料，多層金屬導(dǎo)通材料或淺結(jié)的接觸材料。料或淺結(jié)的接觸材料。v 金屬薄膜金屬薄膜（鋁，銅或金屬硅化（鋁，銅或金屬硅化物）：形成低阻值金屬連線，歐物）：形成低阻值金屬連線，歐姆接觸及整流金半接觸。姆接觸及整流金半接觸。介質(zhì)（SiN）Al多晶硅多晶硅柵介質(zhì)（SiO2）場氧化SiO2n+n+柵氧化層P-SiM

3、OSFET的剖面圖天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理ULSI對薄膜性能的要求 厚度均勻厚度均勻 高純度以及高密度高純度以及高密度 可控制組分及組分的比例可控制組分及組分的比例 薄膜結(jié)構(gòu)的高度完整性薄膜結(jié)構(gòu)的高度完整性 良好的電學(xué)特性良好的電學(xué)特性 良好的附著性良好的附著性 臺階覆蓋好臺階覆蓋好 低缺陷密度低缺陷密度介質(zhì)（SiN）Al多晶硅多晶硅柵介質(zhì)（SiO2）場氧化SiO2n+n+柵氧化層P-SiMOSFET的剖面圖天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理 薄膜制備方法薄膜制備薄膜制備熱氧化熱氧化(Oxidation): SiO2物理氣相淀積物理氣相

4、淀積(PVD):金屬膜、介質(zhì)膜金屬膜、介質(zhì)膜化學(xué)氣相淀積化學(xué)氣相淀積(CVD):介質(zhì)膜、多晶硅、金屬介質(zhì)膜、多晶硅、金屬外延生長法外延生長法(Epitaxy):硅器件工作區(qū)硅器件工作區(qū)PVD： Physical Vapor DepositionCVD：Chemical Vapor Deposition天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理淀積過程天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理PVD與CVDv PVD：物理過程；固態(tài)源；臺階覆蓋差，純度高，適合淀積金屬：物理過程；固態(tài)源；臺階覆蓋差，純度高，

5、適合淀積金屬v CVD：化學(xué)過程；氣態(tài)源；臺階覆蓋好，純度較差，適合淀積介質(zhì)：化學(xué)過程；氣態(tài)源；臺階覆蓋好，純度較差，適合淀積介質(zhì)天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理 臺階覆蓋（step coverage, gap fill）臺階覆蓋就是指淀積薄膜的表面形貌與半導(dǎo)體表面的各臺階覆蓋就是指淀積薄膜的表面形貌與半導(dǎo)體表面的各種臺階形狀的關(guān)系。種臺階形狀的關(guān)系。 共形（保形）覆蓋（共形（保形）覆蓋（conformalconformal）天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理v 非共形覆蓋非共形覆蓋F1F2F3入射（到達(dá)角）入射（到達(dá)角）表面遷移（溫度，壓力）

6、表面遷移（溫度，壓力）再發(fā)射再發(fā)射天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理到達(dá)角（Arriving Angle）到達(dá)角越大，淀積原子到達(dá)角越大，淀積原子到達(dá)該點的幾率越大，到達(dá)該點的幾率越大，則該點淀積速率越大。則該點淀積速率越大。天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理表面遷移（surface mobility）及再發(fā)射表面遷移主要取決與溫度和壓力：表面遷移主要取決與溫度和壓力：溫度溫度越高，成膜原子表面遷移越高，成膜原子表面遷移能力越強(qiáng)能力越強(qiáng)，有足夠的能量有足夠的能量遷移到到達(dá)角小的位置遷移到到達(dá)角小的位置，因而臺階覆蓋性更好；，因而臺階覆蓋性更好；壓

7、力壓力越大，淀積速率越快，成膜原子越大，淀積速率越快，成膜原子沒有足夠的時間進(jìn)沒有足夠的時間進(jìn)行表面遷移行表面遷移，因為臺階覆蓋性能較差。，因為臺階覆蓋性能較差。再發(fā)射則主要取決于成膜原子與薄膜之間的作用力。再發(fā)射則主要取決于成膜原子與薄膜之間的作用力。天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理臺階覆蓋問題的改進(jìn) 工藝選擇及參數(shù)優(yōu)化（淀積方式、溫度、設(shè)備形式等）工藝選擇及參數(shù)優(yōu)化（淀積方式、溫度、設(shè)備形式等） 器件設(shè)計優(yōu)化（盡量減少深寬比器件設(shè)計優(yōu)化（盡量減少深寬比）天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理5.1 真空蒸發(fā)法基本原理PVD:PVD:利用某種物理

8、過程實現(xiàn)物質(zhì)的轉(zhuǎn)移，即原子或分利用某種物理過程實現(xiàn)物質(zhì)的轉(zhuǎn)移，即原子或分子由源轉(zhuǎn)移到襯底（硅）表面上，并淀積成薄膜子由源轉(zhuǎn)移到襯底（硅）表面上，并淀積成薄膜 真空蒸發(fā)法真空蒸發(fā)法 （EvaporationEvaporation）設(shè)備簡單、操作容易、設(shè)備簡單、操作容易、純度較高、成膜快、機(jī)純度較高、成膜快、機(jī)理簡單理簡單附著力小、工藝重復(fù)附著力小、工藝重復(fù)性差、臺階覆蓋性差、性差、臺階覆蓋性差、不適用多組分材料不適用多組分材料 濺射濺射 （sputteringsputtering）適用于任何物質(zhì)，不適用于任何物質(zhì)，不受蒸氣壓和膜成分限受蒸氣壓和膜成分限制，靶材料與膜成分制，靶材料與膜成分符合，附

9、著好，臺階符合，附著好，臺階覆蓋較好覆蓋較好設(shè)備、操作較復(fù)雜設(shè)備、操作較復(fù)雜天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理 真空蒸發(fā)設(shè)備及蒸發(fā)過程真空蒸發(fā)設(shè)備：真空蒸發(fā)設(shè)備：v 真空系統(tǒng)真空系統(tǒng)v 蒸發(fā)系統(tǒng)蒸發(fā)系統(tǒng)v 基板及加熱系統(tǒng)基板及加熱系統(tǒng)蒸發(fā)過程：蒸發(fā)過程： 固固 氣氣 固固v 加熱蒸發(fā)過程加熱蒸發(fā)過程v 氣相輸運過程氣相輸運過程v 表面淀積過程表面淀積過程真空蒸發(fā)：真空蒸發(fā)：在真空條件下，加熱蒸發(fā)源，使原子或分在真空條件下，加熱蒸發(fā)源，使原子或分子從蒸發(fā)源表面逸出，形成蒸氣流并入射到硅片（襯子從蒸發(fā)源表面逸出，形成蒸氣流并入射到硅片（襯底）表面，凝結(jié)形成固態(tài)薄膜的過程。又

10、稱為熱蒸發(fā)。底）表面，凝結(jié)形成固態(tài)薄膜的過程。又稱為熱蒸發(fā)。天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理真空蒸發(fā)設(shè)備天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理蒸發(fā)中的幾個基本概念汽化熱：汽化熱： 克服固相中原子間的吸克服固相中原子間的吸引力，并形成具有一定引力，并形成具有一定動能的氣相原子和分子。動能的氣相原子和分子。飽和蒸氣壓：飽和蒸氣壓： 真空室內(nèi)蒸發(fā)物質(zhì)的蒸真空室內(nèi)蒸發(fā)物質(zhì)的蒸氣與固態(tài)或液態(tài)平衡時氣與固態(tài)或液態(tài)平衡時所表現(xiàn)出來的壓力。所表現(xiàn)出來的壓力。真空度與平均自由程真空度與平均自由程： 真空系統(tǒng)中粒子兩次碰撞之真空系統(tǒng)中粒子兩次碰撞之間飛行的平均距離稱為

11、蒸發(fā)間飛行的平均距離稱為蒸發(fā)原子或分子的平均自由程。原子或分子的平均自由程。高真空度的目的：高真空度的目的：v 保證粒子近似直線運動保證粒子近似直線運動v 避免殘余氣體使金屬或襯底避免殘余氣體使金屬或襯底發(fā)生氧化發(fā)生氧化v 避免殘余氣體或雜質(zhì)淀積避免殘余氣體或雜質(zhì)淀積天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理 多組分薄膜蒸發(fā)方法v單源蒸發(fā)法單源蒸發(fā)法: : 合金靶中各組分材料蒸氣壓應(yīng)該接近合金靶中各組分材料蒸氣壓應(yīng)該接近v多源同時蒸發(fā)法多源同時蒸發(fā)法： 不同的溫度控制，蒸發(fā)速率不一致不同的溫度控制，蒸發(fā)速率不一致v多源順序蒸發(fā)法多源順序蒸發(fā)法： 需高溫退火需高溫退火天津工業(yè)大學(xué)

12、天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理5.2 蒸發(fā)源v 電阻加熱源電阻加熱源：結(jié)構(gòu)簡單，價廉易做結(jié)構(gòu)簡單，價廉易做 直接加熱源：鎢、鉬、鉭等；熔點高、蒸氣壓低、化直接加熱源：鎢、鉬、鉭等；熔點高、蒸氣壓低、化 學(xué)學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定；性質(zhì)穩(wěn)定；潤濕性潤濕性好好 間接加熱源：耐高溫陶瓷和石墨坩堝間接加熱源：耐高溫陶瓷和石墨坩堝v 電子束加熱源電子束加熱源： 更高的能量密度，能蒸發(fā)難熔材料更高的能量密度，能蒸發(fā)難熔材料 水冷坩堝避免容器材料的蒸發(fā)及與蒸發(fā)材料之間的反應(yīng)水冷坩堝避免容器材料的蒸發(fā)及與蒸發(fā)材料之間的反應(yīng) 熱效率高，熱傳導(dǎo)和熱輻射損失小熱效率高，熱傳導(dǎo)和熱輻射損失小v 激光加熱源激光加熱源

13、v 高頻感應(yīng)加熱源高頻感應(yīng)加熱源天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理電阻絲直接加熱蒸發(fā)電阻絲加熱源示意圖電阻絲加熱源示意圖加熱螺旋電阻絲源棒（或源絲）天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理電子束加熱源示意圖電子束加熱源示意圖燈絲加速柵極偏轉(zhuǎn)板偏轉(zhuǎn)磁鐵電子束蒸發(fā)原子蒸氣坩堝冷卻水電子束蒸發(fā)天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理 蒸發(fā)速率均勻性的控制平板式基板平板式基板 行星式轉(zhuǎn)動機(jī)構(gòu)的半球形罩行星式轉(zhuǎn)動機(jī)構(gòu)的半球形罩 天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理5.3 氣體輝光放電（Glow Discharge ）直流輝

14、光放電：直流輝光放電：天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理氣體輝光放電現(xiàn)象氣壓逐漸下降氣壓逐漸下降原子受激幅度不同原子受激幅度不同天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理5.4 等離子體（Plasma）的產(chǎn)生與應(yīng)用v 彈性碰撞彈性碰撞v 非彈性碰撞非彈性碰撞v 電離過程：電離過程：e-+Ar Ar+ + 2e-v 激發(fā)過程：激發(fā)過程： e-+O2 O2* + e-v 分解反應(yīng)：分解反應(yīng)： e-+CF4 CF3* + F*+ e- 等離子體（等離子體（PlasmaPlasma）：）：一種由正離子、電子、光子、以一種由正離子、電子、光子、以及原子、原子團(tuán)、分

15、子和它們的激發(fā)態(tài)所組成的混合氣及原子、原子團(tuán)、分子和它們的激發(fā)態(tài)所組成的混合氣體，而且正、負(fù)帶電粒子的數(shù)目相等，宏觀上呈現(xiàn)電中體，而且正、負(fù)帶電粒子的數(shù)目相等，宏觀上呈現(xiàn)電中性的性的物質(zhì)存在形態(tài)。物質(zhì)存在形態(tài)。天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理Illustration of Ionization天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理Excitation Collision天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理Relaxation天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理Dissociation天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大

16、學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理等離子體的物理特性v高度高度電離電離（不同的等離子體電離度不同，（不同的等離子體電離度不同，0.001%-100%），是電和熱的良導(dǎo)體，具有比普通氣體大幾百，是電和熱的良導(dǎo)體，具有比普通氣體大幾百倍的比熱容倍的比熱容；v帶帶正電的和帶負(fù)電的粒子密度幾乎相等正電的和帶負(fù)電的粒子密度幾乎相等，宏觀上宏觀上呈呈電電中性的中性的。天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理物質(zhì)四態(tài)固體 冰液體 水氣體 水汽等離子體 電離氣體溫度00C1000C100000C天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理等離子體的應(yīng)用 看似看似“神秘神秘”的

17、等離子體，其實是宇宙中一種常見的的等離子體，其實是宇宙中一種常見的物質(zhì)，在太陽、恒星、閃電中都存在等離子體，它占了整物質(zhì)，在太陽、恒星、閃電中都存在等離子體，它占了整個宇宙的個宇宙的9999。 等離子體可分為兩種：等離子體可分為兩種：高溫高溫和和低溫低溫等離子體等離子體。 等離子體是一種很好的導(dǎo)電體，可以利用電場和磁場產(chǎn)等離子體是一種很好的導(dǎo)電體，可以利用電場和磁場產(chǎn)生來控制等離子體。生來控制等離子體。低溫等離子體物理的發(fā)展為材料、能低溫等離子體物理的發(fā)展為材料、能源、信息、環(huán)境空間科學(xué)的進(jìn)一步發(fā)展提新的技術(shù)和工藝。源、信息、環(huán)境空間科學(xué)的進(jìn)一步發(fā)展提新的技術(shù)和工藝。如日光燈、如日光燈、PDP

18、PDP等離子電視、等離子電視、ICIC工藝中的等離子體應(yīng)用工藝中的等離子體應(yīng)用 。天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理PDP的工作原理天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理5.5 濺射（Sputtering） 濺射：濺射：具有一定能量的入射離子在對固體表面轟擊時，入射具有一定能量的入射離子在對固體表面轟擊時，入射離子在與固體表面原子的碰撞過程中將發(fā)生能量和動量的轉(zhuǎn)離子在與固體表面原子的碰撞過程中將發(fā)生能量和動量的轉(zhuǎn)移，并可能將固體表面的原子濺射出來，這種現(xiàn)象稱為移，并可能將固體表面的原子濺射出來

19、，這種現(xiàn)象稱為濺射濺射。天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理離子入射具有能量的離子打到材料表面具有能量的離子打到材料表面會發(fā)生的會發(fā)生的四種情況四種情況：n很低能量的離子簡單反彈；很低能量的離子簡單反彈；n能量小于能量小于10eV10eV的離子會吸附于的離子會吸附于表面，并以聲子（熱）釋放能表面，并以聲子（熱）釋放能量；量；n能量介于能量介于10eV10eV到到10keV10keV時，能時，能量傳遞，發(fā)生濺射過程，逸出量傳遞，發(fā)生濺射過程，逸出的原子一般具有的原子一般具有101050eV50eV的能的能量，遠(yuǎn)大于蒸發(fā)原子；量，遠(yuǎn)大于蒸發(fā)原子；n能量大于能量大于10keV1

20、0keV時，離子注入時，離子注入過程；過程；濺射原子二次電子反射離子與中性粒子入射離子表面襯底損傷注入濺射天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理濺射過程v 入射過程中入射離子與靶材之間有很入射過程中入射離子與靶材之間有很大的能量傳遞，因而濺射出的原子具大的能量傳遞，因而濺射出的原子具有較大的動能（有較大的動能（10-50eV），而真空），而真空蒸發(fā)過程中原子所獲得的動能一般只蒸發(fā)過程中原子所獲得的動能一般只有有0.1-0.2eV左右；左右；v 因此濺射法的因此濺射法的臺階覆蓋能力和附著力臺階覆蓋能力和附著力都比真空蒸發(fā)要好，同時輻射缺陷遠(yuǎn)都比真空蒸發(fā)要好，同時輻射缺陷遠(yuǎn)小于

21、電子束蒸發(fā)，制作復(fù)合材料和合小于電子束蒸發(fā)，制作復(fù)合材料和合金膜時性能更好金膜時性能更好，是大多數(shù)硅基工藝，是大多數(shù)硅基工藝PVD的最佳選擇。的最佳選擇。 天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理 濺射特性v 濺射閾值濺射閾值 EEt，1030ev，取決于靶材，取決于靶材v 濺射率濺射率S入射離子能量（一定范圍內(nèi)能量越大，入射離子能量（一定范圍內(nèi)能量越大，S越大）越大）入射離子的種類（原子量越大，入射離子的種類（原子量越大，S越大，周期性變化）越大，周期性變化）被濺射物質(zhì)的種類（與入射離子種類的影響類似）被濺射物質(zhì)的種類（與入射離子種類的影響類似）離子入射角（平行和垂直時最小

22、，離子入射角（平行和垂直時最小，70左右最大）左右最大）v 濺射原子的能量和速度濺射原子的能量和速度天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理 濺射方法v 直流濺射直流濺射v 射頻濺射射頻濺射v 磁控濺射磁控濺射v 反應(yīng)濺射反應(yīng)濺射v 偏壓濺射偏壓濺射v 離子束濺射離子束濺射至真空泵濺射氣體濺射靶襯底陽極絕緣V(DC)v 530MHz530MHz的交流電（一般為的交流電（一般為13.56MHz13.56MHz）v 在射頻電場中，因為電場周期性地改在射頻電場中，因為電場周期性地改變方向，則電子不容易到達(dá)電極和容變方向，則電子不容易到達(dá)電極和容器壁而損失；器壁而損失；v 射頻電場可

23、以通過很多類型的阻抗耦射頻電場可以通過很多類型的阻抗耦合進(jìn)入淀積室，所以電極可以是導(dǎo)體，合進(jìn)入淀積室，所以電極可以是導(dǎo)體，也可以是絕緣體。也可以是絕緣體。天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理磁控濺射SNNSNSeAr+AreEB靶原子e2基片濺射靶濺射的缺點濺射的缺點：較低的薄膜淀積速率；：較低的薄膜淀積速率；較高的工作氣壓。較高的工作氣壓。磁控濺射的優(yōu)點磁控濺射的優(yōu)點：磁場的存在：磁場的存在延長延長了電子在等離子體中的運動軌跡，了電子在等離子體中的運動軌跡，提高了與原子碰撞的效率提高了與原子碰撞的效率，提高了，提高了原子電離的幾率，從而在較低的氣原子電離的幾率，從而在較

24、低的氣壓下實現(xiàn)了較高的濺射效率和淀積壓下實現(xiàn)了較高的濺射效率和淀積速率。速率。天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理 接觸孔中的薄膜濺射淀積v 濺射原子遵循余弦分布濺射原子遵循余弦分布 某方向上原子的分布概率與該方向與濺射平面法線的某方向上原子的分布概率與該方向與濺射平面法線的夾角的余弦值成正比夾角的余弦值成正比v 帶準(zhǔn)直器的濺射淀積方法帶準(zhǔn)直器的濺射淀積方法 改善臺階覆蓋性能改善臺階覆蓋性能 降低淀積速率，增加污染和成本降低淀積速率，增加污染和成本v 長投準(zhǔn)直濺射技術(shù)長投準(zhǔn)直濺射技術(shù) 靶與硅片之間的距離更長，同時在低壓下產(chǎn)生等離子靶與硅片之間的距離更長，同時在低壓下產(chǎn)生等離子體體天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路工藝原理帶準(zhǔn)直器的濺射淀積天津工業(yè)大學(xué)天津工業(yè)大學(xué) 集成電路工藝原理集成電路