半導(dǎo)體芯片制造中級(jí)復(fù)習(xí)題A

1、半導(dǎo)體芯片制造中級(jí)工復(fù)習(xí)題判斷題:1 1 . .單晶是原子或離子沿著三個(gè)不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來(lái)的遠(yuǎn)程有序的晶體。（V V）2 2 . .遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導(dǎo)率就越高。（力3 3 . .點(diǎn)缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。（力4 4 . .位錯(cuò)就是由范性形變?cè)斐傻模?它可以使晶體內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯(cuò)位，這樣產(chǎn)生線缺陷稱(chēng)

2、為位錯(cuò)。（力5 5 . .拋光片的電學(xué)參數(shù)包括電阻率，載流子濃度，遷移率，直徑、厚度、主參考面等。（沖6 6 . .液相外延的原理是飽和溶液隨著溫度的降低產(chǎn)生過(guò)飽和結(jié)晶。（V V）7 7 . .離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（，）8 8 . .半導(dǎo)體芯片制造工藝對(duì)水質(zhì)的要求一般. .（X X）9 9 . .光致抗蝕劑在曝光前對(duì)某些溶劑是可溶的， 曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)， 這一類(lèi)抗蝕劑稱(chēng)為負(fù)性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱(chēng)為負(fù)性膠。（O O1010 . .設(shè)備、試劑、氣瓶等所有物品不需經(jīng)嚴(yán)格清潔處理，可直接進(jìn)入凈化區(qū)。（X X）1111 . .干法腐蝕清潔、干凈、無(wú)脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。（

3、O O1212 . .光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（X X）1313 . .在半導(dǎo)體集成電路中，各元器件都是制作在同一晶片內(nèi)。因此要使它們起著預(yù)定的作用而不互相影響，就必須使它們?cè)陔娦阅苌舷嗷ソ^緣。（O O1414 . .金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜， 帶膠蒸發(fā)或?yàn)R射所需的金屬,然后在去除光致抗蝕劑膜的同時(shí)，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（V V）1515 . .表面鈍化工藝是在半導(dǎo)體芯片表面復(fù)蓋一層保護(hù)膜，使器件的表面與周?chē)鷼夥崭舳x擇題1 1 . .下列材料屬于 N N 型半導(dǎo)體是 ACACA A 硅中摻有元素雜質(zhì)磷（P P）、神（AsAs）B.B.硅中

4、摻有元素雜質(zhì)硼（B B）、鋁（AlAl）C C 神化錢(qián)摻有元素雜質(zhì)硅（SiSi）、確（TeTe）D D.神化錢(qián)中摻元素雜質(zhì)鋅、鎘、鎂2 2 . .屬于絕緣體的正確答案是 B B。A A 金屬、石墨、人體、大地 B B 橡膠、塑料、玻璃、云母、陶瓷C C 硅、錯(cuò)、神化錢(qián)、磷化鈿 D D 各種酸、堿、鹽的水溶液( (A A)10)10、說(shuō)明構(gòu)成每個(gè)單元所需的基本門(mén)和基本單元的集成電路設(shè)計(jì)過(guò)程叫：A A、邏輯設(shè)計(jì) B B、物理設(shè)計(jì) C C、電路設(shè)計(jì) D D、系統(tǒng)設(shè)計(jì)( (D D)11)11、腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用A鹽酸 R R 硫酸 G G 硝酸 D D 氫氟酸( (D D)12)12、下列晶

5、體管結(jié)構(gòu)中，在晶體管輸出電流很大時(shí)常使用的是：A A、單基極條圖形 B B、雙基極條圖形G G 基極和集電極引線孔都是馬蹄形結(jié)構(gòu) D D 梳狀結(jié)構(gòu)3 3 . .位錯(cuò)的形成原因是 C C0 0A A 位錯(cuò)就是由彈性形變?cè)斐傻腃 C 位錯(cuò)就是由范性形變?cè)斐傻? 4 . .硅外延生長(zhǎng)工藝包括 ABCDABCD0 0A A 襯底制備C C 生長(zhǎng)溫度，生長(zhǎng)壓力，生長(zhǎng)速度5 5 . .硅外延片的應(yīng)用包括 ABCDABCD0 0A A 二極管和三極管C C 大規(guī)模集成電路6 6 . .離子注入層的深度主要取決于離子注入的A A 能量 B B 劑量7 7 . .離子注入層的雜質(zhì)濃度主要取決于離子注入的 B B

6、0 0A A 能量 B B 劑量( (D D)16)16、從離子源引出的是：A A、原子束 EkEk 分子束 C C、中子束 D D離子束( (B B)17)17、恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱(chēng)為什么分布？A A、高斯函數(shù) R R 余誤差函數(shù) C C、指數(shù)函數(shù) D D 線性函數(shù)( (A A)18)18、在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個(gè)需要的時(shí)間最長(zhǎng)？A A、干氧 B B、濕氧 C C、水汽氧化 D D 不能確定哪個(gè)使用的時(shí)間長(zhǎng)( (D D)19)19、下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是：A A、擴(kuò)散是微觀離子的一種熱運(yùn)動(dòng)方式，運(yùn)動(dòng)結(jié)果使?jié)舛确植稼呌诰鶆駼 B、間隙式

7、雜質(zhì)從一個(gè)間隙到相鄰位置的運(yùn)動(dòng)為間隙式擴(kuò)散C C、以間隙形式存在于硅中的雜質(zhì)，主要是那些半徑較小的雜質(zhì)原子B B 位錯(cuò)就是由重力造成的D D 以上答案都不對(duì)B B 原位 HClHCl 腐蝕D D 尾氣的處理B B 電力電子器件；D D 超大規(guī)模集成電路A A。8 8 . .I I 號(hào)液是 A A 過(guò)氧化氫清洗液. .A A 堿性 B B 酸性 C C 中性9 9 . .二氧化硅在擴(kuò)散時(shí)能對(duì)雜質(zhì)起掩蔽作用進(jìn)行 J 擴(kuò)散。A A 預(yù) B B 再 C C.選擇1010 . .介質(zhì)隔離是以絕緣性能良好的電介質(zhì)作為“隔離墻”來(lái)實(shí)現(xiàn)電路中各元器件間彼此電絕緣的一種隔離方法。常用的電介質(zhì)是 C C 層。A

8、A 多晶硅 B B 氮化硅 C C 二氧化硅1111 . .光刻工藝是利用感光膠感光后抗腐蝕的特性在半導(dǎo)體晶片表面的掩膜層上的工藝 A AA A 刻制圖形 B.B.繪制圖形 C C 制作圖形1212 . .將預(yù)先制好的掩膜直接和涂有光致抗蝕劑的晶片表面接觸，再用紫外光照射來(lái)進(jìn)行曝光的方法，稱(chēng)為 A A 曝光。A A 接觸 B B 接近式 C C 投影1313 . .按蒸發(fā)源加熱方法的不同，真空蒸發(fā)工藝可分為：A A 蒸發(fā)、_ _B B_ _蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等。A A 電阻加熱 B B 電子束 C C 蒸氣原子1414 . .單相 3 3 線插座接線有嚴(yán)格規(guī)定 A AA A“左零”“右火”B B

9、“左火”“右零”1515 . .人們規(guī)定：A A 電壓為安全電壓二A A3636 伏以下 B B5050 伏以下 C C2424 伏以下三填空題：1 1、在擴(kuò)散之前在硅表面先沉積一層雜質(zhì)，在整個(gè)過(guò)程中這層雜質(zhì)作為擴(kuò)散的雜質(zhì)源，不再有新的雜質(zhì)補(bǔ)充，這種擴(kuò)散方式稱(chēng)為：恒定表面源擴(kuò)散2 2、對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì) EDAEDA 系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)應(yīng)包含以下內(nèi)容：邏輯單元符號(hào)庫(kù)、和功能單元庫(kù)、拓?fù)鋯卧獛?kù)、版圖單元庫(kù)。3 3、 在一個(gè)晶圓上分布著許多塊集成電路， 在封裝時(shí)將各塊集成電路切開(kāi)時(shí)的切口叫劃片槽。4 4、大容量可編程邏輯器件分為復(fù)雜可編程邏輯器件和現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣2J2J。5 5、全定制、半定制版圖設(shè)

10、計(jì)中用到的單元庫(kù)包含符號(hào)圖、抽象圖、線路圖和版圖。6 6、半導(dǎo)體材料有兩種載流子參加導(dǎo)電，具有兩種導(dǎo)電類(lèi)型。一種是電子，另一種是空穴。7 7、半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類(lèi)。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為元素半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類(lèi)。8 8、半導(dǎo)體材料的主要晶體結(jié)構(gòu)有金剛石型、閃鋅礦型、纖鋅礦型。9 9、拋光片的質(zhì)量檢測(cè)項(xiàng)目包括：幾何參數(shù),直徑、厚度、主參考面、副參考面、平整度、彎曲度等；電學(xué)參數(shù)，電阻率，載流子濃度，遷移率等；晶體質(zhì)量，晶向，位錯(cuò)密度。1010、外延生長(zhǎng)方法比較多，其中主要的有化學(xué)氣相外延、液相外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延、分子束外延

11、、原子束外延、周相外延等。1111、離子注入是借其動(dòng)能強(qiáng)行進(jìn)入靶材料中的一個(gè)非平衡物理過(guò)程。1212、半導(dǎo)體中的離子注入摻雜是把摻雜劑離子加速到的需要的能量，直接注入到半導(dǎo)體晶片中，并經(jīng)適當(dāng)溫度的退火處理。1313、空氣中的一個(gè)小塵埃將影響整個(gè)芯片的完整性、成品率,并影響其電學(xué)性能和可靠性,所以半導(dǎo)體芯片制造工藝需在超凈廠房?jī)?nèi)進(jìn)行。1414、在白光照射二氧化硅時(shí)，不同的厚度有不同的干涉色。1515、在半導(dǎo)體工藝中，硫酸常用于去除光刻膠和配制洗液等。1616、化學(xué)清洗中是利用硝酸的強(qiáng)酸性和強(qiáng)氧化性將吸附在硅片表面的雜質(zhì)除去。1717、用肉眼或顯微鏡可觀察二氧化硅的以下質(zhì)量：顏色是否均勻、結(jié)構(gòu)是否

12、致密：表而無(wú)斑點(diǎn)、無(wú)白霧、不發(fā)花；表面無(wú)裂紋、無(wú)針孔。1818、腐蝕 V V 形槽一般采用各向異性的濕法化學(xué)腐蝕方法. .1919、光刻工藝一般都要經(jīng)過(guò)涂膠、血烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜、腐蝕、去膠等步驟。2020、工藝人員完成工藝操作后要認(rèn)真、及時(shí)填寫(xiě)工藝記錄，做到記錄內(nèi)容詳細(xì)、真實(shí)、完整、書(shū)寫(xiě)工整、數(shù)據(jù)準(zhǔn)確。四綜合題1 1 . .襯底清洗過(guò)程包括哪幾個(gè)步驟？有什么作用？答：（1 1）擦洗表面的大塊污物；（2 2）浸泡；（3 3）化學(xué)腐蝕；（4 4）水清洗；（5 5）干燥。作用：（略）2 2 . .什么是離子？答：原子（原子團(tuán)）、分子（分子團(tuán)）失去或獲得電子后所形成的帶電粒子稱(chēng)為離子3 3 . .

13、操作人員的質(zhì)量職責(zé)是什么？答：操作人員的質(zhì)量職責(zé)是：（1 1）按規(guī)定接受培訓(xùn)考核，以達(dá)到所要求的技能、能力和知識(shí)；（2 2）嚴(yán)格按工藝規(guī)范和工藝文件進(jìn)行操作，對(duì)工藝質(zhì)量負(fù)責(zé)；（3 3）按規(guī)定填寫(xiě)質(zhì)量記錄，對(duì)其準(zhǔn)確性、完整性負(fù)責(zé)；（4 4）做好所使用的儀器、設(shè)備、工具的日常維護(hù)保養(yǎng)工作；（6 6）對(duì)違章作業(yè)造成的質(zhì)量事故負(fù)直接責(zé)任。4 4 . .為什么說(shuō)潔凈技術(shù)是半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中的一項(xiàng)重要技術(shù)？答：半導(dǎo)體芯片制造，尤其是隨著高度集成復(fù)雜電路和微波器件的發(fā)展，要求獲得細(xì)線條、高精度、大面積的圖形，各種形式的污染都將嚴(yán)重影響半導(dǎo)體芯片成品率和可靠性。生產(chǎn)中的污染，除了由于化學(xué)試劑不純、氣體純化不

14、良、去離子質(zhì)量不佳引入之外，環(huán)境中的塵埃、雜質(zhì)及有害氣體、工作人員、設(shè)備、工具、日用雜品等引入的塵埃、毛發(fā)、皮屑、油脂、手汗、煙霧等都是重要污染來(lái)源。例如，PNPN 結(jié)表面污染上塵埃、皮屑、油脂等將引起反向漏電或表面溝道，手汗引起的 N Na離子沾污會(huì)使 MOSMOS 器件閾值電壓飄移，甚至導(dǎo)致晶體管電流放大系數(shù)不穩(wěn)定，空氣中塵埃的沾污將引起器件性能下降，以致失效；光刻涂膠后塵埃的沾污將使二氧化硅層形成針孔或小島；大顆粒塵埃附著在光刻膠表面，會(huì)使掩膜版與芯片間距不一致，使光刻圖形模糊；高溫?cái)U(kuò)散過(guò)程中，附著在硅片上的塵埃將引起局部摻雜和快速擴(kuò)散，使結(jié)特性變壞。所以潔凈技術(shù)是半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中的

15、一項(xiàng)重要技術(shù)。5 5、對(duì)于大尺寸的 MOSMOS 管版圖設(shè)計(jì)，適合采用什么樣的版圖結(jié)構(gòu)？簡(jiǎn)述原因。答：（1 1）S S 管的版圖一般采用并聯(lián)晶體管結(jié)構(gòu)。采用并聯(lián)晶體管結(jié)構(gòu)后，可共用源區(qū)和漏區(qū)，使得在同樣寬長(zhǎng)比的情況下，漏區(qū)和源區(qū)的面積被減小，并因此使得器件源極和漏極的 PNPN 結(jié)電容被減小，對(duì)提高電路的動(dòng)態(tài)性能很有好處。（2 2）寸器件在版圖設(shè)計(jì)時(shí)還采用折疊的方式減小一維方向上的尺寸。因?yàn)槠骷某叽绱?，即叉指的個(gè)數(shù)較多，如果采用簡(jiǎn)單并列的方式，將由于叉指到信號(hào)引入點(diǎn)的距離不同引起信號(hào)強(qiáng)度的差異。同時(shí)，由于在一維方向上的工藝離散性，也將導(dǎo)致最左端的叉指和最右端的叉指所對(duì)應(yīng)的并聯(lián)器件在參數(shù)和結(jié)構(gòu)上產(chǎn)生失配6 6、集成電路封裝有哪些作用？答：(1)(1)機(jī)械支撐和機(jī)械保護(hù)作用。(2)(2)傳輸信號(hào)和分配電源的作用。(3)(3)熱耗散的作用。(4)(4)環(huán)境保護(hù)的作用。7 7、什么叫光刻？光刻工藝質(zhì)量的基本要求是什么？答：光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。對(duì)光刻工藝質(zhì)量的基本要求是：刻蝕的圖形完整、尺寸準(zhǔn)確、邊緣整齊、線條陡直；圖片內(nèi)無(wú)小島、不染色、腐蝕干凈；圖形套合十分