發(fā)光二極管光取出原理及方法ppt課件

1、2 發(fā)光二極管光取出原理及方法2.1 發(fā)光二極管光取出原理 電光轉(zhuǎn)換效率(Wall-plug Efficiency)：半導(dǎo)體發(fā)光二極管的輻射發(fā)光效率，是光的輸出功率于輸入電流功率之比。 Popt:光輸出功率；Cex：光取出效率；I與V分別為加在LED兩端的電流和電壓。 因此，在輸入功率一定的情況下，要改進(jìn)電光轉(zhuǎn)換效率就要改進(jìn)內(nèi)部量子效率和高的光取出效率。optexwpPCIV光在產(chǎn)生和輻射過程中的損失 一般平面結(jié)構(gòu)的LED都生長(zhǎng)在具有光吸收功能的襯底上，以環(huán)氧樹脂圓頂形封裝。這種機(jī)構(gòu)光取出效率可能低至4左右。 緣由：一是電流分布不當(dāng)以及光被材料本身吸收；二是不易從高折射率的半導(dǎo)體傳至低折射率的

2、空氣 影響光取出效率的三個(gè)原因 1，材料本身的吸收。解決措施：厚的窗口層window layer或電流分布層使電流均勻分布并增大表面透過率；用電流局限技術(shù)Current Blocking使電流不在電接觸區(qū)域下通過；用透明或不吸光的材料做襯底或者在活性層下設(shè)置反射鏡將光反射至表面 2，菲涅爾損失：當(dāng)光從折射率為n1的某種物質(zhì)到折射率為n2的某種物質(zhì)時(shí)，一部分光會(huì)被反射回去。菲涅爾損失系數(shù)為 若n1=3.4,n2=1,那么 ，也就是70.2的光可以投射半導(dǎo)體與空氣的界面122142(/)(/)frnnnn0.702fr 3，全反射損失：只有小于臨界角內(nèi)的光可以完全被射出，其他的光則被反射回內(nèi)部或吸

3、收。 解決措施：一般情況下用環(huán)氧樹脂做成圓頂Semispherical Dome），放在LED芯片上，可以大大增加臨界角，但是制造成本同時(shí)增加 一種經(jīng)濟(jì)的減少全反射的方法是將p-n結(jié)用環(huán)氧樹脂包封起來，利用模具可以很方便地澆鑄成半球形封帽。如下圖所示，目前工業(yè)化生產(chǎn)地單體發(fā)光二極管多采用類似結(jié)構(gòu)2.2 增加光取出率的方法 增加光取出率，首先要增加內(nèi)部量子效率，希望能達(dá)到99左右。然后需要改進(jìn)內(nèi)部結(jié)構(gòu)以利于電流分布以及減少光吸收。 2.2.1 增加內(nèi)部量子效率 1、采用最佳活性層 對(duì)InGaN/ GaN 量子阱而言,大部分注入電子被俘獲并限制在阱層,這些被俘獲的電子被電場(chǎng)加速到高能量,使場(chǎng)離化,

4、離化的空穴與電子復(fù)合,產(chǎn)生光子. 但是那些未被俘獲并限制于阱層的電子將形成漏電流. 惠普公司采用4個(gè)50nm厚的AlInGaN/ GaN量子阱，發(fā)現(xiàn)其發(fā)光效率要比在同等厚度下的非量子阱活性層效率高30。 下圖是南昌大學(xué)教育部發(fā)光材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室制備的InGaN/ GaN量子阱，數(shù)目為5個(gè)Si (111) 襯底上的InGaN/ GaN MQW的TEM (a) 明場(chǎng)像; (b) 高分辨像從圖中可以看出量子阱為5 個(gè)周期,且阱( InGaN) 和壘( GaN) 界面明銳,表明生長(zhǎng)的量子阱結(jié)構(gòu)質(zhì)量良好;圖 ( b) 是該樣品InGaN/ GaNMQW 的高分辨像,由于In 原子對(duì)電子的原子散射因子比

5、Ga 原子的大,黑色條紋為阱( InGaN) ,白色條紋為壘( GaN) . 從圖中觀察,阱和壘的厚度較為均勻,由標(biāo)尺量得阱( InGaN) 層厚約為2nm ,壘( GaN)層厚約為815nm , 外延在異質(zhì)襯底上的GaN失陪位錯(cuò)和線性位錯(cuò)密度一般位 ，其他的晶體缺陷包括晶界、堆垛層錯(cuò)，這些缺陷都是非復(fù)合中心。會(huì)在帶隙中引入能量態(tài)和降低少數(shù)載流子的壽命。 缺陷會(huì)提高器件的閾值電壓和反向漏電流，降低載流子遷移率和熱導(dǎo)率。這些不利效應(yīng)將阻止理想性能的復(fù)雜結(jié)構(gòu)的、大面積大功率器件的制備2 改進(jìn)材料的質(zhì)量2.3 改進(jìn)內(nèi)部結(jié)構(gòu)1、改善電流分布藍(lán)光LED外延層由沉積在藍(lán)寶石襯底上的N型GaN、InGaN/

6、GaN多量子阱和頂層的P型GaN構(gòu)成。電子和空穴在作為發(fā)光區(qū)的量子阱里結(jié)合產(chǎn)生光子。光子經(jīng)過P型的透明或半透明電極，透射出LED器件。GaN和相關(guān)的半導(dǎo)體材料被看作是制作藍(lán)光和紫外波段的LED最為合適的材料為提高出光效率和空穴的均勻注入，P型GaN的透明導(dǎo)電薄膜是必不可少的。由于金屬薄膜低的透光率和在高注入電流下金的擴(kuò)散，用傳統(tǒng)的金屬薄膜作為P型GaN歐姆接觸的LED出光效率低、穩(wěn)定性差。如半透明的Ni/Au薄膜的透光率大約只有60一75%。解決這個(gè)問題的一個(gè)可行方法是用透明的ITO薄膜代替Ni/Au薄膜作為P性GaN的接觸層。ITO具有硬度好、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、導(dǎo)電性好和低的光吸收系數(shù)。并且，I

7、TO薄膜和GaN之間附著好。由于這些特性，ITO是很有前途的P型GaN的電極材料。ITO薄膜在可見光波段具有很好的透光率，尤其在波長(zhǎng)為460nm處，透光率為95.5%。相比之下，Ni/Au薄膜在460nm波段處，透光率只有60一75%。ITO氧化物其禁帶寬度(即能隙)在E=3.5eV，所以可見光(1.63.3eV)的能量不足以將價(jià)帶的電子激發(fā)到導(dǎo)帶。自由電子在能帶間遷移而產(chǎn)生的光吸收，在可見光的范圍不會(huì)發(fā)生，ITO對(duì)可見光透明從圖3一5中可以看出在高電流時(shí)，ITO的P型接觸的具有更高的輸出光功率和更好的光電轉(zhuǎn)換效率。在驅(qū)動(dòng)電流為20mA時(shí)，ITO的P型接觸的LED的光輸出功率為5mw，而Ni/

8、Au的只有3mw。因此，ITO工藝的LED相對(duì)于Ni/Au工藝的光輸出功率提高了60%。補(bǔ)充 ：LED 發(fā)光機(jī)制 1、p-n結(jié)注入發(fā)光 p-n結(jié)處于平衡時(shí)，存在一定的勢(shì)壘區(qū)，其能帶如圖。 如加一正向偏壓，由于勢(shì)壘區(qū)載流子濃度很小，電阻很大，外加電壓基本降落在勢(shì)壘區(qū)，削弱了勢(shì)壘區(qū)的內(nèi)建電場(chǎng)，勢(shì)壘減小。p-n結(jié)注入發(fā)光能帶圖 載流子的擴(kuò)散和漂移之間的平衡被打破，擴(kuò)散流大于漂移流，即產(chǎn)生電子由n區(qū)注入p區(qū)和空穴由p區(qū)注入n區(qū)的凈擴(kuò)散流，如下圖。 這些進(jìn)入p區(qū)的電子和進(jìn)入n的空穴都是非平衡少數(shù)載流子，非平衡少子邊擴(kuò)散邊與多數(shù)載流子復(fù)合而發(fā)光，經(jīng)過比擴(kuò)散長(zhǎng)度大幾倍的距離后，全部被復(fù)合，這段區(qū)域稱為擴(kuò)散區(qū)

9、，這就是p-n結(jié)中的非平衡載流子注入發(fā)光。 2、異質(zhì)結(jié)注入發(fā)光 為了提高少數(shù)載流子的注入效率，可以采用異質(zhì)結(jié)。 圖19a表示理想的異質(zhì)結(jié)能帶示意圖。 當(dāng)加正向偏壓時(shí)，勢(shì)壘降低。但由于p區(qū)和n區(qū)的禁帶寬度不等，勢(shì)壘是不對(duì)稱的。 加上正向偏壓，如圖19b），當(dāng)兩者的價(jià)帶達(dá)到等高時(shí)，p區(qū)的空穴由于不存在勢(shì)壘，不斷向n區(qū)擴(kuò)散，保證了空穴少數(shù)載流子向發(fā)光區(qū)的高注入效率。 對(duì)于n區(qū)的電子，由于存在勢(shì)壘E（=Eg1-Eg2），不能從n區(qū)注入p區(qū)。這樣，禁帶較寬的區(qū)域成為注入源圖中的p區(qū)），而禁帶寬度較小的區(qū)域圖中n區(qū)成為發(fā)光區(qū)。 例如，對(duì)于藍(lán)光LED中采用的InGaN-GaN異質(zhì)結(jié)，發(fā)光波長(zhǎng)在460nm附近

10、時(shí)，帶隙約為2.7 eV，相當(dāng)于InGaN的禁帶寬度。發(fā)光區(qū)Eg2較小發(fā)射的光子，其能量hv小于Eg1，進(jìn)入p區(qū)后不會(huì)引起本征吸收，即禁帶寬度較大的p區(qū)對(duì)這些光子是透明的。 因此，異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管中禁帶寬的部分注入?yún)^(qū)同時(shí)可以作為輻射光的透出窗，可以制成正面出光的LED 3、量子阱發(fā)光 在禁帶較寬的GaN材料上異質(zhì)外延一層極薄的InGaN阱層，然后再異質(zhì)外延厚的GaN壘層，形成量子阱結(jié)構(gòu)。 如果不考慮這種結(jié)構(gòu)中InGaN與GaN間電子和空穴交換而引起的能帶彎曲，則其能帶圖如圖20a所示，當(dāng)外加電流注入時(shí)，電子發(fā)生遷移，掉入勢(shì)阱中，只要InGaN夾層足夠薄，其中的電子和空穴就可以視為處于量子阱中，

11、如圖20b）。勢(shì)阱沿z方向很窄，電子在z方向被局限在幾個(gè)到幾十個(gè)原子層范圍的量子阱中，能量發(fā)生量子化，產(chǎn)生分立能級(jí)。電子在分立能級(jí)之間躍遷而輻射發(fā)光。2 生長(zhǎng)分布布喇格反射層DBR構(gòu)造 DBRdistributed bragg reflector結(jié)構(gòu)早在20世紀(jì)80年代R.D.Burnham 等人提出，如圖1所示。它是兩種折射率不同的材料周期交替生長(zhǎng)的層狀結(jié)構(gòu)，厚度一般為波長(zhǎng)的1/4，它在有源層和襯底之間，能夠?qū)⑸湎蛞r底的光反射回表面或側(cè)面，可以減少襯底對(duì)光的吸收，提高出光效率.DBR 結(jié)構(gòu)直接利用MOCVD設(shè)備進(jìn)行生長(zhǎng)，無須再次加工處理。這樣，人們開始在LED 中生長(zhǎng)不同種類的DBR 結(jié)構(gòu)來

12、減小襯底對(duì)光的吸收。材料的折射率與DBR 的反射效果有直接關(guān)系，折射率差n越大，反射率Rp越大，反射效果越好：DBR 的周期數(shù)也與反射率成正比，式中的p 是DBR 的對(duì)數(shù)pair），對(duì)數(shù)越高，反射效果越好。3 制作透明襯底LEDTS-LED） 除了將光反射掉，另外一種減少襯底吸收作用的方法就是將LED 的襯底換成透明襯底，使光從下底面出射。 透明襯底可以在LED晶片生長(zhǎng)結(jié)束后，移去吸光的n-GaAs 襯底，利用二次外延生長(zhǎng)出透明的、寬禁帶的導(dǎo)電層。 也可以先在n-GaAs 襯底片上生長(zhǎng)厚50mm 的透明層比如AlGaAs），然后再移去GaAs襯底。這兩種技術(shù)的問題在于透明層的價(jià)格昂貴,難于生長(zhǎng)

13、，而且與高質(zhì)量的有源層之間匹配不好。 另外一種技術(shù)就是bonding粘合技術(shù)。它是指將兩個(gè)不同性質(zhì)的晶片結(jié)合到一起，并不改變?cè)瓉砭w的性質(zhì)。 用選擇腐蝕的方式將GaAs 襯底腐蝕掉后，在高溫單軸力的作用下將外延片bonding 到透明的n-GaP 上。制成的器件是GaP 襯底有源層GaP窗口層的三明治結(jié)構(gòu)。允許光從六個(gè)面出射，因而提高了出射效率。根據(jù)2019年的報(bào)道，636 nm的TS-LED 外量子效率可以達(dá)到23.7%；607.4 nm 的TS-LED 的發(fā)光效率達(dá)到50.1m/W。3 倒金字塔形LED 這種方法旨在減小光在LED 內(nèi)部反射而造成的有源層及自由載流子對(duì)光的吸收。光在內(nèi)部反射

14、的次數(shù)越多，路徑越長(zhǎng)，造成的損失越大。通過改變LED的幾何形狀，可以縮短光在LED 內(nèi)部反射的路程。 這種新技術(shù)在2019年被提出。它是在透明襯底LED基礎(chǔ)上的再次加工。將bonding后的LED 晶片倒置，切去四個(gè)方向的下角，如圖3a所示，斜面與垂直方向的夾角為35度。圖3b是橫截面的示意圖，它演示了光出射的路徑。 LED的這種幾何外形可以使內(nèi)部反射的光從側(cè)壁的內(nèi)表面再次傳播到上表面，而以小于臨界角的角度出射。同時(shí)使那些傳播到上表面大于臨界角的光重新從側(cè)面出射。這兩種過程能同時(shí)減小光在內(nèi)部傳播的路程。4 表面粗化技術(shù)光波在密度均勻介質(zhì)中傳播時(shí)，次波相干迭加的結(jié)果是遵循幾何光學(xué)定律的光線。機(jī)理

15、：將LED的表面做得適當(dāng)粗糙，其粗糙尺度大約在出射光的半波長(zhǎng)，當(dāng)光射到這個(gè)不均勻的媒體介質(zhì)表面時(shí)，即使在角度大于臨界角的情況下，光線也不一定被全反射，射到表面的光以一定概率以隨機(jī)的角度散射出來目的：透射率的增加被認(rèn)為是表面粗糙化的主要功能,優(yōu)化的表面粗糙(430nm球狀起伏表面)可使出光效率達(dá)到54%. ITO表面粗化工藝是:用光刻膠對(duì)部分ITO表面進(jìn)行保護(hù)，接著用等離子體干法刻蝕對(duì)ITO表面進(jìn)行粗化。實(shí)例：ITO表面粗化對(duì)出光效率的影響 從圖中的數(shù)據(jù)可以看出在相同的條件下，表面粗化的LED芯片的發(fā)光強(qiáng)度明顯高于傳統(tǒng)的LED芯片。 在20mA的驅(qū)動(dòng)電流下，表面粗化的LED芯片的發(fā)光強(qiáng)度大約為

16、120mcd，但傳統(tǒng)的LED芯片大約只有70mcd。ITO薄膜的表面粗化工藝使LED芯片的發(fā)光強(qiáng)度提高了70%。 由于采用的是相同的外延片，因此表面粗化的LED芯片和傳統(tǒng)的LED芯片具有相同的內(nèi)量子效率。從而，可以推斷出，LED芯片的表面粗化工藝提高了芯片的出光效率。當(dāng)上述芯片用環(huán)氧樹脂封裝成LED燈時(shí)，表面粗化過的LED同傳統(tǒng)的相比仍然具有更高的發(fā)光強(qiáng)度，以及光的空間分布角度更大。環(huán)氧樹脂的折射率為1.5，而ITO的折射率為1.9。由于折射率的不同，粗化的ITO表面可以改變從LED到環(huán)氧樹脂的光路。這種光路的改變可以減少光在界面的內(nèi)反射幾率。鍵合剝離技術(shù)鍵合剝離技術(shù) AlGaInP和AlGa

17、InN基二極管外延片所用的襯底分別為GaAs和藍(lán)寶石,它們的導(dǎo)熱性能都較差.為了更有效地散熱和降低結(jié)溫,可通過除掉原來用于生長(zhǎng)外延層的襯底,將外延層鍵合轉(zhuǎn)移到導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能良好的襯底上,如銅、鋁、金錫合金、氮化鋁等. 采用金屬鍵合技術(shù)制備InGaAlP/Si襯底照明LED芯片是一種價(jià)廉而有效的方式. 制作工藝過程主要包括以下步驟: (1)在LED外延片的頂部淀積柵格狀的歐姆接觸層和高反射率的金屬層. 為了在560650nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)獲得較高的反射率,可以選擇Au, Al或Ag金屬材料; (2)將焊料層淀積在Si襯底上; (3)通過低溫焊料層將帶有金屬反射層的外延片鍵合到硅襯底上; (4)采用化

18、學(xué)腐蝕或機(jī)械研磨加化學(xué)腐蝕的方法將吸光的GaAs襯底去掉; (5)在新裸露的底部淀積歐姆接觸并退火. Osram利用外延片鍵合剝離技術(shù)移去具有吸光性的GaAs襯底材料外,又在鍵合界面制備倒裝金字塔形微觀反射結(jié)構(gòu)和表面微結(jié)構(gòu),提升界面反光效率和正面出光效率,其618nm芯片的發(fā)光效率可達(dá)9698lm/W,Wall-Plug效率為33% ,在70mA驅(qū)動(dòng)電流下,單芯片可發(fā)出12lm的光.Osram倒裝金字塔形微觀反射結(jié)構(gòu)AlInGaP基芯片藍(lán)寶石襯底剝離技術(shù) 鍵合剝離技術(shù)主要由3個(gè)關(guān)鍵工藝步驟完成: (1)在外延表面淀積鍵合金屬層如Pd 100nm,以及在鍵合底板上如Si底板表面淀積一層1000n

19、m的銦; (2)將外延片低溫鍵合到底板上; (3)用KrF脈沖準(zhǔn)分子激光器照射藍(lán)寶石底面,使藍(lán)寶石和GaN 界面的GaN 產(chǎn)生熱分解,再通過加熱(40)使藍(lán)寶石脫離GaN.AlGa InN基LED芯片鍵合剝離關(guān)鍵工藝步驟 2019年,Osram運(yùn)用鍵合、激光剝離、表面微結(jié)構(gòu)化和使用全反射鏡等技術(shù)途徑,使其最新研發(fā)的ThinGaN TOPLED芯片出光效率達(dá)到75% ,在20mA 驅(qū)動(dòng)電流下,發(fā)光功率已達(dá)13mW ( 470nm) ,封成的白光二極管發(fā)光效率大于50lm/W,是傳統(tǒng)芯片的3倍. 大功率照明LED芯片在350mA 驅(qū)動(dòng)電流下,芯片的發(fā)光功率達(dá)182mW (470nm) ,封成白光二

20、極管后,產(chǎn)生43lm,發(fā)光效率約40lm/W. 如果將芯片鍵合到Cu片上,再激光剝離藍(lán)寶石襯底,可使散熱能力提高4倍. Si的熱導(dǎo)率比GaAs和藍(lán)寶石都好,而且易于加工,價(jià)格便宜,是功率型芯片的首選材料.5 圖形化GaN基底上的二次外延 在2m左右的GaN外延片上,采用光刻和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積(PECVD)技術(shù),可以獲得以SiO2為掩膜的周期性結(jié)構(gòu)圖形(如正六邊形或長(zhǎng)方形),圖形尺度在300350m左右,間距在50m左右. 然后在HVPE系統(tǒng)中選區(qū)生長(zhǎng),得到厚度約為50m左右具有光滑表面的一個(gè)一個(gè)島狀結(jié)構(gòu),最后在MOCVD系統(tǒng)中生長(zhǎng)LED 構(gòu)造.在這些孤立的島狀結(jié)構(gòu)上直接制備LED器件(

21、見圖).(a)長(zhǎng)方形圖形化GaN基底上的二次外延的LED外延片表面SEM圖; (b)正六邊形圖形化GaN基底上的二次外延的LED外延片表面SEM圖; (c)正六邊形圖形化GaN基底上的二次外延的LED發(fā)光時(shí)的光顯圖 相對(duì)于常規(guī)結(jié)構(gòu)的LED,此種島狀結(jié)構(gòu)的LED發(fā)光波長(zhǎng)平均紅移1530nm(歸因于HVPE外延獲得較大晶格常數(shù)和較窄能帶的GaN),發(fā)光功率增加1倍(藍(lán)光)和6倍左右(紫光) , 發(fā)光功率增加的主要原因有HVPE外延厚膜中位錯(cuò)密度降低導(dǎo)致內(nèi)量子效率提高,由于紫光對(duì)位錯(cuò)更敏感,所以變化更大; 島狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)致光出射效率ex提高,正向壓降略有變化.6圖形化藍(lán)寶石襯底 開槽藍(lán)寶石襯底( gro

22、oved sapphire sub2strates):在C 面藍(lán)寶石襯底刻出條寬為23m左右、間距48m左右、深度60nm1.4m左右的周期性結(jié)構(gòu),然后在其上生長(zhǎng)常規(guī)結(jié)構(gòu)的LED外延片. 相對(duì)無結(jié)構(gòu)的藍(lán)寶石襯底的LED外延片,此開槽藍(lán)寶石襯底所生長(zhǎng)的LED 外延片側(cè)向外延,使得位錯(cuò)密度降低,從而提高了外延片的晶體品質(zhì),相應(yīng)的光學(xué)、電學(xué)性能也得到改善,實(shí)驗(yàn)證實(shí),陰極熒光譜(CL譜)和電致發(fā)光譜(EL譜)強(qiáng)度都有增強(qiáng), EL(波長(zhǎng)為465nm)強(qiáng)度增加25%35%左右,飽和電流高,器件穩(wěn)定性好.平面和開槽藍(lán)寶石襯底上外延的LED的L - I曲線 非條形的圖形化藍(lán)寶石襯底就是在藍(lán)寶石襯底上采用不同的

23、光刻技術(shù), 形成周期性的尺度在10m之內(nèi)的圖形結(jié)構(gòu)(如圓形、六邊形和長(zhǎng)方形等). 一方面,圖形化藍(lán)寶石襯底可以引入側(cè)向外延的外延特性,從而降低位錯(cuò)密度,使得內(nèi)量子效率提高;另一方面,在器件采用倒裝結(jié)構(gòu)時(shí),藍(lán)寶石襯底中的周期性圖形有微透鏡的作用而將增加光出射效率ex. 在間距和尺度都在3m左右的圓形圖形化藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)LED外延片(見圖) ,采用激光剝離轉(zhuǎn)移到Cu熱沉上,倒裝器件結(jié)構(gòu),在波長(zhǎng)為409nm, 350mA下,發(fā)光功率比常規(guī)襯底上相同結(jié)構(gòu)的LED提高39%. 在六邊形圖形化藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)LED外延片,在波長(zhǎng)為400nm,20mA下,發(fā)光功率和外量子效率分別為22.0mW 和35.5

24、%;在波長(zhǎng)為460nm, 20mA下,發(fā)光功率和外量子效率分別為18.8mW和34.9%.園形圖形化藍(lán)寶石襯底: (a) 示意圖和AFM圖; (b) LED外延結(jié)構(gòu)示意圖和剖面透射電鏡觀測(cè)圖;(c) LED器件示意圖和器件表面掃描電鏡觀測(cè)圖7 7 提高載流子注入效率提高載流子注入效率j j 的方的方法法 由于空穴的遷移率和擴(kuò)散長(zhǎng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于電子,因此提高載流子注入效率j 的方法主要是提高空穴的注入和降低電子的泄漏. 具體方法有: 優(yōu)化p-GaN的生長(zhǎng); 在MQW 前插入電子隧穿勢(shì)壘層ETB;在MQW的量子勢(shì)壘層中,加入適量Al并優(yōu)化電子阻擋層的設(shè)計(jì). 優(yōu)化p-GaN的生長(zhǎng)主要是提高空穴的遷移率,使得空穴能夠有效地注入到更多的量子阱中參與發(fā)光;電子隧穿層ETB 一般為n-AlGaN,當(dāng)注入的電