金屬納米線論文金屬納米線 多孔氧化鋁模板 電化學(xué)沉積 金屬表面

1、金屬納米線論文：金屬（銀，銅，鎳和鈷）納米線的制備及其生長機(jī)理【中文摘要】金屬納米線由于具有奇特的電學(xué)、光學(xué)、磁學(xué)和熱學(xué)性能,在微電子、光電子、催化與傳感器等領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用前景,使其成為近年來研究的熱點(diǎn)。合成金屬納米線的方法眾多,主要可分為軟模板法、硬模板法和無模板法,比較而言,硬模板法中利用多孔氧化鋁模板電化學(xué)沉積制備金屬納米線是比較常用的技術(shù),各種金屬的單晶和多晶納米線都可以通過多孔氧化鋁模板法制備。然而,目前對(duì)金屬納米線的生長機(jī)理的研究較少。本論文旨在探索利用多孔氧化鋁模板,在直流電化學(xué)沉積條件下制備金屬納米線的方法,以及研究金屬納米線在較小孔徑的多孔氧化鋁模板內(nèi)生長的機(jī)理。主要研究

2、內(nèi)容有：(1)多孔氧化鋁模板的制備及影響模板形成有序通道的因素。(2)利用多孔氧化鋁模板,直流電化學(xué)沉積制備金屬納米線。(3)討論電化學(xué)沉積條件對(duì)金屬納米線晶體生長的影響。(4)利用金屬納米線陣列,經(jīng)過高溫氧化,制備金屬氧化物納米線陣列。(5)研究金屬納米線擇優(yōu)(220)晶面生長的機(jī)理和動(dòng)力學(xué)影響因素?？傊?本論文發(fā)展了利用多孔氧化鋁模板,在直流電化學(xué)沉積條件下制備金屬納米線的方法,探討了電化學(xué)沉積條件對(duì)納米線晶體生長的影響,并提出一個(gè)模型來解釋.【英文摘要】Metal nanowires (MNWs) have been the focus of intensive research bec

3、ause of their unique electrical, optical, magnetic, and thermal properties, which can lead to potential applications in microelectronics, optoelectronics, catalysis, and sensors. Much efforts have been devoted to the synthetic approaches of the MNWs, mainly including soft-template-assisted synthesis

4、, hard-template-assisted synthesis, and non-template synthesis. Comparatively, among hard-template-assisted synthetic approach, porous anodic al.【關(guān)鍵詞】金屬納米線 多孔氧化鋁模板 電化學(xué)沉積 金屬表面【英文關(guān)鍵詞】Metallic nanowires AAO template Electrodeposition Metal surface【索購全文】聯(lián)系Q1：138113721 Q2：139938848【目錄】金屬（銀，銅，鎳和鈷）納米線的制備及其

5、生長機(jī)理摘要5-6Abstract6第一章 緒論9-141.1 引言91.2 金屬納米線的主要應(yīng)用9-101.2.1 電子器件方面的應(yīng)用9-101.2.2 傳感器方面的應(yīng)用101.2.3 一維巨磁電阻材料101.3 金屬納米線的合成方法10-121.3.1 軟模板法111.3.2 硬模板法11-121.3.3 非模板法121.4 現(xiàn)今制備金屬納米線研究的不足12-131.5 本論文主要研究的問題及創(chuàng)新點(diǎn)13-14第二章 陽極氧化法合成多孔氧化鋁模板14-262.1 引言142.2 多孔氧化鋁模板的制備過程14-182.2.1 試劑和儀器14-152.2.2 前期處理152.2.3 陽極氧化過程

6、15-172.2.4 后續(xù)處理17-182.3 影響多孔氧化鋁模板的因素18-252.3.1 鋁片前期處理對(duì)多孔氧化鋁模板的影響182.3.2 氧化過程對(duì)多孔氧化鋁模板的影響18-232.3.3 后續(xù)處理對(duì)多孔氧化鋁模板的影響232.3.4 制備不同形狀的氧化鋁模板23-252.4 本章小結(jié)25-26第三章 電化學(xué)沉積制備金屬納米線26-423.1 引言26-283.2 金屬納米線的制備及表征28-343.2.1 試劑和儀器28-293.2.2 銀納米線的制備與表征29-303.2.3 銅納米線的制備與表征30-313.2.4 鎳納米線的制備與表征31-333.2.5 鈷納米線的制備與表征33

7、-343.3 影響金屬納米線生長的電沉積條件34-383.3.1 沉積電壓對(duì)金屬納米線生長的影響35-363.3.2 沉積溫度對(duì)金屬納米線生長的影響36-383.3.3 電解液濃度和pH值對(duì)金屬納米線生長的影響383.4 高溫氧化金屬納米線制備金屬氧化物納米線38-403.4.1 制備過程393.4.2 金屬氧化物納米線的表征39-403.5 本章小結(jié)40-42第四章 金屬納米線生長機(jī)理研究42-514.1 電化學(xué)沉積的理論42-454.1.1 電化學(xué)沉積進(jìn)行的地點(diǎn)42-434.1.2 電化學(xué)沉積過程的動(dòng)力43-444.1.3 金屬晶體成核和生長過程44-454.1.4 電化學(xué)沉積的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)454.2 金屬納米線的生長模型45-504.2.1 金屬納米線沿(220)晶面生長的機(jī)理46-494.2.2 金屬納米線在不同沉積電壓時(shí)的生