電路基本元器件介紹

1、 擬稿： 姚一清 電阻 Resistor 電容 Capacitor 電感 Inductance 二極管 Diode 三極管 Bipolar Junction Transistor 其它相關(guān)元件 Other components溫度系數(shù)溫度系數(shù)：電子元器件的特性及規(guī)格參數(shù)會隨使用的環(huán)境溫度變化而變化，溫度每升高1，其數(shù)值變化的百分比。高頻特形：高頻特形：任何元器件在高頻工作條件下，都會表現(xiàn)出電抗特性，其分布電容和分布電感都會對電路的頻率響應(yīng)產(chǎn)生不可忽視的影響。機械強度：機械強度：根據(jù)使用的環(huán)境條件選用機械強度高的元器件?？珊感裕嚎珊感裕哼x用可焊性好的元器件，是減少產(chǎn)品故障率，減小元器件“虛焊”的

2、非常必要的措施?？煽啃裕嚎煽啃裕褐饕憩F(xiàn)在壽命、功率、高頻特性、抗機械應(yīng)力特性、抗靜電性、抗輻射性、低功耗、抗高低溫性能、耐壓性及適應(yīng)環(huán)境的能力等。 元器件的質(zhì)量參數(shù)包括溫度系數(shù)、高頻特形、機械強度、可焊性和可靠性等阻值：用來表示電阻器對電流阻礙作用的大小，用歐姆（）表示。功率：用來表示電阻器所能承受的最大電流，用瓦特表示，有1/6W，1/4W，1/2W，1W，2W等多種。允許誤差：電阻實際值和標(biāo)稱值的差值除以標(biāo)稱值所得的百分?jǐn)?shù)，就是電阻的誤差，它反映了電阻器的精密程度。 電阻的精度主要有：0.5%(D)、1%(F)、2%(G)、5%(J) 、10%(K)、20%(M) 電阻，用符號R表示。電

3、阻器的基本參數(shù)包括阻值、功率、允許誤差等。電阻的型號命名和標(biāo)稱阻值WRT14-0.25W-68 J主稱：電阻器材料：碳膜分類：普通型序號功率阻值精度 為了便于生產(chǎn)和使用，國家統(tǒng)一規(guī)定了一系列阻值作為電阻器阻值的標(biāo)準(zhǔn)值，稱為標(biāo)稱阻值電阻的標(biāo)稱阻值下面列出常用電阻器的阻值系列標(biāo)準(zhǔn)1.01.11.21.31.51.61.82.02.22.42.73.03.33.63.94.34.75.15.66.26.87.58.29.1電阻的標(biāo)稱阻值如上所列數(shù)值或是所列數(shù)值的10n倍。分類符號特點主要用途長虹常用規(guī)格碳膜電阻器RT具有良好的穩(wěn)定性，負(fù)溫度系數(shù)高頻特性好，阻值范圍寬成本低，價格便宜，但體積較大廣 泛

4、 使 用 于交 流 、 直 流和 脈 沖 電 路中RT13-0.166W-RT14-0.25W-金屬膜電阻器RJ耐熱性好，額定工作溫度高電壓穩(wěn)定性好，溫度系數(shù)小工作頻率范圍寬應(yīng) 用 廣 泛 ，使用于交流、直 流 、 脈 沖電 路 及 高 溫環(huán)境電路中RJ14-0.25W-金屬氧化膜電阻器RY良好的抗氧化性和熱穩(wěn)定性有極好的脈沖、高頻和力學(xué)特性額定功率較大、阻燃性強應(yīng) 用 廣 泛 ，使用于交流、直 流 、 脈 沖電 路 及 大 功率電路中RY21-0.5W-RY21-1W-RY21-2W-分類符號特點主要用途長虹常用規(guī)格玻璃釉膜電阻器RI耐溫、耐濕、穩(wěn)定性好噪聲小、高頻特性好體積小、重量輕電源、

5、行掃描電路中RI40-1W-RI40-2W-線繞電阻器RX耐高溫、熱穩(wěn)定性好、溫度系數(shù)小功率大、能承受大功率負(fù)載體積大、分布參數(shù)大、高頻特性差電源、行掃描電路及大功率電路中中R X G 6 - H -5W-R X G 6 - H -7W-熔斷電阻器RF兼具電阻器和熔斷器雙重功能阻燃性好、絕緣耐壓高限流電路中RF10-1W-RF10-2W-RF11-2W- 在高增益放大電路中，應(yīng)選用噪聲電動勢小的在高增益放大電路中，應(yīng)選用噪聲電動勢小的金屬膜和碳膜電阻器；金屬膜和碳膜電阻器；在高頻電路中，應(yīng)選用分布參數(shù)小的碳膜、金在高頻電路中，應(yīng)選用分布參數(shù)小的碳膜、金屬膜和金屬氧化膜電阻器；屬膜和金屬氧化膜電

6、阻器；對于要求耐熱性較好和過負(fù)載能力較強的低阻對于要求耐熱性較好和過負(fù)載能力較強的低阻值電阻器，應(yīng)選用氧化膜電阻器；值電阻器，應(yīng)選用氧化膜電阻器；對于要求耐高壓及高阻值的電阻器，應(yīng)選用玻對于要求耐高壓及高阻值的電阻器，應(yīng)選用玻璃釉膜電阻器；璃釉膜電阻器； 對于要求耗散功率大、阻值不高、工作頻率不對于要求耗散功率大、阻值不高、工作頻率不高的電路，可選用線繞電阻器；高的電路，可選用線繞電阻器；在溫度和濕度較高，且有酸堿腐蝕的場合，應(yīng)在溫度和濕度較高，且有酸堿腐蝕的場合，應(yīng)選用金屬氧化膜電阻器和玻璃釉膜電阻器；選用金屬氧化膜電阻器和玻璃釉膜電阻器；在電阻的額定功率選擇上要留有余量，實際使在電阻的額定

7、功率選擇上要留有余量，實際使用功率最好不超過額定功率的用功率最好不超過額定功率的1/21/2。 電阻器常用的規(guī)格標(biāo)志方法有直標(biāo)法和色標(biāo)法 直標(biāo)法是用數(shù)字和文字符號在電阻器上直接標(biāo)出主要參數(shù)的標(biāo)志方法，如圖所示RX為線繞電阻，功率為6W,阻值為8.2，誤差為5%。顏色 有效數(shù)字倍數(shù) 允許偏差（）銀銀10-2 10(K)金金10-1 5（J）黑黑0100棕棕1101 1(F)紅紅2102 2(G)橙橙3103黃黃4104綠綠5105藍(lán)藍(lán)6106紫紫7107灰灰8108白白9109無色無色 20 (M) 色標(biāo)法根據(jù)標(biāo)志的有效數(shù)字位數(shù)，分為兩位及三位有效數(shù)字色標(biāo)法。 兩位有效數(shù)字色標(biāo)法兩位有效數(shù)字色標(biāo)

8、法允許偏差 5標(biāo)稱值的倍率 103標(biāo)稱值第二位有效數(shù)字 8標(biāo)稱值第一位有效數(shù)字 668K5%允許偏差 10 標(biāo)稱值的倍率 101標(biāo)稱值第三位有效數(shù)字 0標(biāo)稱值第二位有效數(shù)字 7標(biāo)稱值第一位有效數(shù)字 4三位有效數(shù)字色標(biāo)法三位有效數(shù)字色標(biāo)法4.7K10%熱敏電阻器熱敏電阻器 按溫度特性熱敏電阻可分為兩類，按溫度特性熱敏電阻可分為兩類，隨溫度上升電阻增加的為正溫度系數(shù)熱隨溫度上升電阻增加的為正溫度系數(shù)熱敏電阻敏電阻（PTC:Positive Temperature Coefficient ），反之為負(fù)溫度系數(shù)熱敏，反之為負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻電阻（NTC:Negative Temperature Coe

9、fficient ） 。 n正溫度系數(shù)熱敏電阻器應(yīng)用在彩電自動正溫度系數(shù)熱敏電阻器應(yīng)用在彩電自動消磁電路中。消磁電路中。熱敏電阻器熱敏電阻器Vac消磁線圈PTC熱敏電阻器熱敏電阻器 負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器應(yīng)用在彩電負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器應(yīng)用在彩電電源浪涌吸收電路中。電源浪涌吸收電路中。VacVdcNTC 壓敏電阻器壓敏電阻器（VaristorVaristor）在電路中在電路中通常并接在電器的交流輸入端起浪涌吸通常并接在電器的交流輸入端起浪涌吸收和過壓保護作用。收和過壓保護作用。壓敏電阻器壓敏電阻器NTCFUSEVacVdcVaristor電容器種類繁多，電容器最簡單結(jié)構(gòu)可由兩個互相靠近的金屬板夾一

10、層絕緣介質(zhì)組成，電容器是一個充放電荷的電子元件；電容器具有隔斷直流，通過交流的作用,電容的容抗，X=1/2C；電容的應(yīng)用廣泛，它在濾波電路、調(diào)諧電路、耦合電路、旁路電容、延時電容、整形電路中起著重要作用。 電容器的主要技術(shù)參數(shù)包括電容器的主要技術(shù)參數(shù)包括標(biāo)稱容量、允標(biāo)稱容量、允許誤差、額定電壓、絕緣電阻、漏電流、損耗許誤差、額定電壓、絕緣電阻、漏電流、損耗因數(shù)因數(shù)等等均為電容器的主要技術(shù)參數(shù)。均為電容器的主要技術(shù)參數(shù)。標(biāo)稱容量及允許誤差 ：電容器的標(biāo)稱容量及允許誤差的基本含義與電阻器一樣。電容的基本單位為F（法拉），即在1V電壓下電容器所能儲存的電量為1庫倫，其容量即為1F。用F作單位在應(yīng)用中

11、往往太大，所以常用毫法(mF)、微法(F)、納法(nF)和皮法(pF)，它們之間的關(guān)系： 1F=103 mF= 106 F= 109 nF= 1012 pF額定電壓：額定電壓：通常也稱作耐壓，是指在允許的環(huán)境溫度范圍內(nèi)，電容長時間正常工作施加的最大電壓有效值。電容的額定電壓通常是指直流工作電壓；絕緣電阻及漏電流：絕緣電阻及漏電流：電容介質(zhì)不可能絕對不導(dǎo)電，當(dāng)電容加上直流電壓時，電容器會有漏電流產(chǎn)生。若漏電流太大，電容器就會發(fā)熱損壞。除電解電容外，其他電容器的漏電流是極小的，故用絕緣電阻參數(shù)來表示其絕緣性能；而電解電容因漏電較大，電解電容器的漏電流又隨著溫度和電壓的升高而增加；損耗因數(shù)：電容的損

12、耗因數(shù)指有功損耗與無功損耗功率之比。通常電容在電場作用下，其儲存或傳遞的一部份電能會因介質(zhì)漏電及極化作用而變?yōu)橛泻Φ臒崮?，這部分發(fā)熱消耗的能量就是電容的損耗，顯然損耗越大，發(fā)熱也越嚴(yán)重。溫度系數(shù)：（C C2 2-C-C1 1）/ C/ C1 1（t t2 2-t-t1 1）10106 6 C C1 1： t t1 1溫度下測得的電容量溫度下測得的電容量 C C2 2： t t2 2溫度下測得的電容量溫度下測得的電容量分類符號特點長虹常用規(guī)格瓷介電容器CCCT耐熱性良好，不容易老化抗腐蝕性好絕緣性能好，可制成高壓電容器電容量較小，機械強度較低 CC1-63V-CT1-63VCT1-500VCT8

13、1-1KVCT7-250VAC薄膜電容器CL容量范圍較寬耐熱性、耐濕性好，耐壓強度較大 CL21CL11CL21X聚丙稀電容器CBB容量范圍較寬耐濕性好、絕緣電阻高 高頻特性好體積小，工作可靠 CBB13-400VCBB81-1.6KVCBB62-250VAC鋁電解電容器CD電容量大，價格低容量誤差大，損耗大漏電流大，工作溫度范圍窄 CD110CD110XCD293-400V 對于要求不高的低頻電路和直流電路中，可以對于要求不高的低頻電路和直流電路中，可以選擇低頻瓷介電容（選擇低頻瓷介電容（CTCT系列）。在高頻電路中，系列）。在高頻電路中，可選用高頻瓷介電容（可選用高頻瓷介電容（CCCC系列

14、）。在要求較高系列）。在要求較高的中、低頻電路中，可選用塑料薄膜電容器。的中、低頻電路中，可選用塑料薄膜電容器。在電源濾波、去耦電路中，可用鋁電解電容器。在電源濾波、去耦電路中，可用鋁電解電容器。對于高壓電路，應(yīng)選用高壓瓷介電容器或其他對于高壓電路，應(yīng)選用高壓瓷介電容器或其他高壓電容器；高壓電容器；合理選用電容器的電容量和允許偏差。在低頻合理選用電容器的電容量和允許偏差。在低頻偶合及濾波電路中，按計算值上選取稍大的電偶合及濾波電路中，按計算值上選取稍大的電容量。在對電容容量有嚴(yán)格限制的電路中，應(yīng)容量。在對電容容量有嚴(yán)格限制的電路中，應(yīng)選用精度高的電容器；選用精度高的電容器；在成本允許的條件下，

15、優(yōu)先選擇絕緣電阻大，在成本允許的條件下，優(yōu)先選擇絕緣電阻大，介質(zhì)損耗小，漏電流小的電容器；介質(zhì)損耗小，漏電流小的電容器；選用電容器的工作電壓應(yīng)符合電路要求。一般選用電容器的工作電壓應(yīng)符合電路要求。一般情況下，電容器的額定電壓應(yīng)為實際使用電壓情況下，電容器的額定電壓應(yīng)為實際使用電壓的的1.31.3倍左右。對于溫度較高或穩(wěn)定性較差的倍左右。對于溫度較高或穩(wěn)定性較差的電路中，電容器的額定電壓應(yīng)留有更大的余量。電路中，電容器的額定電壓應(yīng)留有更大的余量。 電容器常用的規(guī)格標(biāo)志方法有直標(biāo)法 直標(biāo)法是電容器表面直接標(biāo)出主要參數(shù)的標(biāo)志方法，如圖所示CD293為電解電容器，額定電壓為400V，標(biāo)稱容量為 330

16、 F，允許偏差為20%，工作溫度85 。如下圖： 電感器也叫電感線圈，是利用電磁感應(yīng)原理制成的，電感器在電路中起著阻流、變壓、傳送信號等作用。電感器的種類很多，而且分類標(biāo)準(zhǔn)也不一樣，通常按電感量變化情況分為固定電感器、可變電感器、微調(diào)電感器等；按電感器線圈芯性質(zhì)又可分為空芯電感器、磁芯電感器、銅芯電感器等；按繞制特點可分為單層電感器、多層電感器、蜂房電感器等。 電感量：電感量：也稱為自感系數(shù)，是表示電感元件自感應(yīng)能力的一種物理量。當(dāng)通過一個線圈的磁通發(fā)生變化時，線圈中便會產(chǎn)生電勢，這是電磁感應(yīng)現(xiàn)象。電感量的基本單位為H（亨利），實際應(yīng)有中還有毫亨（mH），微亨（H），其換算關(guān)系如下：1H=10

17、3mH=106H。 電感量可用公式表示：L= N2 S/L 其中為介質(zhì)磁導(dǎo)率，N為線圈的圈數(shù)，L為線圈的長度，S為線圈的橫截面積。感抗：由于電感線圈的自感電勢總是阻止線圈中電流變化，故線圈對交流電有阻力作用，阻力大小就用感抗XL表示。XL與線圈電感量L和交流電頻率成正比，計算公式為： XL=2L。（式中XL單位為，單位為HZ，L單位為H）。不難看出，線圈通過低頻電流時XL小，通過直流電時XL為零，此時僅線圈的直流電阻起阻力作用（電感線圈的直流電阻很小，可近似短路）。通過高頻電流時XL很大，若L也大，則可看作開路。 品質(zhì)因素：即線圈在一定頻率的交流電壓下工作時感抗和等效損耗電阻之比。品質(zhì)因數(shù)Q用

18、來表示線圈損耗的大小，高頻線圈通常為50300。對調(diào)諧回路線圈的Q值要求較高，用高Q值的線圈與電容組成的諧振電路有更好的諧振特性。對耦合線圈，Q值要求可低一些，對高頻扼流圈和低頻扼流圈，Q值則無要求。Q值的大小，影響回路的選擇性、效率、濾波特性以及頻率的穩(wěn)定性。一般均希望Q值大，但提高線圈的Q值并不是一件容易的事，因此應(yīng)根據(jù)實際使用場合、對線圈Q值提出適當(dāng)?shù)囊蟆?分布電容：線圈繞組的匝與匝之間存在著分布電容，多層繞組層與層之間，也都存在著分布電容。這些分布電容可以等效成一個與線圈并聯(lián)的電容Co。這個電容的存在，使線圈的工作頻率受到限制，Q值也下降。圖示的等效電路，實際為一由L、R、和Co組成

19、的并聯(lián)諧振電路，其諧振頻率稱為線圈的固有頻率。為了保證線圈有效電感量的穩(wěn)定，使用電感線圈時，都使其工作頻率遠(yuǎn)低于線圈的固有頻率。C0RL穩(wěn)定性：電感量相對于溫度的穩(wěn)定性，用電感的溫度系數(shù)（L L2 2-L-L1 1）/ L/ L1 1（t t2 2-t-t1 1）10106 6表示，式中：L2和L1分別是溫度為t2和t1時的電感量。用電感的不穩(wěn)定系數(shù)表示溫度對電感量的影響，主要是因為導(dǎo)線受熱膨脹，使線圈產(chǎn)生幾何變形而引起的。減小這一影響的方法可將線圈用熱縮導(dǎo)管固定或用防潮物質(zhì)浸漬、環(huán)氧樹脂密封等。額定電流：指電感器長時間正常工作允許通過的最大直流電流值。實際工作電流應(yīng)小于額定電流，以免因為電感

20、過熱而引起損壞。 分類 電感量 特點與主要用途 長虹常用規(guī)格 穿芯電感器 幾個H 開關(guān)電路中抑制高頻噪聲TEM2001TEM2011固定電感器 幾十到幾百H 開關(guān)電路中抑制高頻噪聲LGT線路濾波器 幾mH到幾十mH 抑制電源和電網(wǎng)之間的干擾LCL扼流圈 幾十mH優(yōu)化電源電流波形行幅電感200H以下 通過調(diào)整電感量來調(diào)節(jié)行掃描電流，改變行幅HFT行線性電感幾十-200H 通過自身電感量變化改變行電流，控制掃描速度HXT行偏轉(zhuǎn)線圈 行電流產(chǎn)生交變磁場改變電子束的運動方向?qū)蓚€線圈靠近放在一起，當(dāng)一個線圈線中的電流變化時，穿過另一線圈的磁通會發(fā)生相應(yīng)的變化，從而使該線圈中出現(xiàn)感應(yīng)電勢，這就是互感現(xiàn)象

21、。變壓器就是根據(jù)互感原理制成的。 變壓器按線圈之間耦合材料分，有空芯變壓器、磁芯變壓器、鐵芯變壓器。按工作頻率分，有高頻變壓器、中頻變壓器、低頻變壓器、脈沖變壓器。如收音機的磁性天線，它是高頻變壓器；在收音機的中頻放大級，用的是中頻變壓器，俗稱“中周”；低頻變壓器種類較多，有電源變壓器、輸入變壓器等；電視機的行輸出變壓器，也稱“高壓包”，它是一種脈沖變壓器。 變壓比：變壓比是指變壓器初級電壓U1與次級電壓U2的比值，或初級線圈匝數(shù)N1與次級線圈匝數(shù)N2的比值。初、次級線圈匝數(shù)和電壓有以下關(guān)系：U1/U2= N1/N2 ； 變壓器的初、次級電流與匝數(shù)的關(guān)系: I1/I2= N2/N1 額定功率：

22、指在規(guī)定的頻率和電壓中變壓器能長時間工作而不超過規(guī)定溫升的輸出功率。額定功率的容量單位用VA（伏安）表示。溫升：指變壓器在滿負(fù)荷工作時線圈溫度上升后的穩(wěn)定值與工作環(huán)境溫度的差值，溫升是影響變壓器可靠性的重要參數(shù)。 效率：指變壓器輸出功率與輸入功率的比值。因為在電路中存在損耗的緣故，變壓器的效率總是小于100%。空載電流：次級負(fù)載為零（開路）時，初級中仍有一定的電流，這部分電流叫空載電流。絕緣電阻：變壓器各繞組間，繞組與鐵心之間并不是理想的絕緣。當(dāng)外加電壓時，會有漏電流存在，這是由于變壓器存在絕緣電阻所致。絕緣電阻越大漏電流越??；變壓器的絕緣電阻過小，可能會使儀器和設(shè)備機殼帶電，造成對儀器、設(shè)備

23、損壞或人身危害。 變壓器在電路中有電壓變換、電流變換、傳遞功率、絕緣隔離、阻抗變換等用途。電壓變換: 通過變壓器原繞組和副繞組匝數(shù)比來完成，不管功率傳送大小如何，原邊和副邊的電壓變換比等于原繞組和副繞組匝數(shù)比。傳遞功率：外加在變壓器原繞組上的交變電壓，在磁芯中產(chǎn)生磁通變化，使副繞組感應(yīng)電壓，加在負(fù)載上，從而使電功率從原邊傳送到副邊。n絕緣隔離: 通過變壓器原繞組和副繞組的絕緣結(jié)構(gòu)來完成。絕緣結(jié)構(gòu)的復(fù)雜程度，與外加和變換的電壓大小有關(guān)，電壓越高，絕緣結(jié)構(gòu)越復(fù)雜。n阻抗變換: 在電子線路的信號源和負(fù)載阻抗不匹配時，需用匹配元件或電路插在兩者之間以實現(xiàn)阻抗匹配，變壓器的阻抗變換功能便在此發(fā)揮作用Z1

24、=N2*Z2,(N=N1/N2)。n我們常用的變壓器有電源開關(guān)變壓器（BCK系列），行激勵變壓器(（BCT系列）)和行輸出變壓器（BSC系列） 。 晶體二極管為一個由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時，由于p-n 結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流。 二極管的類型 二極管種類有很多

25、，按照所用的半導(dǎo)體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據(jù)其不同用途，可分為整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管等。二極管的導(dǎo)電特性 二極管最重要的特性就是單方向?qū)щ娦浴Ｔ陔娐分校娏髦荒軓亩O管的正極流入，負(fù)極流出。 正向特性 在電子電路中，將二極管的正極接在高電位端，負(fù)極接在低電位端，二極管就會導(dǎo)通，這種連接方式，稱為正向偏置。必須說明，當(dāng)加在二極管兩端的正向電壓很小時，二極管仍然不能導(dǎo)通，流過二極管的正向電流十分微弱。只有當(dāng)正向電壓達到某一數(shù)值（這一數(shù)值稱為“門檻電壓”，鍺管約為0.2V，硅管約為0.6V）以后，二極管才能直正導(dǎo)通。導(dǎo)通后二極管兩端的電壓基本上保持不變（鍺管

26、約為0.3V，硅管約為0.7V），稱為二極管的“正向壓降”。 反向特性 在電子電路中，二極管的正極接在低電位端，負(fù)極接在高電位端，此時二極管中幾乎沒有電流流過，此時二極管處于截止?fàn)顟B(tài)，這種連接方式，稱為反向偏置。二極管處于反向偏置時，仍然會有微弱的反向電流流過二極管，稱為漏電流。當(dāng)二極管兩端的反向電壓增大到某一數(shù)值，反向電流會急劇增大，二極管將失去單方向?qū)щ娞匦裕@種狀態(tài)稱為二極管的擊穿。 額定正向工作電流IF，是指二極管長期連續(xù)工作時允許通過的最大正向電流值。因為電流通過管子時會使管芯發(fā)熱，溫度上升，溫度超過容許限度（硅管為140左右，鍺管為90左右）時，就會使管芯過熱而損壞。所以，二極管使

27、用中不要超過二極管額定正向工作電流值。最高反向工作電壓VR：加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時，會將管子擊穿，失去單向?qū)щ娔芰?。為了保證使用安全，規(guī)定了最高反向工作電壓值。 反向漏電流 IR：反向漏電流是指二極管在規(guī)定的溫度和最高反向電壓作用下，流過二極管的反向電流。反向漏電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高10，反向電流增大一倍。硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。 正向電壓降VF：二極管在通過額定正向整流電流時，在極間產(chǎn)生的壓降。 反向恢復(fù)時間Trr：反向恢復(fù)時間Trr的定義是：電流通過零點由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時間間隔。它

28、是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標(biāo)。反向恢復(fù)電流的波形如圖1所示。 IF為正向電流，IRM為最大反向恢復(fù)電流。IRR為反向恢復(fù)電流，通常規(guī)定IRR=0.1IRM。當(dāng)tt0時，正向電流I=IF。當(dāng)tt0時，由于整流器件上的正向電壓突然變成反向電壓，因此正向電流迅速降低，在t=t1時刻，I=0。然后整流器件上流過反向電流IR，并且IR逐漸增大；在t=t2時刻達到最大反向恢復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的作用，反向電流逐漸減小，并在t=t3時刻達到規(guī)定值IRR。從t1到t3的這段時間就是反向恢復(fù)時間Trr。分類特點與用途長虹常用規(guī)格整流二極管利用二極管的單向?qū)щ娦詫⒔涣麟娹D(zhuǎn)換為單向脈動直流電

29、 2CZ系列橋式整流二極管BY254等穩(wěn)壓二極管利用穩(wěn)壓管反向擊穿后，電流雖然在很大范圍內(nèi)變化，但穩(wěn)壓管兩端的電壓變化很小這一特性，穩(wěn)壓管在電路中起到穩(wěn)壓作用 W05Z系列 開關(guān)二極管二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導(dǎo)通狀態(tài)；在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止?fàn)顟B(tài)。利用二極管的開關(guān)特性，可以組成各種邏輯電路 1N4148BAV21等 發(fā)光二極管采用磷化鎵或磷砷化鎵等半導(dǎo)體材料制成的，以直接將電能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽艿陌l(fā)光器件。常用作指示燈等方面 FG5RDFG5GD n快恢復(fù)、超快恢復(fù)二極管：快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同，它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成P-I-N硅片。由于基

30、區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓?？旎謴?fù)二極管的反向恢復(fù)時間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進一步減小，使其trr可低至幾十納秒。此類二極管具有開關(guān)特性好，反向恢復(fù)時間短、正向電流大、體積小、安裝簡便等優(yōu)點。 肖特基二極管：由金屬和半導(dǎo)體采用平面工藝制造形成的，它僅用一種載流子（電子）輸送電荷，因而沒有少數(shù)載流子的存儲效應(yīng)。所以它具有反向恢復(fù)時間短和正向壓降低的突出優(yōu)點，它主要用于開關(guān)穩(wěn)壓電源做整流和逆變器中作續(xù)流二極管。但它的反向耐

31、壓值較低、反向漏電流較大，反向耐壓一般不超過100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。 分類分類 型號型號I IF F(A)(A)V VR R(V)(V)I IR R(A)(A)Trr(nS)(nS)V VF F(V)(V)整流二整流二極管極管橋式整橋式整流二極流二極管管BY254BY2541N54081N54083.03.0100010005.05.0 0.950.95RM11CRM11C1.21.2100010001010 0.950.95快恢復(fù)快恢復(fù)二極管二極管AU01ZAU01Z0.50.520020010104004001.71.7RU4AMRU4AM2.02.0600600101

32、06006001.31.3超超快恢快恢復(fù)復(fù)二極二極管管HER303HER3033.03.0200200101050501.01.02CZRU22CZRU21.01.060060010101001001.51.5肖特基肖特基二極管二極管AK03AK031.01.03030100100 0.550.55開關(guān)二開關(guān)二極管極管 1N41481N41480.150.151001005 54 41.01.0BAV21BAV210.250.252002000.10.150501.01.0 晶體三極管的結(jié)構(gòu)和類型晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基

33、片上制作兩個相距很近的PN結(jié)，兩個PN結(jié)把正塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種，如圖從三個區(qū)引出相應(yīng)的電極，分別為基極b發(fā)射極e和集電極c。發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫發(fā)射結(jié)，集電區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫集電極?；鶇^(qū)很薄，而發(fā)射區(qū)較厚，雜質(zhì)濃度大，PNP型三極管發(fā)射區(qū)發(fā)射的是空穴，其移動方向與電流方向一致，故發(fā)射極箭頭向里；NPN型三極管發(fā)射區(qū)發(fā)射的是自由電子，其移動方向與電流方向相反，故發(fā)射極箭頭向外。發(fā)射極箭頭向外。發(fā)射極箭頭指向也是PN結(jié)在正向電壓下的導(dǎo)通方向。硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。 三極管的封裝形式

34、和管腳識別常用三極管的封裝形式有金屬封裝和塑料封裝兩大類，引腳的排列方式具有一定的規(guī)律，如圖對于小功率金屬封裝三極管，按圖示底視圖位置放置，使三個引腳構(gòu)成等腰三角形的頂點上，從左向右依次為e b c；對于中小功率塑料三極管按圖使其平面朝向自己，三個引腳朝下放置，則從左到右依次為e b c。 目前，國內(nèi)外各種類型的晶體三極管有許多種，管腳的排列不盡相同，在使用中不確定管腳排列的三極管，必須進行測量確定各管腳正確的位置，或查找晶體管使用手冊，明確三極管的特性及相應(yīng)的技術(shù)參數(shù)和資料。n晶體管的特性曲線是表示一只晶體管各電極電壓與電流之間關(guān)系的曲線。是應(yīng)用晶體管和分析放大電路的重要依據(jù)。最常用的是共發(fā)

35、射極接法的輸入特性曲線和輸出特性曲線。AVmAVECRBIBUCEUBEICEB 輸入特性曲線：輸入特性曲線：當(dāng)UCE為常數(shù)時的IB與UBE之間的關(guān)系曲線。(參見右圖)，對硅管來說，當(dāng) UCE 1V時，集電結(jié)已處于反向偏置，發(fā)射結(jié)正向偏置所形成電流的絕大部分將形成集電極電流，但IB與UBE的關(guān)系依然與PN結(jié)的正向類似。(當(dāng)UCE更小， IB才會明顯增加) 硅管的死區(qū)電壓為0.5V，鍺管的死區(qū)電壓不超過0.2V。 放大狀態(tài)時，硅NPN管UBE=0.60.7V；鍺NPN管UBE = 0.2 0.3V。00.4200.8406080UBE(V)IB(A)UCE1Vn輸出特性曲線：是在IB為常數(shù)時，I

36、C與UCE之間的關(guān)系曲線。在不同的IB下，可得到不同的曲線，即晶體管的輸出特性曲線是一組曲線(見左圖)。n當(dāng)IB一定時，UCE超過約1V以后就將形成IC，當(dāng)UCE繼續(xù)增加時， IC 的增加將不再明顯。這是晶體管的恒流特性。n當(dāng)IB增加時，相應(yīng)的IC也增加，曲線上移，而且IC比IB 增加得更明顯。這是晶體管的電流放大作用。晶體三極管的三種工作狀態(tài)截止?fàn)顟B(tài)：當(dāng)加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓小于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，基極電流為零，集電極電流和發(fā)射極電流都為零，三極管這時失去了電流放大作用，集電極和發(fā)射極之間相當(dāng)于開關(guān)的斷開狀態(tài)。放大狀態(tài)：當(dāng)加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓大于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，并處于某一恰當(dāng)?shù)闹禃r，三極管的發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置，這時基極電流對集電極電流起著控制作用，使三極管具有電流放大作用，其電流放大倍數(shù)Ic/Ib，這時三極管處放大狀態(tài)。飽和導(dǎo)通狀態(tài)：當(dāng)加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓大于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，并當(dāng)基極電流增大到一定程度時，集電極電流不再隨著基極電流的增大而增大，而是處于某一定值附近不怎么變化，這時三極管失去電流放大作用，集電極與發(fā)射極之間的電壓很小，集電極和發(fā)射極之間相當(dāng)于開關(guān)的導(dǎo)通狀態(tài)。n直流參數(shù) n（1）集電極一基極反向飽和電流Icbo，發(fā)射極開路（Ie=0)時，基極和集電極之間加上規(guī)定的反向電壓Vcb時的集