第9章 刻蝕技術(shù)【ppt】

1、第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分1第9章 刻蝕技術(shù)9.1 刻蝕概述9.2 光刻膠去除9.3 掩膜版制作第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分29.1 刻蝕概述 在完成顯影檢驗(yàn)后，掩膜版的圖形就被固定在光刻膠膜上并準(zhǔn)備刻蝕。經(jīng)過(guò)刻蝕圖形就永久留在晶圓的表層。 定義： 目的： 第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分39.1 刻蝕概述光刻膠被刻蝕材料(a) 有光刻膠圖形的襯底(b) 刻蝕后的襯底光刻膠被保護(hù)層第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分49.1 刻蝕概述 刻蝕工藝分為兩大類(lèi)：濕法濕法和和干法干法刻蝕。 無(wú)論那一種方法，其

2、目的都是將光刻掩膜版上的圖形精確地轉(zhuǎn)移到晶圓表面。同時(shí)要求一致性、邊緣輪廓控制、選擇性、潔凈度都符合要求?？涛g方法見(jiàn)下圖?？涛g濕法干法沉浸噴射等離子體離子轟擊反應(yīng)離子刻蝕（.I.ER）桶形平面第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分59.1 刻蝕概述 濕法刻蝕濕法刻蝕 最原始的刻蝕工藝，就是將晶圓沉浸于裝有刻蝕液的槽中經(jīng)過(guò)一定的時(shí)間，再傳送到?jīng)_洗設(shè)備中除去殘余的酸（刻蝕液）在進(jìn)行最終的沖洗和甩干。 此工藝只能用于特征尺寸大于3m的產(chǎn)品，小于3m的產(chǎn)品由于控制和精度的需要一般使用干法刻蝕了。第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分69.1 刻蝕概述v濕法的刻蝕原理：濕

3、法的刻蝕原理： 濕法是接觸型腐蝕，以HF酸腐蝕SiO2為例，不同濃度的HF酸會(huì)有不同的反應(yīng)方程： SiO2 + 4HF = SiF4 + 2H2O 此反應(yīng)的產(chǎn)物是氣態(tài)的 SiF4和水第2章 微電子工藝基礎(chǔ)刻蝕關(guān)鍵參數(shù) 刻蝕速率 刻蝕剖面 刻蝕偏差 選擇比 殘留物 2022年2月15日9時(shí)49分7第2章 微電子工藝基礎(chǔ)刻蝕速率 2022年2月15日9時(shí)49分8T開(kāi)始結(jié)束t = 刻蝕時(shí)間T = 刻蝕掉的厚度第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分99.1 刻蝕概述v氣體壓力v氣體流量v射頻功率v溫度v負(fù)載效應(yīng)v腐蝕劑選擇比v反應(yīng)速度第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49

4、分109.1 刻蝕概述 刻蝕的反應(yīng)速率R可用Arrhenius方程描述： R = R0exp(-Ea/kT) 其中R0是常數(shù)，Ea是反應(yīng)的激活能，k是玻耳茲曼常數(shù)，T是溫度第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分11刻蝕剖面l 各向異性刻蝕與可向同性刻蝕各向異性刻蝕與可向同性刻蝕濕法各向同性化學(xué)腐蝕層（各向同性刻蝕是在各個(gè)方向上以同樣的速度進(jìn)行刻蝕）襯底膜膠第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分12具有垂直刻蝕剖面的各向異性刻蝕（各向異性刻蝕是僅在一個(gè)方向刻蝕）ResistSubstrateFilm第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分139.1

5、刻蝕概述 刻蝕工藝中容易出現(xiàn)的問(wèn)題： 不完全刻蝕 過(guò)刻蝕和底切 選擇比第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分149.1 刻蝕概述 不完全刻蝕不完全刻蝕 是指表面層刻蝕不 徹底，如圖所示。 產(chǎn)生的原因：產(chǎn)生的原因：l 太短的刻蝕時(shí)間；l 薄厚不均勻的待刻蝕層；l 過(guò)低的刻蝕溫度。晶圓光刻膠層第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分159.1 刻蝕概述 過(guò)刻蝕和底切過(guò)刻蝕和底切 與不完全刻蝕相反，不過(guò)通常是有意識(shí)的過(guò)刻蝕，因?yàn)榍〉胶锰幨呛茈y做到的。 由于各向同性刻蝕的存在,這樣就避免不了在側(cè)面形成一個(gè)斜面，這種現(xiàn)象稱(chēng)為底切（如右圖所示）。第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 202

6、2年2月15日9時(shí)49分169.1 刻蝕概述 刻蝕的目標(biāo): 是把這種底切控制在一個(gè)可以接受的范圍內(nèi)(程度可以是適度88-89度或者是近似于90度的)。由于這種底切的存在，在電路設(shè)計(jì)時(shí)必須考慮（即各器件之間留有余量以防止電路短路）。正常過(guò)刻蝕過(guò)刻蝕和光刻膠翹起第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分179.1 刻蝕概述 產(chǎn)生底切的原因產(chǎn)生底切的原因 除了各向同性刻蝕以外，產(chǎn)生底切的原因有：l 時(shí)間過(guò)長(zhǎng)l 溫度過(guò)高l 刻蝕液濃度太高l 光刻膠和晶圓表面的粘結(jié)力較弱l 開(kāi)孔邊緣粘結(jié)力失效等 徹底解決底切的方法是采用等離子體刻蝕。第2章 微電子工藝基礎(chǔ)Table 16.1 Type of

7、 EtchSidewall ProfileDiagramWet EtchIsotropicIsotropic(depending onequipment ¶meters)Anisotropic(depending onequipment ¶meters)Anisotropic TaperDry EtchSilicon Trench第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分199.1 刻蝕概述 選擇比選擇比 理想的刻蝕特性是：既要把該刻蝕的徹底、干凈地刻蝕掉，又要把不該刻蝕的原樣保留。這就是刻蝕的選擇性。 盡管不能完全做到，但在刻蝕液的選擇上盡量保證。同一種刻蝕液對(duì)不

8、同的材料刻蝕速度是不同的，通常用刻蝕速率來(lái)描寫(xiě)。第2章 微電子工藝基礎(chǔ)比如：SiO2/Si的選擇性從2040。 如如SiO2的刻蝕中的刻蝕中,好的選擇性的刻蝕液：好的選擇性的刻蝕液：v對(duì)光刻膠和硅的腐蝕速率很低對(duì)光刻膠和硅的腐蝕速率很低v對(duì)對(duì)SiO2的腐蝕速率很很高的腐蝕速率很很高 2022年2月15日9時(shí)49分20第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分21 選擇比的定義 定義在某一刻蝕過(guò)程中的兩種材料的選擇性S為在該刻蝕劑中材料1和材料2的刻蝕速率r1和r2之比。 S=r1/r2 材料1：待刻蝕薄膜材料 材料2：掩模（光刻膠或氧化硅） 當(dāng)S1時(shí)，刻蝕劑的選擇性較好S = Ef

9、ErEfNitrideOxideEr第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分229.1 刻蝕概述 例：要將硅襯底上1微米厚的SiO2薄膜刻蝕掉，已知氧化硅的腐蝕速率為0.4微米/分鐘。氧化硅對(duì)硅的刻蝕選擇比為25：1。如果刻蝕時(shí)間為3分鐘，硅襯底被腐蝕掉多少？第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分239.1 刻蝕概述 解： 硅的腐蝕速率 當(dāng)氧化硅完全腐蝕掉，才會(huì)腐蝕硅 腐蝕掉氧化硅的時(shí)間： 因此腐蝕硅的時(shí)間為0.5分鐘。則厚度為： min/016. 0min/4 . 02521mrrmrrSSiSimin5 . 2min/4 . 01mmtmh008. 05 .

10、0016. 0第2章 微電子工藝基礎(chǔ)殘留物 刻蝕殘留物是中的主要污染源，它具有電活性，影響器件性質(zhì) 一般采用過(guò)刻蝕去除 2022年2月15日9時(shí)49分24第2章 微電子工藝基礎(chǔ)9.1 刻蝕概述 對(duì)于小尺寸濕法刻蝕的局限性前面已經(jīng)提到，主要包括： 局限于3m以上的圖形尺寸； 各向同性刻蝕導(dǎo)致邊側(cè)形成斜坡； 要求沖洗和干燥步驟； 潛在地污染； 光刻膠粘結(jié)力失效導(dǎo)致底切。 2022年2月15日9時(shí)49分25第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分269.1 刻蝕概述干法刻蝕干法刻蝕 基于這些原因，干法刻蝕主要用于先進(jìn)電路的小尺寸精細(xì)刻蝕中。 干法刻蝕是指以氣體為主要媒體的刻蝕技術(shù)，晶圓

11、不需要液體化學(xué)品或沖洗，刻蝕過(guò)程在干燥的狀態(tài)進(jìn)出系統(tǒng)。第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分279.1 刻蝕概述干法刻蝕與濕法刻蝕相比的優(yōu)點(diǎn)：刻蝕剖面是各向異性，具有非常好的側(cè)壁剖面控制；最小的光刻膠脫落或黏附問(wèn)題；好的片內(nèi)、片間、批次間的刻蝕均勻性；較低的化學(xué)制品使用和處理費(fèi)用，無(wú)化學(xué)廢液分辨率高,細(xì)線(xiàn)條處理過(guò)程未引入污染易于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，表面損傷小缺點(diǎn):成本高,設(shè)備復(fù)雜第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分289.1 刻蝕概述 等離子體等離子體(回顧回顧) 等離子體是一種中性、高能量、離子化的氣體，包括中性原子或分子、帶電離子和自由電子。 當(dāng)從中性原子中去除一

12、個(gè)價(jià)電子時(shí)，形成正離子和自由電子。例如，當(dāng)原子結(jié)構(gòu)內(nèi)的原子和電子數(shù)目相等時(shí)氟是中性的，當(dāng)一個(gè)電子從它的核內(nèi)分離出去后氟就離子化了（見(jiàn)下圖）。在一個(gè)有限的工藝腔內(nèi)，利用強(qiáng)直流或交流磁場(chǎng)或用某些電子源轟擊氣體原子都會(huì)導(dǎo)致氣體原子的離子化。第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分299.1 刻蝕概述 離子的形成 F +9離子是質(zhì)子（）與電子（）數(shù)不等地原子電子從主原子中分離出來(lái).少一個(gè)電子的氟原子到原子失去一個(gè)電子時(shí)產(chǎn)生一個(gè)正離子 F +9具有質(zhì)子（9）和電子（9）數(shù)目相等地中性粒子是原子氟原子總共有7個(gè)價(jià)電子價(jià)層環(huán)最多能有8個(gè)電子價(jià)層電子（）內(nèi)層電子（）在原子核中的質(zhì)子（未顯示電子）

13、第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分309.1 刻蝕概述 干法刻蝕原理： 反應(yīng)腔加上射頻電場(chǎng)，刻蝕氣體放電產(chǎn)生等離子體，等離子體處于激發(fā)態(tài)，有很強(qiáng)的化學(xué)活性，撞擊在硅片上，發(fā)生反應(yīng)，腐蝕硅化物。第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分319.1 刻蝕概述 硅片的等離子體刻蝕過(guò)程 8)副產(chǎn)物去除 1) 刻蝕氣體進(jìn)入反應(yīng)室襯底刻蝕反應(yīng)室 2) 電場(chǎng)使反應(yīng)物分解 5) 反應(yīng)離子吸附在表面 4) 反應(yīng)正離子轟擊表面 6) 原子團(tuán)和表面膜的表面反應(yīng)排氣氣體傳送RF 發(fā)生器副產(chǎn)物 3) 電子和原子結(jié)合產(chǎn)生等離子體 7) 副產(chǎn)物解吸附陰極陽(yáng)極電場(chǎng)ll各向異性刻蝕各向同性刻蝕第

14、2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分329.1 刻蝕概述 各向異性刻蝕（側(cè)壁的惰性原子可以產(chǎn)生保護(hù)膜）第2章 微電子工藝基礎(chǔ)Chemical and Physical Dry Etch MechanismsReactive +ions bombard surfaceSurface reactions of radicals + surface filmDesorption of by-productsAnisotropic etchIsotropic etchSputtered surface materialChemical EtchingPhysical EtchingFi

15、gure 16.12 第2章 微電子工藝基礎(chǔ)不同材料的刻蝕方法 2022年2月15日9時(shí)49分34 氧化物氧化物 作用：制作接觸孔和通孔 要求：刻蝕出高深寬比的缺口，并且要求下層材料的選擇比 氮化硅氮化硅第2章 微電子工藝基礎(chǔ)Oxide Etch ReactorCF4C3F8C4F8CHF3NF3SiF4ArWaferElectrostatic chuckPlasmaSelection of fluorocarbon and hydrocarbon chemicalsHFCF2FCHFCH4Figure 16.26 第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 多晶硅 2022年2月15日9時(shí)49分36Polysi

16、licon gateGate oxideThe gate length determines channel length and defines boundaries for source and drain electrodes.DrainSourceGate第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 步驟：預(yù)刻蝕：用于去除自然氧化層、硬的掩蔽層和表面污染物主刻蝕：刻蝕多晶硅，但不損傷柵氧化層過(guò)刻蝕：用于去除刻蝕殘留物和剩余多晶硅 2022年2月15日9時(shí)49分37第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 單晶硅 主要是用于制作硅槽，如器件隔離溝槽或高密度的中垂直電容制作（數(shù)百萬(wàn)個(gè)電容溝槽） 方法：加入碳對(duì)側(cè)壁進(jìn)行鈍化 202

17、2年2月15日9時(shí)49分38第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 金屬 主要是金屬互聯(lián)線(xiàn)的鋁合金刻蝕 2022年2月15日9時(shí)49分39TiN Al + Cu (1%)Ti p+ Silicon substratep- Epitaxial layern-wellp-wellLI OxideILD-1Metal etchPhotoresist mask第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 主要步驟： 去除自然氧化層（自然氧化的鋁） 刻蝕其他材料層（如抗反射層） 主刻蝕（鋁） 去除殘留物的過(guò)刻蝕 去除光刻膠 2022年2月15日9時(shí)49分40第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分419.1 刻蝕概述CF4 C

18、F3+F*CF3 CF2+F*CF2 CF+F*Si+4F* SiF4SiO2+4F* SiF4 +O2Si3N4+4F* 3SiF4 +2N2干法刻蝕常用的離子1.多晶硅、氧化硅、氮化硅，采用CF4刻蝕第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分429.1 刻蝕概述2.鋁及其合金-氯基CCl4,CHCl33.難熔金屬氯基或氟基 TaSiX+nFTaF5+SiF4 TaSiX+nClTaCl5+SiCl44.光刻膠O2第2章 微電子工藝基礎(chǔ)刻蝕設(shè)備 等離子體刻蝕反應(yīng)器等離子體刻蝕反應(yīng)器 基本部件 發(fā)生刻蝕反應(yīng)的反應(yīng)腔 產(chǎn)生等離子體的射頻單元 氣體流量控制系統(tǒng) 去除刻蝕生成物和氣體的真

19、空系統(tǒng) 2022年2月15日9時(shí)49分43第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分44 等離子體刻蝕反應(yīng)器等離子體刻蝕反應(yīng)器 圓桶式等離子體刻蝕機(jī) 早期的離子體系統(tǒng)被設(shè)計(jì)成圓柱形的（如圖），在0.11托的壓力下具有幾乎完全的化學(xué)各向同性刻蝕，硅片垂直、小間距地裝在一個(gè)石英舟上。射頻功率加在圓柱兩邊的電極上。 特點(diǎn)：沒(méi)有物理轟擊，主要用于晶圓的表面去膠反應(yīng)氣體真空產(chǎn)生射頻的線(xiàn)圈真空泵Gas inRF 電極RF發(fā)生器Wafers石英舟Wafers反應(yīng)腔第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分45 平板（平面）等離子體刻蝕機(jī) 平板（平面）等離子體刻蝕機(jī)有兩個(gè)大小和位置對(duì)稱(chēng)

20、的平行金屬板，一個(gè)硅片背面朝下放置于接地的陰極上面，RF信號(hào)加在反應(yīng)器的上電極（13.56MHz）。由于等離子體電勢(shì)總是高于地電勢(shì)，因而是一種帶能離子進(jìn)行轟擊的等離子體刻蝕模式。l 物理和化學(xué)刻蝕均存在l 目前廣泛應(yīng)用晶圓反應(yīng)氣體等離子體場(chǎng)電極接地射頻第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分46羅茨泵工藝氣體ExhaustGas- flow controller壓力控制器Gas panelRF 發(fā)生器匹配網(wǎng)絡(luò)微控制器操作界面氣體彌散屏電極終點(diǎn)檢測(cè)信號(hào)壓力信號(hào)機(jī)械泵Wafer第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分47 相對(duì)于桶形刻蝕系統(tǒng)，平板式刻蝕系統(tǒng)平板式刻蝕系統(tǒng)

21、具有各向異性刻蝕的特點(diǎn)具有各向異性刻蝕的特點(diǎn)，從而可得幾乎垂直的側(cè)邊。 另外，旋轉(zhuǎn)晶圓盤(pán)可增加刻蝕的均勻性旋轉(zhuǎn)晶圓盤(pán)可增加刻蝕的均勻性。該系統(tǒng)可設(shè)計(jì)成批量和單個(gè)晶圓反應(yīng)室設(shè)置。 單個(gè)晶圓系統(tǒng)因其可對(duì)刻蝕參數(shù)精密控單個(gè)晶圓系統(tǒng)因其可對(duì)刻蝕參數(shù)精密控制制，從而得到均勻刻蝕而受到歡迎。第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分489.1 刻蝕概述粒子束刻蝕粒子束刻蝕 粒子束刻蝕也是干法刻蝕的一種，與化學(xué)等離子體刻蝕不同的是粒子束刻蝕是一個(gè)物理工藝。如圖所示，晶圓在真空反應(yīng)室內(nèi)被置于固定器上，并且向反應(yīng)室導(dǎo)入氬氣流。氬氣進(jìn)入反應(yīng)室便受到從一對(duì)陰陽(yáng)極來(lái)的高能電子束流的影響。電子將氬原子離子化

22、成帶正電荷的高能狀態(tài)。第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分499.1 刻蝕概述 由于晶圓位于接負(fù)極的固定器上，從而氬離子便被吸向固定器。在移動(dòng)的同時(shí)被加速以提高能量。在晶圓表面上它們轟擊進(jìn)入暴露的晶圓層并從晶圓表面炸掉一小部分從而達(dá)到刻蝕的目的。第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分509.1 刻蝕概述 優(yōu)點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)：刻蝕的方向 性非常好（屬于各 向異性），非常適 合高精度的小開(kāi)口 區(qū)域刻蝕 缺點(diǎn)：缺點(diǎn)：選擇性差， 存在離子化形成的 輻射損害。第2章 微電子工藝基礎(chǔ)Chemical Versus Physical Dry Plasma EtchingTable 1

23、6.3 第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分52 干法刻蝕中光刻膠的影響干法刻蝕中光刻膠的影響 （1）殘余的氧氣會(huì)刻蝕光刻膠層殘余的氧氣會(huì)刻蝕光刻膠層 對(duì)于濕法和干法刻蝕兩種工藝，圖形保護(hù)層是光刻膠層。在濕法刻蝕中對(duì)光刻膠層幾乎沒(méi)有來(lái)自刻蝕劑的刻蝕。然而在干法刻蝕中，殘余的氧氣會(huì)刻蝕殘余的氧氣會(huì)刻蝕光刻膠層光刻膠層。因此光刻膠層必須保證足夠光刻膠層必須保證足夠的厚度的厚度以應(yīng)付刻蝕劑的刻蝕而不至于變薄出現(xiàn)空洞。第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分53 （2）光刻膠容易烘焙到一個(gè)難于從晶圓光刻膠容易烘焙到一個(gè)難于從晶圓表面去除的狀態(tài)表面去除的狀態(tài) 另一個(gè)與光刻

24、膠相關(guān)的干法刻蝕問(wèn)題是光刻膠烘焙。在干法刻蝕反應(yīng)室內(nèi)，溫度可升到200，這樣的溫度可把光刻這樣的溫度可把光刻膠烘焙到一個(gè)難于從晶圓表面去除的狀膠烘焙到一個(gè)難于從晶圓表面去除的狀態(tài)態(tài)，還有就是高溫下光刻膠的流動(dòng)傾向會(huì)使圖形變差。第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分549.2 光刻膠去除 刻蝕工藝完成后，作為刻蝕阻擋層的光刻膠已經(jīng)完成任務(wù)，必須從表面去掉。 濕法去除濕法去除：傳統(tǒng)的方法是用濕法化學(xué)工藝去除，盡管有一些問(wèn)題，濕法去除在前線(xiàn)工藝還是經(jīng)常采用的一種方法（特別是硅片表面和MOS柵極暴露并易于受到等離子體中氧氣離子的損傷）。 第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)

25、49分559.2 光刻膠去除 濕法去除有許多不同的化學(xué)品，其選擇依據(jù)是晶圓表層、產(chǎn)品考慮、光刻膠極性和光刻膠的狀態(tài)（見(jiàn)下圖）。去除劑化學(xué)品去膠溫度（?C金屬化表面氧化物光刻膠極性酸：硫酸氧化劑+ 有機(jī)酸鉻硫酸溶液/溶液：NMP/AlkanolamineDMSO/MonothanolamineDMAC/DiethanolamineHydroxylamine (HDA)125 90110 20 95 95 100 65X X X X X X X X+/- +/- +/- + + + +第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分569.2 光刻膠去除優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)： 成本有效性好； 可有效去

26、除金屬離子； 低溫工藝并且不會(huì)將晶圓暴露于可能的損傷第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分579.2 光刻膠去除 無(wú)金屬表面的濕法化學(xué)去除無(wú)金屬表面的濕法化學(xué)去除 硫酸和氧化劑溶液 是最常用的去除無(wú)金屬表面光刻膠的去除劑。無(wú)金屬表面是指二氧化硅、氮化硅或多晶硅。此溶液可去除負(fù)光刻膠和正光刻膠。第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分589.2 光刻膠去除 有金屬表面的濕法化學(xué)去除有金屬表面的濕法化學(xué)去除 因?yàn)榻饘贂?huì)受到侵蝕和氧化，所以有金屬表面去除光刻膠相對(duì)比較困難。有三種類(lèi)型的液體化學(xué)品可供使用： 酚有機(jī)去除劑 溶液/胺去除劑 特殊濕法去除劑第2章 微電子工藝基礎(chǔ) 2022年2月15日9時(shí)49分599.2 光刻膠去除 干法去