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文檔簡(jiǎn)介

1、 近年來，歐美和日本等國基於節(jié)約能源與環(huán)境保護(hù)的共識(shí)，皆決定選擇白光發(fā)光二極體作為二十一世紀(jì)照明的新光源。再加上目前許多國家的能源都仰賴進(jìn)口，使得它在照明市場(chǎng)上的發(fā)展極具價(jià)值。根據(jù)專家評(píng)估，日本若是將所有白熾燈以白光發(fā)光二極體取代，則每年可省下 1 2 座發(fā)電廠的發(fā)電量，間接減少的耗油量達(dá) 10 億公升，而且在發(fā)電過程中所排放的二氧化碳也會(huì)減少，進(jìn)而抑制了溫室效應(yīng)。 (nm) = 1240 / Eg發(fā)光波長(zhǎng)發(fā)光波長(zhǎng)EcEv(直接能隙直接能隙)(輻射復(fù)合輻射復(fù)合)順偏使電流均勻分佈使電流均勻分佈, ,高高透光率透光率Sapphire substrateGaN buffer layern-GaNI

2、nGaN/GaN MQWp-GaNITOn-electrode(電極)p-elecrode (電極) 使電子及電洞使電子及電洞 更容易侷限在一起更容易侷限在一起 提供提供h+提供提供e-降低基板與n-GaN之間因晶格差異所產(chǎn)生的應(yīng)力基板20nm/50nm約約0.2m約約2mQuantun barrier (GaN)Quantun Well (InGaN) 多重量子井示意圖多重量子井示意圖約3.25v電電 流流 加加 至至160mA 時(shí)時(shí) 達(dá)達(dá) 到到 飽飽 和和 。 若若 注注 入入 電電 流流 持持 續(xù)續(xù) 增增 加加 , ,則則 多多 餘餘 能能 量量 轉(zhuǎn)轉(zhuǎn) 成成 非非 輻輻 射射 復(fù)復(fù) 合合 ; ; 相相 對(duì)對(duì) 發(fā)發(fā) 光光 強(qiáng)強(qiáng) 度度 降降 低低 。約約344(mcd)(460,2806)(450,1403)(470,1403) FWHM = ( 450 + 470 ) = 20(nm) 半高寬值越小 , 表示此 LED chip 結(jié)晶品質(zhì)越好,出光純度越佳Blue shiftRed shiftBlue shift by Band Filling Effect & Quantum Confin

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