第8講_透射電子顯微鏡(TEM)_20111104

1、 透射電子顯微鏡是以波長(zhǎng)很短的電子束做照明源，用電磁透鏡聚焦成像的一種具有高分辨本領(lǐng)，高放大倍數(shù)的電子光學(xué)儀器。測(cè)試的樣品要求厚度極?。◣资{米），以便使電子束透過樣品。 第8講 透射電子顯微分析2011年11月4日Transmission Electron MicroscopeTEM 發(fā)展歷史發(fā)展歷史 在電子光學(xué)微觀分析儀器中，透射電鏡歷史久，發(fā)展快，應(yīng)用范圍也最廣泛1932-1933，Ruska等制備第一臺(tái)透射電子顯微鏡后，透射電鏡就已初步定型生產(chǎn)，并已達(dá)到分辨率優(yōu)于2nm的水平到40年代末， 透射電鏡的主體己基本定型。由電子槍和兩個(gè)聚光鏡組成照明系統(tǒng)，產(chǎn)生一束聚焦很細(xì)、亮度高、發(fā)散度小的

2、電子束；由物鏡、中間鏡和投影鏡三個(gè)透鏡組成三級(jí)放大的成像系統(tǒng)； 給出分辨率優(yōu)于lnm放大幾十萬倍的電子像。透射電鏡的發(fā)展帶動(dòng)了電子光學(xué)儀器和技術(shù)的發(fā)展，在此基礎(chǔ)上發(fā)展越來越多的高精尖儀器一、儀器結(jié)構(gòu)介紹v透射電子顯微鏡由三大部分組成：v電子光學(xué)系統(tǒng)，v真空系統(tǒng)v供電控制系統(tǒng)。v電子光學(xué)系統(tǒng)，又稱鏡筒，是電子顯微鏡的主體。 1、電子槍 2、聚光鏡 3、物鏡、中間鏡和投影鏡v4、消像散 5、熒光屏、照相系統(tǒng) 6、樣品室v v電子光學(xué)系統(tǒng)，又稱鏡筒，是電子顯微鏡的主體。 1、電子槍 2、聚光鏡 3、物鏡、中間鏡和投影鏡v4、消像散 5、熒光屏、照相系統(tǒng) 6、樣品室v v電子光學(xué)系統(tǒng)，又稱鏡筒，是電子

3、顯微鏡的主體。 1、電子槍 2、聚光鏡 3、物鏡、中間鏡和投影鏡v4、消像散 5、熒光屏、照相系統(tǒng) 6、樣品室v CM200-FEG場(chǎng)發(fā)射槍電鏡JEM-2010透射電鏡加速電壓200KVLaB6燈絲點(diǎn)分辨率 1.94加速電壓20KV、40KV、80KV、160KV、200KV可連續(xù)設(shè)置加速電壓熱場(chǎng)發(fā)射槍晶格分辨率 1.4點(diǎn)分辨率 2.4最小電子束直徑1nm能量分辨率約1ev傾轉(zhuǎn)角度=20度 =25度JEM-2010透射電鏡加速電壓200KVLaB6燈絲點(diǎn)分辨率 1.94EM420透射電子顯微鏡加速電壓20KV、40KV、60KV、80KV、100KV、120KV晶格分辨率 2.04點(diǎn)分辨率 3

4、.4最小電子束直徑約2nm傾轉(zhuǎn)角度=60度 =30度Philips CM12透射電鏡加速電壓20KV、40KV、60KV、80KV、100KV、120KVLaB6或W燈絲晶格分辨率 2.04點(diǎn)分辨率 3.4最小電子束直徑約2nm；傾轉(zhuǎn)角度=20度 =25度CEISS902電鏡加速電壓50KV、80KVW燈絲頂插式樣品臺(tái)能量分辨率1.5ev傾轉(zhuǎn)角度=60度 轉(zhuǎn)動(dòng)40001）電子光學(xué)部分整個(gè)電子光學(xué)部分完全置于鏡筒之內(nèi)，自上而下順序排列整個(gè)電子光學(xué)部分完全置于鏡筒之內(nèi)，自上而下順序排列著電子槍、聚光鏡、樣品室、著電子槍、聚光鏡、樣品室、 物鏡、中間鏡、投影鏡、觀物鏡、中間鏡、投影鏡、觀察室、熒光屏

5、、照相機(jī)構(gòu)等裝置察室、熒光屏、照相機(jī)構(gòu)等裝置根據(jù)這些裝置的功能不同又可根據(jù)這些裝置的功能不同又可 將電子光學(xué)部分分為照明系將電子光學(xué)部分分為照明系統(tǒng)、樣品室、成像系統(tǒng)及圖像觀察和記錄系統(tǒng)統(tǒng)、樣品室、成像系統(tǒng)及圖像觀察和記錄系統(tǒng)（1）照明系統(tǒng)照明系統(tǒng)由電子槍、聚光鏡和相應(yīng)的平移對(duì)中及傾斜調(diào)節(jié)裝置組成。它的作用是為成像系統(tǒng)提供 一束亮度高、相干性好的照明光源。為滿足暗場(chǎng)成像的需要照明電子束可在2-3度范圍內(nèi)傾斜電子槍。它由陰極、柵極和陽極構(gòu)成。 在真空中通電加熱后使從陰極發(fā)射的電子獲得較高的動(dòng)能形成定向高速電子流聚光鏡。聚光鏡的作用是會(huì)聚從電子槍發(fā)射出來的電子束，控制照明孔徑角、電流密度和光斑尺寸

6、(2)樣品室樣品室中有樣品桿、樣品杯及樣品臺(tái)(3)成像系統(tǒng) 一般由物鏡、中間鏡和投影鏡組成。物鏡的分辨本領(lǐng)決定了電鏡的分辨本領(lǐng)，中間鏡和投影鏡的作用是將來自物鏡的圖像進(jìn)一步放大(4)圖像觀察與記錄系統(tǒng) 該系統(tǒng)由熒光屏、照相機(jī)、數(shù)據(jù)顯示等組成2）真空系統(tǒng)v真空系統(tǒng)由機(jī)械泵、油擴(kuò)散泵、換向閥門、真空測(cè)量?jī)x奉及真空管道組成。它的作用是排除鏡筒內(nèi)氣體，使鏡筒真空度至少要在 托以上v如果真空度低的話，電子與氣體分子之間的碰撞引起散射而影響襯度，還會(huì)使電子?xùn)艠O與陽極間高壓電離導(dǎo)致極間放電，殘余的氣體還會(huì)腐蝕燈絲，污染樣品3）供電控制系統(tǒng) v加速電壓和透鏡磁電流不穩(wěn)定將會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的色差加速電壓和透鏡磁電流不

7、穩(wěn)定將會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的色差及降低電鏡的分辨本領(lǐng)，所以加速電壓和透鏡電流及降低電鏡的分辨本領(lǐng)，所以加速電壓和透鏡電流的穩(wěn)定度是衡量電鏡性能好壞的一個(gè)重要標(biāo)準(zhǔn)的穩(wěn)定度是衡量電鏡性能好壞的一個(gè)重要標(biāo)準(zhǔn)v透射電鏡的電路主要由高壓直流電源、透鏡勵(lì)磁電透射電鏡的電路主要由高壓直流電源、透鏡勵(lì)磁電源、偏轉(zhuǎn)器線圈電源、電子槍燈絲加熱電源，以及源、偏轉(zhuǎn)器線圈電源、電子槍燈絲加熱電源，以及真空系統(tǒng)控制電路、真空泵電源、照相驅(qū)動(dòng)裝置及真空系統(tǒng)控制電路、真空泵電源、照相驅(qū)動(dòng)裝置及自動(dòng)曝光電路等部分組成。自動(dòng)曝光電路等部分組成。v另外，許多高性能的電鏡上還裝備有掃描附件、能另外，許多高性能的電鏡上還裝備有掃描附件、能譜議、

8、電子能量損失譜等儀器譜議、電子能量損失譜等儀器二、成像原理v 透射電子顯微鏡中，物鏡、中間鏡，總的放大倍數(shù)就是各個(gè)透鏡倍率的乘積。v M = M0.Mi.Mpv 式中：M0-物鏡放大倍率，數(shù)值在50-100范圍；Mi-中間鏡放大倍率，數(shù)值在0-20范圍；Mp-投影鏡放大倍率，數(shù)值在100-150范圍，總的放大倍率M在1000-200,000倍內(nèi)連續(xù)變化。v據(jù)阿貝成像理論在物鏡的后焦面上有衍射譜，可以通過減弱中間鏡電流來增大其物距，使其物平面與物鏡的后焦面相重，這樣就可以把物鏡產(chǎn)生的衍射譜透到中間鏡的像平面上，得到一次放大了的電子衍射譜，再經(jīng)過投影鏡的放大作用，最后在熒光屏上得到二次放大的電子衍

9、射譜三、性能與制樣三、性能與制樣v 透射電子顯微鏡利用穿透樣品的電子束透射電子顯微鏡利用穿透樣品的電子束成像，這就要求被觀察的樣品對(duì)入射電子束成像，這就要求被觀察的樣品對(duì)入射電子束是是“透明透明”的。的。v對(duì)于透射電鏡常用的加速電壓為對(duì)于透射電鏡常用的加速電壓為100KV，因，因此適宜的樣品厚度約此適宜的樣品厚度約200納米。納米。 v 目前，樣品可以通過兩種方法獲得，一目前，樣品可以通過兩種方法獲得，一是表面復(fù)型技術(shù)，二是樣品減薄技術(shù)。是表面復(fù)型技術(shù)，二是樣品減薄技術(shù)。 v1、表面復(fù)型技術(shù)、表面復(fù)型技術(shù) v 所謂復(fù)型技術(shù)就是把樣品表面的顯微組織浮雕復(fù)所謂復(fù)型技術(shù)就是把樣品表面的顯微組織浮雕復(fù)

10、制到一種很薄的膜上，然后把復(fù)制膜（叫做制到一種很薄的膜上，然后把復(fù)制膜（叫做“復(fù)型復(fù)型”）放到透射電鏡中去觀察分析，這樣才使透射電鏡應(yīng)用放到透射電鏡中去觀察分析，這樣才使透射電鏡應(yīng)用于顯示材料的顯微組織。復(fù)型膜必須滿足以下特點(diǎn)：于顯示材料的顯微組織。復(fù)型膜必須滿足以下特點(diǎn)： v1）本身是）本身是“非晶體的，在高倍（如十萬倍）成像時(shí)，非晶體的，在高倍（如十萬倍）成像時(shí)，也不顯示其本身的任何結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)。也不顯示其本身的任何結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)。 v2）對(duì)電子束足夠透明（物質(zhì)原子序數(shù)低）；）對(duì)電子束足夠透明（物質(zhì)原子序數(shù)低）； v3）具有足夠的強(qiáng)度和剛度，在復(fù)制過程中不致破裂或）具有足夠的強(qiáng)度和剛度，在復(fù)制過程中

11、不致破裂或畸變；畸變； v4）具有良好的導(dǎo)電性，耐電子束轟擊；）具有良好的導(dǎo)電性，耐電子束轟擊； v5）是分子尺寸較小的物質(zhì)）是分子尺寸較小的物質(zhì)-分辨率較高。分辨率較高。 v常用的復(fù)型材料是塑料和真空蒸發(fā)沉積碳膜，碳復(fù)型常用的復(fù)型材料是塑料和真空蒸發(fā)沉積碳膜，碳復(fù)型比塑料復(fù)型要好。比塑料復(fù)型要好。金相復(fù)型的制備方法金相復(fù)型的制備方法 1對(duì)金相試樣的要求 試樣要細(xì)心磨制，仔細(xì)拋光， 力求避免產(chǎn)生微小的磨痕及變形層，浸蝕劑與做金相試驗(yàn)時(shí)所用的浸蝕劑相同，浸蝕應(yīng)淺些，這樣可保留組織細(xì)節(jié)。2塑料一碳二級(jí)復(fù)型 塑料一碳二級(jí)復(fù)型由于其制備過程不損壞金相試樣表面，重復(fù)性好，供觀察的第二級(jí)復(fù)型一碳膜導(dǎo)電導(dǎo)熱

12、性好，在電子束照射下較為穩(wěn)定，因而得到廣泛的應(yīng)用。具體制備方法如下： （1 1） 在樣品表面滴一滴丙酮，然啟貼上一片與樣品大小相在樣品表面滴一滴丙酮，然啟貼上一片與樣品大小相近的近的ACAC紙紙(6(6醋酸纖維素丙酮溶液薄膜醋酸纖維素丙酮溶液薄膜) )。注意不要留下氣。注意不要留下氣泡或皺折待泡或皺折待ACAC紙干透后小心揭下。反復(fù)貼紙干透后小心揭下。反復(fù)貼ACAC紙紙3-43-4次以去次以去除腐蝕產(chǎn)物，將最后一片除腐蝕產(chǎn)物，將最后一片ACAC紙留下，這片紙留下，這片ACAC紙就是所需要的紙就是所需要的塑料一級(jí)復(fù)型。塑料一級(jí)復(fù)型。（2 2） 將將ACAC紙復(fù)型面朝上平整地貼在襯有紙片的膠帶紙上

13、。紙復(fù)型面朝上平整地貼在襯有紙片的膠帶紙上。（3 3） 將復(fù)型放人真空鍍膜機(jī)真空室中，使投影重金屬的蒸將復(fù)型放人真空鍍膜機(jī)真空室中，使投影重金屬的蒸發(fā)源與復(fù)型成一定角度，角度視表面凸凹而定，通常在發(fā)源與復(fù)型成一定角度，角度視表面凸凹而定，通常在1515一一4545度之間。常投影后再沿垂直方向噴鍍一層碳當(dāng)無油處白度之間。常投影后再沿垂直方向噴鍍一層碳當(dāng)無油處白色瓷片變成淺褐色時(shí)為宜。色瓷片變成淺褐色時(shí)為宜。 （4 4） 將醋酸纖維一碳復(fù)合膜剪成小于中將醋酸纖維一碳復(fù)合膜剪成小于中3mm3mm小片投入丙酮小片投入丙酮中，待醋酸纖維素溶解后，用鑷子夾住銅網(wǎng)將碳膜撈起如中，待醋酸纖維素溶解后，用鑷子夾

14、住銅網(wǎng)將碳膜撈起如果碳膜卷曲，可將其撈人蒸餾水中，靠水的表面聲力把卷負(fù)果碳膜卷曲，可將其撈人蒸餾水中，靠水的表面聲力把卷負(fù)的碳膜展開，然后再用銅網(wǎng)撈起的碳膜展開，然后再用銅網(wǎng)撈起（5 5） 將撈起的碳膜放到濾紙上吸水干燥后即可放人電鏡中將撈起的碳膜放到濾紙上吸水干燥后即可放人電鏡中觀察觀察復(fù)型示意圖2、樣品減薄技術(shù)、樣品減薄技術(shù) v 復(fù)型技術(shù)只能對(duì)樣品表面性貌進(jìn)行復(fù)制，不能復(fù)型技術(shù)只能對(duì)樣品表面性貌進(jìn)行復(fù)制，不能揭示晶體內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)信息。揭示晶體內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)信息。 樣品減薄技術(shù)可以克服上述缺點(diǎn)，樣品減薄技術(shù)可以克服上述缺點(diǎn)， 它的特點(diǎn)：它的特點(diǎn)：v1）可以最有效地發(fā)揮電鏡的高分辨率本領(lǐng)；）可以

15、最有效地發(fā)揮電鏡的高分辨率本領(lǐng)； v2）能夠觀察金屬及其合金的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和晶體缺陷，）能夠觀察金屬及其合金的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和晶體缺陷，并能對(duì)同一微區(qū)進(jìn)行衍襯成像及電子衍射研究，并能對(duì)同一微區(qū)進(jìn)行衍襯成像及電子衍射研究，把形貌信息與結(jié)構(gòu)信息聯(lián)系起來；把形貌信息與結(jié)構(gòu)信息聯(lián)系起來； v3）能夠進(jìn)行動(dòng)態(tài)觀察，研究在變溫情況下相變的）能夠進(jìn)行動(dòng)態(tài)觀察，研究在變溫情況下相變的生核長(zhǎng)大過程，以及位錯(cuò)等晶體缺陷在引力下的生核長(zhǎng)大過程，以及位錯(cuò)等晶體缺陷在引力下的運(yùn)動(dòng)與交互作用。運(yùn)動(dòng)與交互作用。減?。撼∏衅ㄉ飿悠罚?、電解拋光（金屬樣減薄：超薄切片（生物樣品）、電解拋光（金屬樣品）、化學(xué)拋光（半導(dǎo)體、單晶體、氧化

16、物）、品）、化學(xué)拋光（半導(dǎo)體、單晶體、氧化物）、離子轟擊（無機(jī)非金屬材料、要進(jìn)行預(yù)切割）離子轟擊（無機(jī)非金屬材料、要進(jìn)行預(yù)切割）v 用于透射電鏡觀察式樣的要求是：它的上下用于透射電鏡觀察式樣的要求是：它的上下底面應(yīng)該大致平行，厚度應(yīng)在底面應(yīng)該大致平行，厚度應(yīng)在50-500nm，表面，表面清潔。制備薄膜一般有以下步驟：清潔。制備薄膜一般有以下步驟：v（1）切取厚度小于）切取厚度小于0.5mm的薄塊。的薄塊。 v（2）用金相砂紙研磨，把薄塊減薄到）用金相砂紙研磨，把薄塊減薄到0.1mm-0.05mm左右的薄片。為避免嚴(yán)重發(fā)熱或形成應(yīng)左右的薄片。為避免嚴(yán)重發(fā)熱或形成應(yīng)力，可采用化學(xué)拋光法。力，可采用

17、化學(xué)拋光法。 v（3）用電解拋光，或離子轟擊法進(jìn)行最終減薄，）用電解拋光，或離子轟擊法進(jìn)行最終減薄，在孔洞邊緣獲得厚度小于在孔洞邊緣獲得厚度小于500nm的薄膜。的薄膜。 生物磁鐵礦晶體的完好晶形 （TEM照片）沙塵暴的礦物顆粒海鹽氣溶膠顆粒；匈牙利上空大陸大氣層中收集到的煤灰/硫化物混合顆粒的TEI煤灰/硫化物混合顆粒的TEM圖象 Sol-gel法合成羥磷灰石, 可分辨出毛發(fā)狀、長(zhǎng)柱狀的晶體輪廓, 但晶面發(fā)育不明顯 (TEI)Somu Iijima(飯島飯島)于于1991年年在電子顯微鏡下發(fā)現(xiàn)納米碳在電子顯微鏡下發(fā)現(xiàn)納米碳管，管，Nature，354 (1991) 56.Bi系超導(dǎo)氧化物的堆

18、積缺陷層調(diào)整Stacking faultLayer modulation四、電子衍射技術(shù)四、電子衍射技術(shù)v 利用透射電鏡進(jìn)行物相形貌觀察，僅是一種較為直接的應(yīng)用，透射電鏡還可得到另外一類圖像-電子衍射圖。圖中每一斑點(diǎn)都分別代表一個(gè)晶面族，不同的電子衍射譜圖又反映出不同的物質(zhì)結(jié)構(gòu)。 1、特點(diǎn)、特點(diǎn)v電子衍射原理和電子衍射原理和X射線衍射原理是完全一樣的，射線衍射原理是完全一樣的，但較之其還有以下特點(diǎn)：但較之其還有以下特點(diǎn)： v1）電子衍射可與物像的形貌觀察同步結(jié)合，）電子衍射可與物像的形貌觀察同步結(jié)合，使人們能在高倍下選擇微區(qū)進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)分析，使人們能在高倍下選擇微區(qū)進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)分析，弄清微區(qū)的

19、物相組成；弄清微區(qū)的物相組成； v2）電子波長(zhǎng)短，使單晶電子衍射斑點(diǎn)大都分）電子波長(zhǎng)短，使單晶電子衍射斑點(diǎn)大都分布在一二維倒易截面內(nèi)，這對(duì)分析晶體結(jié)構(gòu)和布在一二維倒易截面內(nèi)，這對(duì)分析晶體結(jié)構(gòu)和位向關(guān)系帶來很大方便；位向關(guān)系帶來很大方便； v3）電子衍射強(qiáng)度大，所需曝光時(shí)間短，攝取）電子衍射強(qiáng)度大，所需曝光時(shí)間短，攝取衍射花樣時(shí)僅需幾秒鐘。衍射花樣時(shí)僅需幾秒鐘。 v2、單晶電子衍射 當(dāng)一電子束照射在單晶體薄膜上時(shí)，透射束穿過薄膜到達(dá)感光相紙上形成中間亮斑；衍射束則偏離透射束形成有規(guī)則的衍射斑點(diǎn)（電子衍射圖1）。v3、多晶電子衍射 多晶體由于晶粒數(shù)目極大且晶面位向在空間任意分布，倒易點(diǎn)陣將變成倒易

20、球。倒易球與愛瓦爾德球相交后在相紙上的投影將成為一個(gè)個(gè)同心圓（電子衍射圖2）。 Electron Diffraction Pattern晶體多晶體非晶體v4、選區(qū)電子衍射v（1）原理：v 在中間鏡上方放一孔徑可變的選區(qū)光闌，把不感興趣的區(qū)域擋掉。這時(shí)可以得到選區(qū)成像；維持樣品位置和孔徑光闌不變，而減弱中間鏡電流轉(zhuǎn)變?yōu)檠苌浞绞讲僮?，則此時(shí)將得到選區(qū)電子衍射結(jié)果。 換言之，經(jīng)過上述兩步操作，我們得到了所需的選區(qū)圖像及其微區(qū)電子衍射。經(jīng)過對(duì)電子衍射花樣的標(biāo)定就可知道選區(qū)圖像的物質(zhì)結(jié)構(gòu)將形貌信息與結(jié)構(gòu)信息進(jìn)行聯(lián)合分析。 衍射花樣與晶體的幾何關(guān)系衍射花樣與晶體的幾何關(guān)系 vBragg定律：2d sin=

21、d = 晶面間距 電子波長(zhǎng) q = Bragg 衍射角v衍射花樣投影距離：當(dāng)很小 tan22sin rd=L=常數(shù)q2tanLr qqqrOGGLdv（2）幾何特點(diǎn)：）幾何特點(diǎn)：v 1）作）作Ewald球球 根據(jù)布拉格方程，根據(jù)布拉格方程，極小，則極小，則極小。極小。v 2） 極小，則極小，則Ewald球球 極大，球面接近平面。極大，球面接近平面。v R=Ltg2Lsin22Lsinv 可得可得 R/L=2sin=/dv電子衍射的基本公式電子衍射的基本公式： v R/L=/d v 式中：式中：R衍射斑點(diǎn)距中心的距離衍射斑點(diǎn)距中心的距離v 電子波長(zhǎng)，它與加速電壓有關(guān)電子波長(zhǎng)，它與加速電壓有關(guān)v

22、L鏡筒長(zhǎng)度，為定鏡筒長(zhǎng)度，為定值值v v設(shè)：K=L為相機(jī)常數(shù)，則 R=K/d=Kr* v可知 1、R與r*有關(guān)，與r*的值成正比；v 2、衍射斑點(diǎn)為倒易點(diǎn)的投影可以證明，電子衍射結(jié)果是晶體倒易點(diǎn)陣投影的直觀反映，對(duì)它們進(jìn)行標(biāo)定（指標(biāo)化），可得到倒易點(diǎn)陣空間分布狀態(tài)電子衍射與電子衍射與X X射線衍射相比較，具有下列不同之處：射線衍射相比較，具有下列不同之處：v首先，電子波的波長(zhǎng)比首先，電子波的波長(zhǎng)比X X射線短得多，在同樣滿足射線短得多，在同樣滿足布拉格條件時(shí)，它的衍射角布拉格條件時(shí)，它的衍射角很小，約為很小，約為1010-2-2radradv其次，在進(jìn)行電子衍射操作時(shí)采用薄晶樣品，薄樣其次，在進(jìn)行電子衍射操作時(shí)采用薄晶樣品，薄樣品的倒易陣點(diǎn)會(huì)沿著樣品厚度方向延伸成桿狀，因品的倒易陣點(diǎn)會(huì)沿著樣品厚度方向延伸成桿狀，因此，增加了倒易陣點(diǎn)和愛瓦爾德球相交截德機(jī)會(huì)，此，增加了倒易陣點(diǎn)和愛瓦爾德球相交截德機(jī)會(huì)，結(jié)果使略為偏離布拉格條件德電子束也能發(fā)生衍射結(jié)果使略為偏離布拉格條件德電子束也能發(fā)生衍射v第三，因?yàn)殡娮硬ǖ虏ㄩL(zhǎng)短，采用愛瓦爾德球圖解第三，因?yàn)殡娮硬ǖ虏ㄩL(zhǎng)短，采用愛瓦爾德球圖解時(shí)，反射球德半徑很