(第六章)刻蝕_第1頁(yè)
(第六章)刻蝕_第2頁(yè)
(第六章)刻蝕_第3頁(yè)
(第六章)刻蝕_第4頁(yè)
(第六章)刻蝕_第5頁(yè)
已閱讀5頁(yè)，還剩55頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

Photoresist maskFilm to be etched(a) Photoresist-patterned substrate(b) Substrate after etchPhotoresist maskProtected filmTStart of etchEnd of etcht = elapsed time during etchT = change in thicknessSubstrateFilmResistResistSubstrateFilm(a)BiasResistFilmSubstrateWbWaUndercutSubstrateResistFilmOveretch(b) （a）0時(shí)刻 （b）t1時(shí)刻Emax：最大刻蝕速率Emin：最小刻蝕速率Eave：平均刻蝕速率 硅片的等離子體刻蝕過程圖等離子體的電位相對(duì)于接地電極來(lái)說(shuō)是正的，等離子體區(qū)域中的電勢(shì)在系統(tǒng)中最大刻蝕機(jī)輝光放電區(qū)域原理圖和電勢(shì)分布圖刻蝕機(jī)輝光放電區(qū)域原理圖和電勢(shì)分布圖典型圓桶式反應(yīng)器結(jié)構(gòu)在等離子刻蝕中被激發(fā)的基團(tuán)的特征波長(zhǎng)Plasma-etchinga wafer

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論