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精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上例題 : Cu晶體的空位形成能Ev為0.9ev/atom，或1.44×1019 J/atom，材料常數(shù)A取作1，玻爾茲曼常數(shù)k1.38×10 23 J/K，計(jì)算：（已知Cu的摩爾質(zhì)量為MCu63.54g/mol， 500下Cu的密度Cu8.96 ×106 g/m3 ) 1）在500下，每立方米Cu中的空位數(shù)目。2） 500下的平衡空位濃度。解：首先確定1m3體積內(nèi)Cu原子的總數(shù)：1） 將N代入空位平衡濃度公式，計(jì)算空位數(shù)目nv2） 2）計(jì)算空位濃度即在500時(shí)，每106個(gè)原子中才有1.4個(gè)空位制作半導(dǎo)體元件時(shí),常在Si表面沉積一薄層硼,然后加熱使之?dāng)U散.測(cè)得1100時(shí)硼的擴(kuò)散系數(shù)DB=4×10-7m2/s , 硼的薄膜質(zhì)量M為：M=9.43×1019個(gè)原子.求:擴(kuò)散時(shí)間t=7×107S后表面(x=0)硼的濃度.解:將已知條件代入個(gè)原子/m3C0 =0.1C （綱件原始濃度），CS 1（鋼件滲碳后表層C），滲碳溫度為9301.61×1012m2/s求：滲碳4小時(shí)以后在x0.2mm處的碳濃度（C）值。解：先求誤差函數(shù) 0.657 查誤差函數(shù)表可知：er

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