4氬弧焊高頻通斷控制用高頻固態(tài)繼電器交底書

1、氬弧焊高頻通斷控制用高頻固態(tài)繼電器發(fā)明名稱：氬弧焊高頻通斷控制用高頻固態(tài)繼電器 一. 申請(qǐng)實(shí)用新型專利1. 簡(jiǎn)述要求保護(hù)的技術(shù)方案所屬的技術(shù)領(lǐng)域，或直接應(yīng)用的技術(shù)環(huán)境。該技術(shù)方案是采用可控半導(dǎo)體元件替代傳統(tǒng)氬弧焊機(jī)高頻通斷控制的繼電器。圖一，為傳統(tǒng)氬弧焊機(jī)的高頻引弧部分方框圖： 圖一中：逆變器1產(chǎn)生310V 110KHZ高頻方波電流，通過繼電器2的控制，送到增壓引弧器3和高頻引弧器4上?？刂评^電器2的通與斷，可以控制增壓引弧器及高頻引弧器的工作，達(dá)到氬弧焊引弧的目的。由于繼電器2是普通的電磁繼電器，其觸點(diǎn)的開通與關(guān)斷均是由線包電磁力和觸電臂彈力控制的機(jī)械動(dòng)作，用來開通與關(guān)斷310V 110KH

2、Z的高頻方波電流是非常不合理的。表現(xiàn)為觸電斷開時(shí)高頻高壓不易斷弧，觸電因拉弧而快速損傷，繼電器工作壽命大為降低。圖二是本實(shí)用新型的方案： 該方案是用一個(gè)交流高頻電子開關(guān)來替代原來的繼電器 圖中：5，6，7，8是快恢復(fù)二極管，9是開關(guān)器件的柵極電阻，10是開關(guān)器件的柵極保護(hù)穩(wěn)壓二極管，11是開關(guān)器件，12和13分別是開關(guān)器件阻容吸收電阻和電容。 其工作原理如下：將A和B接入原繼電器的A和B處，A和B上就加有310V 110KHZ高頻方波交流電壓，這個(gè)電壓經(jīng)過由快恢復(fù)二極管5，6，7，8組成的整流橋，整流成脈動(dòng)直流電壓，該電壓直接加在開關(guān)器件11上。若開關(guān)器件11柵極沒有驅(qū)動(dòng)電壓，開關(guān)器件處于關(guān)斷

3、狀態(tài)，沒有電流流過，從而使A和B間沒有電流流過，A和B對(duì)回路呈高阻狀態(tài)，起到了關(guān)斷高頻的作用。若開關(guān)器件11柵極有驅(qū)動(dòng)電壓，開關(guān)器件處于開通狀態(tài)，有電流流過，從而使A和B間有電流流過，A和B對(duì)回路呈導(dǎo)通低阻狀態(tài)，起到了開通高頻的作用。圖二中的開關(guān)器件11屬于高頻開關(guān)器件，可以是晶體三極管（BJT），絕緣刪場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（IGBT）。作為實(shí)施案例，圖三，圖四和圖五給出了具體的實(shí)施電路。 圖三：采用晶體三極管的方案 圖四：采用絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管（IGBT）的方案圖五：采用絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）的方案2. 詳細(xì)介紹該技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)，與要求保護(hù)的技術(shù)方案最接近的現(xiàn)

4、有技術(shù)。3. 客觀地指出最接近的現(xiàn)有技術(shù)的缺陷和不足?，F(xiàn)有方案是：才用普通的電磁繼電器，其觸點(diǎn)的開通與關(guān)斷均是由線包電磁力和觸電臂彈力控制的機(jī)械動(dòng)作，用來開通與關(guān)斷310V 110KHZ的高頻方波電流是非常不合理的。表現(xiàn)為觸電斷開時(shí)高頻高壓不易斷弧，觸電因拉弧而快速損傷，繼電器工作壽命大為降低。4. 重點(diǎn)描述要求保護(hù)的技術(shù)方案的具體實(shí)施例，可以結(jié)合附圖（如三視圖、流程圖、邏輯方框圖、電路原理圖等），詳細(xì)說明實(shí)施例的機(jī)械結(jié)構(gòu)、形狀構(gòu)造、電路組成、工作原理，以及狀態(tài)的變化過程。最好同時(shí)提供相關(guān)的技術(shù)參數(shù)和試驗(yàn)數(shù)據(jù)，便于他人根據(jù)專利申請(qǐng)文件，在生產(chǎn)過程中能夠順利實(shí)現(xiàn)該技術(shù)方案的具體運(yùn)用。 圖三，圖四和圖五給出了具體的實(shí)施電路案例。 三個(gè)方案均是采用高頻開關(guān)器件和快恢復(fù)二極管組成高頻交流電子開關(guān)，這種開關(guān)在開通和關(guān)斷時(shí)沒有機(jī)械觸點(diǎn)，不會(huì)出現(xiàn)拉弧現(xiàn)象。其壽命延長(zhǎng)幾個(gè)數(shù)量級(jí)。5.簡(jiǎn)單、準(zhǔn)確地點(diǎn)明要求保護(hù)的技術(shù)方案與最接近的現(xiàn)有技術(shù)關(guān)鍵的區(qū)別特征。1，由高頻開關(guān)器件和快恢復(fù)二極管組成交流高頻開關(guān)。2，高頻開關(guān)器件可以是晶體三極管（BJT），絕緣刪場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（IGBT）。6.針對(duì)最接近的現(xiàn)有技術(shù)的缺陷和不足，要求保護(hù)的技術(shù)方案解決了哪幾項(xiàng)技術(shù)問題