熱平衡狀態(tài)半導(dǎo)體

1、第章熱平衡狀態(tài)半導(dǎo)體1. 物質(zhì)電気抵抗良知電気抵抗観點(diǎn)見物質(zhì)導(dǎo)體、絶縁體半導(dǎo)體種類分類。大雑把云、金屬代表導(dǎo)體、一般室溫電気抵抗、約10cm以下、等代表絶縁體少約10cm以上（一般1012cm以上）、半導(dǎo)體値中間、不純物導(dǎo)入、內(nèi)部電荷密度広範(fàn)囲制御事今日半導(dǎo)體素子技術(shù)可能原因一。様電気抵抗大違、物質(zhì)中自由動(dòng)回電子存在違依、金屬1 cm3中約1 022個(gè)程度自由動(dòng)回電子存在、絶縁體殆存在。後詳述、半導(dǎo)體電荷運(yùn)、負(fù)電荷通常電子他、正電荷持正孔存在、電子電気伝導(dǎo)主寄與型、正孔主寄與型異性質(zhì)持物使分、後見整流性持始色実現(xiàn)。半導(dǎo)體現(xiàn)在半導(dǎo)體（Si）化（GaAs）等良知、他多半導(dǎo)體存在。元素半導(dǎo)體C、Si

2、、Ge、Sn化合物半導(dǎo)體SiC、SiGe等化合物半導(dǎo)體BN、GaAs、GaP、AlSb、GaAlAsP等化合物半導(dǎo)體CdSe、ZnS、HdTe等（化合物半導(dǎo)體PbS、PbTe、CuO等）最後化合物半導(dǎo)體除1)、常構(gòu)成元素価數(shù)平均後見一。-1) 化合物半導(dǎo)體結(jié)晶橫造（立方晶)他物異以下述議論當(dāng)。族価価見、當(dāng)。2. 原子結(jié)合2.1 水素分子2)（結(jié)合)水素原子互近付水素分子出來事良知。時(shí)水素原子同志間隔約0.8程度、孤立水素原子周存在基底狀態(tài)電子軌道半徑（0.53)倍小。事電子同志互影響及合事（交換相互作用)意味、現(xiàn)実電子軌道混合、混成軌道作、水素分子方孤立水素原子的安定事意味。間事情図1-1示文

3、獻(xiàn)1-1。橫軸孤立水素原子周存在基底狀態(tài)電子軌道半徑（0.53：半徑呼)単位、縦軸孤立水素原子周存在基底狀態(tài)電子結(jié)合（13.6 eV：単位呼)単位。原子同志充分離相互作用無結(jié)合、近付従反発（正分子作)引合（負(fù)分子作)等相互作用効。図中古典的取扱結(jié)果橫軸近辺分子作事期待結(jié)合大。排他率（即迄含時(shí)狀態(tài)電子存在)考慮結(jié)果、電子互異場(chǎng)合非常安定、同場(chǎng)合安定分子生成事示。近付原子核同志反発大、場(chǎng)合不安定事図明。水素分子水素原子分離（結(jié)合切斷)、4.5 eV)必要。2.2 半導(dǎo)體結(jié)晶（Si）原子周期率表屬原子番號(hào)、即個(gè)電子持（軌道：個(gè)、：個(gè)、：個(gè)、：個(gè)、：個(gè) ）。電子內(nèi)、電子各軌道完全満、殘個(gè)電子軌道満狀態(tài)

4、。一Si原子周幾Si原子配置間隔縮行軌道混合、図1-2a）示一Si原子正面體中心位置、周Si原子正面體頂點(diǎn)位置並安定狀態(tài)、連続図1-2b）示結(jié)晶構(gòu)造4）。 中央Si原子見周原子全等価、各互-2) 水素原子、水素分子詳細(xì)関、LPaulingE. B. Wilson ”Introduction to Quantum Mechanics "等參照事。（詳細(xì)理解持必要無）3）単位換算表1-等參照事。電子出合結(jié)合作。結(jié)合同志成角度109度軌道3軌道（軌道軌道）呼5)。 時(shí)結(jié)合（即結(jié)合切斷必要）1.8 eV。（）Ge場(chǎng)合Si同様結(jié)晶構(gòu)造。GaAs等結(jié)晶、各原子Si時(shí)同様SP34結(jié)合作場(chǎng)

5、合例Ga周As原子正面體頂點(diǎn)位置、As周逆。結(jié)晶於正面體Si場(chǎng)合同様並居場(chǎng)合（図1-2c）亜鉛鉱構(gòu)造呼。 GaAs他多化合物半導(dǎo)體構(gòu)造。他方、CdSZnS等SP3構(gòu)造正面體基本、腳注述原子間反発力強(qiáng)、Cd同志極力離位置占、図1-2d示方緻密格子基本鉱構(gòu)造結(jié)晶作。3. 半導(dǎo)體（入門6）3.1 i狀態(tài)Si原子多數(shù)個(gè)互近付事、結(jié)晶構(gòu)造作事述、狀態(tài)多Si原子、互等価狀態(tài)（即各原子區(qū)別付狀態(tài)）存在。、狀態(tài)電子本來全同、先述排他率、完全同一狀態(tài)、各少異狀態(tài)。狀態(tài)、図1-3示図1-1場(chǎng)合少異、原子間隔縮従各的幅持SP3結(jié)合狀態(tài)（価電子帯呼）、的高位置反結(jié)合狀態(tài)（伝導(dǎo)帯呼）別。様幅持狀態(tài)（?。┖?。Si於、室溫

6、安定點(diǎn)価電子帯上端伝導(dǎo)帯下端間隔（又禁制帯幅）1.08 eV。-4）構(gòu)造実現(xiàn)、正面體頂點(diǎn)原子延殘本結(jié)合電子元正面體殘本結(jié)合電子反発合最遠(yuǎn)離起、必然的結(jié)晶構(gòu)造。GaAs等Ga価正、As価負(fù)同原子同志互反発合事考、亜鉛鉱構(gòu)造作、Si場(chǎng)合同様結(jié)合電子反発方強(qiáng)、CdS様鉱構(gòu)造作同志反発力方強(qiáng)。5）SP3軌道導(dǎo)出行、各原子（Si）電子各結(jié)合行各結(jié)合他結(jié)合可能限離的望結(jié)合同志角109度事容易理解。6）帯付、量子力學(xué)等用本格的議論必要、本質(zhì)説明。本格的取扱付録。価電子帯存在電子先見結(jié)晶構(gòu)造作時(shí)結(jié)合奇與電子、既見各Si原子個(gè)提供、Si結(jié)晶於図1-示、価電子帯完全満（狀態(tài)個(gè)電子存在）、伝導(dǎo)帯電子存在、原理的結(jié)晶

7、中自由動(dòng)電子存在。他半導(dǎo)體於、事情同、全完全満価電子帯電子存在伝導(dǎo)帯持。低溫純粋半導(dǎo)體材料絶縁體?，F(xiàn)実室溫一般程度電気抵抗示。後述、熱価電子帯電子一部伝導(dǎo)帯押上、不純物混入等。3.2 表示古典力學(xué)於、運(yùn)動(dòng)物體運(yùn)動(dòng)位置和表、運(yùn)動(dòng) 式1-1示。物體質(zhì)量、物體速度（一般）、mv運(yùn)動(dòng)量。量子力學(xué)於運(yùn)動(dòng)量表、定數(shù)割、運(yùn)動(dòng)量（momentum vector)。、運(yùn)動(dòng)量縦軸、橫軸取表現(xiàn)、自由空間存在物體運(yùn)動(dòng)量関係（式1-1）図1-5様表。表現(xiàn)図表示呼。実際半導(dǎo)體中電子場(chǎng)合、結(jié)晶周期性結(jié)晶內(nèi)運(yùn)動(dòng)方向等違図非常複雑、解析的表現(xiàn)、現(xiàn)在知代表的半導(dǎo)體結(jié)晶図例図1-6 A）示7)。B）伝導(dǎo)帯中最低場(chǎng)所示。価電子帯中最

8、高場(chǎng)所伝導(dǎo)帯中最低場(chǎng)所差又禁制帯幅、先見通室溫Si於1.08 eV。注目置事、Si於伝導(dǎo)帯底、価電子帯項(xiàng)點(diǎn)運(yùn)動(dòng)量（）値異、様物間接遷移型（In-direct Transition Type）。一方GaAs同値、直接遷移型（Direct Transition Type）8)。 -7）更多半導(dǎo)體詳細(xì)図付録示。8）後見、発光等直接遷移型半導(dǎo)體実現(xiàn)。3.3 有効質(zhì)量自由空間物質(zhì)運(yùn)動(dòng)関係式1-1図1-5表事示、実際半導(dǎo)體運(yùn)動(dòng)量関係図1-6見式1-1表。、様狀態(tài)、電子運(yùn)動(dòng)式1-1記述便利。図1-6 B）示伝導(dǎo)帯中最低場(chǎng)所（伝導(dǎo)帯底）、運(yùn)動(dòng)量関係無理式1-1記述（無論運(yùn)動(dòng)量k表、）。実際伝導(dǎo)帯底次曲線質(zhì)量自

9、由空間電子質(zhì)量違値共、値電子運(yùn)動(dòng)方向依存量。量自由空間電子質(zhì)量割値有効質(zhì)量（厳密量、一般対角成分扱事多）。説明読単面倒手続思、現(xiàn)実有効質(zhì)量概念導(dǎo)入、半導(dǎo)體複雑內(nèi)電子運(yùn)動(dòng)自由電子同様扱、電子振舞簡(jiǎn)単記述共、半導(dǎo)體性質(zhì)把握便利。価電子帯中電子抜穴正孔9)呼、正孔対同様取扱事依正孔有効質(zhì)量得事出來。4. 半導(dǎo)體中電子正孔4.1 半導(dǎo)體電気抵抗前見純粋半導(dǎo)體全電子結(jié)合関與。価電子帯完全詰、伝導(dǎo)帯電子存在絶縁體予測(cè)、実験的純粋半導(dǎo)體、低溫絶縁體。例室溫純粋Si數(shù)kcm以上抵抗、更純度低物0.1mcm程度導(dǎo)體。理由、完全純粋Si室溫程度熱（約25 meV程度）、価電子帯電子一部（約10個(gè)cm3程度）伝導(dǎo)帯

10、押上半導(dǎo)體中自由動(dòng)廻共、価電子帯電子跡抜穴次電子埋行事、電子抜穴正電荷持動(dòng)狀態(tài)（正孔、（Hole）呼。）電気伝導(dǎo)寄與。純度低Si以外結(jié)晶含不純物更多電子正孔加、電気伝導(dǎo)度大。-9）正孔電子抜後電荷正値取。4.2 真性半導(dǎo)體 熱的伝導(dǎo)帯存在電子數(shù)調(diào)、伝導(dǎo)帯中各対電子存在確率、電子存在狀態(tài)數(shù)可能性全渡集計(jì)。、式1-2最初項(xiàng)、即、電子存在確率表分布関數(shù)、F(E)、呼 式1-3表。分布形狀模式的図1-7示10) 。図明、高F(E)小、逆低F(E)限近付。Ef呼（準(zhǔn)位呼）、存在確率。充分高時(shí)（EEf）大時(shí)）式1-3単exp( EEf )kT近似、分布?；瘜W(xué)対応。第項(xiàng)、即単位體積內(nèi)、電子存在狀態(tài)數(shù)（単位體

11、積當(dāng)數(shù)、密度）狀態(tài)密度関數(shù)呼、 式1-4表。Ec伝導(dǎo)帯底、me伝導(dǎo)帯中電子有効質(zhì)量。式1-3式1-4表現(xiàn)式1-2入事、溫度伝導(dǎo)帯存在電子數(shù)求事出來11）。-10）分布関數(shù)、後取扱非常重要役割果、導(dǎo)出関付録。11）狀態(tài)密度先分布関數(shù)共半導(dǎo)體素子動(dòng)作理解重要関係式。導(dǎo)出付録。準(zhǔn)位、伝導(dǎo)帯底、並価電子帯頂上數(shù)倍以上離事仮定。結(jié)果式1-5表。伝導(dǎo)帯內(nèi)電子密度、me電子有効質(zhì)量、EfSi準(zhǔn)位。積分Ec以上行、価電子帯伝導(dǎo)帯間自由電荷存在狀態(tài)無、価電子帯中電子処正孔扱。、2（2mekTh2）32Nc伝導(dǎo)帯実効狀態(tài)密度呼。F12（EF）積分12）、EFECkT數(shù)倍以上時(shí)、12exp（EF2）近付、 式1-6

12、表。他方、価電子帯存在正孔先述通電気伝導(dǎo)寄與。正孔対式1-2式1-6迄同様扱出來。正孔電子抜穴例分布関數(shù)電子存在確率、 式1-7表、狀態(tài)密度-12）式1-8表。Fh(E)、h(E)、mh等付""各表記正孔分事示13）、Ev価電子帯最高部分示。場(chǎng)合積分実行、価電子帯存在正孔數(shù)、式1-9表。（既EvEf kT仮定）現(xiàn)2（2mhkTh2）32v価電子帯実効狀態(tài)密度呼。注目事、式1-6式1-9掛合、 式1-10関係得。式1-10溫度一定、移動(dòng)可能電子正孔數(shù)積常一定準(zhǔn)位位置依存事示。事後見不純物含準(zhǔn)位移動(dòng)狀態(tài)関係成立事示14)。Eg、ECEv、。純粋半導(dǎo)體成立時(shí)値、 式1-11-13

13、）電子正孔區(qū)別、一般電子場(chǎng)合、”e”、正孔場(chǎng)合、”h”付。電子數(shù)表、正孔數(shù)表。14）熱平衡狀態(tài)成立物。関係色局面役立関係。例Si室溫積約1020程度分電子數(shù)與自動(dòng)的正孔數(shù)求。真性電子濃度（ Intrinsic Carrier Concentration ）、特n、p記述。時(shí)、準(zhǔn)位中央位置15) 。図1-8幾半導(dǎo)體場(chǎng)合伝導(dǎo)帯內(nèi)存在電子密度溫度関係示。図明室溫近辺値、Ge約1012Si約1010、GaAs約10程度、違殆価電子帯伝導(dǎo)帯差、ECE、E差起因。、式1-10関係質(zhì)量作用法則（ Law of Mass Action ）呼。5. 半導(dǎo)體中不純物5.1 型、型例Si結(jié)晶中一原子燐、族原子置換狀

14、態(tài)考。原子番號(hào)大殆Si近、外郭電子個(gè)電子持。內(nèi)電子周囲SiSP3結(jié)合作原子Si原子振舞。、Si原子比燐原子価正帯電、周結(jié)合寄與電子捉。事情図1-9示、図明、狀態(tài)完全Si結(jié)晶中水素原子存在見6)。余分電子低溫水素原子電子正帯電拘束、充分高溫電子熱拘束離、正帯電電子分離、電子半導(dǎo)體中自由動(dòng)回（伝導(dǎo)帯中存在）半導(dǎo)體電気伝導(dǎo)度増大。代素：、等族原子入場(chǎng)合、外郭電子個(gè)、SP34結(jié)合満電子不足、仮想的負(fù)水素原子Si入狀態(tài)（Si原子水素原子取除狀態(tài)）。場(chǎng)合充分熱大（高溫）仮想的負(fù)水素原子負(fù)帯電、正電子相當(dāng)（即中性狀態(tài)電子取除狀態(tài)：正孔）、（化云）正孔半導(dǎo)體中自由動(dòng)回（価電子帯中存在）。場(chǎng)合半導(dǎo)體電気伝導(dǎo)度量

15、比例増大。物質(zhì)不純物、特?zé)岬幕娮觼粚?dǎo)帯出（Donor）、B正孔出（電子受?。ˋcceptor）呼。含半導(dǎo)體型半導(dǎo)體（電気伝導(dǎo)負(fù)Negative電荷持電子）、含半導(dǎo)體型半導(dǎo)體（電気伝導(dǎo)正Positive電荷正孔）。族、族原子等同様議論不純物成物。-15）事置事求、（式式等置）E12 E十34 kT 1og（mh me）得、mh me置Ef 1/2Eg得。16）少違言方、”完全Si結(jié)晶中一Si原子位置水素原子重畳狀態(tài)”云。例取上Si族半導(dǎo)體族族原子成狀態(tài)説明、GaAs様族等化合物半導(dǎo)體不純物少様子異。例族Ga代族In入、又族As代族入不純物成、InGaAsP族化合物半導(dǎo)體事。逆Ga代Si入余分

16、電子個(gè)、As代Si入電子個(gè)足成等、Si場(chǎng)合較事情複雑。5.2 不純物簡(jiǎn)単取扱先見室溫近辺不純物化電子正孔既電気伝導(dǎo)寄與。室溫?zé)嵯纫娂s25 meV程度、水素原子電子拘束約13.6 eV圧倒的熱大、本來、熱化起。実際、例Si中等不純物化約20 meV程度。間事情次説明。水素原子捉電子拘束軌道半徑（SI系）、式1-12式1-13表文獻(xiàn)1-2。任意整數(shù)基底狀態(tài)。m0、q、0自由電子質(zhì)量、電荷、真空中誘電率。水素原子於値基底狀態(tài) () 対各13.6 eV、0.53、各定數(shù) (Rydberg Unit)、半徑 (Bohr Radius) 事見。、型型半導(dǎo)體中不純物、水素原子場(chǎng)合等価取扱可能、電子正孔半導(dǎo)體

17、中居、質(zhì)量前見有効質(zhì)量、誘電率半導(dǎo)體17) 。例Sime0.2 m0、11.70、-17）議論、半導(dǎo)體有効質(zhì)量誘電率使理由説明、仮定。仮定妥當(dāng)性、後議論得完分低不純物拘束電荷準(zhǔn)位伝導(dǎo)帯底価電子帯頂上殆等事、拘束電荷半徑充分大半導(dǎo)體均一物認(rèn)識(shí)良結(jié)果得。EDrD理想的不純物捉電子拘束狀態(tài)軌道半徑。結(jié)果不純物拘束電子軌道內(nèi)Si結(jié)晶格子定數(shù)見、約1000個(gè)Si原子含事示、計(jì)算Si誘電率用事（即Si結(jié)晶均一物質(zhì)見事）妥當(dāng)性裏付。20 meV室溫?zé)幔?5 meV）以下電子不純物拘束離自由半導(dǎo)體內(nèi)（伝導(dǎo)?。﹦?dòng)回事示、束縛電子準(zhǔn)位伝導(dǎo)帯底非常近、計(jì)算有効質(zhì)量使事妥當(dāng)性裏付。様伝導(dǎo)帯価電子帯非常近不純物準(zhǔn)位淺不

18、純物準(zhǔn)位呼。逆伝導(dǎo)帯離準(zhǔn)位価電子帯離準(zhǔn)位深不純物準(zhǔn)位呼。5.3 各種半導(dǎo)體內(nèi)不純物実験的求各種半導(dǎo)體中不純物準(zhǔn)位図1-10示文獻(xiàn)1-3、文獻(xiàn)1-4。図中無印物伝導(dǎo)帯近、価電子帯近、特D書、示。各不純物下數(shù)字化、各伝導(dǎo)帯価電子帯的近計(jì)。図明Si中、Al、Ga等、As、Sb等成、化理論予測(cè)良合。GaAs中族原子Si Ge等理論予測(cè)通、両方、化予想通小。、SiGaAs深準(zhǔn)位持不純物多存在。不純物先見水素様準(zhǔn)位取扱妥當(dāng)8）。様準(zhǔn)位作不純物遷移金屬等多、一般用不純物多19）、-18)不純物原子結(jié)合関與電子他電子遮蔽、原子大Si較大、大歪作、Si位置入結(jié)晶格子本來Si原子無割込物、場(chǎng)合、簡(jiǎn)単取扱説明。19

19、）Si中金等、深準(zhǔn)位作、後見一般電子正孔壽命短極力排除、逆性質(zhì)積極的高速等利用場(chǎng)合。物理的色重要情報(bào)與。特Si中Au狀態(tài)変位（、）高速化等用。3.5 不純物含半導(dǎo)體電荷分布準(zhǔn)位、As等不純物含事導(dǎo)體型、Sb含半導(dǎo)體型事、不純物（淺）含半導(dǎo)體電気伝導(dǎo)度大事等述、定量的取扱。議論本質(zhì)、半導(dǎo)體不純物導(dǎo)入時(shí)、電荷半導(dǎo)體中動(dòng)回、不純物固定動(dòng)差、半導(dǎo)體中常正電荷數(shù)負(fù)電荷數(shù)等、全體中性事。電気的中性條件成立、不純物密度（密度ND表、密度A表）、溫度決半導(dǎo)體中電子正孔密度一義的決。以下関係導(dǎo)。中性條件、負(fù)電荷密度正電荷密度書表。負(fù)電荷密度伝導(dǎo)帯有、半導(dǎo)體中自由動(dòng)電子密度半導(dǎo)體中固定化原子密度和、正電荷密度価電

20、子帯有、同様半導(dǎo)體中自由動(dòng)正孔密度、固定化原子密度和。事式表、負(fù)電荷密度NAND+正電荷密度式1-14NA化密度（正孔価電子帯放出密度）表、ND+ 化密度（電子伝導(dǎo)帯放出密度）表。式1-14中、式1-6式1-9表。化密度NAND+ 、各 式1-15並、 式1-16表20）。EA、ED、準(zhǔn)位各価電子帯、伝導(dǎo)帯差。、式用、半導(dǎo)體種類、不純物濃度 (NA、EA、ND、ED)與、電子密度、正孔密度、準(zhǔn)位EF一義的溫度関數(shù)決定、実際算出余簡(jiǎn)単、物理的得事困難。以下幾特徴的場(chǎng)合近似解求。型不純物（準(zhǔn)位：D、濃度：D) 含場(chǎng)合。中性條件、伝導(dǎo)帯存在電子密度、準(zhǔn)位存在電子密度和全密度等置事得。価電子帯伝導(dǎo)帯電

21、子上來無視仮定（ n > ni ）。中性條件、 式1-17D、 、電子捕、中性密度、式1-6用、 式1-18更F(ED) 関 近似成立。EfED上來仮定、関係式準(zhǔn)位次様求。 式1-19-20) 実際、Si場(chǎng)合式於、不純物場(chǎng)合exp前、l4、不純物場(chǎng)合、12。各不純物準(zhǔn)位縮退狀態(tài)反映。半導(dǎo)體種類異縮退定數(shù)変。伝導(dǎo)帯電子密度、式1-19式1-6代入、 式1-20様求。型（準(zhǔn)位：D、濃度：）型（準(zhǔn)位：A濃度：A)、両方不純物含場(chǎng)合。 高溫領(lǐng)域溫度非常高領(lǐng)域、NA又ND、n並p真性電子濃度、式1-11與、 。狀態(tài)準(zhǔn)位前見禁制帯中央付近。飽和領(lǐng)類域溫度下、真性電子濃度不純物濃度少不純物寄與主體、型

22、半導(dǎo)體NDNA ni 成立場(chǎng)合、式1-14掛pn=ni 2援用、 式1-21NDN、n ND、 與。式1-6組合 式1-22得、更式1-11組合、 式1-23、準(zhǔn)位溫度低下共禁制帯中央部次第伝導(dǎo)帯底近付。型半導(dǎo)體事情丁度逆 並 式1-24、 式1-25等成立。 凍結(jié)領(lǐng)域更溫度下、例型半導(dǎo)體場(chǎng)合、高溫伝導(dǎo)帯居自由動(dòng)廻電子溫度低下共、次第化不純物捉、電気伝導(dǎo)寄與。様狀態(tài)対次様近似用都合良。密度、ND、密度、NA、伝導(dǎo)帯電子密度、存在電子密度、nD、価電子帯正孔存在 ()仮定。場(chǎng)合中性條件、 式1-26仮定、式書換、式1-27、 式1-28等得。関係援用次式左辺様項(xiàng)考、結(jié)果右辺様。 式1-29、近似

23、右辺n式1-6表、 式1-30関係得、式以下溫度領(lǐng)域存在事。様狀態(tài)伝導(dǎo)帯中存在電子數(shù)、型半導(dǎo)體（NNA）例取次二場(chǎng)合考、場(chǎng)合NDNA場(chǎng)合、 式1-31式1-32、exp（12kT）比例溫度共小。場(chǎng)合NDNA場(chǎng)合、式1-33、式1-34、 exp（1kT）比例溫度共小。注意事、場(chǎng)合場(chǎng)合電子密度溫度対変化度合異事。場(chǎng)合伝導(dǎo)帯電子濃度濃度多場(chǎng)合、一般先述飽和領(lǐng)咸少溫度下所現(xiàn)。理論的含場(chǎng)合（理想的、含単純（純粋）半導(dǎo)體場(chǎng)合）低溫場(chǎng)合続筈、一般、制御得不純物、程度含、更溫度下伝導(dǎo)帯電子濃度順次減少濃度少、場(chǎng)合移行。実際場(chǎng)合観測(cè)、場(chǎng)合飽和領(lǐng)域後現(xiàn)事。場(chǎng)合、試料型半導(dǎo)體、型不純物、即含物、様半導(dǎo)體捕償半導(dǎo)體

24、?，F(xiàn)実試料於様違常得限、理想的場(chǎng)合少結(jié)果得。実験的、例型半導(dǎo)體準(zhǔn)位分、自由電子密度溫度依存性調(diào)半導(dǎo)體程度入推測(cè)。実際半導(dǎo)體自由電荷量溫度依存例図1-11示。図12kT領(lǐng)域認(rèn)難、捕償起。、式1-14基礎(chǔ)的関係準(zhǔn)位溫度不純物濃度関連求結(jié)果図1-12示。又不純物含理想的場(chǎng)合仮定、禁制帯溫度依存含計(jì)算21) 。-21) 禁制帯溫度依存詳述、基本的溫度上昇共底対応準(zhǔn)位熱的考程度理解出來。參考文獻(xiàn)一般的參考文獻(xiàn)文獻(xiàn)0-1CKittel，Introduction to Solid State Physics，John Wiley and Sons，Inc，（1953）文獻(xiàn)0-2永宮武夫、久保亮五編、固體物理

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26、conductor Devices， John Wily and Sons，Inc，(1969）文獻(xiàn)0-8S.MSze，Semiconductor Devices，Physics and Technology, John Wiley and Sons，Inc，（1985）-注：文獻(xiàn)0-1,6,7,8関日本語翻訳版。章文獻(xiàn)1-1L. Pauling and E.BWilson, " Introduction to Quantum Mechanics ”, Mc-Graw-Hill, (1935)文獻(xiàn)1-2L.I. Schiff, “ Quantum Mechanics “, Mc-Graw-Hill, (1995)文獻(xiàn)1-3EMConwell, Proc. IRE, vol.46, pp.1281(1958). 文獻(xiàn)1-4S.M. Sze and J.C. Ir